专利名称：改进相位失配的混频器和频率转换装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及具有改进的混频器的频率转换装置，特别涉及这样的频率转换装置，它具有能够补偿具有90度相差的两个中频(IF)信号的相失配，提高信噪比(SNR)，并且提高镜频抑制比(image-rejectionratio)的改进的混频器。
背景技术：
一般来说，诸如零IF结构或图像载波抑制(image-rejection)结构的接收结构，根据它的特性，要求同相位(in-phase)(I)信号和正交相位(Q)信号。由于各种因素在I和Q信号中发生相位失配，使得信噪比降低，从而降低接收结构的接收灵敏度。
图1是在零IF结构或图像载波抑制结构中使用的现有技术频率转换装置的框图。见图1，所述频率转换装置包括本地振荡器11，它产生振荡频率LO信号；移相器12，它通过将振荡频率信号移相90度，产生第一振荡频率(LO)信号LOI；I混频器13，它将第一LO信号LOI与RF输入(impact)信号RFIN混合，产生第一中频信号(IIF)；Q混频器14，它将第二振荡频率(LO)信号LOQ与RF输入信号RFIN，产生第二中频率信号QIF；和滤波器15和16，它们分别低通滤波I混频器13的第一IF信号IIF和Q混频器14的第二IF信号QIF。
现有技术的频率转换装置的混频器13和14，从本机振动器11接收第一LO信号LOI和与第一LO信号LOI 90度相位差的第二LO信号LOQ，并通过将RF输入信号与第一和第二LO信号LOI和LQO混和输出第一和第二IF信号IIF和QIF，并且第一和第二IF信号IIF和QIF应为90度的相位差。
图2A和2B分别是I混频器13和Q混频器14的框图。见图2A和2B，I混频器13包括第一RF放大器，它放大RF输入信号RFIN和将电压转换成电流；第一开关单元13b，它根据LO信号(LOI或LOQ)开关第一RF放大器13a的输出；和第一负载单元13c，它将第一开关单元13b的输出转换成电压信号(IIF)。Q混频器14包括第二RF放大器14a，它放大RF输入信号RFIN和将电压转换为电流；第二开关单元14b，它根据LO信号(LOI或LOQ)开关第二RF放大器14a的输出；和第二负载单元14c，它将第二开关单元14b的输出转换为电压信号(QIF)。
但是，如果与本地振荡器11相关的组件失去相位对称，第一LO信号LOI和第二LO信号LOQ不能够形成90度的相位差。结果，第一IF信号IIF和第二IF信号QIF不能够形成90的相位差。也就是说，在第一IF信号LOI和第二LO信号LOQ之间的失匹配误差引起在第一IF信号IIF和第二IF信号QIF之间的另一个失配误差。
图3是另一现有技术频率转换装置框图。见图3，这个频率转换装置包括正交信号发生器QSG31，它输出相同频率和90度相差的两个振荡频率(LO)信号；混频器33和34，它们将RF输入信号与QSG31的LO信号混合；滤波器35和36，它们连接对应的混频器33和34；和相位测定器37，它向滤波器35和36和QSG31提供相位控制信号C1和C2，以消除在LO信号之间的失配误差。
图3的频率转换装置使用的相位失配消除方法是，测定与在第一和第二IF信号IF1和IF2之间的相位失配误差相对应的相差，和向滤波器35和36和DSG35提供这个相差，以消除第一和第二IF信号IF1和IF2的失配误差。
但是，因为在图像载波抑制接受结构中，根据第一和第二IF信号IF1和IF2或LO信号(LOI，LOQ)之间的相失配确定镜频抑制比，并且由于用现有技术的频率转换装置实现的图像载波抑制接收结构的复杂性，所述图像载波抑制接受结构的大小也变得庞大，所以，现有技术的频率转换装置不能够用在图像载波抑制接受结构中。
发明内容
为了解决上述问题，本发明第一个方面是提供一种频率转换装置，它具有消除在相同频率相差90的两个中频(IF)信号之间的相位失配的混频器。
本发明的另一方面是提供一种频率转换装置，它具有通过校正相位失配改进信噪(SN)比和提高镜频抑制比的混频器。
通过下面的说明和实施例将明了本发明的其它目的和优点。
