一种晶闸管过压保护电路的制作方法

本实用新型涉及晶闸管保护电路技术领域，具体为一种晶闸管过压保护电路。

背景技术：

晶闸管是一种开关元件，能在高电压、大电流条件下工作，并且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中，是典型的小电流控制大电流的设备。

由于晶闸管本身是属于比较昂贵器件，如果晶闸管处于高压而门极又无控制信号时，晶闸管将被击穿，造成晶闸管本身损坏，造成了资源的浪费、成本的增加。

现有的对晶闸管保护电路主要是通过R-C阻容吸收回路，或者使用压敏电阻，硒堆等非线性器件进行抑制；R-C阻容吸收回路，主要适合容量较小装置，不适应大容量装置电路，而压敏电阻是持续平均功率太小（仅数瓦），不适应频繁出现过电压的电路，硒堆则体积较大且长期放置不用会失效。

技术实现要素：

基于此，本实用新型提供了一种晶闸管过压保护电路。

一种晶闸管过压保护电路，包括：晶闸管、第一高速二极管、第二高速二极管、TVS管、击穿二极管、电路负载；所述击穿二极管阳极与晶闸管阳极连接且与电源连通，击穿二极管阴极与所述TVS管的一端连接，所述TVS管的另一端与所述第一高速二极管的一端连接，所述第一高速二极管的另一端与晶闸管门极连接，所述第二高速二极管与第一高速二极管并联设置，一端与晶闸管门极连接，另一端与信号输入端连接，所述电路负载的一端接地，另一端与所述晶闸管阴极连接。

其中一个实施例为，所述一种晶闸管过压保护电路还包括电阻，所述电阻与所述击穿二极管并联连接。

上述一种晶闸管过压保护电路，通过击穿二极管、TVS管和第一高速二极管串联组成保护支路，当晶闸管阳极电压到达一定数值后，可使击穿二极管击穿导通，再利用TVS管的稳压特性和快速响应导通特性，使该支路控制电压保持在一定数值，从而输入到晶闸管门极，使晶闸管进行打开导通，避免晶闸管处于高压状态击穿损坏，且电路结构简单，能长期在高电压、大功率的环境下工作，适用性强。

附图说明

图1为本实用新型一实施例一种晶闸管过压保护电路电路原理图。

如附图所示：晶闸管Q1、第一高速二极管D1、第二高速二极管D2、TVS管D3、击穿二极管D4、电路负载RL、电阻R1、 晶闸管阳极A、晶闸管阴极K、晶闸管门极G。

具体实施方式

为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型。但是本实用新型能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似改进，因此本实用新型不受下面公开的具体实施例的限制。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

如图1所示，一种晶闸管过压保护电路，包括：晶闸管Q1、第一高速二极管D1、第二高速二极管D2、TVS管D3、击穿二极管D4、电路负载RL；所述击穿二极管D4阳极与晶闸管Q1阳极A连接且与电源VCC连通，击穿二极管阴极D4与所述TVS管D3的一端连接，所述TVS管D3的另一端与所述第一高速二极管D1的一端连接，所述第一高速二极管D1的另一端与晶闸管Q1门极G连接，所述第二高速二极管D2与第一高速二极管D1并联设置，一端与晶闸管Q1门极G连接，另一端与信号输入端连接，所述电路负载RL的一端接地，另一端与所述晶闸管Q1阴极K连接。

当电源VCC电压加到晶闸管Q1阳极A的同时，也会加压到击穿二极管D4的阳极端上，当输入信号端无信号输入，晶闸管Q1没打开，晶闸管Q1达到最大耐压值后，击穿二极管D4被击穿，使其导通，导通后，电压输入到TVS管D3内，TVS管D3把两端电源稳定在预定数值，电压输出给到第一高速二极管D1后，进而输入到晶闸管的门极G，从而使晶闸管Q1打开导通，Q1晶闸管导通后。

这样，一种晶闸管过压保护电路，通过击穿二极管D4、TVS管D3和第一高速二极管D2串联组成保护支路，当晶闸管Q1阳极A电压到达一定数值后，可使击穿二极管击穿D4导通，再利用TVS管D3的稳压特性和快速响应导通特性，使该支路控制电压保持在一定数值，从而输入到晶闸管Q1门极G，使晶闸管Q1进行打开导通，避免晶闸管Q1处于高压状态击穿损坏，且电路结构简单，能长期在高电压、大功率的环境下工作，适用性强。

进一步地，为了使在多个击穿二极管D4串联时，能使每个击穿二极管D4接受的电压都基本一致，所述一种晶闸管过压保护电路还包括电阻R1，所述电阻R1与所述击穿二极管D4并联连接。

这样，当电路中串联多个击穿二极管D4时，电阻R1起到很好的分压作用，使每个击穿二极管D4接受的电压都基本一致，方便击穿。

进一步地，第一高速二极管D1和第二高速二极管D2，主要用于隔离两个控制信号，避免击穿二极管D4支路控制信号和控制端信号相互干扰，影响整个电路的正常工作。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。