专利名称：表面声波滤波器的制作方法
技术领域：
本发明涉及主要用于移动电话等的表面声波滤波器。
背景技术：
表面声波滤波器(下文中称为SAW滤波器)用于移动电话等，以便只选择所需频带。在所述SAW滤波器中，需要加宽通带宽、增加抑制能力并减少插入损耗。关于这种需求，JP-A-5-183380中显示了具有梯型SAW滤波器的结构，其中加宽了正常带宽，减少了插入损耗并增加了对正常带宽以外的抑制能力。根据这一点，将具有一对端子的第一表面声波谐振器布置于并联臂中，其具有规定的谐振频率(resonant frequency)，并将具有一对端子的第二表面声波谐振器布置于串联臂中，其具有几乎对应于第一谐振器的反谐振频率的谐振频率。此外，也揭示了将感应器串联添加到第一表面声波谐振器的结构。
不仅提议了上述结构，也提议了用于实现更好滤波器特性的各种结构，并将其用于实际使用。
具有图14中所示结构的SAW滤波器200在很多情况下普遍使用。图14所示的SAW滤波器200包括形成于压电衬底202上的三个串联臂中的表面声波谐振器204、212、220和两个并联臂中的表面声波谐振器228、236，且通过连接这些谐振器获得规定的滤波器特性。具体地说，串联臂中表面声波谐振器204、212、220分别包括叉指式换能器电极(下文中称为IDT电极)206、214、222和安置在两侧的反射器电极208、210、216、218、224、226。并联臂中表面声波谐振器228、236也包括IDT电极230、238和分别安置在两侧的反射器电极232、234、240、242。三个串联臂中表面声波谐振器204、212、220通过第一连接导线部242、244串联连接。并联臂中表面声波谐振器228、236连接到与第一连接导线部242、244相连的第二连接导线部246、248，且另一侧连接到地线(ground)250。此外，在三个串联臂中的表面声波谐振器中204、212、220中分别安置在外侧的表面声波谐振器204、220分别连接到输入端子252和输出端子254。
根据所述结构，可实现具有规定特性的SAW滤波器200。然而，为了增加所述结构中的带外衰减，需要增加表面声波谐振器的数目。为所述目的，须增加芯片尺寸。
本发明解决现有问题，且其目的是提供可小型化同时具有高衰减特性的SAW滤波器。
发明内容
为了达到以上目的，本发明包含以下结构。
本发明的SAW滤波器具有压电衬底；复数个IDT电极，其布置在所述压电衬底的表面上并且在第一表面声波传播路径上；反射器电极，其至少布置在形成为包括复数个IDT电极的第一电极图案的两端；一个或一个以上的IDT电极，其布置在所述压电衬底的表面上并且布置在不同于第一表面声波传播路径的第二表面声波传播路径上；和反射器电极，其至少布置在形成为包括所述IDT电极的第二电极图案的两侧，其中在所述第一表面声波传播路径上的IDT电极通过连接导线部串联电连接，且在所述第二表面声波传播路径上的IDT电极连接于所述连接导线部与地线之间，所述连接导线部布置在第一电极图案与第二电极图案之间。
这样，其可为其中串联布置的复数个谐振器成一体的结构，因此，可使芯片尺寸较小同时保证作为SAW滤波器的良好特性。
在本发明的SAW滤波器中，还可通过布置在第二表面声波传播路径上的IDT电极和至少布置在形成为包括所述IDT电极的第二电极图案的两端的反射器电极形成至少一表面声波谐振器。
本发明SAW滤波器还可为其中布置在第二表面声波传播路径上的复数个IDT电极的一个端子连接到地线且另一个端子的分别连接到不同连接导线部的结构。
另外，在具有上述结构的本发明的SAW滤波器中，可布置安置在第一表面声波传播路径上并串联电连接的复数个IDT电极，使得邻近的IDT电极的相位彼此相反。