为了实现上述和其他目的，混频器将通过输入终端传输的RF输入信号与振荡频率信号混和，并且包括第一开关单元，它根据第一振荡频率信号/开关RF输入信号和第二开关单元，它连接到输入终端，与第一开关单元并联，根据第二振荡信号的反信号开关RF输入信号。
根据本发明另一方面，响应通过RG输入终端传输的RF输入信号，补偿第一和第二IF信号相位失配的频率转换装置包括正交信号发生器(QSG)，它输出90度相差的第一和第二振荡信号；第一混频器，它将RF输入信号与第一合成(resultant)频率信号混合，所述第一合成频率信号具有从第一振荡频率信号和第二振荡频率信号的反信号产生的第一合成相位；和第二混频器，它将RF信号与第二合成频率信号混合，所述第二合成频率信号具有从第二振荡频率信号和第一振荡频率信号的反信号产生的第二合成相位。
参照附图的下面优选实施例的说明将使得本发明优点更明了。
图1是现有技术频率转换装置的框图；图2A和2B分别是图1的装置的第一和第二混频器框图；图3是另一现有技术频率转换装置的框图；图4是根据本发明实施例混频器的框图；图5是用图4的混频器的频率转换装置的框图；图6A和6B分别是图5的频率转换装置的第一和第二混频器的框图；图7A和7B分别是图6A和6B的第一和第二混频器的电路图；图8是图7A的电路图第一部分的操作的图；图9A和9B分别是图5频率转换装置中产生的第一和第二LO信号和第一和第二合成信号的相位特性图；图10A-10D是现有技术振荡信号和IF信号图；和图11A-11D是图5频率转换装置中产生的振荡信号和IF信号图。
具体实施例方式
下面详细说明在附图中示出的本发明优选实施例，各图中的相同的符号表示相同的元件。下面说明这些实施例是为了参照附图解释本发明。
下面参照根据本发明实施例的图说明，具有校正相位失配的改进的混频器频率转换装置的结构。
图4是根据本发明的频率转换装置的框图。见图4，所述混频器包括RF放大器41，它放大通过输入终端传输的RF输入信号RFIN；开关单元42，它根据合成频率信号LO开-关RF放大器41的输出，所述合成信号具有第一本地振荡频率(LO)信号LO1和第二本地振荡频率(LO)信号LO2的合成相位；和负载单元43，它用I/V转换处理转换开关单元42的输出信号。
开关单元42包括第一子开关单元42-1，它根据第一LO信号LO1开关RF输入信号RFIN；和第二子开关单元42-2，它连接RF放大器41与第一开关单元42-1并联，根据第二LO信号LO2开关RF输入信号RFIN。下面详细说明第一和第二子开关单元42-1和42-2。
图5是根据本发明使用图4混频器的频率转换装置的框图。见图5，所述频率转换装置包括正交信号发生器(QSG)51，它输出90度相差的第一和第二LO信号LO1和LO2；第一混频器54，它通过将RF输入信号与第一合成信号LO1’混合，输出第一中频(IF)信号IF1，所述第一合成信号LO1’是从QSG51的第一LO信号LO1和从第二LO信号LO2反向产生的频率信号合成产生的，具有合成频率；第二混频器55，它通过将RF输入信号与第二合成频率信号LO2’混和输出第二中频(IF)信号IF2，所述第二合成频率信号LO2’是从QSG51的第二LO信号LO2和第一LO信号LO1反向的频率信号合成产生，具有合成相位。
QSG51包括本地振荡器51A，它输出第一LO信号LO1；和移相器51B，它通过将第一LO信号LO1移相90度输出第二LO信号LO2。
图6A和6B是第一和第二混频器54和55的框图。见图6，混频器54包括第一RF放大器541，它放大通过输入终端单元传输的RF输入信号RFIN；第一开关单元542，它根据第一合成频率信号开/关第一RF放大器541放大的RF输入信号RFIN，所述第一合成信号具有QSG51的第一LO信号LO1和第二LO信号LO2反向的反向频率信号的合成相位；第一负载单元543，它输出来自第一开关单元542的输出的第一I/V转换信号。
