专利名称：二极管射频检波电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种二极管射频检波电路。
背景技术：
在灵敏度要求不高的射频微波电路接收单元中用非线性器件进行检波解调调幅信号是最通用的设计方法。而用得最多的非线性元器件就是各种二极管。在高频、微波电路中最为常用的是肖特基二极管和PIN二极管。
目前最常用的肖特基二极管检波电路，如图1所示，图1中的电容起到把射频信号和基带信号隔开的作用，电感构成肖特基二极管直流偏置回路同时挡住射频信号对偏置的影响。
目前用肖特基二极管检波的电路还有很多类似于图1中的电路。这些电路中无一例外的包括图1中所示的电感、电容。这种电路简单可行，但从电路的成本而言，仍存在改良空间。尤其是电路中的电感元件，价格并不便宜。
发明内容
本实用新型就是为了解决二极管检波电路的成本问题，提供一种二极管射频检波电路。
为实现上述目的，本实用新型提出一种二极管射频检波电路，包括二极管、接收天线，其特征是还包括电流源IDD，其中接收天线、二极管、电流源IDD串联，二极管与电流源IDD的连接端接基带电路。
由于采用了以上的方案，利用接收天线、二极管和电流源IDD构成直流偏置回路，在不用电感的情况下，为二极管提供直流偏置；利用电流源的高阻抗，使得偏置不受高频交流信号的影响。
因为在电路中省略了造价较高的电感元件，与现有技术相比具有成本，面积更小，电路板设计更简单的优点，从而进一步降低了电路的物料成本。
图1是常用肖特基二极管射频检波电路。
图2是不含电感的二极管射频检波电路。
图3是图2中电流源IDD的结构示意图。
具体实施方式
下面通过具体的实施例并结合附图对本实用新型作进一步详细的描述。
如图2、3所示，二极管射频检波电路，包括二极管1、接收天线2、电流源IDD3，二极管1为肖特基二极管，接收天线2为接收双振子天线，电流源IDD3为高阻抗电流源，采用集成电路实现，由第一NMOS三极管和第二NMOS三极管两个共源共栅NMOS三极管构成。接收双振子天线、肖特基二极管、高阻抗电流源IDD3串联，其中接收双振子天线与肖特基二极管正极相连，第一NMOS三极管的漏极与肖特基二极管负极、基带电路相连，第一NMOS三极管的源极与第二NMOS三极管的漏极相连，第二NMOS三极管的源极接地。接收双振子天线、肖特基二极1和高阻抗电流源IDD3构成直流偏置回路，在不用电感的情况下，为二极管提供直流偏置；高阻抗电流源IDD3的高阻抗使偏置不受高频交流信号的影响。接收双振子天线既作为天线本身又作为匹配电路，替代了现有肖特基二极管射频检波电路中的匹配电路。第一NMOS三极管的栅极加上偏置电压V1、第二NMOS三极管的栅极加上偏置电压V2，偏置电压V1和V2调到第一NMOS三极管和第二NMOS三极管都处于饱和区，同时第一NMOS三极管和第二NMOS三极管宽长比的值调到足够大而使高阻抗电流源IDD3的阻抗足够大为肖特基二极管提供直流偏置。
本实用新型中的二极管不仅限于肖特基二极管。
高阻抗电流源都可以实现偏置不受高频交流信号的影响的目的，不限于NMOS三极管。
接收天线只要是能够在天线本身的基础上能够替代匹配电路即可，并不限于接收双振子天线。
本实用新型的优点本实用新型因为在电路中省略了造价较高的电感元件，与现有技术相比具有成本更低，面积更小，电路板设计更简单的优点，从而进一步降低了电路的物料成本。
权利要求1.二极管射频检波电路，包括二极管(1)、接收天线(2)，其特征是还包括电流源IDD(3)，其中接收天线(2)、二极管(1)、电流源IDD(3)串联，二极管(1)与电流源IDD(3)的连接端接基带电路。
2.如权利要求1所述的二极管射频检波电路，其特征是所述电流源IDD(3)为高阻抗电流源。
3.如权利要求2所述的二极管射频检波电路，其特征是所述电流源IDD(3)还包括第一NMOS三极管和第二NMOS三极管两个共源共栅NMOS三极管。
4.如权利要求1所述的二极管射频检波电路，其特征是所述接收天线(2)为接收双振子天线。
5.如权利要求1所述的二极管射频检波电路，其特征是所述二极管(1)为肖特基二极管。
6.如权利要求5所述的二极管射频检波电路，其特征是所述接收双振子天线与肖特基二极管正极相连，电流源IDD(3)正极与肖特基二极管负极相连，电流源IDD(3)负极接地。
7.如权利要求3所述的二极管射频检波电路，其特征是所述第一NMOS三极管的漏极与肖特基二极管负极相连，第一NMOS三极管的源极与第二NMOS三极管的漏极相连，第二NMOS三极管的源极接地。
专利摘要本实用新型公开一种二极管射频检波电路，包括二极管、接收天线，其特征是还包括电流源IDD，其中接收天线、二极管、电流源IDD串联。因为在电路中省略了造价较高的电感元件，与现有技术相比具有成本、面积更小，电路板设计更简单的优点，从而进一步降低了电路的物料成本。
文档编号H03D1/10GK2660786SQ20032011441
公开日2004年12月1日 申请日期2003年10月29日 优先权日2003年10月29日
发明者陈松, 马成炎 申请人:深圳源核微电子有限公司