专利名称：Saw分波器的制作方法
技术领域：
本发明涉及使用通频带不同的第一、第二 SAW滤波器而构成的SAW 分波器，尤其涉及第一、第二 SAW滤波器具有梯型回路结构，且至少在 一个SAW滤波器中，在串联臂共振子上并列地连接桥接电感器的SAW分 波器。
背景技术：
近年来，在便携电话中广泛应用使用通频带不同的第一、第二 SAW 滤波器而构成的SAW分波器。在下述的专利文献1中，公开此种SAW分 波器的一例。
图16表示专利文献1中记载的SAW分波器的回路结构的图。SAW 分波器101与天线102连接。B卩，在天线102上连接第一SAW滤波器111 及第二 SAW滤波器112。第一 SAW滤波器111与第二 SAW滤波器112 的通频带不同。此外，各SAW滤波器lll、 112具备具有串联臂共振子与 并联臂共振子的梯型回路结构。
艮口，第一 SAW滤波器111具有串联臂共振子S1 S3，和并联臂共振 子P1、 P2。同样地，第二SAW滤波器112具有串联臂共振子S4 S6，和 并联臂共振子P3、 P4。
并且，在串联臂共振子S3、 S5上分别并联地连接桥接电感器L1 、 L2。 桥接电感器L1是为将相对侧的SAW滤波器112的通频带中的衰减量形成 足够大而设置。同样地，桥接电感器L2是为将相对侧的SAW滤波器111 的通频带中的衰减量形成足够大而插入。
上述SAW分波器101通过在封装基板上安装弹性表面波元件片而构 成。图17是上述弹性表面波元件片113的俯视图。弹性表面波元件片113 中，在压电基板114上形成图示的多个电极，从而构成SAW滤波器111、112。
但是，桥接电感器L1、 L2未形成在弹性表面波元件片113上。艮口， 在图18所示的封装基板115的上面，分别形成用于形成桥接电感器L1、 L2的线圈状电极图案。
在封装基板115的上表面形成与弹性表面波元件片113电连接的多个 电极座(electrode land)。多个电极座中，电极座A1、 A2与上述桥接电感 器Ll连接。在该电极座Al、 A2上分别接合与弹性表面波元件片113内 的串联臂共振子S3的两端电连接的凸块。同样地，在封装基板115上的 电极座A3、 A4上电连接桥接电感器L2。该电极座A3、 A4相当于与在弹 性表面波元件片113上构成的串联臂共振子S5的两端连接的金属凸块接 合的部分。
艮口，在SAW分波器中，上述桥接电感器Ll、 L2通过在搭载弹性表 面波元件片的封装基板115的上表面形成线圈状的电极图案而构成。
另一方面，在下述的专利文献2中，公开弹性表面波分波器用封装， 在该弹性表面波分波器用封装内形成用于调整安装在该封装内的弹性表 面波滤波器的相位特性的相位整合回路电极。在专利文献2中，作为上述 相位整合回路电极，表示多个螺旋图案状的电极，且该多个螺旋图案状的 电极在封装的多个层上形成，且利用通路孔相互电连接。
专利文献1:日本专利特开2003-332885号公报
专利文献2:日本专利特开2003-304139号公报
如上述，专利文献1记载的SAW分波器中，第一、第二SAW滤波器 111、 112的滤波器弹性中，为扩大相对侧的滤波器的通频带的衰减量，连 接桥接电感器L1、 L2。但是，上述桥接电感器L1、 L2通过在搭载弹性表 面波元件片的封装基板的上表面形成线圈状的电极而构成。因此，从图8 明确可知，作为封装基板115，必须准备可在上表面形成线圈状的电极图 案、大的基板。
另一方面，在所述专利文献2中，公开了在SAW分波器的封装中， 在多个层上形成有作为相位整合用电极的螺旋图案状的电极。但是，专利 文献2中，作为相位整合用电极，仅限于形成上述螺旋图案状的电极，专 利文献2中，对于SAW分波器的桥接电感器L并未特别提及。此外，作
