受光放大电路,光拾取装置及光盘装置的制作方法

专利名称：受光放大电路,光拾取装置及光盘装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及安装在用于光盘再生或记录的光拾取装置中受ife^L件所附加的受光 放大电路，具体地涉及放大受it^/f牛的光电流信号并变换为电压的受光放大电路以及包^i亥电路的光拾取装置和光盘装置。
背景技术：
DVD、 CD等光盘作为记录音乐、图像、数据信息等的媒^^皮广^J也^J^。媒 体中所记录的信息的再生或对媒体记录信息是通itiU合取器进行。为了实现小型化 和高性能化，对i^合取器进行了研发。在这样的i^合取中，设置有用于接受来自光盘的反射光的受M件。为了实现 以降j线本为目的的部件数量减少和传送信号的高速化，受M件的可受光的信号 光量在降低。因此，在受iUL件的研发中，P务低受M件的噪音成为重要且不可缺 少的i皿。此外，近年来，MDVD的普及，为了能够佳JU^取器的成本P争低，还进行了波长的^t^和用于CD的780nm波长的^4目对应。因此，对于在该拾取器中所使 用的受光元件，成本降低也同样成为课题。进一步地，在I^普及的CD士R、 CD士RW、 DVD士R、 DVD土RW等写入系 列盘中对应的拾取装置中，由于信号再生时和信号记录(写入)时的Jlbt功率不同， 所以对受光元件的信号光量也不同。因此，在这样的光盘装置中，配合再生/记录时 的状态， 一般进行受M置增益的切换。在上述受M件中同样的成本降低也同样 成为课题。图16表示作为在与1波^^f应的光拾取器中使用的受i^L件的光电^4及管PDA -PDF的结构。此外，图17表示包含上述光电^f及管PDA-PDE的受it^丈大电路 101a - 101d的结构。进一步地，图18表示受ib改大电路101a的详细结构。基于图16和图18,下面说明作为受光放大电路101a-101d的^动作原理和 主要特性的偏移电压棒性和放大电路的噪音减小方法。 如图16所示，构成正方形的光电二极管PDA - PDD相邻地配置，用于生成RF 信号和聚焦误差信号。构成长方形的光电二极管PDF 、 PDE分别配置在光电二极管 PDA-PDD的两侧，用于生彭P宗误差信号。光电^f及管PDF、 PDE分别输出信号 电压Ve、 Vf。M光电^^f及管PDA-PDD连接到M受iU文大电路101a- 101d中的差动放 大电路AMP101 。对于从各个受光放大电路101a - 101d所输出的信号电压VA - VD， 通过在下一级所设置的运算处理IC进行以下的运算处理，从而得到RF信号、聚焦 误差信号和3P斜吴差信号。因此，M受iU文大电路101a-101d的输出之间的电压 精M重要的。此外，由于信号电压VA-VD用于生成RF信号，所以S/N特性是重要的因素。RF信号Va+Vb+Vc+Vd …(l)聚焦误差信号Va+Vc-(Vb+Vd) .. .(2)鹏宗误差信号Ve-Vf .. .(3)将包含上述光电二极管PDA的受光放大电路101a作为一个例子，说明信号光 电流-电压变换的动作原理。通过信号光的照射，在光电二极管PDA中产生光电流Ia。该光电流Ia由受光放 大电路101a的增益电阻Rl变换为电压，并且作为信号光照射时的输出电压Von在 输出端子中出现。在将无信号光时的输出端子中出现的输出电压作为Vod的 情况下，由射入到光电二极管PDA的信号光产生的信号电压Vsig由下式表示。Vsig=Von-Vod …(4)这里，在i5^电流为Ia，增益电阻为R1时，输出电压Von由下i(A示。 Von=RlxIa+Vref ...(5) 这里，Vref是/"卜部提供的基准电源电位。在il^信号状态下的晶体管Tr101、 Trl02的基j及电流分别为Ibl、 Ib2,晶体管 TrlOl、 Trl02基才il^射极之间的电压分别为VBE1、 VBE2, ;f^考电阻R2的电阻4直 为R2时，Vod由下i(A示。Vod=Vref-R2xIb2-VBE2+VBEl+Rl xlbl …(6)由此，信号电压Vsig由下g示。Vsi『Rl xla陽(-R2xIb2-VBE2+VBEl+Rl xIM) . .(7)在式(7)中的第二项以后成为误差。在受光放大电路中，由于在如式(2)所 示的聚焦信号中的运算信号的精度高这一点是重要的，所以由上述误差(偏移电压)
导致的运算信号的精度降4线为问题。也就是说，Vod^Vref是重要的^i牛，为了满 足这个条件，无信号光时，需要满足式(8)和式(9)的条件。Rlxlbl—R2xlb2 ...(8)VBE1—VBE2 …(9)将来自无信号光时的输出电压Vod的外部基准电压Vref的偏移作为偏移电压 Voff时，该偏移电压Voff由下^示。Voff=Vod-Vref …(10)在受光改大电路中的偏移电压要求具有土15mV以下的精度。因此，为了满Ajt匕 精度，根据式(8),在 W的受i^文大电路中，需^f吏参考电阻R2的电阻值和增益 电阻R1的电阻值相等。一般，在受光放大电路中噪音特性的抑制是重要的课题。所谓的噪音是无信号 状态中的噪音，由构成电路的元件，主^"是由晶体管和电阻产生。在受光改大电路 中，由信号光所得到的电压信号非常大的情况下，信号电压和噪音电平的差异大， 即S/N特性良好，不会产生问题。但是，如上所述，近年来，通过降低信号光量， 减小受光电路的噪音成为必须的课题。在此，关于作为在受光放大电路中的重要项目的噪音特性，下面列举图18所示 的受光放大电路101a为例说明减小噪音的方法。在受it^文大电5各101a中的输出噪音值Vn由下i(A示。Vn=/" (Nil2+Ni22+Nrl2+Nr22) .(l 1)纽，Nil、 Ni2表示由晶体管Tr101、 Trl02产生的发射噪音所引起的噪音，Nrl、 Nr2表示由电阻Rl、 R2产生的热噪音所引起的噪音，Vn成为由^i^要素所引起的 噪音的均方才艮。这里，关于Nil、 Ni2的晶体管发射噪音，只要可以大幅减小晶体管Tr101、 Trl02 的噪音电流，就可以减小噪音。但是，为了得到受光放大电路101a的响应棒性，不 可以极端地消减驱动电流。此外，同才羊关于增益电阻Rl,由于必需i殳定为翔L定的电 阻值，所以不可以减小。只要可以仅将唯一参考电阻R2的电阻值"it^为R1 R2的 关系，就可以减小噪音。但是，如上所述，在现有的受光放大电路101a的结构中， 由于偏移电压特性恶化，所以R1=R2是必^f牛。此外，在受it^丈大电路101a中it^地产生由参考电阻R2导致的热噪音例:^己 载在特开平11 -296892号公报(1999年10月29曰公开)中。热噪音^4示为f (4kTK2Af)。这里，k是波耳兹曼常数，T是绝对温度，Af是杂音频带宽度。在上
述的公报中，为了减小这样的热噪音，公开了通过电阻和电容对由热噪音导致的噪音进行积分的方法。在受光放大电路101a中，为了实ili匕方法，电容C1连接在参 考电阻R2和晶体管Trl02的基极的连接点与GND之间，将固定电位(GND电位) 提^^给参考电阻R2。由于通过设置这样的电容Cl,参考电阻R2和电容C1构成对 噪音进4抖只分的过滤器，所以可以减小高频噪音。图19表示作为在与上述两个波"^t应的光拾取器中使用的受i^件的光电-^及 管PDA-PDF、PDa-PDd的结构。此外，图20表示包含上述光电二4及管PDA-PDF、 PDa - PDd的受光放大电^各101A - 101D的结构。并且，图21表示受光》文大电^各101A 的详细结构。如图19所示，光电^4及管PDA - PDD和光电^^及管PDa - PDd并排酉己置在光 电二极管PDE、 PDF之间光电二极管PDE、 PDF的纵向方向上。对应于第一波长(例 如CD)设置光电二极管PDA-PDD,对应于第二波长(例如DVD)设置光电二极 管PDa - PDd。如图20和图21 (仫表示光电J^及管PDA、 PDa)所示，各个光电二极管PDA -PDD连接到朴受iti文大电路101A-101D中的差动放大电路AMPlll,同样各 个光电-=^及管PDa-PDd也连接到补受ife^丈大电路101A - 101D中的差动放大电 路AMPlll。差动放大电路AMPlll包括具有晶体管TrlOl、 Trl02和偏压电路I1的 差动电路DEF1 ，以及具有晶体管Trl03、 Trl04和偏压电路12的差动电路DEF2。 差动电路DEF1连接增益电阻R1、参考电阻R2和光电J^及管PDA,差动电路DEF2 连接增益电阻R3、参考电阻R4和光电二极管PDa。有源负载电路AL由差动电路 DEF1、 DEF2所共有。电容Cl连接在参考电阻R2和晶体管Trl02基极的连接点与GND之间，并且 将固定电位(GND电位)提供给参考电阻R2。另一方面，电容C2连接在参考电阻 R4和晶体管Trl04基极的连接点与GND之间，并且将固定电位(GND电位)提供 给参考电阻R4。此外，分别在差动电路DEF1、 DEF2中的偏压电路Il、 12通过AA^卜部所提供的 选择信号SEL而择一地控制动作。由此，对应于输入信号波长，控制差动电路DEF1、 DEF2的其中一个的动作。此外，光电J^及管PDA、增益电阻R1和参考电阻R2， 与光电二极管PPDa、增益电阻R3和参考电阻R4对应于动作中的差动电路DEF1 或DEF2而交^^MM。图22表示将图16的光电^:^及管PDA _ PDF作为与上述一波^JL再生/记录时的两^H言号光量^"应的受itit件使用的光J会取器中的受光改大电路101AA - 101DD的 结构。并且，图23表示受光放大电路101AA的详细结构。如图22和图23 (但耒示光电二极管PDA)所示，各光电^f及管PDA - PDD连 接到各个受光放大电路101AA - 101DD中的差动放大电路AMP121。差动放大电路 AMP121与差动放大电路AMP101相同，包括具有晶体管Trl01、 Trl02的差动电路。 此外，差动方支大电^各AMP121除了再生用增益电阻R1和参考电阻R2以夕卜，还包括 分别与增益电阻R1和参考电阻R2并联设置的增益电阻R5和参考电阻R6。增益电 阻R5通过使PNP晶体管的开关SW101导通而并lfe^接到增益电阻Rl。参考电阻 R6通过使PNP晶体管的开关SW102导通而并^i^接到参考电阻R2。当Rl、 R5分别表示各电阻R1、 R5的电阻值时，两个电阻值的关系由下iC4示。R1〉R5 …(12)信号再生时，由于信号光量小，需要高的增益，所以使开关SWIOI为截止状态。 由此，由于只有增益电阻R1被驱动，所以再生信号被I-V变换。信号记录时，由 于信号光量大，为了防止在大光量信号中的电蹈袍和，必须降低增益。因此，信号 写入时，通过使开关SW101为导通状态，增益电阻R1、 R5被驱动。此时的增益 Gon由下i^A示。Gon=Rl xR5/(Rl+R5) ,. .(13)并且，不需考虑构成开关SW101的PNP晶体管的导通电阻。在上述公l^斤公开的方法中可以减小高频噪音，但为了显著地减小低频区域中 的噪音，在图18所示的J贿受i^丈大电路101a中的电容Cl的电容值必需非常大， 所以从成本方面来看也是不利的。因此，需凑A替上i^见有方法的噪音减小方法。此外，如上所述，在对应两个波长的受光放大电路中，减小噪音也是重要的课 题。但是，在图21所示的J贿受i^文大电路101A中，与图17的受i^丈大电路101a 相同地，为了得到良好的偏移电压特性，分别需要具有与M增益电阻Rl、 R3的 电阻值相同的电阻值的参考电阻R2、 R4。因此，在图21的受光汶大电路101A中， 如上所述地减小噪音也是困难的。为了在图22的受光放大电路101AA中也如上所述地得到良好的偏移电压棒l"生， 需要R1-R2。因此，在通过开关SWIOI切换增益的情况下，同时需^f吏开关SW102 动作，^H刀换参考电阻。在考虑这样的增益切换功能附带受光放大电路中的噪音时，在写入状态，信号 光量大，S/N不构成问题。但是，在信号再生时，由于信号光量小而容易受到噪音的
