专利名称：：带通滤波器装置及其制造方法、电视调谐器及电视接收器的制作方法
技术领域：
：本发明涉及一种带通滤波器装置及其制造方法、电^L调谐器以及电纟见接收器。
背景技术：
：下面将对目前的电—见(下文称为TV)频道调谐器的系统进刊-描述。如在高质量地面电^L接收器的调谐器中，通过改变作为外部部件的线圏(L)和电容器(C)所得到的频率选择滤波器方式目前被广泛用作用于从宽频率范围中选出期望频道的方法(尤其在均一带宽的情况下，频宽比(fractionalbandwidth)(%)在宽频带范围内变化很大)。因此，通过具有相互连4妄的线圏和电容器的i皆振电路来形成TV接收器或无线电接收器的调谐器的频率选择滤波器。通过将线圏(L)和电容器(C)并联连接来形成谐振电路，并通过公式f=1/(27W(LC))来给出谐振电路的谐振频率，其中，L的单位是H(亨利，而C的单位是F(法)。具体地，TV接收器在VHF频带和UHF频带的宽频率范围内选择频道。因此，需要对每个频率范围选择最佳线圈(电感)，并且通常使用大量的外部线圏。这是因为当对所有宽频率范围均^f吏用相同的线圏来形成谐振电路时，频道滤波器的通带宽在每个频率范围内变化4交大。接下来，将在下文中描述在晶片上形成芯片上滤波器的现有技术。存在根本不使用诸如如上所述的线圏或电容器等的外部部件并且^皮i人为有希望实现良好特性的纟支术。这项l支术包括使用可通过半导体制造工艺在晶片上制造的"微机电系统(MEMS)谐振元件"或"薄膜压电谐振元件"的带通滤波器。在系统的开发中已经取得了进展，其中，使用形成在芯片上的这些谐振元件在芯片上配置所有频道并代替当前调谐器的可调系统而利用开关来选择所有频道。例如，已经公开了压电谐振元件装置的概念，其中，层压形成滤波器并具有不同频率的多个压电谐振元件组，乂人而集成地形成期望的谐才展元件组(例如，参见日本专利7>开第Sho55-50720号)。然而，该技术层压多个谐振元件，因此在晶片上没有整体形成多个谐振元件。因此，工艺数增加且工艺变得复杂，这样可能会导致制造成本的增加。因此，这项:技术是不实用的。已经公开了通过将串联电压施加给形成滤波器的谐振元件乂人而改变谐振频率来实现可变滤波器的另一项4支术(例如，参见日本专利/>开第2003-168955号)。然而，谐才展频率的变化范围相当有限(约百分之几)，因此，该技术不能处理实际TV频道的整个频率范围(从VHF频带(174~240MHz)UHF频带(470~862MHz))。同时，已公开了形成在晶片上的谐振元件和滤波器的许多实例(参见下列非专利文献1~16)。"Single-ChipMultiple-FrequencyALNMEMSFiltersBasedonContour-ModePiezoelectricResonators"2007/4/MicroelectromechanicalSystems,JournalofVolume16，Issue2，pp.319-328,2007年4月"PiezoelectricAluminumNitrideVibratingContour-ModeMEMSResonators"2006/12/MicroelectromechanicalSystems,JournalofVolume15，Issue6，pp.1406-1418,2006年12月"AluminumNitrideContour-ModeVibratingRFMEMS"2006/6/MicrowaveSymposiumDigest,2006.IEEEMTT-SInternational,pp.664-667,2006年6月"BehavioralModelingofRF-MEMSDiskResonator"2006/12/MEMS，NANOandSmartSystems,The2006InternationalConferenceonDec.2006,pp.23-26，2006年12月[非专利文献5]"MechanicallyCoupledContourModePiezoelectricAluminumNitrideMEMSFilters"2006/1/MicroElectroMechanicalSystems,2006.MEMS2006Istanbul.19thIEEEInternationalConferenceon2006，pp.906-909,2006"OneandTwoPortPiezoelectricContour-ModeMEMSResonatorsforFrequencySynthesis"2006/9/Solid-StateDeviceResearchConference,2006.ESSDERC2006.Proceedingofthe36thEuropean,pp.182-185,2006年9月"AINContour-ModeVibratingRPMEMSforNextGenerationWirelessCommunications"2006/9/Solid-StateCircuitsConference,2006.ESSCIRC2006.Proceedingsofthe32ndEuropean,pp.62-65,2006年9月"PS-4GHZContourExtensionalModeAluminumNitrideMEMSResonators"2006/10/UltrasonicsSymposium,2006.IEEE,pp.2401-2404,2006年10月"AINContour-ModeVibratingRFMEMSforNextGenerationWirelessCommunications"2006/9/Solid-StateDeviceResearchConference,2006.ESSDERC2006.Proceedingofthe36thEuropean,pp.61-64,2006年9月[非专利文献10]"High-QUHFmicromechanicalradial-contourmodediskresonators"2005/12/MicroelectromechanicalSystems,JournalofVolume14,Issue6,Dec.2005,pp.1298-1310，2005年12月"Lowmotionalresistancering-shapedcontour-modealuminumnitridepiezoelectricmicromechanicalresonatorsforUHFapplications"2005/1/MicroElectroMechanicalSystems,2005.MEMS2005.18thIEEEInternationalConferenceon30Jan.-3Feb.2005，pp.20-23,2005"FiniteElement-BasedAnalysisofSingle-CrystalSiContour-ModeElectromechanicalRFResonators"2004/8/MEMS,NANOandSmartSystems,2004.ICMEMS2004.Proceedings.2004InternationalConferenceon25-27Aug.2004,pp.461-465，2004"Finiteelement-basedanalysisofsingle-crystalSicontour-modeelectromechanicalRFresonators"2004/8/MEMS,NANOandSmartSystems,2004.ICMEMS2004.Proceedings.2004InternationalConferenceon25-27,pp.414-418,2004年8月"Stemlesswine-glass-modediskmicromechanicalresonators"2003/1/MicroElectroMechanicalSystems,2003.MEMS-03Kyoto.IEEETheSixteenthAnnualInternationalConferenceon19-23Jan.2003,pp.698-701,2003年1月[非专利文献15]"1.14-GHzself-alignedvibratingmicromechanicaldiskresonator"2003/6/RadioFrequencyIntegratedCircuits(RFIC)Symposium,2003IEEE,pp.335-338,2003年6月"Asub-microncapacitivegapprocessformultiple-metal-electrodelateralmicromechanicalresonators"2001/1/MicroElectroMechanicalSystems,2001.MEMS2001.The14thIEEEInternationalConferenceon21-25Jan2001,pp.349-352,2001年1月接下来，将在下文中描述当前的技术水平。对于4吏用外部部件(例如，外部线圏)的滤波器系统的问题，根据接收性能的需要而要求仅选择期望频道的滤波器特性。然而，通过线圏和电容器相互连接的谐振电路所形成的滤波器的理论频率选择性的特性存在限制，并且高图像质量的接收由于相邻频道的噪声信号的影响而受到限制。另一方面，如上所述，当对于每个频率区域没有优化线圈值时，使用线圏和电容器的谐振电路的滤波器系统会产生下列问题。例如，因为频道滤波器的通带宽变化4艮大，所以z使用了大量的线圈部件，这对降4氐制造成本来i兑是极大的阻碍。另外，在目前的晶片上形成芯片上滤波器的技术还没有达到用于实现具有良好选择性的电视频道滤波器的滤波器特性的水平。为了较经济地实现良好电^L频道滤波器作为晶片在芯片上的滤波器，需要同时整体形成不同频率的大量谐振元件。例如，对于60个频道，需要至少120种不同频率的谐振元件。因此，显然，沿横向采用谐振模式(通过掩膜的尺寸，典型地面积振动/剪切振动/延伸振动，设计谐振频率的方式)是非常有用的(参见图26)。然而，目前，在横向谐振模式下，处于最新开发阶段的谐振元件并不能实现1。/o以上的冲黄向才几电耦合系凄t(k2)。考虑到没有使用压电材料的MEMS谐振元件的机电耦合系数(k2)具有约0.5%的限制。此外，这些横向谐振模式的滤波器甚至还没有达到1.70%的频宽比(例如，参见非专利文件1~16)。下文将描述仅通过相关技术不能克服的技术问题。