为上述相位整合回路电极的螺旋图案状的电极虽然具有螺旋图案状，但相 位整合用的电极与上述桥接电感器所形成的特性完全不同。
艮口，桥接电感器不仅优选电感器值大的桥接电感器，也优选集合常数 型的电感器。与此相反，上述相位整合回路电极是用于实现相位整合，是
表现出分布常数性的特性的电极。从而，专利文献2表示在多个层上形成 有螺旋状的电极的构造，但对于可作为SAW分波器中的桥接电感器使用 的电极构造并未公开。
发明内容
鉴于上述的现有技术的现状，本发明的目的在于提供一种通频带不同 的第一、第二SAW滤波器具有梯型回路结构，且在至少一侧的SAW滤波 器中与串联臂共振子并联地连接桥接电感器，并且不仅通过该桥接电感器 的连接实现滤波器特性的改善，而且即使连接有桥接电感器，仍可促进小 型化的SAW分波器。
根据本发明提供一种滤波器，具有第一 SAW滤波器，其具有包括 至少一个串联臂共振子及至少一个并联臂共振子的梯型回路结构，且通频 带的频率相对低；第二SAW滤波器，其具有包括至少一个串联臂共振子 及至少一个并联臂共振子的梯型回路结构，且通频带的频率相对高；和桥 接电感器，其与第二 SAW滤波器的至少一个所述串联臂共振子并列地连 接，所述第一 SAW滤波器及第二 SAW滤波器构成为SAW滤波器芯片， 还具备安装所述SAW滤波器芯片的多层封装基板，所述桥接电感器具有 第一配线，其在多层封装基板的第一层上形成；第一通路孔导体(viahole)， 其与第一配线的一端连接；第二通路孔导体，其与第一配线的另一端连接； 第二配线，其在与所述多层封装基板的第一层不同的高度位置的第二层上 设置，且一端与所述第二通路孔导体连接，在包括所述第一配线及第二配 线的线圈巻绕部的内侧配置至少包括所述第一通路孔导体的线圈返回线 部(coil return wire )。
在具有本发明所述的SAW分波器的特定的情况下，第三通路孔导体， 其与所述第一通路孔导体连接；第四通路孔导体，其与所述第二配线的另 一端连接；第三配线，其一端与所述第四通路孔导体连接，且形成在与所 述多层封装基板的第一、第二层不同的高度位置上设置的第三层上，包括 所述第一、第三通路孔导体的返回线部配置在由所述第一 第三配线构成 的线圈巻绕部内。
在本发明所述的SAW分波器的其它的特定的情况下， 一端与所述第 三通路孔导体连接的第五通路孔导体，和一端与第三配线的另一端连接的 第六通路孔导体各自的另一端到达设置在与所述第一 第三层不同的高度 位置的第四层。
在本发明所述的SAW分波器的其它的特定的情况下，所述第六通路 孔导体设置在所述线圈巻绕部的内侧。
在本发明所述的SAW分波器的其它的特定的情况下，在所述返回线 部，构成该返回线部的多个所述通路孔导体直线地连接。
在本发明所述的SAW分波器的其它的特定的情况下，在所述返回线 部，多个所述通路孔导体未以一直线状地连结。
根据本发明所述的SAW分波器的其它的特定的情况下，在构成所述 桥接电感器的各配线与安装第一 SAW滤波器芯片的多层封装基板部分之 间配置有与接地电位连接的通路孔导体。
在本发明所述的SAW分波器的其它的特定的情况下，在所述第二 SAW滤波器中，与连接所述桥接电感器的串联臂共振子的端子相连接的、 所述封装的电连接部分位于所述桥接电感器的线圈巻绕部的内侧。
发明效果
在本发明所述的SAW分波器中，在多层封装基板上作为SAW滤波器 芯片搭载第一、第二 SAW滤波器，在具有梯型回路结构的第一、第二 SAW 滤波器中，在与第二 SAW滤波器的至少一个串联臂共振子并联地连接桥 接电感器的SAW分波器中，上述桥接电感器具有包括在多层封装基板的 至少第一、第二层上设置的第一配线及第二配线的线圈巻绕部，且至少包 括第一通路孔导体的线圈的返回线部配置在上述线圈巻绕部的内侧，所以 能够减小桥接电感器构成部分的面积。即，以线圈巻绕部至少包括第一、 第二配线的方式，分割为多个层而形成，并且因为线圈返回线部配置在线 圈巻绕部的内侧，所以能够将桥接电感器构成部分的面积减到极小。