影响，所以需刻氐噪音特性。因此，在上述增益切换功能附带受光放大电路中，需 要适应状况而使电M有低噪音特性。发明内容本发明的目的是，提供在减小噪音的同时可以获得良好偏移电压特性的受光放 大电路。本发明的第一受光放大电路，为了达成上述目的，包括受M件，反馈电阻， 参考电阻，和包含由基^U4接到上述受M件和反馈电阻的第一晶体管和将外部基 准电位通过上述参考电阻提供给基极的第二晶体管构成的差动晶体管对的差动电4H尝电^各，上述反馈电阻的电阻值比上述参考电阻的电阻值大。根据上述结构，通过^^馈电阻的电阻值比参考电阻的电阻值大，可以确实地减小来自低频区域的噪音。并且，由于通过4M尝电路^Kf尝反馈电阻的端子间电压和参考电阻的端子间电压的差，所以可以去除由于反馈电阻的电阻值和参考电阻的电阻值不相等而产生的偏移电压。在上述公才W斤公开的受光放大电路中，提出了通过使增益电阻=偏移调整用电阻/n,并且具有由n倍的驱动电力W斤控制的差动电路结构的^hf尝调整功能电路，可以 减小噪音。与itbN对地，在本发明的受光放大电路中，通过4hf尝反馈电阻的端子间 电压和参考电阻的端子间电压的差而抑制偏移电压。由此，流入差动电^各的差动晶 体管对中的偏压电流是一定的，除此以外不会产生额外的噪音。另一方面，在上述 公报的受光放大电路中，通过在偏移调整用的差动电路中使偏压电流成为n倍，估 计使晶体管发射噪音增大，噪音恶化。因此，关于这一点，本发明的受光放大电路 与现省的受光放大电路相比，可获得良好的噪音特性。本发明的第二受光放大电路，为了达成上述目的，包括接受不同波长光的多个 受瓶件，对应于不同波长光所设置的多个反馈电P且，对应于该多个反馈电阻所设 置的多个参考电阻，以及^"个都包含由基极连接到各个受M件和^^反馈电阻 的多个第一晶体管和将外部基准电^it过M参考电阻提供给基极的多个第二晶体 管中相对应的一对所构成的差动晶体管对的多个差动电路，在上述多个差动电路中 选择一个并使其动作的第一选择电路，4Hf尝M反馈电阻的端子间电压和与M反 馈电FJL^应的M参考电阻的端子间电压的差的多个4hi尝电路，以4上述多个补 偿电路中选择与由上述第一选择电路所选择的上述差动电路对应的^Hf尝电路并使其 动作的第二选择电5各，*反馈电阻的电阻^直比对应的M参考电阻的电P且值大。在该结构中，通过使M^反馈电阻的电阻值比对应的M参考电阻的电阻值大， 与上述受光放大电路相同地，可以确实地减小来自低频区域的噪音。并且，与由第 一选择电路选择的差动电路对应地，由第二选择电路选择^M尝电路并动作，所以与上述受光放大电路相同地，由^Hf尝电蹈4Hf尝反馈电阻的端子间电压和参考电阻的端 子间电压之间的差。由此，可以去除由反馈电阻的电阻值和参考电阻的电阻值不相 等而产生的偏移电压。因此，与对应于多个受U件的增益的切换对应地，可以实 现低噪音化和偏移特性的改善。本发明的第三受夫放大电路，为了达成上述目的，包括接受不同波长光的多个 受itit/f牛，对应于不同波长光/斤设置的多个^^々贵电阻，对该多个反馈电阻共用地设 置的单个参考电阻，以及[个都包含由基极连接到各个受itiL件和M反馈电阻的多个第 一晶体管和将外部基准电^ititJi述参考电阻提供给基极的多个第二晶体 管中相对应的一对所构成的差动晶体管对的多个差动电路，在上述多个差动电路中 选择一个并使其动作的第一选择电路，4M尝M反馈电阻的端子间电压和与M反 馈电FiUt应的抖参考电阻端子间电压的差的多个^hf尝电路，以财上述多个^M尝 电路中选择与由上述第 一选择电路选择的上述差动电路对应的S Hf尝电路并使其动作 的第二选择电路，^^反馈电阻的电P且值比上述参考电阻的电阻值大。在该结构中，通过使各^Jt电阻的电阻值比参考电阻的电阻值大，与上述受光 放大电路相同地，可以确实地减小来自低频区域的噪音。并且，与由第一选择电路 选择的差动电路对应地，由第二选择电路选择^M尝电路并动作，所以与上述受光^文 大电路相同地，由4hi尝电路^H尝反馈电阻的端子间电压和参考电阻的端子间电压之 间的差。由此，可以去除由反馈电阻的电阻值和参考电阻的电阻值不相等而产生的 偏移电压。因此，与对应于多个受^t件的增益的切换对应地，可以实现低噪音化 和偏移特性的改善。本发明第四受光改大电路，为了达成上述目的，包括单个受光元件，多个反馈 电P且，对该多个反馈电阻共用地设置的单个参考电阻，包含由基极连接到上述受光 元件和M反馈电阻的第 一晶体管和将外部基准电位通itJi述参考电阻提供给基极 的第二晶体管构成的差动晶体管对的差动电路，在上述多个^^馈电阻中选4,一个并JL^接到上述差动电路的第一选择电路，4M尝各反馈电阻的端子间电压和上述参考 电阻的端子间电压的差的多个4M尝电路，在上述多个4hf尝电路内选4奪与由上述第一 选择电路选择的上述反馈电阻对应的^M尝电路且使其动作的第二选择电路，^反 馈电阻的电阻值比上述参考电阻的电阻值大。在该结构中，通过使^反馈电阻的电阻值比参考电阻的电P且值大，与上述受 光放大电路相同地，可以确实地减小来自低频区域的噪音。并且，与由第一选择电 路选择的差动电路对应地，由第二选择电路选择^M尝电路并动作，所以与上述受光的差。由此，可以去除由反馈电阻的电阻值和参考电阻的电阻值不相等而产生的偏 移电压。因此，与对应于多个受i^t件的增益的切换对应地，可以实现低噪音化和 偏移特性的改善。本发明的第五受ib改大电路，为了达成上述目的，包括接受不同波长光的多个 受itX件，对应于不同波长光所设置的多个反馈电P且，对应于该多个反馈电阻所设 置的多个参考电阻，^""个都包含由基^U^接到M受it7t件和M反馈电阻的多 个第 一晶体管和将外部基准电位通过M参考电阻提供给基极的多个第二晶体管中 相对应的一对所构成的差动晶体管对的多个差动电路，在上述多个差动电路中选择 一个并使其动作的选择电路，以及用于^M尝M反々贵电阻的端子间电压和与*反 馈电阻对应的^参考电阻端子间电压的差的;^尝电路，上述^hf尝电^有插/v^ 上述第 一 负载晶体管的发射极和电源电位之间的第 一 电阻和插入在上述第二负载晶 体管的发射极和电源电位之间的第二电阻，该第一和第二电阻设定为用于确定上述 第一和第二晶体管的集电极电流的电阻值，以SH尝基于上述反馈电阻和上述参考电 阻的电阻值差的电压差，^反馈电阻的电阻值i殳定地比对应的^参考电阻的电阻值大，设定M反馈电阻和M参考电阻的电阻值，以佳^^KSJt电阻的端子间 电压和与M反馈电naj^应的^^参考电阻的端子间电压的差相同。在该结构中，通过使M反馈电阻的电阻值比参考电阻的电阻值大，与上述受 光放大电路相同地，可以确实地减小来自^j顷区域的噪音。此外，^H尝电a有分 别串联连接到有源负载的第一和第二负载晶体管的第一和第二电阻。为了4M尝基于反馈电阻和上述参考电阻的电阻值差的电压差(满足下述的式(57)),需要调整第 一晶体管和第一负载晶体管中流过的集电极电流以及第二晶体管和第二负载晶体管 中流过的集电极电流(满足下述的式(58))。由于这些集电极电流分别流到第一和 第二电阻，所以通过适当地设定第一和第二电阻的电阻值(满足下述的式(60))， 从而可以外M尝上述电压差，去除偏移电压。因此，与对应于多个反馈电阻的增益的 切换对应地，可以实现4氐噪音化和偏移特性的 文善。并且，在该受光放大电路中，诏文M反馈电阻和M参考电阻的电阻值，使 4寻M^Jt电阻的端子间电压和与M^Jf电阻对应的M参考电阻的端子间电压 的差相同。这样，通过使用共用的第一电阻和第二电阻，关于M反馈电阻和M参考电阻，可以 文善偏移特性。此外，不必与M反馈电阻和^h参考电阻对应地分别设置第一和第二电阻，所以可以避免电路结构的复杂化。本发明的光拾取装置通过包括如上所述构成的各个受光放大电路，实现受光放 大电路中噪音的减小和偏移电压特性的改善。由此，特别是，如果受光放大电路用于将从光J:^射的光变换为信号电压，则可以提高iU合取装置的输出信号的质量。 此外，本发明的光盘装置通过包括该光拾取装置，同样可以提高光拾取装置的输出 信号的质量。本发明进一步的其他目的、特4对口优点由下面所示的记载变得十分清楚。此外， 本发明的优点将由参考附图的以下说明变得明显。


图1是表示本发明第一实施方式的受光改大电路的简要结构的电路图。 图2是表示图1的受ib改大电^各的详细结构的电^各图。 图3是表示比图2的受光放大电路更详细的结构的电路图。 图4是表示本发明第二实施方式的受光放大电路的简要结构的电路图。 图5是表示图4的受it^文大电路的详细结构的电路图。 图6是表示比图4的受ib^大电路更详细的结构的电路图。 图7是表示本发明第三实施方式的受光放大电路的简要结构的电路图。 图8是表示图7的受iU文大电路的详细结构的电路图。 图9是表示本发明第四实施方式的受光放大电路的简要结构的电路图。 图IO是表示图9的受ib^大电路的详细结构的电路图。 图11是表示本发明第五实施方式的受ib^大电路的简要结构的电路图。 图12是表示图11的受ib^支大电路的详细结构的电路图。 图13是表示本发明第六实施方式的受ifei文大电路的简要结构的电路图。 图14是表示本发明第七实施方式的受光改大电路的简要结构的电路图。 图15是表示本发明第十实施方式的光盘装置的简要结构的斜视图。 图16是表示包^i4接到上述於受i^文大电路或 W的受i^文大电路的一M 受光型的光电^f及管的一光束受光型受光元件的结构的平面图。图17是表示连接图16的各光电J^及管的受i^文大电路的结构的电路图。 图18是表示与一M受光型的光电^^及管对应的现省受光故大电路的结构的电 路图。图19是表示包^€接到上述*受^^丈大电路或王贿的受^^文大电路的光电二极管的两it^受光型的受itit件的结构的平面图。图20是表示连接图19的M光电二极管的受光放大电路的结构的电路图。 图21是表示与两^受光型的受itiL件对应的现有受光放大电路的结构的电路图。图22是表示连接图16的各光电J^及管的其他受i^文大电路的结构的电路图。 图23是表示与一M受光型的光电^r^及管对应的JM的其他受i^文大电路的结 构的电路图。图24是表示本发明第八实施方式的受it^文大电路的简要结构的电路图。 图25是表示图24的受^^文大电路的详细结构的电路图。 图26是表示本发明第九实施方式的受it^欠大电路的筒要结构的电路图。 图27是表示图26的受i^文大电路的详细结构的电路图。M实施方式 (第一实施方式)基于图1至图3说明本发明的第一实施方式时，如下所述。图1表示本实施方式的受光放大电路1的简要结构。图2表示受光放大电路1 的电路结构。图3表示受ifei丈大电路1的详细电路结构。受iU文大电路l作为图17中所示的^N受i^文大电路101a-101cHM,将在 图16所示的光电^fe管PDA-PDD中产生的光电流变换为电压并且放大。此外， 下述的第二实施方式的受光放大电路同样也作为各个受光放大电路101a-101d使 用。如图l所示，受i^文大电路l包括光电^f及管PDl、差动放大电路AMP1、反 馈电阻Rfl、参考电阻Rrefl和4M尝电路2。在受光放大电路l中，差动放大电路AMP1是放大流过光电二极管PD1的光电 流Ib变换得到的电压的电路。光电二4及管PD1的阴极连接到差动放大电路AMP1 的反向输入端子。反馈电阻Rfl连接在差动放大电路AMP1的输出端子和反向输入 端子之间。参考电阻Rrefl的一端输入参考电压Vref，另一端i^l妻到差动方丈大电路 AMP1的非反向输入端子。