另外，在具有上述结构的本发明的SAW滤波器中，可在形成为布置另外复数个IDT电极的第一电极图案的IDT电极之间提供反射器电极。
在本发明的SAW滤波器中，可将提供于第一电极图案的IDT电极之间的反射器电极连接到地线。
在本发明的SAW滤波器中，还可通过反射器电极可串联电连接第一电极图案的IDT电极。
在本发明的SAW滤波器中，在第一电极图案中，可布置邻近的IDT电极使得其相位彼此相同。
本发明的SAW滤波器形成表面声波谐振器，其包括压电衬底；复数个IDT电极，其布置在所述压电衬底的表面上并且布置在第一表面声波传播路径上；反射器电极，其至少布置在形成为包括复数个IDT电极的第一电极图案的两端；一个或一个以上的IDT电极，其布置在所示压电衬底的表面上并且布置在不同于第一表面声波传播路径的第二表面声波传播路径上；和反射器电极，其至少布置在形成为包括所述IDT电极的第二电极图案的两端，其中所述第一电极图案的IDT电极中的一个端子分别连接到地线，且另一个端子的连接到所述表面声波谐振器的分别的端子。
根据这一点，可使并联布置的复数个表面声波谐振器(下文中称为谐振器)成一体，可在约相同的程度上维持作为SAW滤波器的特性或进一步对其进行改进，并可使芯片尺寸较小。
如上所描述，本发明的SAW滤波器具有其中复数个谐振器成一体的结构，因此，即使是需要有很多谐振器的具有高衰减特性的滤波器时，也可使芯片尺寸较小以提供低成本的SAW滤波器。
图1为显示根据本发明的第一实施例在压电衬底上的SAW滤波器的电极结构的平面图；图2为显示根据本发明的第二实施例的SAW滤波器的电极结构的平面图；图3为显示根据本发明的第三实施例的SAW滤波器的电极结构的平面图；图4为显示根据本发明的第四实施例的SAW滤波器的电极结构的平面图；图5为显示根据本发明的第五实施例的SAW滤波器的电极结构的平面图；图6A为显示为测量本发明的SAW滤波器的特性而制造的滤波器结构的方块图；图6B为显示为测量本发明的SAW滤波器的特性而制造的另一滤波器结构的方块图；图7为显示测量图6A中所示的滤波器结构的特性的结果的曲线图；图8为显示测量图6B中所示的滤波器结构的特性的结果的曲线图；图9为显示测量具有现有结构的SAW滤波器的特性的结果的曲线图；图10为进一步显示为测量本发明的SAW滤波器的特性而制造的另一滤波器结构的方块图；图11为显示当第二表面声波传播路径上的IDT电极的相位在图10所示的滤波器结构中相同时测量特性的结果的曲线图；图12为显示当第二表面声波传播路径上的IDT电极的相位在图10所示的滤波器结构中相反时测量特性的结果的曲线图；图13为显示当具有梯型结构的两个谐振器通过提供于图10所示滤波器结构中的第二表面声波传播路径上的IDT电极和反射器电极形成时测量特性的结果的曲线图；和图14为显示具有现有梯型结构的现有SAW滤波器的视图。
具体实施例方式
下文将参考附图详细解释本发明的实施例。由于在相同组件上标注相同附图标记，因此在一些情况下省略对其的解释。
(第一实施例)图1为显示根据本发明的第一实施例在压电衬底11上的SAW滤波器10的电极结构的平面图。所述实施例的SAW滤波器10具有以下结构。布置两个IDT电极12、13，使得其在所示压电衬底11的表面上并且在第一表面声波传播路径上彼此邻近，从而形成第一电极图案。反射器电极14、15安置在具有IDT电极12、13的第一电极图案的两端。
IDT电极16安置在相同压电衬底11的表面上并且在不同于第一表面声波传播路径的第二表面声波传播路径上，且反射器电极17、18布置在其两端。在所述实施例中，在第二表面声波传播路径上的IDT电极16和反射器电极17、18形成谐振器24。