从而，在连接桥接电感器的至少第二 SAW滤波器的滤波器特性中，
不仅能够将相对侧的滤波器即第一 SAW滤波器的通频带的衰减量扩大至 足够大，而且可促进SAW分波器的小型化。
在本发明中，在与第一、第二层不同的高度位置设置的第三层上设有 第三配线，在利用第一 第三配线构成线圈巻绕部的情况下，能够进一步 减小桥接电感器构成部分的面积，或可不增大多层封装基板的面积地形成 更大的电感值的桥接电感器。
在第五、第六通路孔导体各自的另一端到达第四层的情况下，在第四 层中能够形成将第五通路孔导体与串联臂共振子的一端电连接的配线，和 将第六通路孔导体与串联臂共振子的另一端连接的配线，由此可实现降低 配线构造中需要的面积。
在第六通路孔导体设置在线圈巻绕部的内侧的情况下，由于第六通路 孔导体的形成并未导致多层封装基板的面积发生增大，因此能够提供促迸 了小型化，且具有第六通路孔导体的SAW分波器。
在返回线部，在构成该返回线部的多个通路孔导体直线地连接的情况 下，能够进一步较小电感器的占有面积。
但是，在上述返回线部，多个通路孔导体也可不一直线状地连结，在 此情况下，能够提高配线的自由度。
在构成桥接电感器的各配线与安装第一 SAW滤波器芯片的多层封装 基板部分之间配置有与接地电位连接的通路孔导体的情况下，能够提高第 一 SAW滤波器与第二 SAW滤波器之间的隔离。
在第二 SAW滤波器中，与连接所述桥接电感器的串联臂共振子的端 子相连接的、所述封装的电连接部分位于所述桥接电感器的线圈巻绕部的 内侧的情况下，能够不增大多层封装基板的面积地形成上述电连接部分。 从而，能够实现SAW分波器的迸一步小型化。
图1是用于说明本发明的一实施方式所述的SAW分波器的示意俯视图。
图2是表示本发明的一实施方式所述的SAW分波器的第二 SAW滤波 器的回路结构的图。
图3 (a)及(b)是示意地表示本发明的一实施方式所述的SAW分 波器的桥接电感器构成部分的分解立体图及用于说明构成该桥接电感器 的部分的线圈状巻绕部的示意俯视图。
图4 (a) ~ (d)是用于说明发明的一实施方式所述的SAW分波器中
的桥接电感器构成部分的各层的电极形状的各示意俯视图。
图5是构成比较例的SAW分波器中的桥接电感器L的部分的示意俯视图。
图6 (a) (c)是表示比较例的SAW分波器的桥接电感器构成部分 的各层的电极构造的示意俯视图。
图7 (a)及(b)是表示比较例的SAW分波器的桥接电感器构成部 分的电极构造的示意分解立体图及示意俯视图。
图8是表示实施例及比较例SAW分波器的第二 SAW滤波器的通频特 性的图。
图9是表示实施例及比较例SAW分波器的第二SAW滤波器的反射特 性的图。
图10是表示实施例及比较例SAW分波器的第二 SAW滤波器的隔离 特性的图。
图11是表示实施方式及比较例的SAW分波器中的天线侧端子的反射 特性。
图12是表示本发明SAW分波器的变形例中的桥接电感器构成部分的
电极构造的示意分解立体图。
图13是图12所示的变形例中的桥接电感器构成部分的示意俯视图。 图14是本发明的SAW分波器的其它变形例中的桥接电感器构成部分
的分解立体图。
图15是图14所示的变形例中的桥接电感器构成部分的示意俯视图。
图16是表示以往SAW分波器的回路结构的图。
图17是表示在以往的SAW分波器中，搭载在封装基板上的弹性表面 波元件片的示意俯视图。
图18是表示在以往的SAW分波器中，搭载弹性表面波元件的封装基 板示意俯视图。图中，1一SAW分波器；2 —多层封装基板；ll一第一SAW滤波器芯 片；12 —第二 SAW滤波器芯片；13—通路孔导体；14一输入端子；15 —