的差，从参考电阻Rrefl和差动放大电路AMP1的非反向输入端子的连接点Pl引入 下述的^hi尝电流Isl。如图2所示，差动放大电路AMP1具有差动电路DEF,有源负载AL和输出电 路OUT。差动电路DEF由NPN型晶体管Trl、 Tr2和偏压电路B1构成。晶体管Trl、 Tr2 是差动电路DEF中的差动晶体管对，发射极都连接到偏压电路B1的一端。偏压电 路B1是恒流电路，是将晶体管Trl中流过的电^^口晶体管Tr2中流过的电^^f口的 偏压电流保持为恒定值的电路。偏压电路B1的另一端连接到提供接地电位GND的 地线。M地如图3所示，偏压电路B1由NPN型晶体管Tr3 (偏压晶体管)构成。有源负载AL由PNP型晶体管TrAl、 TrA2构成。晶体管TrAl、 TrA2的基冲A^目 互连接的同时连接到晶体管TrA2的集电极。由此，晶体管TrAl、 TrA2构成电流镜 电路。此外，晶体管TrAl、 TrA2的发射;fo^接到;^口电源电压Vcc的电源线。还有，晶体管Trl的基极是差动放大电路AMP1中的反向输入端子，晶体管Tr2 的基极M动放大电路AMP1中的非反向输入端子。输出电路OUT设置在受il^文大电路1的输出段，通过具有晶体管TrO和偏压电 路B2，构成发射极随动电路。NPN型晶体管TiO的基极连接到晶体管TrAl的集电 极，集电4碰4妻到电源线。jtb^卜，晶体管TrO的发射极连接到输出输出电压Vo的输 出端子和偏压电路B2的一端。偏压电路B2是恒流源，在晶体管TrO中^it偏压电 流。该偏压电路B2的另 一端连接到提供接地电位GND的地线。反馈电阻Rfl的一端连接到晶体管Trl的基极，另一端连接到上述输出端子。 光电J^及管PD1的阴极与反馈电阻Rfl相同，连接到晶体管Trl的基极，阳招连接 到电源线。由此，反馈电阻Rfl将光电^^及管PDl中产生的光电流变换为电压。此 夕卜，参考电阻Rrefl的一端连接到晶体管Tr2的基极，另一端连接到基准电压输入端 子。在该基准电压输入端子中^m基准电压Vref。在此，设Rfl、 Rrefl分别表示反馈电阻Rfl和参考电阻Rrefl的电阻值。在受 it^文大电路1中，^Jt电阻Rfl的电阻值和参考电阻Rrefl的电阻值满足Rfl 〉Rrefl 的关系。此外，SM尝电路2中流过的^M尝电流Isl由下樣示。 Isl=(Rfl/Rrefl-l)xIb …(14)iUo Ib^动电路DEF中的差动晶体管对(晶体管Trl、 Tr2)的基极中流过 的^^及电;充。接着，更详细地说明SM尝电路2。如图3所示，^hi尝电路2具有电流镜电路CM1 、 CM2和晶体管Tr4 - Tr7。电流镜电路CM1由NPN型晶体管TrCl、 TrC2构成。另一方面，电流镜电路 CM2由NPN型晶体管TrC3 、 TrC4构成。晶体管TiCl、 TiC2的基^L^目互连接的同时连接到晶体管TrC2的集电极。此 夕卜，晶体管TiCl、 Ti€2的发射才iU^接到^口了电源电压Vcc的电源线。晶体管TrCl 的集电fe^接到晶体管TrC4的集电极。晶体管TrC2、 TiC3的基4 MM目互连接的同 时连接到晶体管TrC4的集电极。此外，晶体管TrC3、 TrC4的发射^fe^接到地线。晶体管Tr4、 Tr6的基极与上述晶体管Tr3的基冲il^接，晶体管Tr4、 Trt的发射 极连接到地线。此外，晶体管Tr5、 Tr7的基极分别连接到晶体管TiC2、 TiCl的集 电极。晶体管Tr5、 Tr7的集电招i4接到电源线。在如上所述构成的受光放大电路1中，通过信号光的照射，在光电二极管PD1 中产生光电流Ibl。该光电流Ibl由反馈电阻Rfl变换为电压，并且作为信号光照射 时的输出电压在输出端子中出现。这里，通过Rfl〉Rrefl,反馈电阻Rfl的端子间电压和参考电阻Rrefl的端子间 电压之间产生差。并且，该差作为偏移电压在输出电压中出现。因此，在受光放大电路l中，通过4卜偿电路2如上所述itk/Aii接点Pl引入4M尝 电流Isl,从而抑制偏移电压。下面说明通过^M尝电路2的偏移电压的抑制效果。并且，在下述的运算中，使作为差动对晶体管的晶体管Trl、 Tr2的基极-发射极 间的电压相等。在氺hi尝电路2中，晶体管Tr4中流过构成作为偏压晶体管的晶体管Tr3中流过的 偏压电流的Rfl/Rref1/2倍的电流。jth^卜，晶体管Tr7中流过晶体管Tr3的偏压电流 的1/2倍的电流。氺M尝电流M流过电流4竟电^各CM2的晶体管TrC3。这里，设晶体管Tr3 - Tr7的集电极电流和基极电流分别为Ic3 - Ic7、 Ib3 -Ib7， hfe为晶体管Tr3 -Tr7的晶体管hfe (全部通用)。在此条件下，集电极电流Ic3 -Ic7 和基极电流Ib3 -Ib7的关系如式(15 )至式(19)表示。Ic5=Ic4=<Ic3/2)x(Rfl/Rrefl) …(15)Ib5=Ic5/hfe=(Ic3/2)x(Rfl/Rrefl)/hfe ,..(16)Ic6=Ic7=Ic3/2 …(17)Ib7=Ic7/hfe=Ic3/2/hfe …(18) Isl=Ib5-Ib7=(Ic3/2)x(Rfl/Rrefiyhfe-Ic3/2/hfe=Ic3/2/hfex(Rfi/Rrefl-l) …(19) 纽，设晶体管Trl、 Tr2的基极电流分别为Ibl、 Ib2，并且Ibl和lb2几乎相同。在此情况下，基极电流Ibl、 Ib2由下^A示。IMNIb2=Ic3/2/hfe …(20)由此，在反馈电阻Rfl的端子间产生的电压VRfl由下i(A示。VRfl=Rflxibl=Rflxlc3/2/hfe …(21)此外，参考电阻Rrefl的端子间产生的电压VRrefl在没有4H尝电路2的情况下，由下i(^示。VRrefl=Rrefl xIb2=Rrefl xfc3/2/hfe .. .(22)因此，在反馈电阻Rfl和参考电阻Rrefl的电P且对中产生的电压差Vdefl由下式 表示。Vdefl=VRfl-VRrefl=Rfl xIc3/2/hfe-Rrefl xlc3/2/hfe=Ic3/2/hfex(Rfl-Rrefl) …(23) 因此，该电压差Vdefl—VRfl-VRrefl)构成偏移电压。 因此，在设置了4M尝电路2的情况下，如下所述地，可以使偏移电压为O。 首先，上述电压VRfl由下a示。 VRrefl=Rreflx(lb2+lsl)=Rrefl x(Ic3/2/hfe+Ic3/2/Wex(Rfl/Rrefl-l)) =RflxIc3/2/hfe …(24) 因此，电压差Vdefl由下M示。 Vdefl=VRfl-VRrefl=Rflxlc3/2/hfe-Rflxlc3/2/hfe=0 …(25) 这样，通过氺M尝电路2,在参考电阻Rrefl中^it的电力W曽大相当于4M尝电流Isl 。以偏移电压为0。如上所述，受光改大电路l中，反馈电阻Rfl的电阻值和参考电阻Rrefl的电阻 值满足Rfl〉Rrefl的关系，所以可以减小噪音。并且，受光放大电路1通过包括补 偿电路2可以得到良好的偏移棒性。 (第二实施方式) 基于图4至图6说明本发明的一个实施方式时，如下所述。并且，对具有与上述第 一实施方式中的构成元件相同功能的本实施方式中的构成元件赋予相同的标号 并省略其说明。图4表示本实施方式的受光改大电路11的简要结构。图5表示受光放大电路11 的电路结构。图6表示受i^文大电路ll的详细电路结构。如图4和图5所示，受光放大电路ll与上述的受光放大电路l相同，也包括光 电^^^及管PD1、差动放大电路AMP1、反馈电阻Rfl和参考电阻Rrefl，但是包括补 偿电路12来代替4M尝电路2。^M尝电路12与4M尝电路2不同，为了4M尝反馈电阻Rfl的端子间电压和参考电 阻Rrefl的端子间电压的差，使下述的^M尝电流Is11流入参考电阻Rrefl和差动》欠大 电路AMP1的反向输入端子的连接点Pll。该为hf尝电流Isll由下錄示。<formula>formula see original document page 19</formula>26)接着，更详细地说明4hf尝电路12。如图6所示，4H尝电路12具有电流镜电路CMll和晶体管Trl4 -Trl7。电流镜电路CMll由PNP型晶体管TiCll、 TiC12构成。晶体管TiCll、 TrC12 的基才^目互连接的同时连接到晶体管TiC12的集电极。此外，晶体管TrCll、 TiC12 的发射才il^接到电源线。晶体管TiCll的集电极连接到晶体管Trl的基极。晶体管Trl4、 Trl6的基极与上述晶体管Tr3的基fei^接，晶体管Trl4、 Trl6的 发射极连接到地线。此外，晶体管Trl5、 Trl7的基极分别连接到晶体管TiC12、 TrCll 的集电4及。晶体管Trl5、 Trl7的集电招i44妄到电源线。在如上所述构成的受光放大电路ll中，通过4卜偿电路12如上所述地使4M尝电 流Isll流入连接点Pll，从而抑制偏移电压。下面说明由4hi尝电路12导致的偏移电 压的抑制效果。还有，在下述的运算中，设作为差动对晶体管的晶体管Trl、 Tr2的基极-发射极 间的电刷目等。在^M尝电路12中，晶体管Trl4中流过晶体管Trl3的偏压电流的1/2倍的电流。 另一方面，晶体管Trl7在电流镜电路CMll的输出中流过晶体管Tr3的偏压电流的 Rrefl/Rfl/2倍的电流。此外，4hj尝电路12将4M尝电流Is11提供给受光放大电路11。在此，设晶体管Trl3-Trl7的集电极电流和基极电流分别为Icl3-Ic17、 IM3 -Ibl7， hfe为晶体管Tr13-Trl7的晶体管hfe (全部通用)。在此条件下，集电极电 流Icl3-Icl7和基极电流Ib13-Ibl7的关系如式(27)至式(31)表示。
Icl4=Icl5=IcB/2 ...(27) Ibl5=Icl5/hfe=Icl3/2 .. ,(28)Icl6=Icl7=Icl3/2xRrefl/Rfl …(29) Ibl7=Icl7/hf^Icl3/2xRrefl/Rfl/hfe …(30) Isl l=Ib5 l-Ibl7=Icl3/2/hfe-Icl3/2xRrefl/Rfl/hfe=Icl3/2/hfex(l-Rrefl/Rfl) .. .(31)这里，在将差动对晶体管Trl、 Tr2的基极电流表示为Ib11、 IM2， Ibll和IM2几乎相同的情况下，基极电流Ibll由下^4示。Ibl 1 —IM2=Icl3/2/hfe .. .(32)由此，在参考电阻Rrefl的端子间产生的电压VRrefl由下iC4示。VRrefl=Rrefl xIM2=Rrefl xlcl3/2/hfe . .(33)此外，在反馈电阻Rfl的端子间产生的电压VRfl没有4M尝电路12的情况下，反馈电阻Rfl的端子间产生的电压VRfll由下i(A示。VRfll=Rflxlbl=RfMcl3/2Me ...(34)此外，在反馈电阻Rfl和参考电阻Rrefl的电阻对中产生的电压差Vdefll由下Vdefll=VRfll-VRrefll=Rfl xIcl3/2/hfe-Rrefl xfcl3/2/hfe=Icl3/2/hfex(Rfi-Rrefl) …(35) 因此，该电压差Vdefll^VRfll-VRrefll)构成偏移电压。 因此，在设置了4Hf尝电路12的情况下，如下所逸地，可以使偏移电压为O。 首先，上述电压VRfll由下式表示。 VRfll:Rflx(lbll德)=Rfl x(Icl3/2/hfe-Icl3/2/hfex(l-Rrefl/Rfl》 =Rreflxici3/2/hfe …(36) 因此，电压差Vdefll由下i(A示。 Vdefll=VRfll-VRrefll=Rrefl xIcl3/2/hfe-Rrefl xfcl3/2/hfe =0 ,..(37) 这样，通过4M尝电路12,在参考电阻Rrefl中流过的电^^曾大相当于4M尝电流 Isll。由此，