此外，如图中所示，在第一表面声波传播路径上的IDT电极12、13各自的端子中的一个通过连接导线部19串联电连接。其端子的另一个分别连接到输入端子21和输出端子22。这样，在第一表面声波传播路径上，两个IDT电极12、13和两个反射器电极14、15实质上形成两个谐振器。布置在第二表面声波传播路径上的IDT电极16连接在连接导线部19与地线20之间。即，在所述实施例中，谐振器24连接于连接导线部19与地线20之间。
根据上述结构，当由现有梯型形成时需要形成三个谐振器，然而，可通过对应于现有结构的几乎两个谐振器的区域形成上述结构。因此，可使芯片尺寸小型化。
以下将解释本发明的SAW滤波器10的具体结构的实例。使用具有预定交角(cut-angle)的压电衬底，如铌酸锂(LiNbO3)单晶衬底或钽酸锂(LiTaO3)单晶衬底，作为压电衬底11。在以下特定实例中，使用36°Y交(Y-cut)Z传播钽酸锂(LiTaO3)单晶衬底作为压电衬底11。在将其中掺杂铜到铝中的电极薄膜形成为在压电衬底11上具有400nm的薄膜厚度之后，通过光刻过程和蚀刻过程制造作为IDT电极和反射器电极等的规定形状。第一电极图案布置在所述压电衬底的表面上和第一表面声波传播路径上，且在包括于第一电极图案中的IDT电极12、13中，梳状电极的电极指(electrode finger)间距(pitch)为2.34μm，其分别为70对。两个IDT电极12、13之间的间隙为1.17μm。反射器电极14、15的电极指间距为2.40μm，电极指的数目为50。反射器电极14与IDT电极12之间形成的间隙和反射器电极15与IDT电极13之间形成的间隙分别为1.17μm。
在连接于连接导线部19与地线20之间的表面声波谐振器24中，形成IDT电极16的梳状电极(comb-shaped electrode)的电极指间距为2.44μm，其对数为80对。其两端具有反射器电极17、18，其中其电极指间距为2.50μm且电极指的数目为50。
当通过光刻过程和蚀刻过程形成IDT电极12、13、16和反射器电极14、15、17、18时，可同时制造连接导线部19。此外，为了减少连接导线部19的电阻，可在所述电极薄膜上形成增强电极薄膜。
在第一电极图案的两个IDT电极12、13中，可通过使其相位彼此相反来减少波纹(ripple)。然而，当使所述相位彼此相同时，所述电极彼此较容易干扰，稍微增加波纹，但可减少损耗。因此，优选使用取决于用于实现每一目标的特性的设计的相位。
在所述实施例中，将两个IDT电极布置在第一表面声波传播路径上，并将一个IDT电极布置在第二表面声波传播路径上，然而本发明并不限于这一点。例如，可在第一表面声波传播路径上提供三个或三个以上的IDT电极，并可第二表面声波传播路径上提供两个或两个以上的IDT电极。在这种情况下，可在所述IDT电极之间提供反射器电极。
(第二实施例)下文将参看图2解释根据本发明的第二实施例的SAW滤波器30。如图2中所示，所述实施例的SAW滤波器30与第一实施例的SAW滤波器10不同之处如下。即，在所述实施例中，反射器电极32提供于第一表面声波传播路径上的第一电极图案中所包括的两个IDT电极12、13之间。
将解释图2中的具体结构的实例。在第一实施例中所解释的具体结构的实例中，电极指间距为2.40μm，且电极指的数目为10的反射器电极32布置在第一电极图案中所包括的两个IDT电极12、13之间。反射器电极32与IDT电极12、13之间形成的各自间隙为，例如1.17μm。
通过在两个IDT电极12、13之间提供反射器电极32，可减少杂散电容并可防止高频侧中的衰减恶化。即使当使两个IDT电极12、13的相位彼此相同时，也由于提供了反射器电极32可减少波纹。