第一混频器54的第一开关单元542包括第一子开关单元542-1，它根据第一LO信号LO1开关RF输入信号RFIN；和第二子开关单元，它根据从第二LO信号LO2反向产生的频率信号开关RF输入信号RFIN，与第一子开关单元542-1并联，连接到第一RF放大器541。见图6B，第二混频器55包括第二RF放大器551，它放大通过输入终端单元传输的RF输入信号RFIN；第二开关单元552，它根据第二合成频率信号开关第二RF放大器551放大的RF输入信号RFIN，所述第二合成频率信号具有QSG51的第二LO信号LO2和第一LO信号LO1反向产生的频率信号的合成相位；第二负载单元553，它输出来自第一开关单元542的输出的第二I/V转换信号。
第二混频器55的第二开关单元542包括第三子开关单元552-1，它根据第二LO信号LO2开关RF输入信号RFIN；和第四子开关单元552-2，它根据从第一LO信号LO1反向产生的频率信号开/关RF输入信号RFIN，与第三子开关单元552-1并联连接到第二RF放大器551。
在图7A中，第一RF放大器541包括MOS晶体管M1和M2，每个具有源极、漏极和栅极。M1和M2的源极接地。M1的漏极连接M3、M4、M7和M8的源极，M2的漏极连接M5、M6、M9和M10的源极。M1和M2的栅极分别连接输入终端单元的正RF信号端和输入终端单元的负RF信号端。
在图7A中，第一负载单元543包括MOS晶体管M11、M12和两个电阻(R1和R2)。M11和M12的源极连接电源，M11和M12的栅极彼此连接。M11的漏极连接M3、M5、M7和M9的漏极。电阻(R1)在M11漏极和M11和M12的栅极之间连接。M12的漏极连接M2、M6、M8和M10的漏极。电阻(R2)连接在M12漏极和M11和M12的栅极之间。
图7A和7B分别是图6A和6B示出的第一和第二混频器54和55的电路图。见图7A，第一子开关单元542-1包括每个都具有源、漏、和栅极的MOS晶体管M7、M8、M8和M10。M7的源极连接到M8的源极，M9的源极连接到M10的源极。M7的漏极连接到M9的漏极，M8的漏极连接到M10的漏极，和M8(应为7)和M10的栅极彼此连接，而M8和M9的栅极彼此连接。
在图7A中，第二子开关单元542-2包括各具有源、漏和栅极的MOS晶体管M3、M4、M5和M6。M3和M4的源极彼此连接，M5和M6的源极彼此连接。M3和M5的漏极彼此连接，M4和M6的漏极彼此连接。M3和M6的栅极彼此连接。M3和M6的栅极彼此连接，和M4和M5的栅极彼此连接。
见图7B，第三子开关单元552-1包括每个都具有源、漏和栅极的MOS晶体管M27、M28、M29、M30。M27和M28的源极彼此连接，M29和M30的源极彼此连接。M27和M29的漏极彼此连接，M28和M30的漏极彼此连接。M27和M30的栅极彼此连接。M27和M30的栅极彼此连接，和M28和M29的栅极彼此连接。
在图7B中，第四子开关单元552-2包括每个都具有源、漏和栅极的MOS晶体管M23、M24、M25和M26。M23和M24的源极彼此连接，M25和M26的源极彼此连接。M23和M25的漏极彼此连接，M24和M26的漏极彼此连接。M23和M26的栅极彼此连接，M24和M25的栅极彼此连接。
图7B中，第二放大器551包括每个都具有源、漏和栅极的MOS晶体管M21和M22。M21和M22的源极接地。M21的漏极连接M23、M24、M27和M28的源极，并且M22的漏极连接M25、M26、M29和M30的源极。M21和M22的栅极分别连接输入终端单元的正RF信号端和输入终端单元的负RF信号端。
在图7B中，第二负载单元553包括MOS晶体管M31、M32和另两个电阻(R3和R4)。M31和M32的栅极彼此连接，M31和M32的源极连接电源。M31的漏极连接M23、M25、M27和M29。电阻(R3)在M32漏极和M31和M32的栅极之间连接。M32的漏极连接M24、M26、M28和M30的漏极。电阻(R4)连接在M32漏极和M31和M32的栅极之间。
见图7A和7B，第一LO信号LO1的正(+)端连接M7、M10、M23和M26的栅极，第一LO信号LO1的负端连接M8、M9、M24和M25的栅极，以传输从第一LO信号LO1反向产生的频率信号。第二LO信号LO2的正端连接M4、M5、M27和M30的栅极，第二LO信号LO2的负端连接M3、M6、M28和M29的栅极，传输从第二LO信号LO2反向产生的频率信号。
