开关模式电源控制器以及操作开关模式电源控制器的方法与流程

1.本发明涉及开关模式电源控制器以及操作开关模式电源控制器的方法。


背景技术：

2.本发明的实施例大体上涉及电路和方法，并且更具体地说，涉及电源控制器和用于操作电源控制器的方法。
3.开关模式电源(smps)使用开关功率级将输入电压和/或电流转换成期望输出电压和/或电流。对于具有集成驱动器的smps控制器，有利的是为集成驱动器提供接地连接，以使驱动器噪声与模拟/信号接地隔离。然而，如果例如出于成本原因，电端子或引脚数在封装式smps控制器集成电路(ic)芯片中受到限制，则可能不期望额外的接地电端子或引脚。因此，需要电端子或引脚的数量有限的smps控制器，所述smps控制器可以具有接地连接以使驱动器噪声与模拟/信号接地隔离。


技术实现要素：

4.描述了一种smps控制器以及一种用于smps控制器的方法的实施例。在实施例中，一种smps控制器包括：栅极驱动器电路，所述栅极驱动器电路被配置成生成用于smps的开关的驱动信号；以及电流感测电端子，所述电流感测电端子被配置成接收对应于所述开关的感测电流并且从所述栅极驱动器电路传导驱动器放电电流。还描述了其它实施例。
5.在实施例中，所述smps控制器另外包括电流比较器，所述电流比较器被配置成将所述感测电流与基准电流进行比较。
6.在实施例中，所述栅极驱动器电路、所述电流比较器和所述电流感测电端子电连接到电连接点。
7.在实施例中，所述电流比较器包括输入端子，所述输入端子被配置成接收所述感测电流，并且其中所述电流比较器的所述输入端子、所述栅极驱动器电路和所述电流感测电端子电连接到所述电连接点。
8.在实施例中，所述smps控制器另外包括电流源，所述电流源被配置成生成所述基准电流。
9.在实施例中，所述smps控制器另外包括误差放大器，所述误差放大器被配置成基于对应于所述smps的输出电压的输入电压与基准电压之间的差而生成输出信号。
10.在实施例中，所述smps控制器另外包括脉宽调制(pwm)控制器，所述pwm控制器被配置成响应于所述误差放大器的所述输出信号而生成pwm信号以控制所述栅极驱动器电路。
11.在实施例中，所述smps控制器另外包括电压源，所述电压源被配置成生成所述基准电压。
12.在实施例中，所述smps控制器另外包括第二电端子，所述第二电端子被配置成将所述驱动信号传输到所述开关的栅极端子。
13.在实施例中，所述smps控制器另外包括第三电端子，所述第三电端子被配置成接收用于所述栅极驱动器电路的电源电压。
14.在实施例中，所述smps控制器为封装式ic装置。
15.在实施例中，所述smps控制器另外包括接地连接电端子，并且来自所述栅极驱动器电路的所述驱动器放电电流不通过所述接地连接电端子传导到电接地。
16.在实施例中，一种smps控制器包括：第一栅极驱动器电路，所述第一栅极驱动器电路被配置成生成用于smps的第一开关的第一驱动信号；第二栅极驱动器电路，所述第二栅极驱动器电路被配置成生成用于所述smps的第二开关的第二驱动信号；电流感测电端子，所述电流感测电端子被配置成接收对应于所述第一开关和所述第二开关的感测电流，并且从所述第一栅极驱动器电路和所述第二栅极驱动器电路传导第一驱动器放电电流和第二驱动器放电电流；以及接地连接电端子，其中所述第一驱动器放电电流和所述第二驱动器放电电流不通过所述接地连接电端子传导到电接地。
17.在实施例中，所述smps控制器另外包括电流比较器，所述电流比较器被配置成将所述感测电流与基准电流进行比较，并且其中所述第一栅极驱动器电路和所述第二栅极驱动器电路、所述电流比较器以及所述电流感测电端子电连接到电连接点。
18.在实施例中，所述smps控制器另外包括误差放大器，所述误差放大器被配置成基于对应于所述smps的输出电压的输入电压与基准电压之间的差而生成输出信号。
19.在实施例中，所述smps控制器另外包括pwm控制器，所述pwm控制器被配置成响应于所述误差放大器的所述输出信号而生成第一pwm信号和第二pwm信号以控制所述第一栅极驱动器电路和所述第二栅极驱动器电路。
20.在实施例中，smps控制器另外包括第三电端子，所述第三电端子被配置成将所述第一驱动信号传输到所述第一开关的栅极端子；以及第四电端子，所述第四电端子被配置成将所述第二驱动信号传输到所述第二开关的栅极端子。
21.在实施例中，所述smps控制器另外包括第五电端子，所述第五电端子被配置成接收用于所述第一栅极驱动器电路和所述第二栅极驱动器电路的电源电压。
22.在实施例中，所述smps控制器为封装式ic装置。
23.在实施例中，一种用于操作smps控制器的方法涉及：使用所述smps控制器的栅极驱动器电路生成用于smps的开关的驱动信号；以及通过电流感测电端子从所述栅极驱动器电路传导驱动器放电电流，对应于所述开关的感测电流在所述电流感测电端子处被接收。
24.根据本发明的其它方面将从借助于本发明原理的例子说明的、结合附图进行的以下详细描述中变得显而易见。
附图说明
25.图1为根据本发明的实施例的smps的示意性框图。
