专利名称：指间相连式的层叠带通滤波器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种滤波器(Filter)，且特别涉及一种指间相连式(Interdigital) 层叠带通(Multiple Layer Band-pass)滤波器。
背景技术：
在科技发展日新月异的现今时代中，滤波器(Line Filter)已广泛地应用在 多种通讯应用中。举例而言，请参照图1,其绘示传统滤波器的结构图。滤 波器10为带线(StripeLine)带通(Band-pass)滤波器，其以介电质基板40为主 体，其之第一表面(背面)设置有接地电极44,其之第二表面(正面)设置有输 入电才及58、输出电极59、及共振器(Resonator)电极51、 52、 53及54。
共振器电极51 、介电质基板40与接地电极44等效地形成一个一端接地 的电容，而共振器51本身具有寄生电感效应，如此，以形成一个电感电容 共振器(LCResonator)。换言之，共振器电极51、介电质基板40级接地电极 44形成一个共振器。而共振器电极52 54与共振器电极51具有相近的结构 与功能，以分别形成三个共振器。经由前述的四阶共振器的电磁波耦合，可 使滤波器IO具有带通响应。
在传统滤波器技术中， 一旦设计的带通滤波器需具有较宽的频宽时，仅 能透过增加共振器的阶数与缩短各共振器间的间距的方法来使带通滤波器 具有较宽的频宽。如此，将使得传统带线滤波器的元件体积较大。
发明内容
本发明涉及一种指间相连式的层叠带通滤波器，相较于传统滤波器，其 可具有较宽的频宽及较小的体积。
根据本发明提出一种指间相连式的层叠带通滤波器，其中包括第一及第 二陶瓷基板，第二陶瓷基板平行地设置于第一陶瓷基板的上方。第一陶瓷基 板包括N.个第一端电极及N个第一共振器，N为大于l的自然数。N个第 一端电极中的奇数序第 一端电极位于第 一 陶乾基板的第 一侧边，其中的偶数序第 一端电极位于第 一 陶覺基板的第二侧边。第 一及第二侧边为第 一 陶资基 板的一组对边。N个第一共振器中的奇数序第一共振器延伸至第一侧边并耦 接至第 一端电极中对应的奇数序第 一端电极。N个第 一共振器中的偶数序第 一共振器延伸至第二侧边并耦接至第 一端电极中对应的偶数序第 一端电极。
N个第一共振器中的第i个偶数序第一共振器介于N个第一共振器中的第i 个及第i+l个奇数序第一共振器之间，i为小于或等于N/2的自然数。第二 陶瓷基板包括N个第二端电极及N个第一导体面层。N个第二端电极中的 偶数序第二端电极位于第二陶覺基板的第三侧边，其中的奇数序第二端电极 位于第二陶瓷基板的第四侧边。第三及第四侧边为第二陶资基板的一组对 边，且第三及第四侧边分别位于第一及第二侧边的上方。N个第一导体面层 中的偶数序第 一导体面层延伸至第三侧边并耦接至第二端电极中对应的偶 数序第二端电极。N个第 一导体面层中的奇数序第 一导体面层延伸至第四侧 边并耦接至该第二端电极中对应的奇数序第二端电极。N个第一导体面层中 的第i个偶数序第一导体面层介于N个第一导体面层中的第i个及第i+l个 奇数序第一导体面层之间，各n个第一导体面层中的部分区域位于n个第一 共振器中对应的第一共振器的上方。其中，N个第一导体面层分别形成与该 N个第一共振器对应的N个第一对地电容。其中，第一陶瓷基板还包括输入 电极及输出电极，该N个第一共振器中的第一个及最后一个第一共振器的未 与N个第一端电极中对应的第一端电极耦接的一侧，分别耦接至输入及输出 电极。
为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举一优选实施例，并配合 附图，作详细说明如下
图1绘示传统滤波器的结构图。