图8是图7A示出的第一混频器54(如，双平衡混频器)的部分电路的工作图。图9A和9B是在图5中频率转换装置产生的第一和第二LO信号和第一和第二合成信号的相位特性图。图10A和10B是在现有技术的频率转换装置中产生的振荡信号和IF信号图。图11A和11B是在本发明的图5的频率转换装置中产生的振荡信号和IF信号图。
下面参照图4-图11D详细说明具有本发明的结构的频率转换装置的工作。
首先，说明图4中的混频器。RF放大器41使用预定增益放大，通过输入信号终端传输的RF输入信号，并进行电压-电流(V/I)转换。开关单元42根据第一和第二LO信号LO1和LO2的合成相位的合成频率信号LO，开关RF放大器41的输出。负载单元43向开关单元42提供预定负载R，并就开关单元42的输出进行电流-电压(I/V)转换。
开关单元42的第一开关单元42-1，根据第一LO信号LO1和第二LO信号LO2产生的频率信号开/关RF输入信号，并且第二开关单元42-2并联到第一开关单元42-1，并且根据从第二LO信号LO2产生的反向的频率信号开/关RF输入信号。下面详细说明第一和第二开关单元42-1和42-2。
如上所述，合成信号是由两个LO信号产生的。用这个合成信号，更准确地产生具有90度相差的两个LO信号。在下面将详细说明。
在图5的频率转换装置中，QSG51输出具有90度相差的第一和第二LO信号LO1和LO2。第一混频器54通过将RF输入信号与具有第一LO信号LO1和第二LO信号LO2的反向频率信号的合成相位的第一合成频率信号LO1’混和，输出第一IF信号IF1；第二混频器55通过将RF信号与具有第二LO信号LO2和第一LO信号LO1的反向频率信号的合成相位第二合成频率信号LO2’混和，输出第二IF信号IF2。
例如，第一LO信号LO1和第二LO信号LO2分别对应于LOI信号和LOQ信号。此时，第一混频器54和第二混频器55分别对应于处理I信号的I混频器和处理Q信号的Q混频器。
QSG51的本地振荡单元51A输出第一LO信号LO1，QSG51的移相器51B将第一LO信号LO1的相位移相90度，产生第二LO信号LO2。
见说明第一混频器54的图6A和6B，第一混频器54的第一RF放大器541放大RF输入信号。
第一混频器54的第一开关单元542，根据具有QSG51的第一LO信号LO1和第二LO信号LO2的反向频率信号的合成相位的第一合成信号LO1’，开关第一放大器541放大的RF输入信号。第一混频器54的第一负载单元543通过进行I/V转换输出第一IF信号IF1。第一合成频率信号LO1’对应于I合成频率信号和Q合成频率信号之一。在此实施例中，例如，第一合成频率信号LO1’对应于I合成频率信号。
第一开关单元542的第一子开关单元542-1，根据QSG51的第一LO信号LO1开/关RF输入信号，并且第一开关单元542的第二子开关单元542-2，根据QSG5 1的第二LO信号LO2的反向频率信号开/关RF输入信号。
因为第一子开关单元542-1和第二子开关单元542-2并联，所以如图9A所示，第一子开关单元542-1和第二子开关单元542-2产生，第一LO信号LO1和第二LO信号LO2的反向频率信号的第一合成频率信号LO1’。
见说明第二混频器55的图6B，第二RF放大器551放大RF输入信号。第二混频器55的第二开关单元552，根据具有第二LO信号LO2和第一LO信号LO1的反向频率信号的相位差的第二合成频率信号，开关第二RF放大器551放大的RF输入信号。第二混频器55的第二负载单元553，通过进行I/V转换输出第二IF信号IF2。第二合成频率信号LO2’可以对应于I合成频率信号和Q合成频率信号之一。在此实施例中，例如，第二合成频率信号LO2’对应于Q合成频率信号。
第二开关单元542的第三子开关单元552-1，根据第二LO信号LO2开/关RF输入信号，并且第二开关单元552的第四子开关单元552-2，并联第三子开关单元552-1连接第二RF放大器，根据QSG51的第一LO信号LO1的反向频率信号开/关RF输入信号。