输出端子；21、 22—电极座；23 —第一配线；23a、 23b—通路盖；24 —第 一通路孔导体；25 —第二通路孔导体；26—第二配线；26a、 26b—通路盖； 27、 28—第三、第四通路孔导体；29—第三配线；29a、 29b—通路盖；30、 31 —第五、第六通路孔导体；30A—通路孔导体；32—连接配线；32a、 32b 一通路盖；41 —第一配线；41a、 41b—通路盖；42、 43 —第二配线；42a、 42b、 43a、 43b—通路盖；44、 45—第三配线；44a、 44b、 45a、 45b —通路 盖；46、 47 —第一、第二通路孔导体；48、 49一第三、第四通路孔导体； 50、 51—第五、第六通路孔导体；52、 53 —电极座；L—桥接电感器；P1 P3 一并联共振子；S1 S3 —串联共振子。
具体实施例方式
以下，参照附图对本发明的具体的实施方式进行说明，从而明确本发明。
图1是表示本发明的一实施方式所述的SAW分波器的示意俯视图。
SAW分波器1具有多层封装基板2。多层封装基板2利用多层陶瓷基 板构成。但是，多层封装基板2也可利用陶瓷以外的绝缘材料形成。
在多层封装基板2上，如虚线所示，利用倒装式接合法搭载第一 SAW 滤波器芯片11及第二滤波器芯片12。 g卩，利用金属凸块在多层封装基板 2的上表面搭载SAW滤波器芯片11、 12。图1中，SAW滤波器芯片ll、 12如上所述以虚线表示其外形。
在多层封装基板2的上表面形成图示的电极。另一方面，上述第一、 第二 SAW滤波器芯片11 、 12分别构成SAW分波器1中的第一、第二 SAW 滤波器F1、 F2。在本实施方式中，第一SAW滤波器F1的通频带的频率 相对低，第二SAW滤波器F2的通频带的频率相对高。g卩，第一SAW滤 波器11作为便携电话机的发送侧的带滤波器使用，第二 SAW滤波器F2 作为接收侧的带滤波器使用。
并且，第一、第二 SAW滤波器Fl、 F2具有梯型的回路结构。图2 是表示第二 SAW滤波器F2的回路结构的图。
在第二SAW滤波器F2中，串联臂共振子S1、 S2、 S3被插入串联臂。 并且，在串联臂与接地电位之间构成有三根并联臂，在各并联臂上插入并 联臂共振子P1、 P2、 P3。
换言之，从输入端子14向输出端子15侧，交互地配置串联臂共振子 S1 S3，和并联臂共振子P1 P3。而且，在梯型回路中，串联臂共振子及 并联臂共振子的数量未被特别限定。第一 SAW滤波器Fl也具有同样的梯 型回路结构。
在本实施方式中，上述梯型回路结构的第一、第二SAW滤波器的一 端共同连接，并与未图示的天线连接地构成。另一方面，第一SAW滤波 器F1的另一端构成发送端子，第二 SAW滤波器F2的另一端构成接收端 子。此种SAW分波器的构成自身如所述的专利文件1中记载，在本申请 前已为人所知。
此外，如图2所示，在第二SAW滤波器F2中，与串联臂共振子S3 并列地连接桥接电感器L。在第二 SAW滤波器的滤波器特性中，为实现 扩大作为相对侧的滤波器的第一SAW滤波器F1的通频带中的衰减量，及 第二 SAW滤波器F2的通频带低频域侧的阻带区域的衰减量，且为扩大第 二 SAW滤波器F2的通频带的高频域侧的带宽而连接桥接电感器L。
并且，本实施方式的特征在于，上述桥接电感器L在多层封装基板2 上，并不增大多层封装基板2的面积地形成。同时参照图l、图3 图6， 对此进行说明。
在图1的多层封装基板2中，以单点划线A表示构成上述桥接电感器 L的部分。g卩，在图1的单点划线A表示的区域内，构成桥接电感器L。 以图3 (a)的分解立体图表示构成该桥接电感器L的部分。此外，图3 及图4 (a) ~ (d)表示各高度位置的俯视图及俯视剖面图。