图2绘示依照本发明第一实施例的指间相连式的层叠带通滤波器的结构图。
图3绘示乃图2的指间相连式的层叠带通滤波器的等效电路图。 图4绘示乃本实施例的指间相连的层叠带通滤波器的另一结构图。 图5绘示乃图2的陶瓷基板200的另 一结构图。
图6绘示依照本发明第二实施例的指间相连式的层叠带通滤波器的结构图。
图7绘示本实施例的指间相连式的层叠带通滤波器的另一结构图。
图8绘示乃图7的指间相连式的层叠带通滤波器的频率响应图。 图9绘示依照本发明第三实施例的层叠带通滤波器的结构图。 图IO绘示乃图9的带通滤波器的频率响应图。
附图标记说明
10:滤波器 40:介电质基板
44、 Egl、 Eg2:接地电极 51~55:共振器电极
58、 E1—i:输入电极 59、 E1—o:输出电极
20、 30、 30，带通滤波器
200、 300、 200，、 200"、 200"，、 300，、 300"、 300，，，、 400、 400，陶f:
基板
E1—卜E1—3、 El，—1 E1,—3、 E2一1 E2—3、 E2，—1~E2，—3、 E3—1 E3—3、 E4—1 E4—3、 E5J E5—3:端电极
Ml—1 M1—3、 Ml，—1 M1，—3、 M2_1 M2—3、 M3一1 M3—3:导体面层 R1一1 R1一3、 Rl，—1 R1，—3、 R1"一1 R"一3、 R2一1 R2一3:共振器 Ssl、 Ss2、 Sfl、 Sf2、 So、 Si:侧边 Cgl Cg3:对地电容
具体实施例方式
本实施例的指间相连式的层叠带通滤波器以低温共烧陶覺技术(Low Temperature Co-fired Ceramics, LTCC)制造，其具有多层的层叠结构。本实 施例披露的指间相连式的层叠带通滤波器例如为以带线实现的指间相连式 的层叠带通滤波器。
第一实施例
请参照图2，其绘示依照本发明第一实施例的指间相连式的层叠带通滤 波器的结构图。带通滤波器20包括陶资基板200及300，陶资基板300平行 地设置于陶瓷基板200的上方。陶覺基板200中包括输入电极El一i、输出电 极E1—o、 N个端电极El—1 E1—N及N个共振器Rl—1~R1—N, N为大于1 的自然数，在本实施例中以N等于3为例作说明。端电极El—1 E1—3中的奇数序端电极位于陶瓷基板200的侧边Sfl，端电极E1—1 El一3中的偶数序 端电极位于陶瓷基板200的侧边Ssl 。即是端电极E1—1与E1—3位于侧边Sfl ， 端电极El一2位于侧边Ssl。侧边Sfl及Ssl为陶资基板200的一组对边，端 电极E1一1 E1一3例如均为接地电极。
共振器R1—1 R1_3中的奇数序共振器(即是共振器R1—1及R1—3)延伸至 侧边Sfl，并分别耦接至端电极E1—1 E1—3中对应的奇数序端电极(即是端电 极El—1及El—3)。共振器Rl—1 R1—3中的偶数序共振器(即是共振器Rl—2) 延伸至侧边Ssl,并分别耦接至端电极E1—1 E1_3中对应的偶数序端电极(即 是端电极E1—2)。
共振器R1J R1一3中的第i个偶数序共振器介于共振器R1一1 R1—3中 的第i个及第i+1个奇数序共振器之间，i为小于或等于N/2的自然数。例如 i等于1,共振器R1一1 R1—3中的第1个偶数序共振器(即是共振器Rl一2)介 于共振器R1J R1一3中的第一及第二个奇数序共振器(即分别是共振器R1—1 及R1—3)之间。更详细地说，共振器R1—1 Rl一3为指间相连地设置。