为了减少杂散电容的影响，提供于IDT电极12、13之间的反射器电极32中的电极数多较好。然而，如果太多的话，芯片尺寸增加。因此，电极的数目优选小于提供于两端的反射器电极14、15的电极的数目。
通过仅布置反射器电极32，就可减少杂散电容并可防止高频侧中的衰减恶化，且当连接到地线时，防止衰减恶化的效果进一步增加，结果可进一步改进特性。
在所述实施例中，将两个IDT电极布置在第一表面声波传播路径上，并将一个IDT电极布置在第二表面声波传播路径上，然而本发明并不限于这一点。例如，可在第一表面声波传播路径上提供三个或三个以上的IDT电极，并可在第二表面声波传播路径上提供两个或两个以上的IDT电极，并可在这些IDT电极之间提供反射器电极。此外，这些反射器电极可连接到地线。
(第三实施例)图3为显示根据本发明的第三实施例的SAW滤波器的电极结构的平面图。关于IDT电极12、13、16和反射器电极14、15、17、18、32，所述实施例的SAW滤波器40与第二实施例的SAW滤波器30具有相同结构。然而，在所述实施例中，第一表面声波传播路径上的第一电极图案中所包括的两个IDT电极12、13通过反射器电极32由连接导线部42、44串联连接。谐振器24连接于连接导线部42与地线20之间，所述连接导线部42布置在第一电极图案与第二电极图案之间。
如上所描述，所述实施例的SAW滤波器40通过反射器电极32、连接导线部42、44串联连接两个IDT电极。因此，当通过反射器电极32串联连接时，可获得类似的特性。因此，包括输出端子22的连接位置在内的串联连接IDT电极12、13的设计的自由程度较高。
在所述实施例中，将两个IDT电极布置在第一表面声波传播路径上，并将一个IDT电极布置在第二表面声波传播路径上，然而本发明并不限于这一点。例如，可在第一表面声波传播路径上提供三个或三个以上的IDT电极，并可在第二表面声波传播路径上提供两个或两个以上的IDT电极，可在这些IDT电极之间提供反射器电极，且可通过反射器电极和连接导线部串联连接第一表面声波传播路径上的IDT电极。
(第四实施例)图4为显示根据本发明的第四实施例的SAW滤波器50的电极结构的平面图。所述实施例的SAW滤波器50具有布置在第一表面声波传播路径上的第一电极图案和第一电极图案的两端的反射器电极56、57。所述第一电极图案包括四个IDT电极51、52、53、54和两个反射器电极58、59。如图中所示，这些反射器电极58、59分别布置在两个IDT电极51、52之间和另外两个IDT电极53、54之间。
在不同于第一表面声波传播路径的第二表面声波传播路径上形成包括两个IDT电极60、61的第二电极图案，并将反射器电极62、63布置在第二电极图案的两端。
此外，第一表面声波传播路径上的四个IDT电极51、52、53、54通过连接导线部64、65、66串联电连接。第二表面声波传播路径上的IDT电极60、61连接于连接导线部64、65与地线20之间，所述连接导线部64、65安置在第一电极图案与第二电极图案之间。在所述实施例中，如图4中所示，IDT电极60连接到连接导线部64和地线20，且另一IDT电极61连接到连接导线部65和地线20。
IDT电极51、54的各自端子中的一个分别连接到输入端子21和输出端子22。
以下将解释本发明的SAW滤波器的具体结构的实例。在第一电极图案中，作为IDT电极51、54的梳状电极对的数目为70对，作为IDT电极52、53的梳状电极对的数目为60对，且与第一实施例相同，梳状电极的电极指间距为2.34μm。此外，在第二电极图案的IDT电极60、61中，梳状电极的电极指间距为2.44μm，其分别为80对，且IDT电极60、61之间的间隙为1.22μm。在布置在其两端的反射器电极62、63中，所述电极指间距为2.50μm，且电极指的数目为50。反射器电极62、63与IDT电极60、61之间的间隙分别为1.20μm。
