1.一种增强型MOSFET驱动电路，其特征在于：包括N型MOSFET、P型MOSFET、电阻R3、电容C73；所述N型MOSFET与所述P型MOSFET为互补对管；所述N型MOSFET的基底内部连接；所述P型MOSFET的基底内部连接；所述N型MOSFET的G极、所述P型MOSFET的G极连接PWM电路输入端；所述N型MOSFET的S极连接接地端；所述P型MOSFET的S极连接电源Vdd，所述N型MOSFET的D极、所述P型MOSFET的D极连接PWM电路输入端；所述N型MOSFET的S极与所述P型MOSFET的S极间并联电容C73；所述PWM电路输入端与接地端之间并联电阻R3；所述电容C73为1μF，所述PWM电路输入端的频率大于等于200Hz；当输入方波为负时，所述P型MOSFET导通，所述N型MOSFET截止；当输入方波为正时，所述N型MOSFET导通，所述P型MOSFET截止。
2.如权利要求1所述的一种增强型MOSFET驱动电路，其特征在于：所述N型MOSFET为增强型MOSFET，所述P型MOSFET为增强型MOSFET；所述N型MOSFET与所述P型MOSFET组成互补型共源极单端推挽电路。
3.如权利要求1所述的一种增强型MOSFET驱动电路，其特征在于：所述N型MOSFET与所述P型MOSFET的功率与参数相同。
4.如权利要求1所述的一种增强型MOSFET驱动电路，其特征在于：所述N型MOSFET与所述P型MOSFET封装集成为一体。
5.如权利要求1所述的一种增强型MOSFET驱动电路，其特征在于：所述P型MOSFET的G极与S极间并联电阻R1，所述电阻R1为20k欧姆。
6.如权利要求2或3所述的一种增强型MOSFET驱动电路，其特征在于：所述N型MOSFET的G极与S极间并联电阻R2，所述电阻R2为20k欧姆。
7.如权利要求4所述的一种增强型MOSFET驱动电路，其特征在于：所述电阻R3为20k欧姆。
8.一种车载直流电源转换装置，其特征在于：包括如权利要求1所述的增强型MOSFET驱动电路，其包括：N型MOSFET、P型MOSFET、电阻R3、电容C73，所述N型MOSFET与所述P型MOSFET为互补对管；所述N型MOSFET的基底内部连接；所述P型MOSFET的基底内部连接；
与所述增强型MOSFET驱动电路连接的PWM电路；以及与所述增强型MOSFET驱动电路连接的DC/DC转换电路；
其中，所述N型MOSFET的G极、所述P型MOSFET的G极连接PWM电路输入端；所述N型MOSFET的S极连接接地端；所述P型MOSFET的S极连接电源Vdd，所述N型MOSFET的D极、所述P型MOSFET的D极连接PWM电路输入端；所述N型MOSFET的S极与所述P型MOSFET的S极间并联电容C73；所述PWM电路输入端与接地端之间并联电阻R3；所述PWM电路输出脉宽信号；所述增强型MOSFET驱动电路接收所述脉宽信号并驱动所述DC/DC转换电路输出1kW额定功率电源。