一种漏电感应型SPD后备保护断路器的制作方法

本实用新型涉及一种漏电感应型SPD后备保护断路器，属于过电压、过电流保护技术领域。

背景技术：

后备保护是指主保护或断路器拒动时，用以切除故障的保护，当回路发生故障时，回路上的保护将在瞬间发出信号断开回路的开断元件(如断路器)，这个立即动作的保护就是主保护，当主保护因为各种原因没有动作，在延时很短时间后(延时时间根据各回路的要求)，另一个保护将启动并动作，将故障回路跳开，这个保护就是后备保护，传统的漏电感应型SPD后备保护断路器通常是3A脱离，安全性不高，类似产品主通路串联开关元件，反应时间慢，残压相对较高，脱离方式是线圈并联于浪涌主通路，在一定的浪涌值下有损坏的可能性。

技术实现要素：

(一)要解决的技术问题

为解决上述问题，本实用新型提出了一种采用纯铜线，反应时间短，残压低，更好的保护线路和设备，当故障电流达到30mA时即可脱落，安全性更高，感应器脱离器件与电涌电流隔绝，避免了被电涌损坏，可靠性更好且18mm/P可做到25kA(一级)和100kA(二级)，体积小，通流量大，安装更方便的漏电感应型SPD后备保护断路器。

(二)技术方案

本实用新型的一种漏电感应型SPD后备保护断路器，包括漏电感应型后备保护断路器和电涌保护器，所述的漏电感应型后备保护断路器内部设有动作机构，该动作机构与感应电流脱扣器相连，该脱扣器一端设有二次绕组，所述的二次绕组与磁环相连，该磁环上方设有开关，所述的电涌保护器内部设有过电流泄放器件，电源线先经过漏电感应型SPD后备保护断路器再与电涌保护器SPD串联，当SPD中的任何一相的过电流泄放器件发生劣化时，流经此相线路的电流就会增大，当增大到一定的值时，漏电感应型SPD后备保护断路器中的磁环就会产生磁通的变化，二次绕组感应出足够大的电流，感应电流使脱扣器动作，从而触发动作机构，带动开关分闸，从而使劣化了的电涌保护器SPD安全的从电路中脱离。

进一步地，所述的漏电感应型SPD后备保护断路器与电涌保护器SPD串联连接且末端接地。

进一步地，所述的漏电感应型SPD后备保护断路器主通路采用纯铜线材质。

进一步地，所述的漏电感应型SPD后备保护断路器18mm/P可做到25kA(一级)和100kA(二级)。

(三)有益效果

本实用新型与现有技术相比较，其具有以下有益效果：本实用新型采用纯铜线，反应时间短，残压低，更好的保护线路和设备，当故障电流达到30mA时即可脱落，安全性更高，感应器脱离器件与电涌电流隔绝，避免了被电涌损坏，可靠性更好且18mm/P可做到25kA(一级)和100kA(二级)，体积小，通流量大，安装更方便。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型的结构示意图。

1-漏电感应型后备保护断路器；2-动作机构；3-脱扣器；4-二次绕组；5-开关；6-磁环；7-过电流泄放器件；8-电涌保护器。

具体实施方式

如图1所示的一种漏电感应型SPD后备保护断路器，包括漏电感应型后备保护断路器1和电涌保护器8，所述的漏电感应型后备保护断路器1内部设有动作机构2，该动作机构2与感应电流脱扣器3相连，该脱扣器3一端设有二次绕组4，所述的二次绕组4与磁环6相连，该磁环6上方设有开关5，所述的电涌保护器8内部设有过电流泄放器件7，电源线先经过漏电感应型SPD后备保护断路器1再与电涌保护器SPD 8串联，当SPD中的任何一相的过电流泄放器件7发生劣化时，流经此相线路的电流就会增大，当增大到一定的值时，漏电感应型SPD后备保护断路器1中的磁环6就会产生磁通的变化，二次绕组4感应出足够大的电流，感应电流使脱扣器3动作，从而触发动作机构2，带动开关5分闸，从而使劣化了的电涌保护器SPD8安全的从电路中脱离；

其中，所述的漏电感应型SPD后备保护断路器1与电涌保护器SPD 8串联连接且末端接地；

所述的漏电感应型SPD后备保护断路器1主通路采用纯铜线材质；

所述的漏电感应型SPD后备保护断路器1 18mm/P可做到25kA(一级)和100kA(二级)。

本实用新型采用纯铜线，反应时间短，残压低，更好的保护线路和设备，当故障电流达到30mA时即可脱落，安全性更高，感应器脱离器件与电涌电流隔绝，避免了被电涌损坏，可靠性更好且18mm/P可做到25kA(一级)和100kA(二级)，体积小，通流量大，安装更方便。

上面所述的实施例仅仅是对本实用新型的优选实施方式进行描述，并非对本实用新型的构思和范围进行限定。在不脱离本实用新型设计构思的前提下，本领域普通人员对本实用新型的技术方案做出的各种变型和改进，均应落入到本实用新型的保护范围，本实用新型请求保护的技术内容，已经全部记载在权利要求书中。