一种防浪涌保护电路的制作方法

本实用新型属于电池供电开机电路技术领域，具体涉及一种防浪涌保护电路。

背景技术：

军用机载、星载、弹载、舰载、车载等电器系统，由于应用场合电磁环境的特殊和高可靠要求，其电子系统在其电源供电系统电压发生瞬变时，必须能够正常可靠的工作，这一瞬变有具体的军标要求，典型的有美军标MIL-STD-1275B，英军标DEF-STAN-61-5，国军标GJB181-86和GJB181A-2003。以28V供电为例，瞬变包括尖峰和浪涌冲击，各标准典型瞬态要求如表一，

表一 典型瞬态要求

对于28V供电的一般电器系统，在不加任何保护的情况下，很难经受80V～100V的浪涌和±600V的脉冲冲击，所以设计一种保护电路对过高浪涌电压进行抑制，保证输出电压始终维持在设备允许的供电范围内是很有必要的，现有的防浪涌保护电路原理复杂、电子元件较多，尤其对军用机载、星载、弹载、舰载、车载等电器系统中适用性差。

技术实现要素：

本实用新型所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足，提供一种防浪涌保护电路，该防浪涌保护电路能够起到浪涌抑制的作用，且防浪涌保护电路工作稳定、可靠，有效抑制尖峰脉冲信号造成电路破坏，甚至造成电子设备的损坏。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：一种防浪涌保护电路，其特征在于：包括电子开关电路和尖峰脉冲保护电路，以及用于保护电子开关电路和尖峰脉冲保护电路的稳压保护电路；

所述电子开关电路包括PMOS管Q1，所述PMOS管Q1的源极和漏极分别与电源输入端Vin和电源输出端Vout连接；

所述尖峰脉冲保护电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、三极管Q2、三极管Q3和电容C2，所述PMOS管Q1的源极分两路，一路经电阻R1与PMOS管Q1的栅极的连接，另一路经电阻R3、电阻R4与三极管Q3的集电极连接，所述电阻R2一端与PMOS管Q1的栅极和电阻R1的连接端相连，所述电阻R2另一端接地，所述三极管Q2的集电极与电阻R1和电阻R2的连接端相连，所述三极管Q2的发射极与电阻R1和电阻R3的连接端相连，所述三极管Q2的基极与电阻R3和电阻R4的连接端相连，所述电阻R5一端与所述PMOS管Q1的漏极连接，所述电阻R5另一端经电阻R6接地，所述三极管Q3的基极与所述电阻R5和电阻R6连接端相连，所述三极管Q3的发射极接地，所述电容C2一端与所述电阻R5和电阻R6连接端相连，所述电容C2另一端接地。

本实用新型的特点还在于：

所述稳压保护电路包括与所述PMOS管Q1源极和栅极并联的反向稳压二极管ZD1。

所述稳压保护电路还包括与所述电容C1并联的反向稳压二极管ZD2。

所述稳压保护电路还包括与所述三极管Q3集电极和发射极并联的反向二极管ZD2。

还包括电容C1和二极管D1，所述二极管D1的阳极与电源输入端Vin连接，所述二极管D1的阴极与PMOS管Q1的源极连接，所述电容C1的一端与二极管D1与PMOS管Q1的源极连接端相连，所述电容C1的另一端接地。

本实用新型与现有技术相比具有以下优点：

1.本实用新型结构简单，使用方便，当输入电压为正常值时，PMOS管Q1饱和导通，则电源输出端Vout电压值等于电源输入端Vin电压值，当电源出现尖峰脉冲时，PMOS管Q1截止，电源输出端Vout电压值为零，这样有效保护了电子元件，保证防浪涌保护电路的正常工作。

2.本实用新型的稳压保护电路能够有效防止PMOS管Q1、三极管Q3被击穿。

综上所述，本实用新型结构简单且操作方便，投入成本少，结构设计合理，便于操作，使用效果好。

下面通过附图和实施例，对本实用新型的技术方案做进一步的详细描述。

附图说明

图1为本实用新型的电路原理图。

具体实施方式

如图1所示的一种防浪涌保护电路，包括电子开关电路和尖峰脉冲保护电路，以及用于保护电子开关电路和尖峰脉冲保护电路的稳压保护电路；

所述电子开关电路包括PMOS管Q1，所述PMOS管Q1的源极和漏极分别与电源输入端Vin和电源输出端Vout连接；

所述尖峰脉冲保护电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、三极管Q2、三极管Q3和电容C2，所述PMOS管Q1的源极分两路，一路经电阻R1与PMOS管Q1的栅极的连接，另一路经电阻R3、电阻R4与三极管Q3的集电极连接，所述电阻R2一端与PMOS管Q1的栅极和电阻R1的连接端相连，所述电阻R2另一端接地，所述三极管Q2的集电极与电阻R1和电阻R2的连接端相连，所述三极管Q2的发射极与电阻R1和电阻R3的连接端相连，所述三极管Q2的基极与电阻R3和电阻R4的连接端相连，所述电阻R5一端与所述PMOS管Q1的漏极连接，所述电阻R5另一端经电阻R6接地，所述三极管Q3的基极与所述电阻R5和电阻R6连接端相连，所述三极管Q3的发射极接地，所述电容C2一端与所述电阻R5和电阻R6连接端相连，所述电容C2另一端接地。

本实施例中，所述稳压保护电路包括与所述PMOS管Q1源极和栅极并联的反向稳压二极管ZD1。

本实施例中，所述稳压保护电路还包括与所述三极管Q3集电极和发射极并联的反向二极管ZD2。

本实施例中，还包括电容C1和二极管D1，所述二极管D1的阳极与电源输入端Vin连接，所述二极管D1的阴极与PMOS管Q1的源极连接，所述电容C1的一端与二极管D1与PMOS管Q1的源极连接端相连，所述电容C1的另一端接地。

本实用新型的工作原理是：

正常电压输入时，由于PMOS管Q1的栅极经电阻R2接地，所以所述PMOS管Q1的源极与PMOS管Q1的栅极之间具有电压差，PMOS管Q1处于饱和导通状态，电源输出端Vout电压值等于电源输入端Vin电压值，即电子开关电路处于正常导通状态，且三极管Q3的基极经电阻R5与PMOS管Q1的漏极连接，三极管Q3也处于导通状态，三极管Q2处于截止状态，该防浪涌保护电路中的电阻R3为取样电阻；当电源出现尖峰脉冲时，通过取样电阻R3的电流瞬间增大，即电阻R3两端电压增大，由于三极管Q2的发射极与电阻R3的阳极端连接，三极管Q2的基极与电阻R3的阴极连接，所以当电源出现尖峰脉冲时，三极管Q2处于导通状态，PMOS管Q1的源极与PMOS管Q1的栅极之间的电压差为零，PMOS管Q1处于截止状态，即电子开关电路处于截止状态，电源输出端Vout输出电压为零，这样有效保护电子设备，避免尖峰脉冲信号对电子设备的破坏。

以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例，并非对本实用新型作任何限制，凡是根据本实用新型技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、变更以及等效结构变化，均仍属于本实用新型技术方案的保护范围内。