陶瓷基板300包括N^3)个端电极E2—1 E2—3及N^3)个导体面层 Ml—1 M1—3。端电极E2一1 E2—3中的偶数序端电极(即是端电极E2—2)位于 陶瓷基板300的侧边Sf2,其中的奇数序端电极(即是端电极E2一l及E2—3) 位于陶瓷基板300的侧边Ss2。侧边Sf2及Ss2为陶瓷基板300的一组对边， 侧边Sf2及Ss2分别位于侧边Sfl及Ss2的上方。侧边Sfl与Sf2例如位于 同一平面，侧边Ssl与Ss2例如位于同一平面。端电才及E2J E2—3例如均为 接地电极。
导体面层M1—1 M1—3中的偶数序导体面层(即是导体面层M1—2)延伸至 侧边Sf2,并分别耦接至端电极E2—1 E2—3中对应的偶数序端电极(即是端电 极E2—2)。导体面层Ml—1 Ml一3中的奇数序导体面层(即是导体面层Ml—1 及M1—3)延伸至侧边Ss2，并分别耦接至端电极E2—1 E2—3中对应的奇数序 端电极(即是端电极E2—1及E2—3)。
导体面层Ml—1 M1—3中的第i个偶数序导体面层介于导体面层 Ml—1 M1—3中的第i个及第i+l个奇数序导体面层之间。例如i等于l,导 体面层M1一1 M1—3中的第1个偶数序导体面层(即是导体面层M1一2)介于导 体面层Ml—1 M1—3中的第一及第二个奇数序导体面层(即分别是导体面层 Ml_l及Ml—3)之间。换言之，导体面层Ml—1 M1_3为指间相连地设置。各该导体面层M1J M1一3中的部分区域位于共振器R1—卜R1一3中对应的共 振器的上方。举例来说，导体面层M1J部分的区域位于共振器R1J部分 区i或的正上方。
前述陶瓷基板200与300中的共振器R1一1 R1一3与导体面层 M1J M1一3均例如为金属导等离子体料，金属导等离子体料较佳地为银导 等离子体料(Silver Paste)。共振器R1—1 Rl一3中例如具有电容寄生效应及电 感寄生效应。由于共振器R1J与导体面层Ml—1均为金属材料，导体面层 Ml一l与共振器R1—1例如形成一个对地电容。又共振器Rl一l本身具有寄生 的电容与电感效应，共振器R1J及导体面层M1一1形成电感电容共振电^各。 同样地，导体面层M1一2、 Ml一3及共振器R1—2、 Rl一3亦对应地形成两个电 感电容共振电路。前述三组电感电容共振器相互进行电》兹波耦合以形成一个 三阶滤波器，其具有带通响应。图2中各个电感电容共振电路的等效电路图 如图3所示。其中Cgl Cg3分别为共振器R1一1 R1一3与导体面层 M1一1 M1—3形成的对地电容。
共振器R1一1 R1一3中的第一个共振器(即是共振器Rl)未延伸至侧边Sfl 的一端耦接至输入电极E1—i，以接收输入信号(未绘示)。共振器R1一1 R1—3 中的最后一个共振器(即是共振器R3)未延伸至侧边Sfl的一端耦接至输出电 极E1—o，以输出输出信号(未绘示)。其中输入电极El一i与输出电极E1—o例 如分别位于陶t基板200的对边Si与So上，对边Si与So例如为陶资基板 200的另一组对边。
本实施例的带通滤波器20为以LTCC工艺来制造的指间相连式的层叠 带通滤波器，相较于传统指间相连式的滤波器，本实施例的指间相连式的层 叠带通滤波器具有可将其结构设置于多层堆叠的陶瓷基板的特点。
在本实施例中虽仅以带通滤波器包括三个相互耦合的电感电容共振电 路的情形为例作说明，然，本实施例的带通滤波器200并不局限于为三阶滤 波器，而更可包括四阶或四阶以上的电感电容共振电路，如图4所示，其绘 示乃本实施例的指间相连的层叠带通滤波器的另一结构图。图4绘示带通滤 波器20，与带通滤波器20不同之处在于其具有四阶的电感电容共振器，其结 构与操作可根据前述相关于带通滤波器20的叙述类推得到。
