1.一种励磁绕组系统柜，其特征在于，包括可控硅整流模组、过压吸收保护模组、控制模组、双系统切换模组及柜体，所述可控硅整流模组安装在柜体上部左或中侧，所述过压吸收保护模组安装在柜体上部右侧，所述控制模组安装在可控硅整流模组的下部，所述双系统切换模组安装在柜体的后侧，所述可控硅整流模组、过压吸收保护模组、控制模组、双系统切换模组通过连接机构安装在柜体的相应位置。
2.根据权利要求1所述的励磁绕组系统柜，其特征在于，所述可控硅整流模组为三相六脉冲可控硅整流模组。
3.根据权利要求2所述的励磁绕组系统柜，其特征在于，所述三相六脉冲可控硅整流模组包括水冷散热器、单元外壳、可控硅、阻容吸收、脉冲功放板，所述可控硅、阻容吸收、脉冲功放板通过连接机构安装在水冷散热器一侧。
4.根据权利要求3所述的励磁绕组系统柜，其特征在于，所述水冷散热器采用双面安装方式，每侧安装一套完整的三相六脉冲可控硅整流模组。
5.根据权利要求3所述的励磁绕组系统柜，其特征在于，所述可控硅为三支双管可控硅，分别安装在三块铜排上。
6.根据权利要求3所述的励磁绕组系统柜，其特征在于，所述阻容吸收包含六个吸收电容、六个吸收电阻，两两串并联分布在每支可控硅连接的铜排上。
7.根据权利要求6所述的励磁绕组系统柜，其特征在于，所述吸收电容为新型薄膜电容，通过连接机构安装在可控硅连接的铜排上，吸收电阻通过螺栓安装在与水冷散热器对应流道散热处。
8.根据权利要求3所述的励磁绕组系统柜，其特征在于，还包括温度监控PT，所述温度监控PT106通过连接机构安装在水冷散热器上下居中靠进进出口侧位置。
9.根据权利要求1所述的励磁绕组系统柜，其特征在于，所述过压吸收保护模组(2)由压敏电阻、快速熔断器以及整流桥组成，所述压敏电阻、快速熔断器以及整流桥通过连接机构安装在三相六脉冲可控硅整流模组后面的交流进线侧。
10.根据权利要求1所述的励磁绕组系统柜，其特征在于，所述控制模组由脉冲分配板、继电器、开关电源、绝缘监视仪、温度监控仪、电压互感器组成，所述脉冲分配板、继电器、开关电源、绝缘监视仪、温度监控仪、电压互感器组装在一个安装板上，形成一个控制模组。