一种降低开关损耗的单片开关电源驱动电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种降低开关损耗的驱动电路，特别是涉及一种降低开关损耗的单片开关电源驱动电路。属于开关电源技术领域。
【背景技术】
[0002]现有技术中，如何提高开关电源的转换效率及降低成本，一直是个技术难题。现有技术的开关电路，成本低的存在转换效率低的缺陷，转换效率较高的存在电路结构复杂或采用的元器件成本较高。虽然止前有人采用能降低开关损耗的单片开关电源驱动电路，但该现有单片开关电源由于电路结构不合理(未加入泄放电路)，仅仅是从芯片驱动脚至开关管之间串一个电阻来驱动，存在如下不足:场效应管发热大、功耗多，电源转换效率仍然较低。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的，是为了克服现有技术中开关电源场效应管发热大，电源转换效率低，提供一种降低开关损耗的单片开关电源驱动电路，在保证增加成本非常少的前提下，提高转换效率，减小场效应管发热量而延长使用寿命。
[0004]本实用新型的目的可以通过如下措施达到:
[0005]一种降低开关损耗的单片开关电源驱动电路，包括单片开关电源芯片1C、高频变压器Tl和开关管Q2，其结构特点在于:单片开关电源芯片IC的驱动脚PWM通过驱动电阻Rl连接开关管Q2的G极，开关管Q2的D极连接高频变压器Tl初级绕组的一端，高频变压器Tl初级绕组的另一端连接电源HV ;在开关管Q2的G极处设置泄放回路，该泄放回路使单片开关电源芯片IC的驱动脚PWM由高电平转为低电平时将开关管Q2的结电容的电量快速泄放。
[0006]本实用新型的目的可以通过如下措施达到:
[0007]进一步地，所述泄放回路由泄放PNP型三极管Ql构成，Ql的基极连接开关电源芯片IC的驱动脚PWM，Q1的发射极连接开关管Q2的G极，Ql的集电极连接开关管Q2的S极后接地。
[0008]本实用新型的有益效果是:
[0009]1、本实用新型由于在开关管Q2的G极处设置泄放回路，该泄放回路使单片开关电源芯片IC的驱动脚PWM由高电平转为低电平时将开关管Q2的结电容的电量快速泄放，因此可加快开关管Q2输出端电平的转换过程，达到提高转换效率的目的，具有转换高、减小场效应管的发热量而延长使用寿命的有益效果。
[0010]2、本实用新型由于结构简单、成本低廉，因此可应用在中、小功率开关电源，如家电类电器辅助电源、LED照明产品中，具有适用范围广的有益效果。
【附图说明】
[0011]图1是本实用新型具体实施例1的电路原理图。
【具体实施方式】
[0012]以下结合附图及实施例对本实用新型作进一步的详细描述:
[0013]具体实施例1:
[0014]参照图书1，本实施例包括单片开关电源芯片1C、高频变压器Tl和开关管Q2，其结构特点在于:单片开关电源芯片IC的驱动脚PWM通过驱动电阻Rl连接开关管Q2的G极，开关管Q2的D极连接高频变压器Tl初级绕组的一端，高频变压器Tl初级绕组的另一端连接电源HV ;在开关管Q2的G极处设置泄放回路，该泄放回路使单片开关电源芯片IC的驱动脚PWM由高电平转为低电平时将开关管Q2的结电容的电量快速泄放。
[0015]本实施例中:
[0016]所述泄放回路由泄放PNP型三极管Ql构成，Ql的基极连接开关电源芯片IC的驱动脚PWM，Ql的发射极连接开关管Q2的G极，Ql的集电极连接开关管Q2的S极后接地。
[0017]单片开关电源芯片IC采用常规技术的单片开关电源芯片，高频变压器Tl采用常规技术的高频变压器。
[0018]本实施例的工作原理如下:
[0019]参照图1，单片开关电源芯片IC的驱动脚PWM输出方波，当输出为高电平时通过驱动电阻Rl驱动Q2开关管导通；当单片开关电源芯片IC的驱动脚PWM输出由高电平转为低电平时，开关管Q2的G极与S极之间存在结电容，由于此结电容在高、低电平转换时Q2自身不能快速的得到泄放，通过开关管Q2放大区的时间较长而消耗电量。加入泄放三极管Ql后，在高、低电平转换过程中该三极管Ql导通，将开关管结电容的电量快速泄放，达到提高转换效率、减小场效应管发热量而延长使用寿命的目的。
[0020]以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施例，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的范围内，根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，都属于本实用新型的保护范围。
【主权项】
1.一种降低开关损耗的单片开关电源驱动电路，包括单片开关电源芯片1C、高频变压器Tl和开关管Q2，其特征在于:单片开关电源芯片IC的驱动脚PWM通过驱动电阻Rl连接开关管Q2的G极，开关管Q2的D极连接高频变压器Tl初级绕组的一端，高频变压器Tl初级绕组的另一端连接电源HV ;在开关管Q2的G极处设置泄放回路，该泄放回路使单片开关电源芯片IC的驱动脚PWM由高电平转为低电平时将开关管Q2的结电容的电量快速泄放。2.根据权利要求1所述的一种降低开关损耗的单片开关电源驱动电路，其特征在于:所述泄放回路由泄放PNP型三极管Ql构成，Ql的基极连接开关电源芯片IC的驱动脚PWM，Ql的发射极连接开关管Q2的G极，Ql的集电极连接开关管Q2的S极后接地。
【专利摘要】本实用新型涉及一种降低开关损耗的单片开关电源驱动电路，包括单片开关电源芯片IC、高频变压器T1和开关管Q2，其特征在于：单片开关电源芯片IC的驱动脚PWM通过驱动电阻R1连接开关管Q2的G极，开关管Q2的D极连接高频变压器T1初级绕组的一端，高频变压器T1初级绕组的另一端连接电源HV；在开关管Q2的G极处设置泄放回路，该泄放回路使单片开关电源芯片IC的驱动脚PWM由高电平转为低电平时将开关管Q2的结电容的电量快速泄放。本实用新型可加快开关管Q2输出端电平的转换过程，达到提高转换效率的目的，具有转换高、减小场效应管的发热量而延长使用寿命的有益效果。
【IPC分类】H02M1/32, H02M1/08
【公开号】CN204615625
【申请号】CN201520257609
【发明人】汪军, 黄祖好, 郑国浩
【申请人】广东瑞德智能科技股份有限公司
【公开日】2015年9月2日
【申请日】2015年4月24日