在本实施例中虽仅以带通滤波器中各共振器均为长条形状的情形为例 作说明，然，本实施例中各共振器的形状并不局限于为长条形。举例来说，陶瓷基板200中的共振器R1J R1一3亦可具有如图5所示的形状。在图5 中，陶瓷基板200，中的具有共振器Rl，—1 R1，—3,其中共振器Rl，—1~R1，—3 的形状例如为实质上相等。以共振器R1，—l为例，共振器R1，J在与端电极 El，—1耦接的一端具有较窄的宽度，此较窄的宽度例如等于图2中共振器 Rl—1的宽度。共振器Rl，—1在非与端电极E1，一1耦接的一端具有较宽的宽 度，此较宽的宽度例如大于图2中共振器R1—1的宽度。
当陶瓷基板200上的共振器Rl一l具有如共振器R1，J的形状时，共振 器R1一1的电感数值大于其具有长条形状时的电感数值，而共振器R1J与 对应的导体面层M1一1形成的对地电容数值大于其具有长条形状时的电容数 值。同理，当共振器R1—2与R1—3分别具以如共振器Rl，—2与Rl，—3的结 构时，Rl—2与Rl—3的电感与对地电容数值均大于其具有长条形状时的电感 与电容数值。如此，当陶瓷基板200上的共振器R1一1 R1—3具有如共振器 Rl，—1 R1'—3的结构时，带通滤波器20的中心频率较低。
另外，带线带通滤波器的中心频率相关于其中陶瓷基板上各个共振器的 长度，当共振器的长度较短时，带线带通滤波器的中心频率较高。综合前述 原因可知，当陶t:基板200上的共振器R1一1 R1一3具有如共振器 Rl，—1 R1，—3的结构时，可以较短的共振器长度来实现出与图2中的带通滤 波器20具有实质上相同频序响应的带通滤波器，陶瓷基板的长度(侧边Si 与So的长度)亦可缩短。如此，当陶瓷基板200上的共振器R1一1 R1—3具有 如共振器Rr一l Rl，一3的结构时，本实施例的带通滤波器20中共振器及陶 瓷基板的长度可缩短，其之元件面积亦可缩小。
在前述例子中虽仅以陶资基板200中所有的共振器R1—1 Rl一3均具有 如图5中所示的结构的情形为例作说明，然，陶瓷基板200中亦可仅有部分 的共振器采用图5中所示的结构。此时，亦可缩短带通滤波器的陶乾基板长 度并缩小带通滤波器的元件面积。
第二实施例
请参照图6，其绘示依照本发明第二实施例的指间相连式的层叠带通滤 波器的结构图。本实施例的带通滤波器30中包括陶覺基板200"与300，，其 分别与第一实施例中的带通滤波器20的陶资基板200与300具有实质上相 同的结构。其中，带通滤波器30与第一实施例中的带通滤波器20不同之处 在于其于陶瓷基板200"与300，的堆叠结构上额外堆叠陶乾基板300",其中陶瓷基板300，、 200"及300"为例如依序地由上到下地堆叠设置。
陶瓷基板300"与陶瓷基板300'具有实质上相同的结构，陶瓷基板300" 包括导体面层M2—1 M2—3及端电极E3—1 E3—3,其分别与陶资基板300，中 的导体面层M1，一1 M1，—3及端电极E2，—1 E2，一3具有实质上相同的结构。 如此，举例来说，导体面层M2一1与共振器R1"J形成一个对地电容，此对 地电容实质上与导体面层M1，一1与共振器R1"一1形成的对地电容并联连接。 以等效电路的角度来看，透过额外堆叠具有导体面层M2一1结构的陶瓷基板 300"于陶瓷基板200"相对于陶瓷基板300，的另一侧(即是陶资基板200"的下 方)，可使由导体面层M1，—1、 M2—1及共振器R1"J形成的电感电容共振器 实质上具有数值提升为两倍的对地电容。相同地，带通滤波器30中其他两
频率响应的频宽，当各级电感电容共振电路的对地电容的数值较高时，带线 带通滤波器具有较宽的频宽。如此，相较于传统滤波器，本实施例的带通滤 波器可透过其之层叠结构提升各级电感电容共振电路对地电容的数值，使本 实施例的带通滤波器具有较佳的频宽。
另外，带线带通滤波器中各级电感电容共振器对地电容的大小亦相关于 带通滤波器的宽频带衰减能力。如此，相较于传统滤波器，本实施例的带通 滤波器可透过其之层叠结构来提升各级电感电容共振器的对地电容数值，使 本实施例的带通滤波器具有更理想的宽频带衰减响应，使得本实施例的带通 滤波器具有更理想的频率响应。