布置在第一电极图案中的反射器电极58、59的电极指间距为2.5μm，且电极指的数目分别为10。在所述实施例中，不在布置在第一电极图案的中心的两个IDT电极52、53之间提供反射器电极。这是因为已发现第一电极图案中的两个IDT电极51、52之间和两个IDT电极53、54之间的杂散电容影响高频侧上的衰减，然而，中心处的两个IDT电极52、53之间的杂散电容几乎不影响所述衰减。然而，可在这些IDT电极之间提供反射器电极。如果具有所述反射器电极，那么设计的自由程度可较高。
在现有的梯型中，当串联臂谐振器中的梳状电极对的数目约小于100对时，波纹易于增加。在所述实施例中，由于两个IDT电极52、53安置得彼此邻近，每个梳状电极对的数目为60对，然而，实质上实现了具有120对的状态，结果，可抑制波纹。关于IDT电极51、54，当使所布置的反射器电极58、59的电极数目分别为约10时，可减少对波纹的影响，且即使梳状电极对的数目为约70对，也几乎没有发现波纹的发生。
如上所描述，如果通过现有梯型结构来形成时需要六个谐振器，然而在所述实施例中，两个谐振器组可形成所述滤波器。因此，在不使SAW滤波器特性恶化的情况下，可使芯片尺寸小型化。
在本实施例中，第一电极图案的反射器电极58、59没连接到地线，但其可如第二实施例中所描述连接到地线。
(第五实施例)图5为显示根据本发明的第五实施例的SAW滤波器80的电极结构的平面图。所述实施例的SAW滤波器80与图1中所示的SAW滤波器10的不同之处如下。即，在第一实施例1的SAW滤波器10中，连接到输入端子21和输出端子22的串联谐振器的IDT电极12、13提供于第一表面声波传播路径上。然而，在所述实施例的SAW滤波器80中，IDT电极81、82提供于第一表面声波传播路径上，其一个端子连接到输入端子21和输出端子22，且其另一个端子连接到地线。在第一表面声波传播路径上的IDT电极81通过连接导线部88连接到在第二表面声波传播路径上的反射器电极86，反射器电极86通过连接导线部90连接到IDT电极85，而且，在第二表面声波传播路径上的IDT电极85通过连接导线部89连接到在第一表面声波传播路径上的IDT电极82。这样，在第一表面声波传播路径上的两个IDT电极81、82通过连接导线部88、89、90和反射器电极86串联电连接。由在第二表面声波传播路径上的IDT电极85、反射器电极86、87形成谐振器，在第一电极图案上的两个IDT电极81、82连接到上述谐振器的不同端子。
根据上述结构，用现有梯型结构的SAW滤波器形成时需要三个谐振器，然而，可通过对应于几乎两个谐振器的区域形成本发明的SAW滤波器80。结果，可使芯片尺寸小型化。
下文中将解释根据所述实施例的SAW滤波器的结构的特定实例。IDT电极81、82布置于压电衬底11上的第一表面声波传播路径以形成第一电极图案。反射器电极83、84布置于第一电极图案的两端。在两个IDT电极81、82中，梳状电极的电极指间距为2.44μm，其分别为80对。两个IDT电极81、82之间的间隙为1.22μm。此外，在反射器电极83、84中，电极指间距为2.50μm，且电极指的数目为50。反射器电极83与IDT电极81之间的间隙及反射器电极84与IDT电极82之间的间隙分别为1.20μm。
此外，在第二表面声波传播路径上的IDT电极85中，梳状电极的电极指间距为2.34μm，其为70对。在安置于IDT电极85的两端的反射器电极86、87中，所述电极指间距为2.40μm，且电极指的数目为50。IDT电极85和反射器电极86、87形成谐振器。输入端子21连接到连接导线部88，且输出端子22连接到连接导线部89。
