一种过流保护电路的制作方法

本实用新型涉及电路过流保护技术领域，尤其涉及一种过流保护电路。

背景技术：

图1所示现有技术中的过流保护电路，当电路中电流未超过设定值时，电阻R1两端的压降不能够使Q1导通，输入通过继电器常闭触点输出给负载；当电路中电流超过一定值时，R1两端压降使Q1导通，继电器线圈两端电压使继电器常闭触点断开，常开触点RL1吸合，输入和输出之间断开，进而实现电路保护。

现有技术中的过流保护电路当电路中过流时，继电器线圈吸合需要短暂的时间，在这短暂的时间间隔内，负载和电路会承受过大的电流，致使电路中的部分电学器件发生损坏。

因此，提供一种过流保护电路，用于解决上述技术问题中的至少一种，就成为本领域技术人员亟待解决的问题。

技术实现要素：

本实用新型的目的是提供一种过流保护电路，通过改进现有过流保护电路的工作模式解决现有过流保护电路无法应对电路过流的技术问题。

为了实现上述目的：本实用新型提供一种过流保护电路，包括电平检测模块和保护控制模块，还包括：三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4和N沟道MOS管Q5；所述三极管Q1的发射极依次与电阻R2、电阻R1串联后，与三极管Q1的基极电连接；所述电阻R2与电阻R1的连接处与电池BAT的正极电连接；所述三极管Q1的集电极依次与电阻R7、电阻R8串联后与所述三极管Q2的发射极电连接；所述电阻R7与电阻R8的连接处与所述三极管Q2的基极电连接；所述电阻R8与所述三极管Q2的发射极电连接处与所述电池BAT的负极电连接；所述三极管Q2的集电极与电阻R9串联后接5V直流电源；所述三极管Q2的集电极与所述电平检测模块电连接；所述电阻R1与所述三极管Q1基极的连接处与电阻R3串联后与三极管Q4的集电极电连接；所述三极管Q4的基极与电阻R4串联后用于输入脉冲波PUL；所述三极管Q4的发射极与所述电池BAT的负极电连接；二极管D1与电容C1串联后并联在所述电阻R3的两端，所述二极管D1的阳极电连接在所述电阻R3的高电位一端；所述二极管D1的阴极与二极管D2的阳极电连接；所述二极管D2的阴极与电容C2串联后与所述二极管D1的阳极电连接；N沟道MOS管Q5的漏极与二极管D1的阳极电连接；所述N沟道MOS管Q5的栅极与所述电阻R5串联后与所述二极管D2的阴极电连接；所述N沟道MOS管Q5的栅极与源极之间分别并联连接有稳压二极管ZD1和电阻R6；所述稳压二极管ZD1的阳极分别与所述N沟道MOS管Q5的源极，及负载连接端OUT电连接；所述N沟道MOS管Q5的栅极与电阻R10串联后与所述三极管Q3的集电极电连接；所述三极管Q1的集电极依次与二极管D3、电阻R

13串联后与所述三极管Q3的基极电连接，所述三极管Q1的集电极与二极管D3的阳极电连接；所述三极管Q3的基极通过电阻R11与所述三极管Q3的发射极电连接；所述三极管Q3的发射极与所述电池BAT的负极电连接；所述三极管Q3的基极依次与电阻R12及二极管D4串联后与所述保护控制模块电连接，所述保护控制模块与所述二极管D4的阳极电连接。

优选地，还包括单片机，所述脉冲波PUL由所述单片机发出。

本实用新型通过提供一种过流保护电路，能够有效地克服现有继电器的常闭触点不能限制过流时的电流的技术缺陷。本实用新型通过利用N沟道MOS管Q5在电路发生过流时会限制电路中电流在一定值，直至电路保护模块发出信号，使N沟道MOS管Q5关断，进而实现电路保护，避免现有电路中的电学器件在过流保护动作的短暂时间内由于流过较大电流而导致损坏。