差，所以偏移电压为0。如上所述，受光放大电路ll中，反馈电阻Rfl的电阻值和参考电阻Rrefl的电 阻值满足Rfl〉Rrefl的关系，所以可以减小噪音。并且，受光放大电路ll通过包括 ^M尝电路12可以得到良好的偏移特性。 (第三实施方式)基于图7和图8说明本发明的一个实施方式时，如下所述。还有，对具有与上 迷第一实施方式中的构成元件相同功能的本实施方式中的构成元件赋予相同的标号 并省略其说明。图7表示本实施方式的受光放大电路20的电路结构。图8表示受光放大电路20 的详细电路结构。受光放大电路20作为图20中所示的各受光故大电路101A - 101D使用，将在 图19所示的光电二4及管PDA - PDD、 PDa - PDd中产生的光电流变换为电压并iU文 大。另夕卜，下述的第四和第九实施方式的受光放大电路同样也作为各个受光放大电 路101A-101D^Jf)。如图7所示，受光放大电路20包括光电二极管PD21、 PD22,差动放大电路 AMP21、 AMP22, ^^馈电阻Rf21、 参考电阻RreGl、 Rref22，和谇hf尝电路21、22。在受光放大电路20中，差动放大电路AMP21是将流过光电二极管PD21的光 电流Ib21变换得到的电压进行改大的电路。光电二极管PD21的阴核Ji接到差动放 大电路AMP21的反向输入端子。反馈电阻RG1连接在差动放大电路AMP21的输 出端子和反向输入端子之间。参考电阻Rref21的一端输入参考电压Vref,另一端连 接到差动放大电路AMP21的非反向输入端子。在受光放大电路20中，差动放大电路AMP22是将流过光电二极管PD22的光 电流Ib22变换得到的电压进行故大的电路。光电二极管PD22的阴极连接到差动放 大电路AMP22的反向输入端子。反馈电阻Rf22连接在差动放大电路AMP22的输 出端子和反向l命入端子之间。参考电阻Rref22的一端输入参考电压Vref,另一端连 接到差动放大电路AMP22的非反向输入端子。如图8所示，差动放大电路AMP21具有差动电路DEF21、有源负载AL和输出 电路OUT，差动放大电路AMP22具有差动电路DEF22、有源负载AL和输出电路 OUT。即，差动放大电路AMP21、 AMP22共享有源负载AL和输出电路OUT。差动电路DEF21由NPN型晶体管Tr21 、 Tr22和偏压电^各B21构成。晶体管Tr21 、Tr22是差动电路DEF21中的差动晶体管对，发射极都连接到偏压电路B21的一端。 偏压电路B21是恒流电路，是将晶体管Tr21中流过的电淨i^晶体管Tr22中流过的 电;ji^^口的偏压电流保持为恒定值的电路。偏压电路B21的另一端连接到地线。偏 压电路B21在图中未示出，其由NPN型晶体管(偏压晶体管)构成。差动电路DEF22由NPN型晶体管Tr23、Tr24和偏压电路B22构成。晶体管Tr23、 Tr24是差动电路DEF22中的差动晶体管对，发射极都连接到偏压电路B22的一端。 偏压电路B22是恒流电路，是将晶体管Tr23中流过的电力t^晶体管Tr24中流过的 电流^^口的偏压电流保持为恒定值的电路。偏压电路B22的另一端连接到地线。偏 压电路B22在图中未示出，其由NPN型晶体管(偏压晶体管)构成。此外，差动放大电路AMP21通过由偏压电路B21提供电流而动作。另一方面， 差动放大电路AMP22通过由恒流电路B22提供电流而动作。偏压电路B21、 B22 分别由选择信号SEL21、 SEL22控制，使得只有其中一个动作。因此，M地，在 差动放大电路AMP21、 AMP22中分别设置有开关SW21、 SW22。开关SW21、 SW22M别切换提供或遮断来自偏压电路B21、 B22的电流的导 it/截止开关。这些开关SW21、 SW22分别由选4到言号SEL21、 SEL22进行导if/截 止控制。M地，开关SW21、 SW22被控制为，其中的^f^f可一个为导通时，另一个 为截止。由此，偏压电路B21、 B22中的4^f可一个是可以提供电流的状态时，另一个是 不提供电流而停止动作的状态。因此，通过差动放大电路AMP21、 AMP22中4^f可 一个的动作，光电二极管PD21、 PD22中任何一个的受光信号选择'W4ii行I-V变 换，并输出。电压的差，从参考电阻RreGl和差动放大电路AMP21的非反向输入端子的连接点 P21引入下述的^M尝电流Is21。另一方面，外M尝电路22为了外H尝反馈电阻Rf22的端 子间电压和参考电阻Rref22的端子间电压的差，从参考电阻Rref22和差动放大电路 AMP22的非反向输入端子的连4妾点P22引入下述的^M尝电流Is22。此外，在4M尝电路21、 22与连接点P21、 P22之间分别设置开关SW23、 SW24。 开关SW23是由上述控制信号SLE21所控制的导it/截止开关，与开关SW21同步地 进行导it/截止动作。开关SW24是由上述控制信号SLE22所控制的导if/截止开关， 与开关SW22同步地ii行导if/截止动作。这里，Rf21、 Rref22分别表示反馈电阻Rf21和参考电阻Rref21的电阻值。受光放大电路20中，反馈电阻Rf21的电阻值和参考电阻Rref21的电阻值满足Rf21〉 Rref21的关系。另夕卜，Rf22、 Rref22分别表示反馈电阻Rf22和参考电阻RreG2的电 阻值。受光^丈大电路20中，反馈电阻Rf22的电阻值和参考电阻Rref22的电阻值满 足RG2〉Rref22的关系。此外，氺hf尝电路21、 22中流过的4M尝电流Is21、 Is22分别由式(38)和式(39) 表示。Is21^(RGl/Rref21-l)xIb21 …(38) Is22=(RG2/RreG2-l)xIb22 ...(39)i!E， Ib21;lL^动电路DEF21中的差动晶体管对(晶体管Tr21、 Tr22)的基极 中流过的基极电流。此外，Ib22是差动电路DEF22中的差动晶体管对(晶体管Tr23、 Tr24)的基极中流过的基极电流。上述4M尝电路21、 22除了流iLh述4hf尝电流Is21、 Is22以外，^x上与图3所 示的4M尝电路2相同;NM勾成。因此，在jtb^'略^hi尝电路21、 22的详细说明。在如上所述构成的受光放大电路20中，例如CD再生时，通过使开关SW21、 SW23导通，差动放大电路AMP21动作，同时通过^卜偿电路21从连接点P21引入 ^M尝电流Is21。此时，通过使开关SW22、 SW24截止，差动放大电路AMP22不动 作，同时不进行由^hf尝电路22/Ai^接点P22引入4M尝电流Is22。另一方面，例如DVD再生时，与上述情:^4目反，通过使开关SW22、 SW24导 通，差动放大电路AMP22动作，同时通过^hJ尝电路22/Ail:接点P22引入^M尝电流 Is22。此时，通过使开关SW21、 SW23截止，差动放大电^各AMP21不动作，同时 不进行由4hj尝电路21 ,Ai^接点P21引入4hj尝电流ls21。这样，在受光放大电路20中，通过差动放大电路AMP21、 AMP22中只有一个 动作，光电二极管PD21、 PD22中任何一个的受光信号选棒hiM^行I-V变换，并 进行输出。此外，在差动放大电路AMP21、 AMP22动作时，分别通过4Ff尝电路21、 22的^M尝电流Is21、 Is22, ^M尝反馈电阻Rf21的端子间电压和参考电阻RreGl的端 子间电压的差，从而使偏移电压为O。此时，对应于偏压电路B21、 B22的^偏压 电流和各个增益电阻与参考电阻比(Rf21/Rref21， Rf22/RreG2)，调整其修正电流量。如上所述，在受光故大电路20中，反馈电阻Rf21、 Rf22的电阻值和参考电阻 Rref21、 RreG2的电阻值满足Rf21 〉RreGl且Rf22〉Rref22的关系，所以可以减小 噪音。并且，受光放大电路20通过包括4H尝电路21、 22，在切换为与不同波长的信 号力十应的^Jt电阻Rf21、 RC2 (增益电阻)时，对应于^H言号光的波长和M 增益，可以进^^喿音特性的设定，并且可以得到与^^反馈电阻Rf21、 Rf22对应的良好的偏移电压特性。并且，在本实施方式中说明了包括两个光电^^fel管PD21、 PD22的结构，但即 <议包括三个以上光电^^及管的结构，也可以通过与其对应地设置SM尝电路而得到 与上述结构相同的效果。这在包括两个光电二极管的下述其他实施方式的结构中也 ^4目同的。(第四实施方式)基于图9和图IO说明本发明的一个实施方式时，如下所述。并且，对具有与上 述第三实施方式中的构成元件相同功能的本实施方式中的构成元件赋予相同的标号 并省略其说明。图9表示本实施方式的受iU文大电路30的简要结构。图10示出受i^文大电路 30的详细电路结构。如图9和图IO所示，受i^文大电路30与上述的受it^文大电路20相同，也包括 光电-T^及管PD21、 PD22,差动放大电路AMP1、 AMP2,反馈电阻Ril和参考电阻 Rrefl。此外，代替Shf尝电路21、 22，受光放大电路30包括4M尝电路31、 32，并且 代替开关SW23、 SW24,包括开关SW31、 SW32。外M尝电路31与4M尝电路21不同，为了外hf尝反馈电阻Rf21的端子间电压和参考 电阻Rref21的端子间电压的差，使下述的4H尝电流Is31流入参考电阻Rref21和差动 放大电路AMP21的反向输入端子的连接点P31。另一方面，外H尝电路32与4H尝电的差，使下述的4M尝电流Is32流A^Jt电阻RJ22和差动放大电路AMP22的反向输 入端子的连接点P32。上述的^hf尝电流Is31、 Is32分別如式(40)和式(41)所表示。Is3Hl-Rre21艘l)xIb21 ...(40)Is32=(l-RreG2/Rf22)xIb22 …(41)上述#[^尝电路31、 32除了流iih述SM尝电流Is31、 Is32以夕卜，鉢上与图6所 示的^M尝电路12相同地构成。因此，在》b^略4M尝电路31、 32的详细说明。此外，开关SW31设置在4M尝电路31和连接点P31之间，是由上述控制信号 SLE21所控制的导it/截止开关，与开关SW21同步地进行导it/截止动作。开关SW32 设置在#1^尝电路32和连接点P32之间，是由上述控制信号SLE22所控制的导ii/截 止开关，与开关SW22同步地进行导it/截止动作。在如上所述构成的受光放大电路30中，例如CD再生时，通过使开关SW21、 SW31导通，差动放大电路AMP21动作，同时通过^卜偿电路31使^卜偿电流Is31流 入连接点P31。此时，通itf吏开关SW22、 SW32截止，差动》文大电5各AMP22不动 作，同时不会由4hf尝电路32使^Hf尝电流Is32济u/v连接点P32。另一方面，例如DVD再生时，与上述情;M目反，通过使开关SW22、 SW32导 通，差动放大电路AMP22动作，同时通过^卜偿电路32使S卜偿电流Is32流入连接点 P32。此时，通过使开关SW21、 SW31截止，差动方欠大电^各AMP21不动作，同时 不会由3hf尝电路31使^卜偿电流Is31流入连接点P21。这样，在受光放大电路30中，与受光放大电路20相同地，通过差动放大电路 AMP21、 AMP22中只有一个动作，光电二极管PD21、 PD22中任何一个的受光信号 选择'l"^Nk^ii行I-V变换，并输出。此外，差动放大电路AMP21、 AMP22动作时， 分别通过^卜偿电路31、 32的^hf尝电流Is31、 Is32， ^M尝反馈电阻RG1的端子间电压 和参考电阻Rref21的端子间电压的差，从而偏移电压为0。