于陶覺基板300，之上与陶瓷基板300"之下更可分别额外堆叠陶瓷基板 400与400，。陶资基板400与400，上分别具有接地电极Egl及Eg2,其用以 连接陶瓷基板200"、 300，及300"中所有的端电极El—1 E1_3、 E2—1 E2—3 及E3—1 E3—3。此二接地电极Egl及Eg2可有效地提升各陶瓷基板200"、 300，及300"的接地效果，使滤波器30可具有较佳的效能。
在本实施例中虽仅以滤波器30具有由包括陶瓷基板200"、 300，、 300"、 400及400，的五层陶瓷基板堆叠形成的结构为例作说明，然，本实施例的滤 波器30并不局限于为具有五层的堆叠结构，其更可省去陶乾基板400与400， 其中之一或全部，使得滤波器30具有少于五层的堆叠结构。或本实施例的 带通滤波器30亦可包括六层或六层的堆叠结构。举例来说，本实施例的滤波器亦可如图7所示。请参照图7及图8，图 7绘示本实施例的指间相连式的层叠带通滤波器的另一结构图，图8绘示乃 图7的指间相连式的层叠带通滤波器的频率响应图。图7中的带通滤波器30' 与图6中所绘示的带通滤波器30不同之处在于其于陶覺基板300"与400，之 间更额外堆叠陶瓷基板200"，与300，，，，其中陶瓷基板200"，与300'"分别与陶 瓷基板200"及300"具有实质上相同的结构。
在图7中，陶瓷基板300"中的导体面层更与陶瓷基板200"，中的共振器 形成对应的对地电容，陶瓷基板300，"中的导体面层亦与陶瓷基板200"，中的 共振器行对应的对地电容。举例来说，陶瓷基板300"中的导体面层M2一1与 陶瓷基板200"，中的共振器R2一l形成一个对地电容，此对地电容实质上与导 体面层M1，—1与共振器R1"—1形成的对地电容并联连接。陶瓷基板300"，中 的导体面层M3—1与陶覺基板200，"中的共振器R2—1形成一个对地电容，此 对地电容实质上与导体面层Ml，—1与共振器Rl"—1形成的对地电容并联连 接。如此，于图7所示的带通滤波器30，可透过额外增加陶瓷基板200"，与 300，"的堆叠结构使得带通滤波器30，中各级电感电容共振电路具有数值实质 上提升为四倍的对地电容。如此，使得本实施例的带通滤波器具有较佳的频 宽与宽频带衰减响应。
在本实施例中虽仅以带通滤波器30与30，均为三阶带通滤波器的情形为 例作说明，然，本实施例的带通滤波器亦可为四阶或四阶以上的带通滤波器。 如图9及图IO所示。图9绘示依照本发明第三实施例的层叠带通滤波器的 结构图，图IO绘示乃图9的带通滤波器的频率响应图。由图10可知，图9 的带通滤波器的中心频率约为3.5十亿赫兹(GigaHerz, GHz)。其中，自图8 的带通滤波器的导通带(Pass Band)(约为3.8GHz 4.7GHz)的高频边界4.7GHz 至其中心频率的四倍频(约为14GHz)的频率范围中，图9的带通滤波器均 具有良好的衰减能力。如此，使得图9的带通滤波器具有良好的抑制高频杂 讯的能力。
在本实施例中虽仅以带通滤波器中各共振器的形状均为长条形状的情 形为例作说明，然，本实施例中各共振器的形状亦可如图5中各共振器 Rl，—1~R1，—3的设计，以更进一步地缩小本实施例的带通滤波器的陶覺基板 长度与带通滤波器的元件面积。
本实施例的带通滤波器是透过其多层堆叠的结构来提升其中各级电感电容共振电路的对地电容的数值。如此，相较于传统带通滤波器，本实施例 的带通滤波器的各级电感电容共振电路的对地电容数值较高、频率响应的频 宽较宽及宽频带衰减能力较佳。