附图说明

图1为现有技术中过流保护电路的电路结构示意图；

图2为本实用新型实施例中过流保护电路的电路结构示意图。

具体实施方式

下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。

请参考图2，图2为本实施例中所提供的过流保护电路的电路结构示意图。在一种具体实施方式中，本实用新型所提供的过流保护电路的结构包括：电平检测模块和保护控制模块，还包括：三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4和N沟道MOS管Q5；所述三极管Q1的发射极依次与电阻R2、电阻R1串联后，与三极管Q1的基极电连接；所述电阻R2与电阻R1的连接处与电池BAT的正极电连接；所述三极管Q1的集电极依次与电阻R7、电阻R8串联后与所述三极管Q2的发射极电连接；所述电阻R7与电阻R8的连接处与所述三极管Q2的基极电连接；所述电阻R8与所述三极管Q2的发射极电连接处与所述电池BAT的负极电连接；所述三极管Q2的集电极与电阻R9串联后接5V直流电源；所述三极管Q2的集电极与所述电平检测模块电连接；所述电阻R1与所述三极管Q1基极的连接处与电阻R3串联后与三极管Q4的集电极电连接；所述三极管Q4的基极与电阻R4串联后用于输入脉冲波PUL；所述三极管Q4的发射极与所述电池BAT的负极电连接；二极管D1与电容C1串联后并联在所述电阻R3的两端，所述二极管D1的阳极电连接在所述电阻R3的高电位一端；所述二极管D1的阴极与二极管D2的阳极电连接；所述二极管D2的阴极与电容C2串联后与所述二极管D1的阳极电连接；N沟道MOS管Q5的漏极与二极管D1的阳极电连接；所述N沟道MOS管Q5的栅极与所述电阻R5串联后与所述二极管D2的阴极电连接；所述N沟道MOS管Q5的栅极与源极之间分别并联连接有稳压二极管ZD1和电阻R6；所述稳压二极管ZD1的阳极分别与所述N沟道MOS管Q5的源极，及负载连接端OUT电连接；所述N沟道MOS管Q5的栅极与电阻R10串联后与所述三极管Q3的集电极电连接；所述三极管Q1的集电极依次与二极管D3、电阻R 13串联后与所述三极管Q3的基极电连接，所述三极管Q1的集电极与二极管D3的阳极电连接；所述三极管Q3的基极通过电阻R11与所述三极管Q3的发射极电连接；所述三极管Q3的发射极与所述电池BAT的负极电连接；所述三极管Q3的基极依次与电阻R12及二极管D4串联后与所述保护控制模块电连接，所述保护控制模块与所述二极管D4的阳极电连接。

其中，电平检测模块通过检测到的电平信号来控制保护控制模块的输出信号，电阻R1为电流取样电阻，三极管Q1的基极和发射极之间压降为电阻R1的压降减去电阻R2的压降，当流过电阻R1的电流未超过一定值时，三极管Q1基极电压小于导通电压，三极管Q1截止，三极管Q2基极和发射极之间无压降，三极管Q2截止，此时电平检测端检测到5V高电平，保护控制模块的输出信号使三极管Q3截止，脉冲波PUL控制三极管Q4导通和关断，使电容C1自举升压，电容C1与二极管D2阳极连接一端为高电压端，通过二极管D2、电阻R5接在N沟道MOS管Q5的栅极上，N沟道MOS管Q5栅极电压比源极电压高，且稳压二极管ZD1使N沟道MOS管Q5栅极和源极之间压差稳定在一定值，N沟道MOS管Q5导通，输出正常；当流过电阻R1的电流超过一定值时，三极管Q1的基极和发射极之间压降使三极管Q1导通，电池电压分别通过电阻R2、R7、R8分压，三极管Q2的基极和发射极之间压降使三极管Q2导通，此时电平检测到低电平0V，此时三极管Q3处于放大状态，其集电极输出电压使N沟道MOS管Q5处在恒流区，在恒流区，流过N沟道MOS管Q5的电流为其饱和电流，电平检测模块检测到低电平一定时间后，向控制模块发出信号，控制模块发出信号使三极管Q3导通,三极管Q3导通后，电容C1自举升压的电压通过电阻R5、R10分压,此时N沟道MOS管Q5栅极电压使N沟道MOS管Q5关断，电路进入保护状态。

本实用新型通过提供一种过流保护电路，能够有效地克服现有继电器的常闭触点不能限制过流时的电流的技术缺陷。本实用新型通过利用N沟道MOS管Q5在电路发生过流时会限制电路中电流在一定值，直至电路保护模块发出信号，使N沟道MOS管Q5关断，进而实现电路保护，避免现有电路中的电学器件在过流保护动作的短暂时间内由于流过较大电流而导致损坏。

进一步地，在本实施例的其中一个优选技术方案中，还包括单片机，所述脉冲波PUL由所述单片机发出。由于利用单片机发出脉冲波PUL为现有技术，故关于单片机的相关技术信息在此不再进一步图示与赘述。

上述各实施例仅是本实用新型的优选实施方式，在本技术领域内，凡是基于本实用新型技术方案上的变化和改进，不应排除在本实用新型的保护范围之外。