26.图2描绘了图1中的smps，以及smps的smps控制器的栅极驱动器电路的放电路径。
27.图3为对应于图1所描绘的smps的信号时序图。
28.图4描绘了图1的体现为封装式ic装置的smps控制器。
29.图5为根据本发明的实施例的具有包括两个栅极驱动器电路的smps控制器的smps的示意性框图。
30.图6描绘了图5中的smps，以及两个栅极驱动器电路的两条放电路径。
31.图7为根据本发明的实施例的用于操作smps控制器的方法的处理流程图。
32.在整个描述中，类似的附图标记可以用于标识类似的元件。
具体实施方式
33.将容易理解，如本文中大体描述且在附图中示出的实施例的组件可以按各种不同的配置来布置和设计。因此，以下如图中所表示的各种实施例的更详细描述并非旨在限制本公开的范围，而是仅仅表示各种实施例。尽管在图式中呈现了实施例的各种方面，但是除非具体指示，否则图式不一定按比例绘制。
34.在不脱离本发明的精神或基本特性的情况下，可以按其它具体形式体现本发明。所描述的实施例在所有方面均被视为仅是示意性的而非限制性的。因此，本发明的范围由所附权利要求书而不是由此具体实施方式指示。属于权利要求书等同含义和范围内的所有变化均涵盖在权利要求书的范围内。
35.本说明书通篇对特征、优点或类似语言的引用并不暗示可以通过本发明实现的所有特征和优点应在或在本发明的任何单一实施例中。实际上，涉及特征和优点的语言应理解成意味着结合实施例描述的特定特征、优点或特性包括在本发明的至少一个实施例中。因此，本说明书通篇对特征和优点以及类似语言的论述可以但不一定指代同一实施例。
36.此外，本发明的所描述特征、优点和特性可以用任何合适的方式在一个或多个实施例中组合。本领域的技术人员将认识到，鉴于本文中的描述，本发明可以在无特定实施例的一个或多个具体特征或优点中的情况下实践。在其它情况下，可以在某些实施例中识别出可能不存在于本发明的所有实施例中的额外特征和优点。
37.本说明书通篇对“一个实施例”、“实施例”或类似语言的引用意味着结合指定实施例描述的特定特征、结构或特性包括在本发明的至少一个实施例中。因此，本说明书通篇的短语“在一个实施例中”、“在实施例中”和类似语言可以(但不一定)全部指代同一实施例。
38.图1为根据本发明的实施例的smps 100的示意性框图。smps将输入功率转换成期望输出功率(例如，将输入电压电平转换成可接受范围内的负载电流的稳定输出电压电平)。例如，smps以可控制方式将在smps的输入处可用的功率传递到负载。在一些实施例中，在smps处接收到的输入功率为交流电(ac)功率，且输出功率为输出电压，例如直流电(dc)电压。smps可以用于各种应用，例如汽车应用、通信应用、工业应用、医疗应用、计算机应用和/或消费品或家电应用。例如，smps可以包括在例如智能电话、平板电脑、笔记本电脑等计算装置中。在一些实施例中，反激式转换器为降压
‑
升压型转换器。
39.在图1所描绘的实施例中，smps 100包括：输入端子102
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1、102
‑
2，桥式整流器二极管“d1”、“d2”、“d3”和“d4”，输入电容器“c1”，smps控制器104，实施为例如金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)的开关“s1”，电阻器“r1”，电感器“l1”，二极管“d5”，输出电容器“c2”，以及用作分压器106的两个电阻器“r2”、“r3”。在一些实施例中，电感器l1电连接到mosfet开关s1的漏极端子“d”，smps控制器电连接到mosfet s1的栅极端子“g”，并且电阻器r1电连接到mosfet开关s1的源极端子“s”。在一些实施例中，smps控制器实施于基板上，所述基板例如半导体晶片或印刷电路板(pcb)。在实施例中，smps控制器被封装为单独的半导体集成电路(ic)芯片。尽管smps在图1中示出为包括某些电路元件，但在其它实施例中，
smps可以包括一个或多个额外/不同的电路元件。例如，尽管smps在图1中示出为包括mosfet开关s1，但在其它实施例中，smps可以包括其它类型的开关。
40.在图1所描绘的实施例中，smps 100的输入端子102
‑
1、102
‑
2连接到ac电源，所述ac电源通过桥式整流器二极管d1、d2、d3和d4将ac功率供应到输入电容器c1。接收到的能量经由电感器l1和二极管d5输送到输出电容器c2。smps的输出电压“vout”由用作分压器106的两个电阻器r2、r3控制。