此时，对应于偏压电路 B21 、 B22的M偏压电流和M增益电阻与参考电阻比(Rf21/RreGl, Rf22/Rref22), 调整其修正电流量。如上所述，受光放大电路30与受光放大电路20相同，反馈电阻Rf21的电阻值 和参考电阻Rref21的电阻值满足Rf2l〉Rref21的关系，所以可以减小噪音。并且， 受光放大电路30通过包括^M尝电路31、 32,在切换为与不同波长的信号光对应的反 馈电阻Rf21、 RS2 (反馈电阻)时，对应于^M言号光的波长和抖增益，可以进 行噪音特性的设定，并且可以得到与^^反馈电阻Rf21、 RG2对应的良好的偏移电 压特性。(第五实施方式)基于图11和图12说明本发明的一个实施方式时，如下所述。并且，对具有与 上述第三实施方式中的构成元件相同功能的本实施方式中的构成元件赋予相同的标 号并省i^其il明。图11表示本实施方式的受光放大电路40的电路结构。图12表示受光放大电路 40的详细电路结构。受光放大电路40作为图20中所示的各个受光放大电路101A - IOID使用，将 在图19所示的光电二极管PDA - PDD、 PDa - PDd中产生的光电流变换为电压并且 放大。其中，如图11所示，参考电阻Rref41在分别^^f的光电J^及管PDA、 PDa 等中共用地设置。如图11所示，受光放大电路40包括光电二极管PD21、 PD22，差动放大电路AMP21、 AMP22,反馈电阻RG1、 Rf22，参考电阻Rref41和谇hi尝电路41、 42。参考电阻Rref41的一端输入参考电压Vref,另一端连接到差动放大电路AMP21 的非反向输入端子。电压的差，从参考电阻Rref41和差动放大电路AMP21的非反向输入端子的连接点 P41引入下述的4M尝电流Is41。另一方面，^M尝电路42为了4hf尝反馈电阻Rf22的端 子间电压和参考电阻Rref41的端子间电压的差，/Ai4接点P41引入下述的^hf尝电流 Is42。此外，在^^尝电路41、 42与连接点P41之间设置开关SW41。开关SW41是由 上述控制信号SLE41所控制的切换开关，与开关SW21、 SW22同步地进行切换连 接点P41与外M尝电路41或^H尝电路42的连接的动作。胁地，开关SW41在开关 SW21导通时，将^hi尝电路41与连接点P41连接，另一方面，在开关SW22导通时， 将-hf尝电路42与连接点P41连接。这里，设Rf21、 Rf22、 Rref41分别表示反馈电阻Rf21、 Rf22和参考电阻Rref41 的电阻值。受i^文大电路20中，反馈电阻Rfil、 RG2的电阻值和参考电阻Rref41 的电阻^直满足Rf21〉Rref41和Rf22〉Rref41的关系。此外，^M尝电路41、 42流出的4M尝电流Is41、 Is42分别如式(42)和式(43) 所表示。Is41=(Rm/Rref41-l)xIb41 ...(42) Is42=(Rf22/Rref42-l)xIb42 …(43)这里，Ib41是差动电路DEF21中的差动晶体管对(晶体管Tr21、 Tr22)的基极 中流过的基极电流。此外，Ib42是差动电路DEF22中的差动晶体管对(晶体管Tr23、 Tr24)的基极中^it的基极电流。上述4hf尝电路41、 42除了流iiJi述4H尝电流Is41、 Is42以夕卜，絲上与图3所 示的^M尝电路2相同iW勾成。因此，在jtt^^M尝电路41、 42的详细说明。在如上所述构成的受光放大电路40中，例如CD再生时，通过使开关SW21导 通，差动放大电路AMP21动作，同时通过使开关SW41选择^M尝电路41，通过补 偿电路41从连接点P41引入^M尝电流Is41。此时，差动放大电路AMP22不动作， 同时不会由4M尝电路42 /Ai^接点P41引入4M尝电流Is42。另一方面，例如DVD再生时，与上述情;;^目反，通过使开关SW22导通，差动 放大电路AMP22动作，同时通过使开关SW41选择^M尝电路42,由^Hf尝电路42从 连接点P41引入^hi尝电流Is42。此时，差动放大电路AMP41不动作，同时不会由补 偿电路41 Ai^接点P41引入4M尝电流Is41。这样，在受iU丈大电路40中，通过差动放大电路AMP21、 AMP22中只有一个 动作，光电二极管PD21、 PD22中^f可一个的受光信号选4科:ii4ii行I-V变换，并 输出。此外，差动放大电路AMP21、 AMP22动作时，分别通过4M尝电路41、 42的 4M尝电流Is41、 Is42, ^hf尝反馈电阻Rf21的端子间电压和参考电阻Rref41的端子间 电压的差，从而偏移电压为0。此时，对应于偏压电路B21、 B22的^H扁压电^^口 各个增益电阻与参考电阻比(Rf21/Rref41, Rf22/Rref41),调整其修正电流量。如上所述，在受光汰大电路40中，反馈电阻Rf21、 Rf22的电P且值和参考电阻 Rref41的电阻值满足Rfil〉Rref41且Rfi2〉Rref41的关系，所以可以减小噪音。并 且，受光放大电路40通过包括4M尝电路41、 42,在切换为不同波长的信号力t应的 反馈电阻RG1、 Rf22时，对应于^M言号光的波长和朴增益，可以进^"喿音特性 的i殳定，并且可以得到与^^反馈电阻RC1、 Rf22对应的良好的偏移电压特性。还有，在反馈电阻Rf22的电阻值小，没有噪音特性方面上的问题的情况下，受 光放大电路40也可以如下J^y勾成。具体地，在该受光放大电路40中，使反馈电阻 Rf22的电阻值与参考电阻Rref41的电阻值相等，去RHhf尝电路42，根据差动放大电 路AMP21、 AMP22的切换，使4M尝电路41和连接点P41的连躲it/截止。通itit 样的结构，也可以得到与切换的差动放大电路AMP21、 AMP22对应地适当的偏移 棒性。此外，在本实施方式的受光放大电路40中，对于差动放大电路AMP21、 AMP22 (反馈电阻RG1、 Rf22)共用地设置一个参考电阻Rref41。由此，在受光放大电路 40作为半导体^电路所构成的芯片内形成的电阻减小，所以可以缩小芯片尺寸。近年来，通过程序的开发，倾向于缩小晶体管元件。与;tl^j"应地，电阻元件通 过期望的特性而决定物理特性，所以在芯片中的占有面积的比率增大。由此，由于 减小电阻使芯片面积缩小，所以产生斷线本的效果。逸里，反馈电阻RG1、 RG2的电阻值的差较小的情况下，即偵是具有一个参考 电阻Rref41的结构，由反馈电阻RG1、 Rf22产生的电压也没有大的差异。由此，在 偏移特性的调整方面误差变小，没有问题。但是，在反馈电阻RG1、 Rf22的电阻比 为10: 1等两个电阻值的差较大的情况下，在具有一个参考电阻Rref41的结构中， 需^f吏^卜偿电路41的^^尝电流Is41、 Is42的差变大。由此，在偏移特性的调整方面， 存在i吴差和4扁移变大的可能性。
与jtb^应地，如在第三、第四实施方式中所示的受光放大电路20、 30,在分别具有与^^^馈电阻RG1、 RG2对应的参考电阻Rref21、 Rref22的结构中，可以分 别地调整参考电阻Rref21、 Rref22。因此，即佳^^睛电阻Rf21、 RG2的电阻值差较 大，由于不需要使两个氺H尝电流的差变大，所以作为偏移特性，比受光放大电路40 更有利。(第六实施方式)基于图13说明本发明的一个实施方式时，如下所述。并且，对具有与上述第一 实施方式中的构成元件相同功能的本实施方式中的构成元件赋予相同的标号并省略 其说明。图13表示本实施方式的受光放大电路50的简要结构。受光放大电^各50作为图22所示的各个受光放大电路101AA - 101DD使用，将 光电二4及管PDA - PDD中产生的光电流变换为电压并ib改大。如图13所示，受iti文大电路50包括光电^f及管PDl，差动放大电路AMP1， 反馈电阻Rfl，参考电阻Rrefl,附加电阻RfM， 4M尝电路51、 52和开关SW51、 SW52。开关SW51是一ii^"应于^^赍电阻Rfl而并联连4妾附加电阻Rf51， 一边用于切 断该连4妄的导通/截止开关。通过由该开关SW51从反馈电阻Rfl连接或切断附加电 阻RS1，,人而切换受光放大电^各50的增益。由此，受iUL件PDl的受光信号选择 '14i^k^行I-V变换，并且输出。此外，在4M尝电路51、 52和连接点P51之间设置开关SW52。开关SW52是与连接的切换动作的切换开关。M地，开关SW52在开关SW51截止时，将^Hf尝电 路51与连接点P51连接，另一方面，在开关SW51导通时，将^M尝电路52与连接 点P51连接。在开关SW51导通的状态下，通过将附加电阻Rf51与反々责电阻Rfl并 i^i^接，从而等岁&也形成合^X馈电阻Ri52 (图13中的虚乡汰示)。压的差，从参考电阻Rrefl和差动放大电路AMP1的非反向输入端子的连接点P51 引入下述的4Hf尝电流Is51。另一方面，^M尝电路52为了4M尝由开关SW51并联连接 的^SJt电阻Rfl和附加电阻Rf51的端子间电压与参考电阻Rref的端子间电压的差， 乂Ai^接点P51引入下述的^hf尝电流Is52。这里，设Rf52表示合^gJt电阻Rf52的电阻值。此外，设Rfl、 Rrefl、 Rf51
分别表示反馈电阻Rfl、参考电阻Rref21和附加电阻Rf51的电阻值。此时，合M 馈电阻Rf52的电阻值由下a示。Rf53=RflxRf5l/(Rfl+Rf51) ...(44)此外，在受光^丈大电路50中，合^J贵电阻Rf52的电阻值和参考电阻Rrefl 的电阻值满足Rf52〉Rrefl的关系。此外，外M尝电路51、 52中流过的4M尝电流Is51、 Is52分别如式(45)和式(46)所表示。Is5lKRfl/Rrefl-l)xIb ...(45)Is52=(Rf53/Rrefl-l)xIb …(46)在此，Ib是差动电路DEF中的差动晶体管对(晶体管Trl、 Tr2)的基极中流过的1^及电:;克。由于上述补偿电路51流过具有与上述式(18)中所示的4M尝电流Isl相同的电 流值的4M尝电流Is51，所以与斗hj尝电路2完全相同i^勾成。jH^卜，；^M尝电路52除了 流过^M尝电流Is52以外，M上与图3所示的4M尝电路2相同地构成。因此，在此 省略4M尝电路51、 52的详细说明。在如上所述构成的受光放大电路50中，例如信号再生时，开关SW51截止的同 时开关SW52选择^卜偿电路51。由此，差动放大电路AMP1以由反馈电阻Rfl确定 的高增益进#^/作，同时由Shf尝电路51/Ai^接点P51引入谇M尝电流Is51。另 一方面，在信号记录时，与上述情^^目反地，开关SW51导通的同时开关SW52 选捧^M尝电路52。由此，差动放大电路AMP1以由反馈电阻Rfl和附加电阻Rf51 的并联电阻确定的^^曽益进^^/作，同时由4M尝电路52/Ai^接点P51引入4M尝电流 Is52。这样，在受光放大电路50中，差动放大电路AMP1在信号再生时与信号记录时 以各不相同的增益"&^进行动作。由此，由光电二极管PDl,选择性地I-V变换与 信号再生时和信号记录时不同的光量对应的受光信号，并且输出。此外，在差动放 大电路AMP1以M增益进行动作时，通过各^hJ尝电路51、52的^H尝电流Is51、Is52， 分别外hf尝反馈电阻Rfl的端子间电压和参考电阻Rrefl的端子间电压的差，以及合成 反馈电阻的端子间电压和参考电阻Rrefl的端子间电压的差，从而偏移电压为O。此 时，只于应于M增益电阻与^^考电阻比，调整其修正电流量。如上所述，受光放大电路50的反馈电阻Rfl、合^gJt电阻Rf52的电阻值和参 考电阻Rrefl的电阻值满足Rfl 〉Rrefl且Rf52 〉Rrefl的关系，所以可以减小噪音。 