如图3 (a)及图4 (a) ~ (d)所示，在多层封装基板2的不同高度 位置的第一层 第四层形成图示的电极。此处，第一层 第四层是多层封装 基板2的不同高度位置的平面，从下开始依次设为第一层 第四层，第四 层与多层封装基板2的上表面相当。
如图3 (a)所示，在多层封装基板2的上表面即第四层中形成电极座 21、 22。电极座21、 22通过在多层封装基板2的上表面上形成适当的导
电膜并形成图案地设置。上述电极座21、 22在图2所示的回路结构中， 相当于桥接电感器L的两端的端子部分，且电极座21、 22在搭载构成第 二 SAW滤波器F2的SAW滤波器芯片12时，相当于与串联臂共振子S3 的两端进行电连接的部分。
在电极座21、 22的下方，在第一层上设置第一配线23，第一配线23 具有大致C字状或大致字状的平面形状。另一方面，第一配线23 的第一端部的通路盖(via cover) 23a与第一通路孔导体24的下端电连接。 另一方面，第一配线23的第二端部的通路盖23b与第二通路孔导体25的 下端电连接。而且，通路盖是指与通路孔导体电连接的配线部分，且具有 大于通路孔导体的面积的部分。第一配线23为与第一、第二通路孔导体 24、 25连接，在端部处具有上述通路盖23a、 23b。
另一方面，第二通路孔导体25的上端至第二层与设置于第二层的第 二配线26的一端的通路盖26a电连接。该第二配线26具有大致C字状或 大致"^"字状的平面形状，且在第二端部具有通路盖26b。
此外，上述第一通路孔导体24与从第二层向第三层延伸的第三通路 孔27电连接。该第一、第三通路孔导体24、 27夹着设置于第二层的第二 配线26，且不与第二配线26电连接地配置。
此外，第四通路孔导体28的下端与上述通路盖26b，即与第二配线 26电连接。第四通路孔导体28从第二层向第三层延伸，且与在设置于第 三层的第三配线29的一端处设置的通路盖29a电连接。
第三配线29具有大致"L"字状的形状，且在设有通路盖29a的一侧 的相反侧的端部处具有通路盖29b。通路盖29b配置于电极座21的正下方。
从第三层至第四层设有第五、第六通路孔导体30、 31。第五通路孔导 体30与第一、第三通路孔导体24、 27成一直线状地配置，且与第三通路 孔导体27电连接。第五通路孔导体30的上端与电极座22电连接。
从而，电极座22经由第一、第三、第五的通路孔导体24、 27、 30， 与设置在第一配线23的第一端部的通路盖23a电连接。
另一方面，第六通路孔导体31的上端与电极座21电连接。g卩，电极 座21经由第六通路孔导体31与第三配线29电连接。
另一方面，上述第一配线23、第二配线26及第三配线29构成桥接电 感器L的线圈状巻绕部。g卩，第一配线23、第二配线26及第三配线29 如上所述，通过第二通路孔导体25及第四通路孔导体28电连接，但在俯 视时，如图3 (b)所示，构成大致1.7 1.8圈的圈数的线圈状巻绕部，并 由于产生电感器成分地构成。
并且，上述第一、第三、第五通路孔导体24、 27、 30构成将线圈状 巻绕部与一侧的连接端部即电极座22电连接的线圈的返回线部，但该返 回线部如图3 (b)所示，配置于线圈状巻绕部M的内侧。
从而，在本实施方式的SAW分波器中，在上述桥接电感器L中，因 为线圈状巻绕部贯穿于第一层 第三层的多个层地巻绕，且线圈的返回线 部配置于上述线圈状巻绕部的内侧，所以不用增大面积地得到大的电感 器。由此，能够促进多层封装基板2的小型化，且可提供滤波器特性良好 的小型的SAW分波器1。
此外，本实施方式的SAW分波器1中，第一、第三、第五通路孔导 体24、 27、 30配置为一直线状时，与在俯视时将第一、第三、第五通路 孔导体24、 27、 30配置为不同位置的情况相比，可进一步减小构成桥接 电感器的部分的面积。