41.在图1所描绘的实施例中，smps控制器104包括：误差放大器(amp)110、脉宽调制(pwm)控制器112、过电流比较器(ocp)114、被配置成生成用于mosfet s1的驱动信号的栅极驱动器电路“drv”116、生成用于误差放大器110的基准电压“vref”的电压源118，以及生成用于ocp 114的基准电流“iref”的电流源120。在一些实施例中，smps控制器实施于基板中且封装为单独的半导体ic装置或芯片。在图1所描绘的实施例中，smps 100为功率因数校正(pfc)电路，并且smps控制器利用pwm信号经由栅极驱动器电路116驱动mosfet s1，以产生pfc功能。然而，在其它实施例中，smps可以为反激式smps，包括具有辅助绕组、初级绕组和/或次级绕组的变压器或电感器
‑
电感器
‑
电容器(llc)谐振转换器。
42.在图1所描绘的实施例中，输入电压vsense由电阻器r2、r3形成的分压器106生成，并且通过电端子或引脚122输入到smps控制器104的误差放大器110。误差放大器被配置成基于输入电压vsense与基准电压vref之间的电压差而生成输出信号到pwm控制器112。pwm控制器112被配置成响应于误差放大器的输出信号而生成pwm信号以控制栅极驱动器电路。ocp 114被配置成将基准电流iref与感测电流进行比较，所述感测电流是通过smps控制器的电流感测输入端子或引脚sense_gnd从mosfet s1接收到的。在一些实施例中，消隐ocp的输出以防止意外触发过电流保护电路。栅极驱动器电路116被配置成生成驱动器信号，所述驱动器信号通过smps控制器的电端子或引脚124应用于mosfet s1的栅极端子。栅极驱动器电路可以响应于通过smps控制器的电端子或引脚126接收到的电源电压vcc而操作。
43.在图1所描绘的实施例中，smps 100的输出电压vout通过smps控制器104的误差放大器110经由输入电压vsense进行调节。经由电阻器r2和r3形成的电阻分压器测量输出电压vout。pwm控制器112使用误差放大器110的误差信号来控制输出电压vout，使得vout＝vref*(rs2+rs3)/rs3，其中rs2表示电阻器r2的电阻且rs3表示电阻器r3的电阻。输出电压vout可以大于ac电源输入电压的峰值。smps控制器的接地电端子或引脚ic_gnd通常与smps 100的基准接地电端子或引脚150具有一定的距离，所述基准接地电端子或引脚150可以定位在smps的印刷电路板(pcb)处。ic接地引脚ic_gnd可以经由pcb迹线连接到基准接地，所述pcb迹线具有约1nh/毫米(mm)的典型电感。在典型的smps pcb布局中，此pcb迹线的长度可以长达几厘米，从而产生数十纳亨的寄生电感，所述寄生电感在图1中标记为“lpar1”。
44.在栅极驱动器电路116的放电/吸收电流流过寄生电感lpar1的smps控制器中，此电流的di/dt在寄生电感两端产生电压，lpar1：unoise＝lpar1*di/dt。因为开关模式电源通常以50khz或更高的频率进行切换，并且对于较大的功率，mosfet s1的栅极电容较大，所以di/dt可能是相当大的(例如，值为50a/微秒(μsec))。例如，如果pcb迹线为2厘米(cm)，寄生电感为20nh，且di/dt为50a/μsec，则所得电压为20nh*50a/μsec＝1v。因此，在栅极驱动器电路116的放电/吸收电流流过寄生电感lparl的smps控制器中，引脚ic_gnd处的接地电压可能会受到驱动器放电电流的干扰。另外，涉及引脚ic_gnd和smps 100的基准接地电端
子或引脚150处的接地电压的模拟电路也受到此噪声的干扰，这可能会使时序信号出现偏差并意外触发保护。另外，当引脚ic_gnd处的接地电压受到干扰时，基准电压vref也受到干扰，这可能会使得smps的输出电压vout受到干扰。为了在断开mosfet s1时克服此接地噪声，可以使用通过引脚ic_gnd与接地连接分离的额外电源接地连接来通过smps的基准接地引脚150将栅极驱动器电路116连接到接地。因此，栅极驱动器电路116的放电/吸收电流不流过ic接地连接，并且引脚ic_gnd处的接地电压保持清晰(clean)/不受干扰。然而，额外电源接地连接需要smps控制器104中的一个额外引脚。由于成本原因(额外的引脚通常需要较大的ic封装)，smps控制器104的ic引脚数需要保持尽可能低。
45.在图1所描绘的实施例中，smps控制器104的电流感测输入引脚sense_gnd被配置成接收对应于mosfet s1的感测电流，并且从栅极驱动器电路116传导驱动器放电电流。栅极驱动器电路116的接地连接在电连接点130处电连接到smps控制器104的电流感测输入引脚sense_gnd。如图1所描绘，ocp 114的正输入端子132被配置成接收感测电流，并且ocp的正输入端子、栅极驱动器电路和电流感测输入引脚sense_gnd电连接到电连接点130。因此，栅极驱动器电路的放电/吸收电流通过电流感测输入引脚sense_gnd放电。因此，栅极驱动器电路的放电/吸收电流不会传导通过或流过引脚ic_gnd和寄生电感lpar1，并且引脚ic_gnd处的接地电压保持清晰/不受栅极驱动器电路的放电/吸收电流的干扰。另外，因为栅极驱动器电路的放电/吸收电流通过电流感测输入引脚sense_gnd放电，所以栅极驱动器电路不需要到smps的基准接地引脚150的专用接地连接。如图1所描绘，不存在从栅极驱动器电路到smps的基准接地引脚的直接接地连接。另外，相比于其中通过引脚ic_gnd与接地连接分离的额外电源接地连接连接到栅极驱动器电路的smps控制器，smps控制器104的引脚少了一个。