并且，受光放大电路50通过包括^M尝电路51、 52,在切换不同光量的信号光对应的^^々责电阻Rfl和合A^Jt电阻时，对应于^M言号光的光量和M增益，可以进行噪音特性的设定，并且可以得到分别与M反馈电阻Rfl、合^SJt电阻Rf52对应 的良好的偏移电压棒性。并且，在合A^馈电阻Rf52的电阻值小，没有噪音特性方面的问题的情况下， 受光放大电路50也可以如下地构成。M地，在该受光放大电路50中，使合M 馈电阻Rf52的电阻值与参考电阻Rre51的电阻值相等，去ftMM尝电路52,根据增 益(反馈电阻的电阻值)的切换，使4M尝电路51和连接点P51的连^^if/截止。通 itil样的结构，也可以与切换的增力十应地，得到适当的偏移棒性。 (第七实施方式)基于图14说明本发明的一个实施方式时，如下所述。并且，对具有与上述第一 实施方式中的构成元件相同功能的本实施方式中的构成元件赋予相同的标号并省略 其说明。图14表示本实施方式的受光放大电路61的电路结构。受光放大电路61作为图17中所示的各个受光放大电路101a-101d使用，将图 16所示的光电^^4及管PDA - PDD中产生的光电流变换为电压并ib改大。如图14所示，在受i^丈大电路61中，差动放大电路AMP61是将由流过光电二 极管PD61的光电流Ib61变换得到的电压进^^改大的电路。光电^f及管PD61的阴 极连接到差动放大电路AMP61的反向输入端子(下述的晶体管Tr61的基极)。反馈 电阻R伤1连接在差动放大电路AMP61的输出端子和反向输入端子(下述的晶体管 Tr62的基极)之间。参考电阻Rreffil的一端输入参考电压Vref，另一端连接到差动 放大电路AMP61的非反向输入端子。这里，设R伤1、 Rre伤l分别表示反馈电阻Rf61和参考电阻Rre伤l的电阻值。 在受光放大电路61中，反馈电阻Rf61的电阻值和参考电阻Rref61的电P且值满足Rf61 〉Rref61的关系。此外，差动放大电路AMP61具有差动电路DEF61、有源负载AL61和输出电路 OUT。差动电路DEF61由NPN型晶体管T《l、Tr62和偏压电路B61构成。晶体管Tr61、 Tr62A1动电路DEF61中的差动晶体管对，发射极都连接到偏压电路B61的一端。 偏压电路B61是恒流电路，是将晶体管Ti€l中流过的电^^。晶体管Tr62中流过的 电流之和的偏压电流保持为恒定值的电路。偏压电路B61的另一端连接到地线。偏 压电路B61在图中未示出，其由NPN型晶体管(偏压晶体管)构成。 有源负载AL61由PNP型晶体管Tr63、 Tr64构成。晶体管Ti63、 T《4的基极斜目互连接的同时连接到晶体管TrA64的集电极。由此，晶体管Tr63、 Tr64构成电流镜电路。此外，晶体管T《3、 Tr64的发射极连接到电源线。棘源贝取ALO丄巴^TF刀用丁々n安^J吸吧r且KIOl HM祸丁I叼吧/工，口，考电阻Rref61的端子间电压的差的^H尝部件的功能。因此，有源负载AL61通过晶应的电流提供给晶体管Tr61、 Ti62。这里，设晶体管T&1、 Tr62的基极电流分别为Ib61、 Ib62，晶体管Tr63、 Ti似 的集电极电流分别为Ic63、 Ic64, hfe为晶体管Tr61 -Tr63的晶体管hfe(全部通用)。 在此条件下，集电极电流Ic63、 Ic64和基极电流Ib61、 Ib62的关系如式(48 )至式 (50)表示。Ic64二Ic63xRf61/Rre伤l …(48) Ib61=Ic63/hfe …(49) Ic62=Ic64/hfe=Ic63xRf61/Rref61/hfe .. .(50)在^J责电阻Rf61的端子间产生的电压VR伤1由下g示。 VRf61=Rf61xib61=Rf6lxlc63/hfe ...(51)此外，参考电阻Rre伤l的端子间产生的电压VRref61在有源负载AL61包括作 为^^尝部件的功能的情况下，由下式表示。 VRre伤l-Rre伤lxIb62=Rre^l x(Ic63xRf61/Rre伤l/hfe)=Rf61xlc63/hfe …(52) 因此，两端子间的电压差由下i(A示。 VRf61匿VRre伤M) ...(53)这样，^^々贵电阻Rf61的端子间电压和参考电阻Rre伤l的端子间电压的差消失， 所以偏移电压为0。如上所述，在受it^丈大电路61中，反馈电阻Rf61的电P且值和参考电阻Rref61 的电P且值满足Rf61〉Rre伤l的关系，所以可以减小噪音。并且，受光放大电路61 通过有源负载AL61中包括作为外M尝部件的功能，可以得到良好的偏移特性。此外， 由于不需^开地附加上述受光放大电路1那样的4M尝电路1,所以可以简化受光放 大电路61的电路结构。 (第八实施方式)
基于图24和图25说明本发明的一个实施方式时，如下所述。并且，对具有与上述第 一实施方式中的构成元件相同功能的本实施方式中的构成元件赋予相同的标 号并省略其说明。图24表示本实施方式的受光放大电路1A的简要结构。图25表示受光放大电路 1A的详细电路结构。受光^丈大电路1A作为图22中所示的M受ib改大电路101AA - 101DD使用， 将光电二极管PDA - PDD中产生的光电流变换为电压并且放大。如图24所示，受光放大电路1A包括光电二极管PD1、差动放大电路AMP1A、 反馈电阻Rfl、参考电阻Rrefl和砵hJ尝电路2A。在受光放大电路1A中，差动放大电路AMP1A是将流过光电二极管PD1的光 电流Ipd变换得到的电压进行放大的电路。光电^fe管PDl的阴极连接到差动放大 电路AMP1A的反向输入端子。反馈电阻Rfl连接在差动放大电路AMP1A的输出 端子和反向输入端子之间。参考电阻Rrefl的一端输入参考电压Vref,另一端连接到 差动放大电路AMP1A的非反向输入端子。此外，无信号时(lpd=0),在反馈电阻 Rfl中流过电流Ibl，在参考电阻Rrefl中流过电流Ib2。4hf尝电路2A为了^M尝反馈电阻Rfl的端子间电压和参考电阻Rrefl的端子间电 压的差，修^正下述的^M尝电流Ibl、 Ib2。如图25所示，4M尝电路2A具有用于修正 电;充Ibl、 Ib2的电阻Rel、 Re2。如图25所示，差动放大电路AMP1A具有差动电路DEF、有源负载AL和输出 电路OUT。在有源负载AL中的晶体管TrAl 、 TrA2的发射极分別通过电阻Rel 、 Re2连接 到电源线(电源电压Vcc)。并且，晶体管Trl的基极^I动放大电路AMP1A中的反向输入端子，晶体管 Tr2的基^L^动放大电路AMP1A中的非反向输入端子。这时，设Rfl、 Rrefl分别表示反馈电阻Rfl和参考电阻Rrefl的电阻值。jtl^卜， 设Rel、 Re2分别表示电阻Rel、 Re2的电阻值。在受光放大电路1A中，反馈电阻 Rfl的电阻值和参考电阻Rrefl的电阻值满足Rfl 〉Rrefl的关系。此外，4M尝电路2A需要满足下式。Ib2xRrefl=IblxRfl …(54)这里，因为hfe是NPN晶体管的hfe,所以通过式(54),下式的关系成立。Ic2/hfexRrefl=Icl/hfexRfl …(55)
因此，为了满足式(54)，需要调整构成差动对的晶体管Trl、 Tr2的集电极电流 Icl、 Ic2。在不考虑晶体管TrAl、 TrA2和晶体管TiO的基极电流的情况下，晶体管Trl和晶体管TrAl的集电极电流Icl ，与晶体管Tr2和晶体管TrA2的集电极电流Ic2相同。关于各个集电极电流Icl、 Ic2，下式的关系成立。VTxIn(Ic2/Isat>+"Re2xIc2=VTxIn(Icl/[sat>fRel xlcl .. .(56)因此，设定电阻值Rel、 Re2,以满足式(55)和式(56)。由此，修正反馈电阻Rfl的端子间电压和参考电阻Rrefl的端子间电压之间产生的电压差，同样可以得到良好的偏移特性。处，在VT二k'T/q中的k、 q、 T、 Isat分别表示波耳兹曼常数、电子的电荷量、 绝对温度、PN^^的^^口电流。 (第九实施方式)基于图26和图27说明本发明的一个实施方式时，如下所述。并且，对具有与 上述第三实施方式中的构成元件相同功能的本实施方式中的构成元件赋予相同的标 号并省略其i兑明。图26表示本实施方式的受ib改大电路20A的简要结构。图27表示受光故大电 路20A的详细电路结构。受光放大电路20A作为图20中所示的各个受光放大电路101A - 101D使用，将 图19中所示的光电^^f及管PDA-PDD、 PDa-PDd中产生的光电流变换为电压并且 放大。如图26所示，受光放大电路20A包括光电二极管PD21、 PD22,差动放大电路 AMP21、 AMP22，反馈电阻RG1、 Rf23，参考电阻Rref21、 Rref23和4hf尝电路21A。 谇M尝电路21A为了4M尝反馈电阻Rf21的端子间电压和参考电阻Rref21的端子调整晶体管Tr21 - Tr24的基极电流。谇M尝电路21A为了4M尝反馈电阻Rei的端子间电压和参考电阻Rref21的端子修正晶体管Tr21、 Tr22的基极电流(电流Ib21、 Ib22),并修正晶体管Tr23、 Tr24 的基极电流(电流Ib23、 Ib24)。如图27所示，^H尝电路21A为了修正电流Ib21-Ib24,具有电阻Rel、 Re2。如图27所示，差动放大电路AMP21具有差动电路DEF21、有源负载AL和输
出电路OUT;差动放大电路AMP22具有差动电路DEF22、有源负载AL和输出电 路OUT。与上述受i^丈大电路20 (参考图8)不同，在受iU文大电^各20A中，差动放大 电路AMP22是将济uit光电二极管PD22的光电流Ib23变换得到的电压进行放大的 电路。反馈电阻RC3连接在差动放大电路AMP22的输出端子和反向输入端子之间。 参考电阻RreG3的一端输入参考电压Vref，另一端i^l妾到差动it大电路AMP22的 非反向输入端子。有源负载AL中的晶体管TrAl、 TrA2的发射极分别通过电阻Rel、 Re2连接到 电源线(电源电压Vcc)。这里，设Rf21、 Rref21分别表示反馈电阻Rf21和参考电阻Rref21的电阻值。 此外，设Rf23、 Rref23分别表示反馈电阻Rf23和参考电阻RreG3的电阻值。此外， 设Rel、 Re2分别表示电阻Rel、 Re2的电阻值。在受光放大电路20A中，反馈电阻 RC1的电阻值和参考电阻RreGl的电阻值满足Rf21 〉RreGl的关系。此外，反馈电 阻R￡23的电阻值和参考电阻Rref23的电阻值满足Rf23 > Rref23的关系。此外，4M尝电路21A在偏压电路B21导通的状态下，需要满足下式。Ib22xRref21=Ib21xRm ...(57)这里，因为hfe是NPN晶体管的hfe，所以通过式(57),下式的关系成立。 Ic2/hfexRre￡21=Icl/hfexRf21 …(58)因此，为了满足式(57)，需要调整晶体管Tr21的集电极电济i^晶体管Tr22的 集电4及电流。此外，外H尝电路21A在偏压电路B22导通的状态下，为了满足下式，需要调整 晶体管Tr23的集电极电流和晶体管Tr24的集电极电流。 Ib24xRref23=Ib23xRf23 ...(59)因此，在本受ib^大电路20A中，"&^馈电阻Rf21、 Rf23和参考电阻Rref21、 Rref23中，动作时分别产生电压VRF21、 VRF23和电压VREF21、 VREF23。在这 种情况下，需要i议Rel、 Re2,使得VRF21 - VREF21 = VRF23 - VREF23,。通过 这样地设定，可以共享修正电路21A。这里，例举了偏压电路B21导通的状态时，在不考虑晶体管TrAl、 TrA2、 TiO 的基极电流的情况下，晶体管Tr21、 TrAl的集电极电流Icl与晶体管Tr22、 TrA22 的集电极电流Ic2相同。