一种多个并联MOSFET开关管的驱动电路的制作方法

文档序号:20271108发布日期:2020-04-03 19:02阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种多个并联mosfet开关管的驱动电路,其包括多个并联的规格型号相同的mosfet开关管,多个规格型号相同的开关二极管、多个规格型号相同的ptc热敏电阻;其特征为:任一所述mosfet开关管通过其对应的开关二极管和ptc热敏电阻的串联支路将同一驱动信号预留端口接入栅极,所述开关二极管的正端接所述同一驱动信号预留端口;所述ptc热敏电阻用于根据其对应的mosfet开关管的温度调节自身的电阻阻值,所述同一驱动信号预留端口传输的驱动信号用于开通所述多个并联的mosfet开关管。

2.如权利要求1所述的多个并联mosfet开关管的驱动电路,其还包括多个规格型号相同的ntc热敏电阻;任一所述mosfet开关管还通过其对应的开关二极管和ntc热敏电阻的串联支路将所述同一驱动信号预留端口接入栅极,所述开关二极管的负端接所述同一驱动信号预留端口,所述同一驱动信号预留端口传输的驱动信号还用于关断所述多个并联的mosfet开关管;在所述多个并联mosfet开关管关断过程中,任一mosfet开关管对应的所述开关二极管和ptc热敏电阻的串联支路保持断开,在所述多个并联mosfet开关管开通过程中,任一mosfet开关管对应的所述开关二极管和ntc热敏电阻的串联支路保持断开。

3.如权利要求1或2所述的多个并联mosfet开关管的驱动电路,在所述多个并联mosfet开关管开通过程中、任一个所述mosfet开关管随着其温度的升高,其对应的ptc热敏电阻阻值增大,流向该mosfet开关管栅极的电流将变小、栅极电压上升变慢,导致该mosfet开关管的开通速度变缓。

4.如权利要求3所述的多个并联mosfet开关管的驱动电路,在所述多个并联mosfet开关管关断过程中、任一个所述mosfet开关管随着其温度的升高,其对应的ntc热敏电阻阻值减小,流出该mosfet栅极的电流将变大,栅极电压加快降低,导致该mosfet开关管的关断速度加快。

当前第2页1 2 3 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1