一种带均流结构的复合母排的制作方法_2

文档序号:10249352阅读:来源:国知局
的具体含义。
[0029]此外,下面所描述的本实用新型不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
[0030]本实用新型的自动生产线可以用于各种产品的生产,下面以作为汽车内饰自动生产线为例进行介绍。
[0031]实施例I
[0032]如图1-4所示,本实用新型的一种带均流结构的复合母排,包括基板,所述基板包括依次层叠设置的第一绝缘层5a、正极板1、第二绝缘层5b、负极板2,第三绝缘层5c,所述复合母排上至少设有三组电连接IGBT功率器件的IGBT功率器件安装接口3,以及若干电连接电容器件的电容器件安装接口 4,所述正极板I上设置所述IGBT功率器件安装接口 3的位置处、所述负极板2上设置所述IGBT功率器件安装接口 3的位置处均设有导流结构,且每组所述IGBT功率器件安装接口 3具有各自的所述导流结构,所述导流结构将同组间的所述IGBT功率器件的电流导向所述电容器件。
[0033]上述方案为本实用新型的核心方案,通过在正极板I上、负极板2上设置导流结构,从而能够规范不同组间IGBT功率器件构成的IGBT模块的电流路径,使三相线路的电流均通过电容器件,并利用电容器件的延迟蓄流功能,从而实现三相回路的均流特性。此外,通过电流导向作用,减少了电流的分散性,增加了电流回路的重合性,使变流器件在工作时产生的磁场强度大大减弱,从而减少了对周边电子设备的磁场干扰。
[0034]进一步地,优选所述导流结构为成型在所述正极板I上、所述负极板2上的导流槽6,同组的所述IGBT功率器件安装接口 3处于所述导流槽6内。
[0035]导流槽6的结构可以有多种,在本实施例中,所述导流槽6具有两相对呈镜像设置的导流侧壁62,且两所述导流侧壁62之间靠近电容器件安装接口 4的一端形成用来分割电流路径的开口 61。
[0036]导流侧壁62的形状有多种,可以为弧形侧壁,可以为倾斜侧壁等等,在本实施例中,优选所述导流侧壁62呈“L”型,其中所述导流侧壁62的横向侧壁朝所述电容器件安装接口一端设置,且两所述导流侧壁62的所述横向侧壁之间形成所述开口 61。两“L”型的导流侧壁62围成的开口61较窄,能够更有效抑制分割区域的电阻支架,从而达到不影响产品温升的作用,延长产品使用寿命。
[0037]每组所述IGBT功率器件设有偶数个,在本实施例中,每组所述IGBT功率器件设有两个。
[0038]进一步地,优选偶数个所述IGBT功率器件关于所述导流槽6中心对称设置,均流效果更好。
[0039]同组间的所述IGBT功率器件构成IGBT模块,多组间的所述IGBT模块并联连接,不仅能够提升交流柜的容量等级,而且有效减小了模块散热器的总体面积,使大功率交流柜内部空间更为紧凑。
[0040]本实用新型的一种带均流结构的复合母排还包括若干与所述基板层叠设置的导电基板。
[0041]显然,上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例,而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本实用新型创造的保护范围之中。
【主权项】
1.一种带均流结构的复合母排,包括基板,所述基板包括依次层叠设置的第一绝缘层(5a)、正极板(1)、第二绝缘层(5b)、负极板(2),第三绝缘层(5c),所述复合母排上至少设有三组电连接IGBT功率器件的IGBT功率器件安装接口(3),以及若干电连接电容器件的电容器件安装接口(4),其特征在于,所述正极板(I)上设置所述IGBT功率器件安装接口(3)的位置处、所述负极板(2)上设置所述IGBT功率器件安装接口(3)的位置处均设有导流结构,且每组所述IGBT功率器件安装接口(3)具有各自的所述导流结构,所述导流结构将同组间的所述IGBT功率器件的电流导向所述电容器件。2.根据权利要求I所述的带均流结构的复合母排,其特征在于,所述导流结构为成型在所述正极板(I)上、所述负极板(2)上的导流槽(6),同组的所述IGBT功率器件安装接口(3)处于所述导流槽(6)内。3.根据权利要求2所述的带均流结构的复合母排,其特征在于,所述导流槽(6)具有两相对呈镜像设置的导流侧壁(62),且两所述导流侧壁(62)之间靠近所述电容器件安装接口(4)的一端形成开口(61)。4.根据权利要求3所述的带均流结构的复合母排,其特征在于,所述导流侧壁(62)呈“L”型,其中所述导流侧壁(62)的横向侧壁朝所述电容器件安装接口一端设置,且两所述导流侧壁(62)的所述横向侧壁之间形成所述开口( 61)。5.根据权利要求2-4中任一项所述的带均流结构的复合母排,其特征在于,每组所述IGBT功率器件设有偶数个。6.根据权利要求5所述的带均流结构的复合母排,其特征在于,偶数个所述IGBT功率器件关于所述导流槽(6)中心对称设置。7.根据权利要求I所述的带均流结构的复合母排,其特征在于,同组间的所述IGBT功率器件构成IGBT模块,多组间的所述IGBT模块并联连接。8.根据权利要求I所述的带均流结构的复合母排,其特征在于,复合母排还包括若干与所述基板层叠设置的导电基板。
【专利摘要】本实用新型的一种带均流结构的复合母排,包括基板,基板包括依次层叠设置的第一绝缘层、正极板、第二绝缘层、负极板,第三绝缘层,复合母排上至少设有三组电连接IGBT功率器件的IGBT功率器件安装接口,以及若干电连接电容器件的电容器件安装接口,正极板上设置IGBT功率器件安装接口的位置处、负极板上设置IGBT功率器件安装接口的位置处均设有导流结构,且每组IGBT功率器件安装接口具有各自的导流结构,导流结构将同组间的IGBT功率器件的电流导向电容器件。本实用新型的带均流结构的复合母排不仅能够均衡与稳定电流,而且使用寿命长。
【IPC分类】H02M7/00
【公开号】CN205160386
【申请号】CN201521018007
【发明人】张胜锰, 阳林, 张胜浩
【申请人】浙江冠华电气有限公司
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2015年12月9日
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