根据所述SAW滤波器结构，可通过对应于现有梯型结构的SAW滤波器的几乎两个谐振器的区域形成所述滤波器。结果，可使芯片尺寸小型化并可实现低成本的SAW滤波器。
在所述实施例中，将两个IDT电极布置在第一表面声波传播路径上，并将一个IDT电极布置在第二表面声波传播路径上，然而本发明并不限于这一点。例如，可在第一表面声波传播路径上提供三个或三个以上的IDT电极，并可在第二表面声波传播路径上提供两个或两个以上的IDT电极。
此外，本发明不限于第一实施例到第五实施例中所解释的结构，且可利用具有不同种类的IDT电极和反射器电极的结构。邻近的IDT电极的相位可为相反的或可为相同的。
关于测量滤波器特性的结果，下文将解释具有基于根据第四实施例的SAW滤波器50且被部分修改的结构的SAW滤波器的特定实例。
图6A为显示为测量本发明的SAW滤波器的特性而制造的滤波器结构的方块图。在图6A中，通过方块形式显示IDT电极和反射器电极以便易于解释。在图6A中所示的SAW滤波器70中，在第一表面声波传播路径上设置四个IDT电极51、52、53、54并在这些IDT电极两侧分别设置反射器电极56、57、58、59、67。IDT电极60、61和布置在所述IDT电极的两端和中心的反射器电极62、63、68布置在第二表面声波传播路径上。第一表面声波传播路径上的IDT电极51、52、53、54通过连接导线部64、65、66串联电连接。第二表面声波传播路径的IDT电极60连接到连接导线部64和地线20，且另一IDT电极61连接到连接导线部65和地线20。
IDT电极51、52分别具有158对，IDT电极53、54分别具有216对，且其交叉宽度(intersecting width)均为25μm。反射器电极56、57的电极指的数目为30，且布置在第一电极图案中的反射器电极58、59、67的电极指的数目为10。此外，在第二表面声波传播路径上的IDT电极60、61分别具有147对和263对。反射器电极62、63、68的电极指的数目为30。将“η”设定为0.52。电极的薄膜厚度为约160nm。在SAW滤波器70的情况下，使第一电极图案中的IDT电极51、52、53、54的相位相同。
图6B为显示为测量本发明的SAW滤波器的特性而制造的另一滤波器结构的方块图。同样在图6B中，通过方块形式显示IDT电极和反射器电极以便易于解释。图6B中所示的SAW滤波器75与图6A中所示的SAW滤波器70的不同之处在于第一电极图案中的反射器电极仅为在中心的反射器电极67，使两个邻近IDT电极51、52和IDT电极53、54的相位相反，且使通过反射器电极67的邻近IDT电极52、53的相位相同。
此外，也制造图14中所示的具有现有结构的SAW滤波器。对的数目、交叉宽度等与图6A和图6B中所示的结构相同。
图7、图8和图9中显示这些滤波器特性的测量结果。图7为显示SAW滤波器70的特性的曲线图。图8为显示SAW滤波器75的特性的曲线图。此外，图9为显示具有现有结构的SAW滤波器的特性的曲线图。如图所示，在现有结构的SAW滤波器中，在通带中具有规定频率的A点处的插入损耗为1.41dB，且B点处的插入损耗为1.54dB。相反，在SAW滤波器70中，A点处的插入损耗为1.37dB，且B点处的插入损耗为1.33dB。在SAW滤波器75中，A点处的插入损耗为1.37dB，且B点处的插入损耗为1.37dB。因此，已发现与现有结构的SAW滤波器相比，本发明的SAW滤波器可减少插入损耗。尤其是已发现通过在相位相同的IDT电极之间提供反射器可获得更好的特性。所述实施例中实验性制造的SAW滤波器是用于PCS应用，其中A点处的频率为1930MHz且B点处的频率为1990MHz。