关于各集电极电流Icl、 Ic2,由于下式的关系成立，所以调 整用于满足式(58)和式(60)的电阻值Rel、 Re2。 VTxIn(Ic2/Isat)+Re2xIc2=VTxIn(Icl/Isat)+Rel xlcl .. .(60)由此，修正反馈电阻Rf21的端子间电压和参考电阻Rref21的端子间电压之间产 生的电压差，同样可以得到良好的偏移棒性。此外，诏^gJf电阻Rf21、 R￡23的电阻值和参考电阻RreGl、 RreG3的电阻值， 使得VRF21 - VREF21 == VRF23 - VREF23。由此，即使在由具有相同电阻值的电阻 Rel 、 Re2而使偏压电路B22导通的状态下，也可以修正反馈电阻Rf23的端子间电 压和参考电阻Rref23的端子间电压之间产生的电压差，同样得到良好的偏移特性。 (第十实施方式)基于图15说明本发明的一个实施方式时，如下所述。图15是表示本实施方式的光盘装置71的结构的斜^L图。如图15所示，光盘装置71包括^^取装置72和主轴电才儿73等。M取装置72具有illi^^及管74、信号用受光IC75、邀A功率监;現器用受光 IC75、准直透4竟77、点透4竟78、 M分离器79、准直透4竟80和物《竟81。作为^bt光源的;ILfc^及管74产生照射到光盘70的JH^。提供给Jlt^^及 管12的驱动电流由未图示的潔jl驱动器产生。如果光盘装置71是再生一种光盘70的装置，则Jlt^极管74产生单一波长的 ^tit束。此外，如果光盘装置71是再生两种光盘70的装置，则Jlt^t^4及管74产生 波长不同的两种激Lit束。作为这样的两种潮沈束，可举例CD用的780nm的^L^ 和DVD用的650nm的激光束。此外，如果光盘装置71是进行信号再生和信号记录 的装置，则^bL^及管74在信号再生和信号记录时产生^t^功率不同的两种^^。信号用受光IC75是用于在受光面配置上述的光电二极管PD1、光电二极管 PD21、 PD22或光电二极管PD61,接受从光盘70多^Jt的激光束，并作为检测信 号而变换为电信号的IC。该信号用受光IC75嵌入有上述的受光放大电路1、 11、 20、 30、 40、 50、 61、 1A或20A。; >功率监视器用受光IC75是用于在受光面配置光电二极管，接受恥H^f及 管74所射出的激光束的一部分，并作为检测信号而变换为电信号的IC。该^L^6功率 监视器用受光IC75嵌入有受光放大电路，该受光放大电路可以是受光放大电路1 、 11、 20、 30、 40、 50、 61、 1A或20A。此外，激光功率监视器用受光IC75的位置 只要是可以接受^^贿IU^所需要的量的位置，则不限于图示的位置。在上述构成的iU合取装置72中，/Ai^it^及管74所射出的邀:^由准直透镜 77变换为平行光束，并且由M分离器79偏向。来自光束分离器79的激光M— 步经过直透镜80,由物镜81聚焦到光盘70。从光盘70反射的邀:^经过物镜81 和准直透4竟80, ^if过it^分离器79后，由点透镜78聚焦到信号用受光IC75。在 信号用受光IC75中，激光束变换为电信号，由该电信号生成RF信号、多P宗误差信 号等。这样，在光拾取装置72中，通过在信号用受光IC74中^A上述的受光放大电 路l、 11、 20、 30、 40、 50、 61、 1A或20A,从而在受光放大电路l、 11、 20、 30、 40、 50、 61、 1A或20A中，实现噪音的减小和偏移电压棒性的改善。因此，由于提 高了光拾取装置72的输出信号的质量，所以iU合取装置72的可靠性提高。在本发明不限于上这实施方式，可以在权利要求中所示的范围内进行各种变化。 即，在权利要求所示的范围内通ii^"适当变化的技术性部件进行组合所得到的实施 方式也包含在本发明的技术范围内。 (实施方式的概括)受i^文大电路是包括受it^件、反馈电P且、参考电阻、包含由基极连接到上述 受a件和反馈电阻的第 一 晶体管和将外部基准电位通iUi述参考电阻提供给基极 的第二晶体管构成的差动晶体管对的差动电路的受光放大电路，包括用于;^尝上述反馈电阻的端子间电压和上述参考电阻的端子间电压的差的^Hf尝电路，上述反馈电 阻的电阻^直比上ii^^考电阻的电阻值大。根据上述的结构，通过^^Jt电阻的电阻值比参考电阻的电阻值大，可以确实 地减小来自低频区域的噪音。并且，通过^M尝电翻M尝反馈电阻的端子间电压和参 考电阻的端子间电压之间的差，所以可以去除由于反馈电阻的电阻值和参考电阻的 电阻值不相等而产生的偏移电压。优选地，上述#hi尝电路是在连接上述参考电阻和上述第二晶体管的基极的连接 部中提供SM尝上述差的沣M尝电流的电流源。M地，该4M尝电5^有电流镜电路， 提供将驱动上述差动晶体管对的偏压电流乘以上述反馈电阻和上述参考电阻的电阻 比的1/2所得到的大小的偏压电流的第三晶体管，发射fe^接到上述第三晶体管的集 电极的同时基才ili^接到上述电流镜电路的输入的第四晶体管，提供驱动上述差动晶 体管对的偏压电流的1/2倍的偏压电流JL4极连接到上述电流镜电路的输出的第五 晶体管。此外，上述^M尝电路提供的4H尝电流M地由上述式(14)表示。或者，优选地，上述4M尝电路是在连接上ii^馈电阻和上述第一晶体管的基极的连接部中提供外M尝上述差的外H尝电流的电流源。M地，该4M尝电^^r有电流镜电路，提供驱动上迷差动晶体管对的偏压电流的1/2倍的偏压电流的第三晶体管，发
射极连接到上述第三晶体管的集电极的同时连接到上述电流镜电路的输入的第四晶 体管，提供将驱动上述差动晶体管对的偏压电流乘以上述反馈电阻和上述参考电阻 的电阻比的1/2所得到的大小的偏压电流并基极连接到上述电流镜电路的输出的第 五晶体管。此外，上述4卜偿电路提供的外M尝电流M地由上述式(26)表示。或者，优选地，上述^卜偿电路^Jii4^馈电阻的电阻值为Rf，上述参考电阻的 电阻值为Rref时，将构成R傲ref: 1的比的第一电流和第二电流分别提供到上述第 一晶体管和上述第二晶体管的电流提供电路。此外，上述受ib^文大电路包括具有串联连接到上述第一晶体管的第一负载晶体 管和串^i^接到上述第二晶体管的第二负载晶体管的有源负载，上述4M尝电^^有 插入在上迷第一负载晶体管的发射极和电源电位之间的第一电阻，和插入在上述第 二负载晶体管的发射极和电源电位之间的第二电阻，优逸地，该第一和第二电阻设 定为用于确定上述第一和第二晶体管的集电极电流的电阻值，以^M尝基于上述反馈 电阻和上迷参考电阻的电阻^直差的电压差，。在此结构中，彬尝电^^有分别串联连接到有源负载的第一和第二负载晶体管 的第一和第二电阻。需要调整第一晶体管和第一负载晶体管中流过的集电极电流和 第二晶体管和第二负载晶体管中流过的集电极电流(满足下述的式(55))，以氺M尝 基于反馈电阻和上述参考电阻的电阻值差的电压差(满足下述的式(54))。由于这 些集电极电流分别流到第一和第二电阻，所以通iiit当地设定第一和第二电阻的电 P且值(满足下述的(式56))，从而可以4H尝上述电压差，去除偏移电压。其他的受光放大电路-是包括接受不同波长光的多个受M件，对应于不同波长 光所设置的多个反馈电阻，对应于该多个反馈电阻所设置的多个参考电阻，以及每 一个都包含由基极连接到各个受M件和M反馈电阻的多个第 一晶体管和将外部 基准电位通过M参考电P且提供给基极的多个第二晶体管中相对应的 一对所构成的 差动晶体管对的多个差动电路的受i^文大电路，并且包括在上述多个差动电路中选 择一个并使其动作的第一选择电路，4M尝M反馈电阻的端子间电压和与M反馈 电阻对应的M参考电阻端子间电压的差的多个4Hf尝电路，以M上述多个4M尝电 路中选捧与由上述第 一选择电路所选择的上述差动电路对应的# hf尝电路并使其动作 的第二选择电路，^h反馈电阻的电阻值比对应的M参考电阻的电阻值大。与上述受光放大电路相同地，可以确实地减小来IHfc顷区域的噪音。并且，与由第 一选择电路选择的差动电路对应地，由第二选择电路选择^M尝电^各并动作，所以与 上述受光放大电路相同地，通过外M尝电路^H尝反馈电阻的端子间电压和参考电阻的 端子间电压的差。由此，可以去除由于反馈电阻的电阻值和参考电阻的电阻值不相 等而产生的偏移电压。因此，与对应于多个受i^t件的增益的切换对应地，可以实 现低噪音化和偏移特性的改善。优选地，即使在该受光放大电路中，各个外M尝电^是在连接相互对应的上述 参考电阻和上述第二晶体管的基极的连接部中提供4 M尝上述差的^M尝电流的电流源。此外，该SM尝电路提供的4M尝电流M地如上述式(38)至式(39)表示。或者，优选地，各^M尝电路是在连接相互对应的上述反馈电阻和上述第一晶体 管的基极的连接部中提供4hi尝上述差的外hf尝电流的电流源。此外，该4M尝电^R供 的氺hf尝电流M地如上述式(40)至式(41)表示。进一步地，其他的受光放大电路是包括接受不同波长光的多个受^t件，对应 于不同波长光所设置的多个反馈电阻，对该多个反馈电阻共用地设置的单个参考电 阻，以及[个都包含由基才5J4接到^^受^L件和^h反馈电阻的多个第一晶体 管和将外部基准电&逸itJi述参考电阻提供给基极的多个第二晶体管中相对应的一 对所构成的差动晶体管对的多个差动电^各的受光放大电路，并且包括在上述多个差 动电路中选择一个并使其动作的第一选择电路，4M尝M反馈电阻的端子间电压和 与M反馈电阻对应的M参考电阻的端子间电压的差的多个^hi尝电路，以M上 述多个4M尝电路中选择与由上述第一选择电路所选择的上述差动电路对应的^M尝电 路并使其动作的第二选择电路，^h反馈电阻的电阻值比上述参考电阻的电阻值大。在此结构中，通过使M反馈电阻的电阻值比参考电阻的电阻值大，与上述受iU丈大电路相同地，可以确实地减小来自低频区域的噪音。并且，与由第一选4奪电路选择的差动电路对应地，由第二选择电路选择4H尝电路并动作，所以与上述受光放大电路相同地，通过4M尝电赠4 hl尝反馈电阻的端子间电压和参考电阻的端子间电 压的差。由此，可以去除由于反馈电阻的电阻值和参考电阻的电阻值不相等而产生的偏移电压。因此，与对应于多个受it^L件的增益的切换对应地，可以实现低噪音 化和偏移特性的改善。优选地，即使在该受i^文大电路中，^^M尝电^!L是在连接上述参考电阻和 各个第二晶体管的基极的连接部中提供一H尝上述差的4hf尝电流的电流源。此外，该 州尝电路提供的州尝电流M地如上述式(45)和式(46)表示。进一步地，其他的受光放大电路是包括单个受i^L件，多个反馈电阻，对该多 个反馈电阻共用地设置的单个参考电阻，以及包含由基fe^接到上述受^it件和各