综上所述，虽然本发明已以一优选实施例披露如上，然其并非用以限定 本发明。本发明所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和 范围内，当可作各种的更动与润饰。因此，本发明的保护范围当视后附的权 利要求所界定的为准。
权利要求
1. 一种指间相连式的层叠带通滤波器，包括第一陶瓷基板，包括N个第一端电极，该N个第一端电极中的奇数序第一端电极位于该第一陶瓷基板的第一侧边，该N个第一端电极中的偶数序第一端电极位于该第一陶瓷基板的第二侧边，该第一及该第二侧边为该第一陶瓷基板的一组对边，N为大于1的自然数；及N个第一共振器，该N个第一共振器中的奇数序第一共振器延伸至该第一侧边并耦接至该第一端电极中对应的奇数序第一端电极，该N个第一共振器中的偶数序第一共振器延伸至该第二侧边并耦接至该第一端电极中对应的偶数序第一端电极，该N个第一共振器中的第i个偶数序第一共振器介于该N个第一共振器中的第i个及第i+1个奇数序第一共振器之间，i为小于或等于N/2的自然数；以及第二陶瓷基板，平行地设置于该第一陶瓷基板的上方，该第二陶瓷基板包括N个第二端电极，该N个第二端电极中的偶数序第二端电极位于该第二陶瓷基板的第三侧边，该N个第二端电极中的奇数序第二端电极位于该第二陶瓷基板的第四侧边，该第三及该第四侧边为该第二陶瓷基板的一组对边，且该第三及第四侧边分别位于该第一及该第二侧边的上方；及N个第一导体面层，该N个第一导体面层中的偶数序第一导体面层延伸至该第三侧边并耦接至该第二端电极中对应的偶数序第二端电极，该N个第一导体面层中的奇数序第一导体面层延伸至该第四侧边并耦接至该第二端电极中对应的奇数序第二端电极，该N个第一导体面层中的第i个偶数序第一导体面层介于该N个第一导体面层中的第i个及第i+1个奇数序第一导体面层之间，各该n个第一导体面层中的部分区域位于该n个第一共振器中对应的第一共振器的上方；其中，该N个第一导体面层分别形成与该N个第一共振器对应的N个第一对地电容；其中，该第一陶瓷基板还包括输入电极及输出电极，该N个第一共振器中的第一个及最后一个第一共振器的未与该N个第一端电极中对应的第一端电极耦接的一侧，分别耦接至该输入及该输出电极。
2. 如权利要求1所述的层叠带通滤波器，其中还包括第三陶瓷基板，平行地设置于该第 一陶瓷基板与该第二陶瓷基板相对应 的另一侧，该第三陶资基板包括N个第三端电极，该N个第三端电极中的偶数序第三端电极位于该 第三陶瓷基板的第五侧边，该N个第三端电极中的奇数序第三端电极 位于该第三陶瓷基板的第六侧边，该第五及该第六侧边为该第三陶乾基 板的一组对边，且该第五及第六侧边分别位于该第一及该第二侧边的下 方；及N个第二导体面层，该N个第二导体面层中的偶数序第二导体面层 延伸至该第五侧边并耦接至该第三端电极中对应的偶数序第三端电极， 该N个第二导体面层中的奇数序第二导体面层延伸至该六侧边并耦接 至该第三端电极中对应的奇数序第三端电极，该N个第二导体面层中 的第i个偶数序第二导体面层介于该N个第二导体面层中的第i个及第 i+l个奇数序第二导体面层之间，各该n个第二导体面层中的部分区域 位于该n个第 一共振器中对应的第 一共振器的下方； 其中，该N个第二导体面层分别形成与该N个第一共振器对应的N个 第二对地电容。
3. 如权利要求2所述的层叠带通滤波器，其中该第二与该第三陶瓷基板 具有实质上相同的结构。