如上所描述，在本发明的SAW滤波器中，已发现可使芯片尺寸小型化且也可减少插入损耗。就可减少插入损耗的原因推测如下。
鉴于图6B中所示的SAW滤波器75中的IDT电极51的谐振，IDT电极52具有不同于反射器电极56的电极指间距，且充当电极指的数目更大的反射器电极，因此，有效谐振长度变长。结果，反射器的Q值变大，当形成滤波器时插入损耗变小。另一方面，在图6A中所示的SAW滤波器70中，通过使IDT电极51的相位与邻近的IDT电极52的相位相同，通过安置在其间的反射器电极58的部分表面声波被作为信号传播，因此，可进一步减少插入损耗。
接下来，将解释测量具有图10中所示结构的SAW滤波器的特性的结果。同样在图10中，以方块形式显示IDT电极和反射器电极以便易于解释。
图10中所示的SAW滤波器100具有四个IDT电极51、52、53、54，和安置在其两端的反射器电极56、57，和在第一表面声波传播路径上的中心处布置在IDT电极52、53之间的反射器电极67。在第二表面声波传播路径上，IDT电极60、61和反射器电极62、63、68提供于两端和中心处。第一表面声波传播路径上的IDT电极51、52、53、54通过连接导线部92、93、94、95串联电连接。第二表面声波传播路径上的IDT电极60连接到连接导线部92和地线20，另一IDT电极61连接到连接导线部93和地线20。
SAW滤波器100的特性在于输入端子21连接到连接导线部92，输出端子22连接到IDT电极54的一端子。
所有IDT电极51、52、53、54均为84对，且其交叉宽度均为25μm。反射器电极56、57的电极指的数目为35，且布置在第一电极图案中的反射器电极67的电极指的数目为10。此外，第二表面声波传播路径上的IDT电极60、61分别为73对、68对。反射器电极62、63的电极指的数目为35，中心处的反射器电极68的电极指的数目为7。将“η”设定为0.5。电极的薄膜厚度为约400nm。
此外，也制造在第二表面声波传播路径上具有两个谐振器的梯型结构。这时，将IDT电极和反射器电极的对的数目和电极指的数目等设定为与图10中所示的SAW滤波器100相同。
图11是SAW滤波器100，其中使第二表面声波传播路径上的IDT电极60、61的相位相同的情况。图12是SAW滤波器100，其中使IDT电极60、61的相位相反的情况。此外，图13是其中将在第二表面声波传播路径上提供两个梯型结构谐振器的情况。在这些情况下，第一表面声波传播路径的两个IDT电极51、52之间的相位与两个IDT电极53、54之间的相位相反，而两个IDT电极52、53之间的相位相同。
如图13中所示，在通过在第二表面声波传播路径上的IDT电极和反射器电极而具有梯型结构的SAW滤波器中，在通带的规定频率中的C点处的插入损耗为1.06dB，且D点处的插入损耗为1.27dB。另一方面，如图11中所示，当所述相位相同时，C点处的插入损耗为0.98dB，且D点处的插入损耗为1.18dB。此外，如图12中所示，当所述相位相反时，C点处的插入损耗为1.01dB，且D点处的插入损耗为1.23dB。所述实施例中实验性制造的SAW滤波器是用于AMPS应用，其中C点处的频率为825MHz且D点处的频率为849MHz。
如上所描述，对于作为SAW滤波器的特性可获得良好结果。
工业适用性当用作需要很多谐振器的具有高衰减特性的滤波器时，根据本发明的SAW滤波器允许芯片尺寸较小并适用于如移动电话的通信领域中或如电视的图像领域中的滤波器。
权利要求