反馈电阻的第 一晶体管和将外部基准电位通iLL述参考电阻提供给基极的第二晶体 管中相对应的一对所构成的差动晶体管对的差动电路的受光放大电路，并且包括在 上述多个反馈电阻中选择一个并连接到上述差动电路的第一选择电路，4M尝Vh反 馈电阻的端子间电压和上述参考电阻的端子间电压的差的多个^H(尝电路，以及在上 述多个4H尝电路中选择与由上述第"""it择电路所选择的上ii^馈电FiL^应的4M尝电 路并使其动作的第二选择电路，^^反馈电阻的电阻值比上述参考电阻的电阻值大。 在此结构中，通过使^反馈电阻的电阻值比参考电阻的电阻值大，与上述受 光放大电路相同地，可以确实地减小来自低频区域的噪音。并且，与由第一选择电 路选择的反馈电阻对应地，由第二选择电路选才科hf尝电路并动作，所以与上述受光压的差。由此，可以去除由于反馈电阻的电阻值和参考电阻的电阻值不相等而产生 的偏移电压。因此，与对应于多个反馈电阻的增益的切换对应地，可以实现低噪音 化和偏移特性的改善。进一步地，其他的受光放大电路是包括接受不同波长光的多个受itX件，对应 于不同波长光所设置的多个反馈电阻，对应于该多个反馈电阻所设置的多个参考电阻，以及每一个都包含由基;fe^接到各个受^件和M反馈电阻的多个第一晶体 管和将外部基准电位通过^参考电阻提供给基极的多个第二晶体管中相对应的一 对所构成的差动晶体管对的多个差动电路的受ife^丈大电路，并且包括在上述多个差 动电路中选择一个并使其动作的选择电路，以及SH尝V^反馈电阻的端子间电压和 与^^反馈电PiL^应的^^参考电阻的端子间电压的差的4M尝电路，上述^M尝电路 具有插入在上述第 一 负载晶体管的发射极和电源电位之间的第 一电阻，和插4上 述第二负载晶体管的发射极和电源电位之间的第二电阻，该第一和第二电阻设定为用于确定上述第一和第二晶体管的集电极电流的电阻值，以4Hf尝基于上述反馈电阻 和上迷参考电阻的电P且值差的电压差，并且^^反馈电阻的电阻值设定为比对应的 M参考电阻的电阻值大，诏文M反馈电阻和^^参考电阻的电阻值，使得*同。在此结构中，通过卩吏VK^馈电阻的电阻值比参考电阻的电阻值大，与上述受 i^文大电路相同地，可以确实地减小来自低频区域的噪音。此外，4H尝电g有分 别串联连接到有源负载的第一和第二负载晶体管的第一和第二电阻。需要调整第一 晶体管和第 一负载晶体管中流过的集电极电流以及第二晶体管和第二负载晶体管中 流过的集电极电流(满足上述的式(58))，以4M尝基于反馈电阻和上述参考电阻的电阻值差的电压差(满足上述的式(57))。由于这些集电极电流分别^J)j第一和第 二电阻，所以通iiit当地i议第一和第二电阻的电阻值(满U述的(式60)),从 而可以外M尝上述电压差，去除偏移电压。因此，与对应于多个反馈电阻的增益的切 换对应地，可以实现低噪音化和偏移特性的改善。并且，在此受光放大电路中，设定4^反馈电P且和M参考电阻的电阻值，使 得^\^溃电阻的端子间电压和与M反馈电阻对应的M参考电阻的端子间电压 的差相同。这样，通过使用共用的第一电阻和第二电阻，关于^^反馈电阻和M 参考电阻，可以改善偏移特性。此外，由于不必与M反馈电阻和M参考电阻对 应地分别设置第一和第二电阻，所以可以避免电路结构的复杂化。光拾取装置通过包括如上所述构成的各个受光放大电路，实现受光放大电路中 噪音的减小和偏移电压特性的 文善。由此，特别是，如果受光放大电路用于将从光 盘所反射的光变换为信号电压，则可以提高光拾取装置的输出信号的质量。此外， 光盘装置通过包^i亥iU合取装置，同样可以提高iU会取装置的输出信号的质量。电压的差的^M尝电路，并且采用上述反馈电阻的电阻值比上述参考电阻的电阻值大 的结构。由此，由此，可以实现受光放大电路的噪音的减小和偏移电压特性的改善。因此，起 到可以提高受光放大电路的输出电压的质量的效果。此外，可以提高包括这样的受 光放大电路的光拾取装置和包4射亥iU合取装置的光盘装置的可靠性。因此，上述各个受光放大电路实现了低噪音化和偏移电压特性的改善，所以可 以优选地用于进行与光盘对应的信息的记录或再生的光拾取装置。在发明的详细说明项中的M实施方式或实施例只是4吏本发明的技术内容变得 明显，不应该狭义地解释为仅限定于这样的M例子，在本发明的精神和所附权利 要求的范围内，可以进4亍^^种变更而实施。
权利要求
1、一种受光放大电路，包括受光元件，反馈电阻，参考电阻，和包含由基极连接到上述受光元阵和反馈电阻的第一晶体管和将外部基准电位通过上述参考电阻提供给基极的第二晶体管构成的差动晶体管对的差动电路，其特征在于，包括补偿上述反馈电阻的端子间电压和上述参考电阻的端子间电压的差的补偿部件，上述反馈电阻的电阻值比上述参考电阻的电阻值大。
2、 根据权利要求1所述的受光放大电路，其特征在于，上述^M尝部件是在连接 上述参考电阻和上述第二晶体管基极的连接部中提供^M尝上述差的^W尝电流的电流 源。
3、 才艮据权利要求1所述的受^i丈大电路，其特;f碌于，上述谇M尝部件是在连接 上述反馈电阻和上述第 一 晶体管Ul的连接部中提供# M尝上述差的# M尝电流的电流源。
4、 根据权利要求2所述的受^j文大电路，其特;f础于，在^Jiii^馈电阻Rf 的电阻值为Rf，上述参考电阻的电阻值为Rref,上述第二晶体管的基极电流为Ib时， 上述4M尝电流表示为(R^Rref陽l)xIb 。
5、 才艮据权利要求3所述的受^^文大电路，其特^L^于，在^Jiii^馈电阻Rf 的电P且值为Rf，上述参考电阻的电阻值为Rref,上述第一晶体管的基极电流为Ib时， 上述4M尝电^4示为(l陽Rre卿xlb 。
6、 根据权利要求1所述的受iU丈大电路，其特4雖于， 上述^H尝部件具有电;危4竟电路；提供将驱动上述差动晶体管对的偏压电流乘以上述反馈电阻和上述参考电阻的 电阻比的1/2所得到的大小的偏压电流的第三晶体管；发射极连接到上述第三晶体管的集电极，同时基极连接到上述电流镜电路的输 入的第四晶体管；以及提供驱动上述差动晶体管对的偏压电流的1/2倍的偏压电流，并JL4极连接到上 述电流镜电路的输出的第五晶体管。2
7、 根据权利要求1所述的受it^丈大电路，其4衫i^于， 上述州尝部件具有电5危4竟电路；提供驱动上述差动晶体管对的偏压电流的1/2倍的偏压电流的第三晶体管；发射极连接到上述第三晶体管的集电极，同时连接到上述电流镜电路的输入的 第四晶体管；以及提供将驱动上述差动晶体管对的偏压电流乘以上述反馈电阻和上述参考电阻的 电阻比的1/2所得到的大小的偏压电流,并JLi^tei^接到上述电流镜电路的输出的第 五晶体管。
8、 一种受光放大电路，包括接受不同波长光的多个受光元件，对应于不同波长 光设置的多个反馈电阻，对应于该多个反馈电阻所设置的多个参考电阻，以;sd 个都包含由基极连接到各个受itit件和^^反馈电阻的多个第 一晶体管和将外部基 准电位通过^参考电阻提供给基极的多个第二晶体管中相对应的一对所构成的差 动晶体管对的多个差动电路，其特^正在于，包括在上述多个差动电路中选择一个并使其动作的第""it辨P件；4M尝M^^々责电阻的端子间电压和与M^Jt电^Jft应的M参考电阻的端子 间电压的差的多个4hf尝部件；以及在上述多个4M尝部件中选才奪与由上述第一选摔部件所选择的上述差动电路对应 的4M尝部件并使其动作的第二选,件，^KSJt电阻的电阻^直比，十应的M参考电阻的电阻值大。
9、 根据权利要求8所述的受光放大电路，其特征在于，各个州尝装置是在连接 相互对应的上述参考电P且和上述第二晶体管的基极的连接部中提供^M尝上述差的补 偿电流的电流源。
10、 根据权利要求8所述的受^bJ丈大电路，其特4球于，^NH尝装^^在连 接相互对应的上述反馈电阻和上述第一晶体管的基极的连接部中提供^M尝上述差的 SM尝电流的电流源。
11、 根据权利要求9所述的受iti文大电路，其特^E^于，在设相互对应的补 反馈电阻的电阻值、^参考电阻的电阻值、M第二晶体管的基极电流分别为Rf、 Rref、 Ib时，各个^M尝部件提供的上述4H尝电流表示为(RfiUref-l)xIb 。
12、 根据权利要求10所迷的受iti丈大电路，其特4i^于，在设相互对应的抖 反馈电阻的电阻值、*参考电阻的电阻值、^第二晶体管的基极电流分别为Rf、Rref、 Ib时，^Hhf尝装置提供的上述^hf尝电流表示为 (l陽Rre卿xlb 。
13、 一种受光放大电路，包括接受不同波长光的多个受M件，对应于不同波 长光而设置的多个反馈电阻，对该多个反馈电阻共用地设置的单个参考电阻，以及 每一个都包含由基极连接到各个受itit件和^^反馈电阻的多个第一晶体管和将外 部基准电位通iLL述参考电P且提供给基极的多个第二晶体管中相对应的一对所构成 的差动晶体管对的多个差动电路，其特征在于，包括在上述多个差动电路中选择一个^H吏其动作的第"H^W件；间电压的差的多个^M尝部件；以及在上述多个4H尝部件中选择与由上述第一选择部件所选择的上述差动电路对应 的4hf尝部件并使其动作的第二选择部件，^M"^Jt电阻的电阻^直比上述参考电阻的电阻值大。
14、 根据权利要求8所述的受光放大电路，其特征在于，^^H尝装置是在连 接上述参考电阻和各个第二晶体管的基极的连接部中提供4 hj尝上述差的# hf尝电流的 电流源。
15、 4財居权利要求14所述的受光放大电路，其特征在于，在设相互对应的M 反馈电阻的电阻值、M参考电阻的电阻值、M第二晶体管的基极电流分别为Rf、 Rref、 Ib时，^^M尝部件提供的上述^hf尝电流表示为(Rfitof-l)xlb 。
16、 一种受光故大电路，包括单个受M件，多个^J贵电阻，对该多个^Jt电 P且共用地设置的单个参考电阻，以及包含由基极连接到上述受i^t件和各反馈电阻 的第 一晶体管和将外部基准电^ifitJi述参考电阻提供给基极的第二晶体管构成的差动晶体管对的差动电路，其特;(4于，包括在上述多个反馈电阻中选择一个JIJ4接到上述差动电路的第 一选4辨件；部件；以及在上述多个4hf尝部件中选择与由上述第"-i^择部件所选择的上述反馈电阻对应 的4H尝部件并使其动作的第二选,件，^^反馈电阻的电阻值比上述参考电阻的电阻值大。
17、 才艮据权利要求1所述的受it^文大电路，其特44于，上述4H尝部件^^在上 i^J:贵电阻的电阻值为Rf,上述参考电阻的电阻值为Rref时，将构成RfiRref: l的比的第一电流和第二电流分别提供给上述第一晶体管和上述第二晶体管的电;^是供 电路。
18、 根据权利要求1所述的受it^文大电路，其特44于，包括具有串^i^接到 上述第一晶体管的第一负载晶体管和串^i^接到上述第二晶体管的第二负载晶体管 的有源负载，上述SM尝装置具有插入在上述第一负载晶体管的发射极和电源电位之间的第一 电阻，和插4上述第二负载晶体管的发射极和电源电位之间的第二电阻，该第一 和第二电阻设定为用于确定上述第一和第二晶体管的集电极电流的电阻值，以4M尝 基于上述^^4贵电阻和上述^考电阻的电阻值差的电压差。
19、 一种受光^文大电路，包括接受不同波长光的多个受i^件，对应于不同波 长光所设置的多个反馈电阻，对应于该多个反馈电阻所设置的多个参考电阻，以及 "^""个都包含由基fe^接到M受^L件和抖反馈电阻的多个第 一晶体管和将外 部基准电位通过M参考电阻提供给基极的多个第二晶体管中相对应的一对所构成 的差动晶体管对的多个差动电路，其特征在于，包括在上述多个差动电路中选择一个iH吏其动作的选择装置；以及电压的差的SH尝部件，上述4M尝部件具有插入在上述第一负载晶体管的发射极和电源电位之间的第一 电阻和插4上述第二负载晶体管的发射极和电源电位之间的第二电阻，该第一和 第二电阻设定为用于确定上述第一和第二晶体管的集电极电流的电阻值，以4M尝基 于上述反馈电阻和上述参考电阻的电阻值差的电压差，i殳定^s^t贵电阻和M参考电阻的电阻值，使得^h反馈电阻的端子间电压 和与^h^馈电阻对应的M参考电阻的端子间电压的差相同。
20、 一种i^会取装置，其特4球于，包4S又利要求1至19中1^可一项所述的受i"e^文大电^各。
21、 一种光盘装置，其特4正在于，包4封又利要求20所述的光拾取装置。
全文摘要
一种受光放大电路，具有由一对晶体管和偏压电路构成的差动电路，有源负载，将光电二极管产生的光电流变换为电压的反馈电阻，参考电阻，和补偿电路。反馈电阻的电阻值比参考电阻的电阻值大。此外，为了使反馈电阻的端子间电压和参考电阻的端子间电压之间不存在差异，从反馈电阻和差动放大电路的非反向输入端子的连接点引入补偿电流。由此，可以实现噪音的减小和偏移电压特性的提高。此外，实现可以减小噪音的同时获得良好偏移电压特性的受光放大电路。
文档编号H03F3/08GK101154924SQ200710170120
公开日2008年4月2日 申请日期2007年9月27日 优先权日2006年9月27日
发明者大西雅也 申请人:夏普株式会社