46.图2描绘了图1中的smps 100，以及smps的smps控制器104的栅极驱动器电路116的放电路径240。如图2所描绘，放电路径从mosfet s1的栅极端子g到栅极驱动器电路116、再到mosfet s1的源极端子s，并且不经过smps控制器的ic接地引脚ic_gnd。因此，smps控制器的引脚ic_gnd处的接地电压保持不受栅极驱动器电路116的放电/吸收电流的干扰。
47.图3示出了对应于图1中的smps 100的信号时序图。图3所示的信号包括：栅极电压v(gate)、漏极电压v(drain)、电流感测电压v(isense)、smps控制器104的ic接地引脚ic_gnd处的ic接地电压v(ic_gnd)，以及smps控制器的电流感测输入引脚sense_gnd处的感测接地电压v(sense_ground)。在图3所描绘的信号时序图中，ic接地引脚ic_gnd处的ic接地电压v(ic_gnd)不受干扰且基本上等于基准接地。感测接地电压v(sense_gnd)示出了在栅极驱动器电路116由于电流感测输入引脚sense_gnd与mosfet s1之间的寄生电感lpar3而断开mosfet s1时的电压尖峰。然而，此电压尖峰并不会妨碍电流感测电路的功能性。具体地说，由于ic接地不受干扰，因此过电流保护电路基准电流iref不受干扰。另外，只要mosfet s1导通，感测接地电压v(sense_gnd)就不会受到干扰。如果当mosfef s1导通时出现过电流，则pwm控制器112可以通过栅极驱动器电路116断开mosfet s1。只有在检测到过电流并且断开mosfet s1之后，电流感测输入引脚sense_gnd处的噪声开启(noise on)才会出现。因此，电流感测输入引脚sense_gnd处的此噪声开启不会影响ocp 114的恰当行为。
48.图4描绘了图1的体现为封装式ic装置404的smps控制器104。如图4所示，封装式ic装置包括5个引脚/端子：vsense(引脚1，连接到误差放大器110)；ic_gnd(引脚2，接地)；vcc
(引脚3，电源电压)；drive(引脚4，连接到栅极驱动器电路116)；以及sense_gnd(引脚5，连接到ocp 114和栅极驱动器电路)。图4中所描绘的封装式ic装置是图1中所描绘的smps控制器的一个可能的封装式ic装置。然而，图1中所描绘的smps控制器的封装式ic装置不限于图4所示的实施例。例如，虽然引脚在图4中示出为定位在封装式ic装置的外部，但是在其它实施例中，引脚中的一些或全部可以定位在封装式ic装置内部/内。
49.在一些实施例中，smps控制器104中集成了一个以上的栅极驱动器电路。图5为根据本发明的实施例的具有包括两个栅极驱动器电路516
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1、516
‑
2的smps控制器504的smps 500的示意性框图。smps将输入功率转换成期望输出功率(例如，将输入电压电平转换成可接受范围内的负载电流的稳定输出电压电平)。图5所描绘的smps 500与图1所描绘的smps 100之间的不同之处在于，图5所描绘的smps 500的smps控制器504包括两个栅极驱动器电路516
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1、516
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2。栅极驱动器电路516
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1被配置成驱动电连接在电感器l1与二极管d5之间的mosfet s1，而栅极驱动器电路516
‑
2被配置成驱动电连接在电感器l2与二极管d6之间的mosfet s2。在图5所描绘的实施例中，smps 500为交错的功率因数校正电路，其中两个栅极驱动器电路516
‑
1、516
‑
2使用相同的电流感测输入引脚sense_gnd来进行电源接地。
50.在图5所描绘的实施例中，smps 500包括：输入端子102
‑
1、102
‑