此外，如图1所示，在本实施方式的SAW分波器中，在多层封装基 板2中，与接地电位连接的通路孔导体13配置在构成第一 SAW滤波器 Fl的SAW滤波器芯片11的部分，和构成第二 SAW滤波器F2的SAW滤 波器芯片12的部分之间。该通路孔导体13因为与接地电位连接，且构成 在第一SAW滤波器芯片ll和形成上述桥接电感器L的部分之间，由此， 可有效提高第一 SAW滤波器Fl和第二 SAW滤波器F2之间的隔离。
此外，连接桥接电感器的上述电极座21、 22中的连接SAW滤波器芯 片12的串联共振子S3的端子的部分J、 K与输出端子15配置于线圈状巻 绕部M的内侧。从而，能够实现SAW分波器的进一步小型化。
而且，在本实施方式中，如上述，因为第一、第三、第五通路孔导体 24、 27、 30配置于设置线圈状巻绕部的部分的内侧，从而能够实现小型化， 但进一步与上述电极座21连接的第六通路孔导体31也另外配置于上述线 圈状巻绕部的内侧，所以由此可进一步减小构成桥接电感器L的部分的面 积。但是，第六通路孔导体31也可配置在上述线圈状巻绕部的外侧。
在本实施方式的SAW分波器中，基于具体的实验例说明能够充分促 进小型化，且得到良好的滤波器特性。
制作第一 SAW滤波器F1的通频带的频率185(M910MHz，第二 SAW 滤波器F2的通频带的频率1930~1990MHz的上述实施方式的SAW分波器 1。为进行比较，准备图5的俯视图所示的比较例的多层封装基板121，除 使用该多层封装基板121以外，与上述实施方式同样地制作比较例的SAW 分波器。在该多层封装基板121中，与上述实施方式相当的部分标注相同 的参照符号。而且，图6 (a) (c)及图7 (a)示意地表示形成多层封 装基板121的桥接电感器的部分的电极构造。
在比较例的多层封装基板121中，与上述实施方式同样地，在第一层 第三层上分别与实施方式同样地形成第一 第三配线。并且，利用第一 第三配线123、 126、 129形成线圈状巻绕部，利用第二、第四通路孔导体 125、 128将第一~第三配线123、 126、 129电连接。此外，利用第六通路 孔导体131将第三配线129连接在电极座121上。
但是，在上述实施方式中，第一、第三、第五通路孔导体24、 27、 30 在上述线圈状巻绕部的内侧成一直线状地配置，但在本比较例中，如图6 及图7所示，第一、第三、第五通路孔导体124、 127、 130配置为一直线 状，但如图7 (b)示意地表示，配置在线圈状巻绕部M的外侧。
艮口，在上述比较例的SAW分波器中，在桥接电感器L的线圈状巻绕 部的外侧除配置构成线圈的返回线部的第一、第三、第五通路孔导体124、 127、 130以外，与上述实施方式的SAW分波器1同样。
图8表示第二 SAW滤波器F2的通频特性S21 ，图9表示反射特性Sl 1 。 而且，图8及图9中，实线表示上述实施方式的结果，虚线表示比较例的 结果。
从图8明确可知，根据上述实施方式，与比较例的分波器相比，可增 大通频带低频域侧的衰减量。
此外，从图9明确可知，在通频带内，与比较例相比，在实施方式的 SAW分波器中，接收端子中的返回损失变小。
艮P，不仅接合上述桥接电感器L，还将构成用于形成桥接电感器的返 回线部的第一、第三、第五通路孔导体位于线圈状巻绕部的内侧，由此，
可进一步改善滤波器特性。
此外，图10及图11是分别表示实施方式及比较例的SAW分波器的
隔离特性及天线侧端子中的反射特性的图。实线表示上述实施方式的结 果，虚线表示比较例的结果。
从图10明确可知，与比较例的结构想比，根据本实施方式，可提高隔离。
此外，从图11明确可知，在天线端子处，返回损失也降低。从而，在上述实施方式的SAW分波器1中，因为在桥接电感器L的 线圈状巻绕部的内侧配置上述返回线部，所以与比较例的SAW分波器相 比，可进一步改善滤波器特性。.