1.表面声波滤波器，其包含压电衬底，复数个叉指式换能器电极，其布置在所述压电衬底的表面上并且布置在第一表面声波传播路径上，反射器电极，其至少布置在形成为包括复数个所述叉指式换能器电极的第一电极图案的两端，一个或一个以上的叉指式换能器电极，其布置在所述压电衬底的所述表面上并且布置在不同于所述第一表面声波传播路径的第二表面声波传播路径上，和反射器电极，其至少布置在形成为包括所述叉指式换能器电极的第二电极图案的两端，其中在所述第一表面声波传播路径上的所述叉指式换能器电极之间通过连接导线部串联电连接，且在所述第二表面声波传播路径上的所述叉指式换能器电极连接于所述连接导线部与地线之间，所述连接导线部布置在所述第一电极图案与所述第二电极图案之间。
2.根据权利要求1所述的表面声波滤波器，其中，由布置在所述第二表面声波传播路径上的所述叉指式换能器电极和至少布置在形成为包括所述叉指式换能器电极的所述第二电极图案的两端的所述反射器电极形成至少一表面声波谐振器。
3.根据权利要求1所述的表面声波滤波器，其中布置在所述第二表面声波传播路径上的复数个叉指式换能器电极的一个端子连接到所述地线，且另一个端子分别连接到不同的所述连接导线部。
4.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的表面声波滤波器，其中安置在所述第一表面声波传播路径上串联电连接的所述复数个叉指式换能器电极被布置为，相邻的所述叉指式换能器电极之间的相位彼此相反。
5.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的表面声波滤波器，其中所述反射器电极提供于形成为包括所述复数个叉指式电极的所述第一电极图案的所述叉指式换能器电极之间。
6.根据权利要求5所述的表面声波滤波器，其中提供于所述第一电极图案的所述叉指式换能器电极之间的所述反射器电极连接到所述地线。
7.根据权利要求5所述的表面声波滤波器，其中所述第一电极图案的所述叉指式换能器电极之间通过所述反射器电极串联电连接。
8.根据权利要求5所述的表面声波滤波器，其中在所述第一电极图案中，相邻的所述叉指式换能器电极被布置成使得其之间相位彼此相同。
9.表面声波滤波器，其中由压电衬底，复数个叉指式换能器电极，其布置在所述压电衬底的表面上并且布置在第一表面声波传播路径上，反射器电极，其至少布置在形成为包括所述复数个叉指式换能器电极的第一电极图案的两端，一个或一个以上的叉指式换能器电极，其布置在所述压电衬底的所述表面上并且布置在不同于所述第一表面声波传播路径的第二表面声波传播路径上，反射器电极，其至少布置在形成为包括所述叉指式电极的第二电极图案的两端，构成表面声波谐振器，其中在所述第一表面声波传播路径上的所述叉指式换能器电极的一个端子分别连接到所述地线，且另一个端子连接到所述表面声波谐振器的分别的端子。
全文摘要
本发明的SAW滤波器具有压电衬底(11)；复数个IDT电极(12，13)，其布置在所述压电衬底(11)的表面且第一表面声波传播路径上；反射器电极(14，15)，其至少布置在形成为包括复数个IDT电极(12，13)的第一电极图案的两端；一个或一个以上的IDT电极(16)，其布置在所述压电衬底(11)的所述表面且不同于所述第一表面声波传播路径的第二表面声波传播路径上；和反射器电极，其至少布置在形成为包括所述IDT电极(16)的第二电极图案的两侧，其中在所述第一表面声波传播路径上的IDT电极(12，13)通过连接导线部(19)串联电连接，且在所述第二表面声波传播路径上的IDT电极(16)连接于所述连接导线部(19)与地线(20)之间，所述连接导线部布置在所述第一电极图案与所述第二电极图案之间。根据这一点，可使芯片尺寸较小。
文档编号H03H9/145GK1830143SQ200480021660
公开日2006年9月6日 申请日期2004年7月28日 优先权日2003年7月30日
发明者井垣努, 池田和生, 常川昭雄 申请人:松下电器产业株式会社