4. 如权利要求2所述的层叠带通滤波器，其中还包括第四陶f:基板，平行地设置于该第三陶资基板与该第一陶资基板相对应 的另一侧，该第四陶瓷基板包括N个第四端电极，该N个第四端电极中的奇数序第四端电极位于该 第四陶瓷基板的第七侧边，该N个第四端电极中的偶数序第四端电极 位于该第四陶瓷基板的第八侧边，该第七及该第八侧边为该第四陶瓷基 板的 一组对边，且该第七及第八侧边分别位于该第五及该第六侧边的下 方；及N个第二共振器，该N个第二共振器中的奇数序第二共振器延伸至 该第七侧边并耦接至该第四端电极中对应的奇lt序第四端电才及，该N个第二共振器中的偶数序第二共振器延伸至该第八侧边并耦接至该第 四端电极中对应的偶数序第四端电极，该N个第二共振器中的第i个偶 数序第二共振器介于该N个第二共振器中的第i个及第i+l个奇数序第二共振器之间，各该n个第二导体面层中的部分区域位于该n个第二共 振器中的对应的第二共振器的上方；其中，该N个第二导体面层分别形成与该N个第二共振器对应的N个 第三对地电容。
5. 如权利要求4所述的层叠带通滤波器，其中该第一与该第四陶瓷基板 具有实质上相同的结构。
6. 如权利要求4所述的层叠带通滤波器，其中还包括第五陶瓷基板，平行地设置于该第四陶瓷基板与该第三陶瓷基板相对应 的另一侧，该第五陶瓷基板包括N个第五端电极，该N个第五端电极中的偶数序第五端电极位于该 第五陶瓷基板的第九侧边，该N个第五端电极中的奇数序第五端电极 位于该第五陶资基板的第十侧边，该第九及该第十侧边为该第五陶覺基 板的 一组对边，且该第九及第十侧边分别位于该第七及该第八侧边的下 方；及N个第三导体面层，该N个第三导体面层中的偶数序第三导体面层 延伸至该第九侧边并耦接至该第五端电极中对应的偶数序第五端电极， 该N个第三导体面层中的奇数序第三导体面层延伸至该十侧边并耦接 至该第五端电极中对应的奇数序第五端电极，该N个第三导体面层中 的第i个偶数序第三导体面层介于该N个第三导体面层中的第i个及第 i+l个奇数序第三导体面层之间，各该n个第三导体面层中的部分区域 位于该n个第二共振器中对应的第二共振器的下方； 其中，该N个第三导体面层分别形成与该N个第二共振器对应的N个 第四对地电容。
7. 如权利要求6所述的层叠带通滤波器，其中该第二、该第三及该第五 陶瓷基板具有实质上相同的结构。
8. 如权利要求6所述的层叠带通滤波器，还包括第六陶瓷基板及第七陶瓷基板，分别设置于该第二陶瓷基板相对于该第 一陶瓷基板的另 一侧及设置于该第五陶资基板相对于第四陶乾基板的另一侧，该第六陶瓷基板与该第七陶瓷基板分别包括第一接地电极及第二接地电 极，与该N个第一至该N个第十端电极耦接。
9. 如权利要求2所述的层叠带通滤波器，还包括第六陶瓷基板及第七陶瓷基板，分别设置于该第二陶瓷基板相对于该第 一陶瓷基板的另 一侧及设置于该第三陶瓷基板相对于第二陶乾基板的另一 侧，该第六陶资基板与该第七陶覺基板分别包括第 一接地电极及第二接地电 极，与该N个第一至该N个第六端电极耦接。
10. 如权利要求1所述的层叠带通滤波器，其中该N个第一共振器中至 少一第一共振器包括宽形区段及窄形区段，该宽形及该窄形区段的一端相互 连接，该窄形区段的另 一端耦接至N该第一及该第二端电极其中之一。
全文摘要
本发明公开了一种指间相连式(Interdigital)的层叠带通滤波器(MultipleLayer Band Pass Filter)，包括平行设置的第一及第二基板。第一基板包括N个电极及共振器(Resonator)，其中奇数及偶数序的电极分别位于第一基板中互为对边的第一及第二侧边。奇数及偶数序的共振器分别连接对应的奇数及偶数序的电极。第二基板包括N个电极及导体面层，其中偶数及奇数序的电极分别位于第二基板中互为对边的第一及第二侧边。偶数及奇数序的共振器分别连接对应的偶数及奇数序的电极。第二基板的第一及第二侧边分别位于第一基板的第一及第二侧边的上方。N个导体面层为指间相连地设置，N个共振器为指间相连地设置。
文档编号H03H9/00GK101420214SQ200710167140
公开日2009年4月29日 申请日期2007年10月24日 优先权日2007年10月24日
发明者吴永评, 林庭炜, 邱进发, 颜保有 申请人:达方电子股份有限公司