而且，在上述实施方式中，构成线圈的返回线部的第一、第三、第五 通路孔导体24、 27、 30连接为一直线状，但如图12的分解立体图所示的 变形例所示，第一、第三、第五通路孔导体24、 27、 30A并不一定连接为 一直线状。
在该变形例中，第五通路孔导体30A的上端与电极座22电连接，但 下端与连接配线32电连接。连接配线32的一端具有通路盖32a，通路盖 32a与第五通路孔导体30A的下端电连接。此外，连接配线32在另一侧 端部具有通路盖32b，通路盖32b与第三通路孔导体27的上端电连接。从 而，第三通路孔导体37和第五通路孔导体30A在从正面观察的情况下， 具有曲柄状的形状地连接。换言之，第一、第三、第五通路孔导体24、 27、 30A不够成一直线状地连接。
图13是示意地表示本变形例中的设有线圈状巻绕部M、上述电极座 21、 22及通路孔导体的位置关系的俯视图。在本变形例中，不仅第一、第 三通路孔导体24、 27，第三通路孔导体30A也配置在线圈状巻绕部M的 内侧。从而，构成线圈的返回线部的第一、第三、第五通路孔导体24、 27、 30A变为配置于线圈状巻绕部的内侧。
如上述，用于将线圈的巻绕部的一端与端子电连接的线圈的返回线部 只要配置在线圈状巻绕部的内侧，则构成该返回线部的多个通路孔导体并 不一定需要连接成一直线状。即，以不连接成一直线状的方式，连接多个 通路孔导体的情况下，可提高设计的自由度。
图14是用于说明上述实施方式的SAW分波器的其他的变形例的分解 立体图，图15是本变形例中的电感器构成部分的示意俯视图。
在本变形例中，桥接电感器L使用图14的分解立体图所示的电极构 造而构成。即，在下方的第一层上设有第一配线41，在第二层上设有第二 配线42、 43，在第三层上设有第三配线44、 45。并且，第二配线42、 43 及第三配线44、 45均与第一配线41电连接，从而构成线圈状巻绕部。如 此，在本发明中，也可在一个层上，形成构成线圈状巻绕部的多个配线。 而且，在图15中，第一 第四配线在上下方向上未重合地表示，但实际上， 构成线圈状巻绕部的配线之间在上下方向上重合。图15为了可容易地把 握各配线的位置关系，上下重合的配线之间不相邻地示意显示。
如图14及图15所示，在本变形例中，在与第一配线41的第一端部 相连的通路盖41a上连接第一通路孔导体46的下端。第一通路孔导体46 的上端与设置在第二配线43的第一端部的通路盖43a电连接。
另一方面，设置在第一配线41的第二端部的通路盖41b与第二通路 孔导体47的下端电连接。第二通路孔导体47的上端与设置在第二配线42 的一侧端部的通路盖42a电连接。此外，设置于第二配线42的另一侧端 部的通路盖42b与第三通路孔导体48电连接。同样地，第四通路孔导体 49的下端与设置在第二配线43的另一侧端部的通路盖43b电连接。
在第三层中，在第三通路孔导体48的上端连接第三配线45的通路盖 45a。此外，在第四通路孔导体49的上端电连接在第三配线44的一端设 置的通路盖44a。并且，设置在第三配线45、 44的各自的另一侧端部的通 路盖44b、 45b利用第五、第六通路孔导体50、 51与电极座52、 53电连 接。
从而，在电极座52、 53之间电连接由上述第一 第三配线41-45构成 的线圈状巻绕部。并且，用于将上述线圈状巻绕部连接在作为电感器的连 接端子即电极座52上的返回线部具有上述第六通路孔导体50，但该通路 孔导体50配置在线圈状巻绕部的内侧。
此外，如上述，在第二层及第三层中，设有多个线路，但该多个线路 在第一层中串联地电连接，如此，通过至少在一个层上形成多个配线，能 够延长线圈状巻绕部的线路长，并能够得到更大的电感值。
而且，如图14及图15所示，在设有多个线圈状图案的情况下，上述 返回线部可配置在多个线圈状巻绕部的外周缘的内侧，从而返回线部位于 线圈状巻绕部的内侧的结构是指在如此设有多个线圈状巻绕部的情况下， 在多个线圈状巻绕部的外周缘的内侧。