2，桥式整流器二极管d1、d2、d3和d4，输入电容器c1，smps控制器504，两个mosfet s1、s2，电阻器r1，两个电感器l1、l2，二极管d5、d6，输出电容器c2，以及用作分压器506的两个电阻器r2、r3。在一些实施例中，电感器l1连接到mosfet开关s1的漏极端子d，smps控制器连接到mosfet开关s1的栅极端子g，并且电阻器r1连接到mosfet开关s1的源极端子s。在这些实施例中，电感器l2连接到mosfet开关s2的漏极端子d，smps控制器连接到mosfet开关s2的栅极端子g，并且电阻器r1连接到mosfet开关s2的源极端子s。在一些实施例中，smps控制器实施于基板上，所述基板例如半导体晶片或pcb。在实施例中，smps控制器被封装为单独的半导体ic芯片。尽管smps在图5中示出为包括某些电路元件，但在其它实施例中，smps可以包括一个或多个额外/不同的电路元件。例如，尽管smps在图5中示出为包括mosfet开关s1、s2，但在其它实施例中，smps可以包括其它类型的开关。
51.在图5所描绘的实施例中，smps控制器504包括：误差放大器510；被配置成响应于误差放大器的输出信号而生成pwm信号以控制栅极驱动器电路516
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、516
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2的pwm控制器512；过电流比较器(ocp)514；栅极驱动器电路516
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1、516
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2；生成用于误差放大器510的基准电压“vref”的电压源518；以及生成用于ocp 514的基准电流“iref”的电流源520。误差放大器被配置成基于输入电压vsense与基准电压vref之间的电压差而生成输出信号到pwm控制器512。ocp 514被配置成将基准电流iref与感测电流进行比较，所述感测电流是从smps控制器的电流感测输入端子或引脚sense_gnd接收到的。在一些实施例中，消隐ocp的输出以防止意外触发过电流保护电路。栅极驱动器电路516
‑
1被配置成生成驱动器信号，所述驱动器信号通过smps控制器的电端子或引脚524应用于mosfet s1的栅极端子g。栅极驱动器电路516
‑
2被配置成生成驱动器信号，所述驱动器信号通过smps控制器的电端子或引脚528应用于mosfet s2的栅极端子g。栅极驱动器电路可以响应于通过smps控制器的电端子或引脚526接收到的电源电压vcc而操作。在一些实施例中，smps控制器实施于基板中且封装为单独的半导体ic装置或芯片。在图5所描绘的实施例中，smps 500为交错的pfc电路，并且smps控制器利用pwm信号经由栅极驱动器电路516
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1、516
‑
2驱动mosfet开关s1、s2，以产生
pfc功能。然而，在其它实施例中，smps可以为反激式smps，包括具有辅助绕组、初级绕组和/或次级绕组的变压器或llc谐振转换器。
52.在图5所描绘的实施例中，smps 500的输出电压vout通过smps控制器504的误差放大器510经由输入电压vsense进行调节。经由电阻器r2和r3形成的电阻分压器测量输出电压vout。pwm控制器512使用误差放大器的误差信号来控制输出电压vout，使得vout＝vref*(rs2+rs3)/rs3，其中rs2表示电阻器r2的电阻且rs3表示电阻器r3的电阻。输出电压vout可以大于ac电源输入电压的峰值。
53.在图5所描绘的实施例中，栅极驱动器电路516
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1、516
‑
2的接地连接在电连接点530处电连接到smps控制器504的电流感测输入引脚sense_gnd。如图5所描绘，ocp 514的正输入端子532被配置成接收感测电流，并且ocp的正输入端子、栅极驱动器电路516
‑
1、516
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2和电流感测输入引脚sense_gnd电连接到电连接点530。因此，栅极驱动器电路516
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1、516
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2的放电/吸收电流通过电流感测输入引脚sense_gnd放电。因此，栅极驱动器电路516
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1、516
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2的放电/吸收电流不会传导通过或流过电连接到smps 500的基准接地电端子或引脚550的引脚ic_gnd和寄生电感lpar1，并且引脚ic_gnd处的接地电压保持清晰/不受栅极驱动器电路516