因为第三子开关单元552-1和第二子开关单元552-2并联，所以如图9B所示，从第一LO信号LO1和第二LO信号LO2产生第二合成信号LO2’。
如上就图6A和6B所述，在分别接收第一LO信号LO和第二LO信号LO2的反向频率信号，和第二LO信号LO2和第一LO信号LO1的反向频率信号时，第一开关单元542和第二开关单元552具有图9A和9B所示的相位特性。
见图9A和9B，第一LO信号LO1和第二LO信号LO2的反向信号-LO2形成第一合成频率信号LO1’，第二LO信号2和第一LO信号LO1的反向频率信号-LO1形成第二合成频率信号LO2’。第一和第二合成信号L01’和LO2’形成90度相位差。
两个附加的信号(第一LO信号LO1和第二LO信号LO2)起具有普通频率转换装置的工作特性的单一信号作用。如第一合成频率信号或第二合成频率信号的附加的信号中，发生幅度失配时，这个幅度失配不引起问题，因为向开关单元54或55施加了根据普通频率转换装置的工作特性具有预定(幅度)大小的LO信号LO。
但是，在向所述装置中的现有开关单元添加附加的开关单元时，因为相位失配和幅度误差与附加的控制单元的电流幅值相关，所以应确定附加的开关单元的电流的量和幅值，以使得不影响所述装置中的幅度失配。
下面结合图7A、7B和8说明根据本发明的混频器结构第一和第二LO信号的第一和第二合成频率信号的工作。
见图8，在混频器是双平衡混频器时，能够用公式1表达通过RF放大器541流动的电流iD1和iD2，用公式2表达通过开关542-2流动的电流iD3-iD6。在下面的公式1中iD表示直流电流。
公式1iD1＝ID+gmVRFcos(wRFt)×1/2iD2＝ID+gmVRFcos(wRFt+π)×1/2＝ID-gmVRFcos(wRFt)×1/2公式2iD3＝iD6＝1/2+2cos wLot+…iD4＝iD5＝1/2+2cos(wLot+π)×1/π+…＝1/2-2cos(wLot)×1/π+…在负载单元543中，用公式3、4和5表达输出电流、iO1、iO2和iOUT。
公式3iO1＝iD1iD3+iD2iD5＝IC+2gmvRFcos(wRFt)×cos(wLot)×1/π+…＝IC+gmvRFcos(wRFt-wLot)×1/π+gmvRFcos(wRFt+wLot)×1/π+…公式4iO2＝iD1iD4+iD2iD6＝IC-2gmvRFcos(wRFt)×cos(wLot)×1/π+…＝IC-gmvRFcos(wRFt-wLot)×1/π-gmvRFcos(wRFt+wLot)×1/π+…公式5iOUT＝iO1-iO2＝4gmvRFcos(wRFt)×cos(wLot)×1/π＝2gmvRFcos(wRFt-wLot)×1/π+2gmvRFcos(wRFt+wLot)×1/π+…在上述公式中，当输入如具有90度相差的第一和第二信号的输入信号时，最好是输出具有90度相差的信号。这在下面公式6中说明。
公式6iOUT1＝4gmvRFcos(wRFt)×cos(wLot)×1/π＝2gmvRFcos(wRF-wLo)t×1/πiOUT2＝4gmvRFcos(wRFt)×cos(wLot+90°)×1/π＝2gmvRFcos((wRF-wLo)t+90°)×1/π在上述公式6中，如果发生带有两个θ°的失配相位，则用公式7表达输出相位差。
公式7iOUT1＝4gmvRFcos(wRFt)×cos(wLot)×1/π＝2gmvRFcos(wRF-wLo)t×1/πiOUT2＝4gmvRFcos(wRFt)×cos(wLot+90°+θ)×1/π＝2gmvRFcos((wRF-wLo)t+90°+θ)×1/π在上述公式7中，如果在相位表达方法中表达用两个公式结合的合成信号，则用公式8表达合成信号。如图9所示，合成信号是两个LO信号的第一和第二合成频率信号LO1’和LO2’。
