一种单相非隔离有源钳位MOSFET逆变器的制作方法

文档序号:16196797发布日期:2018-12-08 06:13阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本发明提供一种单相非隔离有源钳位MOSFET逆变器,包括八个开关管、四个二极管和两个分裂电容,适用于光伏发电系统。通过在H6拓扑逆变器加入钳位电路能够有效的抑制可能存在的谐振现象,使共模电压保持恒定,本发明电路可以有效的解决逆变环节中由于不采用变压器而造成的共模漏电流问题,同时由于续流阶段电流不流经体二极管,因此MOSFET器件可以使用,降低了由于IGBT器件关断时由于拖尾电流造成的关断损耗,且SiC二极管可以替代普通二极管,反向恢复的损耗可以得到很好的抑制。因此本发明电路能够有效的抑制共模漏电流,同时提高并网发电系统的效率。

技术研发人员:肖文勋;胡建雨;张波;黄子田
受保护的技术使用者:华南理工大学
技术研发日:2018.09.30
技术公布日:2018.12.07
当前第2页1 2 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1