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1、516
‑
2的放电/吸收电流的干扰。另外，相比于通过引脚ic_gnd与接地连接分离的额外电源接地连接连接到栅极驱动器电路的smps控制器，smps控制器504的引脚少了一个。
54.图6描绘了图5中的smps 500，以及smps控制器504的栅极驱动器电路516
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1、516
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2的两条放电路径640
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1、640
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2。如图6所描绘，放电路径640
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1、640
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2从mosfet s1、s2的栅极端子g到栅极驱动器电路516
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1、516
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2、再到mosfet s1、s2的源极端子s，并且不经过smps控制器的ic接地引脚ic_gnd。因此，smps控制器的引脚ic_gnd处的接地电压保持不受栅极驱动器电路516
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1、516
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2的放电/吸收电流的干扰。如通常在交错的pfc中，栅极驱动器电路516
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1、516
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2不会同时切断。除了对导通的每一栅极驱动器电路进行前沿消隐之外，可以在栅极驱动器电路516
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1、516
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2之一断开的时刻对ocp 514的输出进行消隐，例如长达200纳秒(nsec)。
55.图7为根据本发明的实施例的用于操作smps控制器的方法的处理流程图。在框702，使用smps控制器的栅极驱动器电路生成用于smps的开关的驱动信号。在框704，通过电流感测电端子从栅极驱动器电路传导驱动器放电电流，对应于开关的感测电流在所述电流感测电端子处被接收。smps控制器可以与图1所描绘的smps控制器104和/或图5所描绘的smps控制器504相同或类似。
56.在以上描述中，提供了各种实施例的具体细节。然而，可以在并没有全部这些具体细节的情况下实践一些实施例。在其它情况下，为了简洁和清晰起见，除了能够实现本发明的各种实施例的方法、操作步骤、组件、结构和/或功能之外不再详细描述某些方法、操作步骤、组件、结构和/或功能。
57.尽管方法的操作在本文中以特定次序示出和描述，但可以更改每一方法的操作次序，使得某些操作可以逆序执行或使得某些操作可至少部分地与其它操作同时执行。在另一实施例中，可以间断和/或交替的方式实施不同操作的指令或子操作。
58.还应注意，可以使用软件指令来实施本文中所描述的方法的至少一些操作，所述软件指令存储在计算机可用存储介质上以供计算机执行。作为例子，计算机程序产品的实
施例包括用于存储计算机可读程序的计算机可用存储介质。
59.所述计算机可用或计算机可读存储介质可以为电子、磁性、光学、电磁、红外或半导体系统(或设备或装置)。非暂时性计算机可用和计算机可读存储介质的例子包括半导体或固态存储器、磁带、可拆卸计算机磁盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、刚性磁盘和光盘。光盘的当前例子包括具有只读存储器的高密度磁盘(cd
‑
rom)、具有读取/写入的高密度磁盘(cd
‑
r/w)和数字视频光盘(dvd)。
60.可替换的是，本发明的实施例可以完全实施于硬件中或实施于包含硬件和软件元件两者的实施方案中。在使用软件的实施例中，软件可以包括但不限于固件、常驻软件、微码等。
61.虽然已描述和示出了本发明的具体实施例，但本发明不限于如此描述和示出的部分的具体形式或布置。本发明的范围将由本文所附权利要求书及其等效物限定。