公式8LO1’＝cos wLOt+cos(wLOt+90°+θ)＝1∠0°+1∠(90°+θ)＝2cos((90°+θ)1/2)∠(90°+θ)1/2LO2’＝cos wLOt-cos(wLOt+90°+θ)＝1∠0°+1∠(90°-θ)＝2cos((θ-90°)1/2)∠(θ-90°)1/2用下面公式9表达，上述公式8表达的具有90度相差的合成信号，如I合成频率信号LO1’和Q合成信号LO2’的相位差。
公式9θLO1’-LO2’＝(90°+θ)1/2-(θ-90°)1/2＝90°根据上述混频器的工作特性，在I合成信号LO1’和Q合成信号LO2’之间的幅度差能够除去。因此，可用下面的公式10表达输出电流iout1’和iOUT2’。
公式10iout1’＝4gmvRFcos(wRFt)×cos(wLo1‘t)×1/π＝2gmvRFcos((wRF-wLo1’)t)×1/π+…iout2’＝4gmvRFcos(wRFt)×cos(wLo2‘t)×1/π＝2gmvRFcos((wRF-wLo1’+90°)t)×1/π+…在此，在这两个信号中可能发生幅度失配。但是，如果根据所述混频器的工作特性，具有预定量和幅值的LO信号LO加到开关单元上，因为这个幅度失配不影响放大处理，所以不会引起其它问题。
图10A-10D是现有技术频率转换装置中的第一和第二IF信号IF1和IF2和第一和第二LO信号LO1和LO2的相位图，图11A-11D是本发明实施了的频功率转换装置中的第一和第二IF信号IF1和IF2和第一和第二LO信号LO1和LO2的相位图。
见图10A-10D，如果在图10C的第一和第二LO信号LO1和LO2的频率波形中存在图10D的110.007°的相位差，则图10A的第一和第二IF信号具有250.377°的相位差。但是根据图11A-11D的本发明，如果在图11C的第一和第二LO信号LO1和LO2的频率波中存在图11D的110.007°相位差，则图11A的第一和第二IF信号具有93.1419°的相位差。
根据这个相差，在具有20°相差的LO信号加到现有技术频率转换装置上和根据本发明的频率转换装置上时，与在图10A-10D中示出的IF输出的失配相比，在图11A-11D中很明显地说明了，IF输出的失配的改进。
在本发明的实施例中，现有的开关单元和附加的开关单元的比例是2∶1。在现有技术装置中，LO信号的相位失配反映到(传输)IF信号的相位失配上，而如图11A-11D所示，在根据本发明的频率转换装置中，20°的相位失配被改进到3.14°。因此，用所述频率转换装置防止了由于LO信号相位失配的IF信号。
如上所述，所述频率转换装置可以包括产生差频或和频的混频器，双平衡混频器或频率转换器。能够在频率转换装置以及处理相位差的接收和传输装置，如处理频率函数的转换块中应用本发明。
因为用改进的结构除去90度相差的两个IF信号的相位失配，所以改进了信噪比，增加了镜频抑制比。
上面说明了本发明的优选实施例，但是本技术领域中的普通技术人员可以理解，在不偏离本发明原理之下，可以对本发明作出修改，本发明的范围由所附的权利要求限定。
权利要求
1.一种将通过输入终端传输的RF输入信号与振荡频率信号混和的混频器，包括第一开关单元，它根据第一振荡频率信号开/关RF输入信号，以产生第一IF信号和第二开关单元，它与第一开关单元并联连接输入终端，根据第二振荡信号的反向信号开/关RF输入信号，以产生具有与第一IF信号预定相位角度的第二IF信号。
2.一种响应通过RF输入终端传输的RF输入信号，校正第一和第二IF信号相位失配的频率转换装置，包括正交信号发生器(QSG)，它输出具有90度相位差的第一和第二振荡频率信号；第一混频器，它将RF输入信号与第一振荡频率信号和第二振荡频率信号的反向信号产生的，具有第一合成相位的，第一合成频率信号混和，产生第一IF信号；和第二混频器，它将RF信号与第二振荡能够频率信号和第一振荡频率信号的反向信号产生的，具有第二合成相位的第二合成频率信号混和，产生第二IF信号。
3.根据权利要求2的装置，其中OSG包括振荡单元，它产生第一振荡频率信号；和移相器，它将第一振荡频率信号移相90度，产生第二振荡频率信号。