而且，在上述实施方式中，在第三层上配置具有电极座的第四层，但 在第三层与具有电极座的第四层之间进一步夹有构成线圈状巻绕部一个 以上的层，由此可构成更多圈数的线圈状巻绕部。
此外，梯型回路结构的阶梯数也可是本实施方式的阶梯数以外的阶梯数。
此外，将第一、第二SAW滤波器两者构成在一个芯片上。
权利要求
1.一种SAW分波器，其特征在于，具有第一SAW滤波器，其具有包括至少一个串联臂共振子及至少一个并联臂共振子的梯型回路结构，且通频带的频率相对低；第二SAW滤波器，其具有包括至少一个串联臂共振子及至少一个并联臂共振子的梯型回路结构，且通频带的频率相对高；和桥接电感器，其与第二SAW滤波器的至少一个所述串联臂共振子并列地连接，所述第一SAW滤波器及第二SAW滤波器构成为SAW滤波器芯片，还具备安装所述SAW滤波器芯片的多层封装基板，所述桥接电感器具有第一配线，其在多层封装基板的第一层上形成；第一通路孔导体，其与第一配线的一端连接；第二通路孔导体，其与第一配线的另一端连接；第二配线，其在与所述多层封装基板的第一层不同的高度位置的第二层上设置，且一端与所述第二通路孔导体连接，在包括所述第一配线及第二配线的线圈卷绕部的内侧配置至少包括所述第一通路孔导体的线圈返回线部。
2. 根据权利要求1所述的SAW分波器，其特征在于，还具备-第三通路孔导体，其与所述第一通路孔导体连接； 第四通路孔导体，其与所述第二配线的另一端连接； 第三配线，其一端与所述第四通路孔导体连接，且形成在与所述多层 封装基板的第一、第二层不同的高度位置上设置的第三层上，包括所述第 一、第三通路孔导体的返回线部配置在由所述第一 第三配线构成的线圈 巻绕部内。
3. 根据权利要求2所述的SAW分波器，其特征在于，一端与所述第三通路孔导体连接的第五通路孔导体，和一端与第三配 线的另一端连接的第六通路孔导体各自的另一端到达设置在与所述第一 第三层不同的高度位置的第四层。
4. 根据权利要求3所述的SAW分波器，其特征在于， 所述第六通路孔导体设置在所述线圈巻绕部的内侧。
5. 根据权利要求2 4中任一项所述的SAW分波器，其特征在于， 在所述返回线部，构成该返回线部的多个所述通路孔导体直线地连接。
6. 根据权利要求2 4中任一项所述的SAW分波器，其特征在于， 在所述返回线部，多个所述通路孔导体未以一直线状地连结。
7. 根据权利要求1 6中任一项所述的SAW分波器，其特征在于， 在构成所述桥接电感器的各配线与安装第一 SAW滤波器芯片的多层封装基板部分之间配置有与接地电位连接的通路孔导体。
8. 根据权利要求1 6中任一项所述的SAW分波器，其特征在于， 在所述第二 SAW滤波器中，与连接所述桥接电感器的串联臂共振子的端子相连接的、所述封装的电连接部分位于所述桥接电感器的线圈巻绕 部的内侧。
全文摘要
本发明提供一种SAW分波器，其能够不使封装基板的面积增大地构成桥接电感器，且不仅滤波器特性良好，还可促进小型化。该SAW分波器(1)具有通频带的频率相对低的第一SAW滤波器及相对高的第二SAW滤波器，第一、第二SAW滤波器具有梯型回路结构，并在第二SAW滤波器的至少一个串联臂共振子上并联地连接桥接电感器，该桥接电感器具有构成在多层封装基板上的线圈卷绕部，且该线圈卷绕部通过形成在第一层～第三层上的第一～第三配线(23、26、29)由通路孔导体连接而构成，并在该线圈卷绕部的内侧配置构成线圈的返回线部的第一、第三、第五通路孔导体(24、27、30)。
文档编号H03H9/72GK101180795SQ200680017689
公开日2008年5月14日 申请日期2006年5月30日 优先权日2005年6月21日
发明者大村正志, 谷口典生 申请人:株式会社村田制作所