本实用新型涉及一种太阳能接线盒三分体光伏模块。
背景技术：
常见的太阳能接线盒光伏模块多数为整体式，此种结构不便于后期的维护，从而出现了分体式的光伏模块，但是由于光伏模块内部结构存在不合理的布局，光伏模块的尺寸较大且散热性能不能够保证。
技术实现要素：
针对上述技术问题，本实用新型的目的是提供一种结构合理、尺寸小且保持有较好散热性的太阳能接线盒三分体光伏模块。
实现本实用新型的技术方案如下：
太阳能接线盒三分体光伏模块，包括相互独立的第一二极管单元、第二二极管单元、第三二极管单元，所述第一二极管单元、第二二极管单元、第三二极管单元各自包括引脚铜片、芯片铜基板、二极管芯片，二极管芯片焊接于芯片铜基板上，二极管芯片通过导线与引脚铜片下端形成连接，塑封形成的整体高度为18-19.5mm，宽度为23-24mm，引脚铜片下端、芯片铜基板下端及二极管芯片塑封形成整体，引脚铜片的上端、芯片铜基板的上端用作接线，第一二极管单元中的芯片铜基板上端与第二二极管单元中引脚铜片的上端导电连接，第二二极管单元中芯片铜基板上端与第三二极管单元中引脚铜片的上端导电连接，第一二极管单元中引脚铜片的下端延伸出第一接线端，第三二极管单元中芯片铜基板下端延伸出第二接线端，
引脚铜片与芯片铜基板之间保留有0.8mm—1mm宽度的间隙，引脚铜片下端形成缺口，芯片铜基板形成向缺口内伸入的延伸部，所述二极管芯片焊接于延伸部上，所述引脚铜片的下端包括倾斜段、竖直段、水平段，倾斜段处于最下方，倾斜段呈45°向芯片铜基板方向倾斜，倾斜段的上端与竖直段连接，竖直段的上端与水平段连接，在倾斜段的内侧、竖直段的内侧、水平段的内侧之间形成上述的缺口，所述倾斜段的宽度为2-2.5mm，竖直段的宽度为3-3.5mm，芯片铜基板下端的最大宽度为15-16mm。
进一步地，所述二极管芯片通过导线与引脚铜片下端的竖直段连接。
采用了上述技术方案，通过将二极管单元内部结构进行合理化的布局(缺口及延伸部的布置，以及各个位置的尺寸)，以使二极管单元的尺寸变小且保持有较好的散热性能。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图；
具体实施方式
为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例的附图，对本实用新型实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本实用新型的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
如图1所示，太阳能接线盒三分体光伏模块，包括相互独立的第一二极管单元1、第二二极管单元2、第三二极管单元3，第一二极管单元、第二二极管单元、第三二极管单元各自包括引脚铜片4、芯片铜基板5、二极管芯片6，二极管芯片焊接于芯片铜基板上，二极管芯片通过铝导线7与引脚铜片下端形成连接，引脚铜片下端、芯片铜基板下端及二极管芯片塑封形成整体，塑封形成的塑封整体8高度A为18mm或19mm或19.5mm，宽度B为23mm或24mm，引脚铜片的上端、芯片铜基板的上端用作接线，第一二极管单元中的芯片铜基板上端与第二二极管单元中引脚铜片的上端通过汇流条17导电连接，第二二极管单元中芯片铜基板上端与第三二极管单元中引脚铜片的上端通过汇流条导电连接，第一二极管单元中引脚铜片的下端延伸出第一接线端9，第三二极管单元中芯片铜基板下端延伸出第二接线端10。
引脚铜片与芯片铜基板之间保留有0.8mm—1mm宽度的间隙11，保证二者之间具有合理的绝缘距离，引脚铜片下端形成上部方形下部锥形的缺口12，芯片铜基板形成向缺口内伸入的延伸部13，延伸部结构与缺口形状相适应，以进一步增大散热面积，二极管芯片焊接于延伸部上，引脚铜片的下端包括倾斜段14、竖直段15、水平段16，倾斜段处于最下方，倾斜段呈45°向芯片铜基板方向倾斜，倾斜段的上端与竖直段连接，竖直段的上端与水平段连接，竖直段上端与水平段之间的连接形成弯折状，在倾斜段的内侧、竖直段的内侧、水平段的内侧之间形成上述的缺口，倾斜段的宽度C为2mm或2.5mm，竖直段的宽度D为3mm或3.5mm，芯片铜基板下端的最大宽度E为15mm或15.5mm或16mm。
二极管芯片通过铝导线与引脚铜片下端的竖直段连接，二极管芯片基本处于塑封整体的中间位置，以减少导线的使用长度，通过延伸部的设置，使塑封中的芯片铜基板尺寸增加，从而能够增加二极管芯片的散热面积(二极管芯片工作过程中产生的热量，通过芯片铜基板向外扩散)，以加快热量的扩散。
采用三分体光伏模块，还具有如下优势：三个二极管单元可以根据需要的位置进行分别安装，不需要由于一体式的设置，而需要使用较长的汇流条进行连接而集中到某一固定安装点；独立式的二极管单元，在某个需要维护、更换时，仅需要单独更换，而无需整体性的更换，降低维护工作、减少维护成本，且具有更好的散热性能(一体式时，两侧二极管单元中产生的热量会与中间二极管单元之间相互扩散，导致散热性能较差)。