4.据权利要求2的装置，其中第一混频器包括第一开关单元，它根据第一振荡频率信号开/关RF输入信号；和第二开关单元，它与第一开关单元并联连接RF输入终端，根据第二振荡频率信号的反向信号开/关RF输入信号。
5.根据权利要求2的装置，其中第二混频器包括第一开关单元，它根据第二振荡频率信号开/关RF输入信号；和第二开关单元，它与第一开关单元并联连接RF输入终端，根据第一振荡频率信号的反向信号开/关RF输入信号。
6.根据权利要求4的装置，其中第一开关单元包括每个都有源、漏和栅极的多个晶体管(M7、M8、M9和M10)，晶体管M7和M9的源极分别连接晶体管M8和M10的源极，晶体管M7和M8的漏极分别连接晶体管M9和M10的漏极，并且晶体管M7和M8的栅极连接晶体管M10和M9的栅极。
7.根据权利要求4的装置，其中第二开关单元包括每个都具有源、漏和栅极的多个晶体管(M3、M4、M5和M6)，晶体管M3和M5的源极分别连接晶体管M4和M6的源极，晶体管M3和M4的漏极分别连接晶体管M5和M6的漏极，和晶体管M3和秒4的栅极连接晶体管M6和M5的栅极。
8.根据权利要求5的装置，其中第一开关单元包括每个都具有源、漏和栅极的多个晶体管(M27、M28、M29和M30)，晶体管M27和M29的源极分别连接晶体管M28和M30的源极，晶体管M27和M28的漏极分别连接晶体管M29和M30的漏极，和晶体管M27和M28的栅极连接晶体管M30和M29的栅极。
9.根据权利要求5的装置，其中第二开关单元包括每个都具有源、漏和栅极的多个晶体管(M23、M24、M25和M26)，晶体管M23和M25的源极分别连接晶体管M24和M26的源极，晶体管M23和M24的漏极分别连接晶体管M25和M26的漏极，和晶体管M23和M24的栅极连接晶体管M26和M25的栅极。
10.一种响应通过RF输入终端传输的RF输入信号校正第一和第二IF信号相位失配的频率转换装置，包括频率发生器，它输出第一频率信号和与第一频率信号相位不同的第二频率信号；第一混频器，它根据RF输入信号、第一频率信号和与第二频率信号具有第一相位差的第一相位信号产生第一IF信号；和第二混频器，它根据RF输入信号、第二频率信号和与第一频率信号具有第二相位差的第二相位信号产生与第一IF信号相位不同的第二IF信号。
11.根据权利要求10的装置，其中第一频率信号和第一相位信号形成第一合成信号，并且第一混频器将第一合成信号与RF输入信号混合产生第一IF信号。
12.根据权利要求11的装置，其中第二频率信号和第二相位信号形成第二合成信号，第二混频器将第二合成信号与RF输入信号混合产生第二IF信号。
13.根据权利要求10的装置，其中第一混频器包括RF放大器，它放大RF输入信号，并将RF输入信号的电压分量转换成RF输入信号的电流分量。
14.根据权利要求10的装置，其中第一混频器包括负载单元，它将第一IF信号的电流分量转换为第一IF信号的电压分量。
15.根据权利要求10的装置，其中第二混频器包括RF放大器，它放大RF输入信号并将输入的RF信号的电压分量转换成RF输入信号的电流分量。
16.根据权利要求10的装置，其中第二混频器包括负载单元，它将第二IF信号的电流分量转换为第二IF信号的电压分量。
全文摘要
一种具有混频器的频率转换装置，消除了在两个具有相同频率和90度相位差的两个中频(IF)信号之间的相位差。响应通过RF输入终端传输的RF输入信号，补偿第一和第二IF信号相位失配的频率转换装置包括，正交信号发生器(QSG)，它输出90度相差的第一和第二振荡频率信号；第一混频器，它将RF输入信号与第一振荡频率信号和第二振荡信号的反向信号产生的第一合成相位的第一合成频率信号混合；和第二混频器，它将RF输入信号与第二振荡频率信号和第一振荡频率信号的反向信号产生的第二合成相位的第二合成频率信号混合。所述具有混频器的频率转换装置，通过校正相位失配而改善了信噪(SN)比，提高镜频抑制比。
文档编号H03D7/14GK1516335SQ03149019
公开日2004年7月28日 申请日期2003年6月20日 优先权日2003年1月3日
发明者吴升珉, 权孝锡 申请人:三星电机株式会社