在通过半导体制造工艺由压电谐振元件在晶片上形成的带通滤波器来实现用于TV频道的滤波器之前，存在以下问题。对宽频率范围(从VHF频带到UHF频带)还没有作出规定。另外，在能够通过固定带宽进行频道选择的带通滤波器中，既没有提出也没有实现诸如在晶片上单个芯片上整体地同时形成用于频宽比的总宽范围(随频率区域的变化改变)的谐振元件的实际方法。例如，如表1所示，例如，需要能够通过固定为6MHz、7MHz和8MHz的带宽作为固定带宽来进行频道选择的带通滤波器。在该带通滤波器中，例如，在全世界的地面数字广播中，随频率区i或的变4匕改变的频宽比(％)为11.1%~0.74%。为实J见频宽比的这种总宽范围，谐振元件的机电耦合系数需要为9.09%~0.60%。然而，还没有实现诸如在晶片上单个芯片上整体地同时形成这些掩4展元件的实际方法。然而，可能^f又实现特定的频宽比。<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>在UHF频带、VHF高频带(下文称为VHF-H)和VHF低频带(下文称为VHF-L)的每个频率区域中，选择用于不同机电耦合系数的谐振模式，并进行滤波器设计。还没有进行实现沿每个频率区域(UHF、VHF-H和VHF-L)内的频率顺序配置连续频率频道的滤波器并且滤波器处理频宽比的连续变化的"^殳计。通常，在基于至今形成在许多晶片上的谐振元件的电耦合的滤波器结构中，形成滤波器的一个谐振元件完全由一个振动器形成。这是因为振动器的设计与谐振元件的设计一致，因此，可以大大简化并容易进行滤波器的设计。然而，另一方面，对阻抗匹配(50Q150Q)存在非常难的问题，这会引起滤波器通过区域的大损耗。当通过在晶片芯片上配置所有频道由带通滤波器实现电—见频道等时，由于在制造工艺中谐振元件的精度变化而使得产量趋于降低。另夕卜，为了规定全世界的数字电视广播，需要根据不同国家的规格制作不同的谐振元件。因此，制造成本增加且制造变得复杂。另夕卜，与普通的MEMS(微机电系统)装置相同，中空的结构会导致形成封装的成本的增加。
发明内容需要解决的问题在于难以在相同的基板上形成能够处理横跨UHF频带和VHF频带的这种宽频带的带通滤波器。本发明可以在相同的基才反上形成能够处理4黄跨UHF频带和VHF频带的这种宽频带的带通滤波器。根据本发明的实施例，提供了一种带通滤波器装置，包括多个带通滤波器元件，置于基板的主面上；其中，带通滤波器元件分别对应于通过频率区域所划分的多个频道，并且每个带通滤波器元件均具有多个压电谐振器。每个压电谐振器均包括压电膜，其外围通过基板来支撑；第一电极，形成在压电膜的下表面上；以及第二电极，形成在压电膜的上表面上，并以与第一电极的至少一部分重叠的状态形成，其中，压电力莫夹置在第二电才及和第一电才及之间。每个谐振器元件还包括下部空间，形成在基才反和压电膜之间；以及上部空间，形成在压电力莫上方。在根据本发明上述实施例的带通滤波器装置中，每个带通滤波器元件均采用上述的压电膜结构。具体地，改变夹置在第一电才及和第二电极之间的压电膜的一维方向上的长度(长度谐振模式)或二维方向上的长度(面积谐振模式)，从而形成压电谐振器，该压电谐振器形成了用于使期望频带通过的带通滤波器元件。另外，带通以在相同的基板上设置调节至诸如UHF频带和VHF频带的电^L频带的多个带通滤波器元件。根据本发明的实施例，提供了一种制造带通滤波器装置的方法，该方法包括以下步-骤通过在基板的主面上形成多个压电谐才展器来形成带通滤波器元件，并形成多个这种带通滤波器元件。形成每个压电谐振器的步骤包括以下步骤在基一反上形成第一牺牲层；形成第一电极以覆盖第一牺牲层的一部分；形成压电膜以覆盖第一电极和第一牺牲层；以及形成第二电极，以覆盖压电膜的一部分，第二电极具有与第一电极重叠的部分，其中，压电膜夹置在第二电极和第一电4及之间。另外，该方法包4舌以下步骤在形成压电膜之后或者在形成第二电极之后，形成第一通孔以与形成在基板和压电膜之间的第一牺牲层连通。该方法还包括以下步骤在形成第一通孔之后，形成第二牺牲层以覆盖在压电膜上的第二电极；以及形成上部空间形成力莫以覆盖第二牺4生层。该方法还包4舌以下步驶《在形成上部空间形成膜之后，形成第二通孔以与形成在压电膜和上部空间形成膜之间的第二牺牲层连通；以及通过第一通孔去除第一牺牲层，并通过第二通孔去除第二牺牲层。根据本发明前述实施例的制造带通滤波器装置的方法在每个带通滤波器元件中形成上述压电膜结构，从而可以改变夹置在第一电极和第二电极之间的压电膜的一维方向上的长度(长度谐振模式)或者二维方向上的长度(面积谐振模式)。因此，形成压电谐振器，该压电谐振器形成了用于使期望频带通过的带通滤波器元多个频道。因此，可以在相同的基板上设置调节至诸如UHF频带和VHF频带的电一见频带的多个带通滤波器元件。根据本发明的实施例，提供了一种电视调谐器，包括多个开关，用于选择通过天线接收的电视信号；以及带通滤波器装置，被设置为对应于每个开关。带通滤波器装置包括多个带通滤波器元件，置于基板的主面上；其中，带通滤波器元件分别对应于通过频率区域所划分的多个频道，并且每个带通滤波器元件均具有多个压电谐振器。每个压电谐振器均包括压电膜，其外围通过基板来支撑；第一电极，形成在压电膜的下表面上；以及第二电极，形成在压电膜的上表面上，并以与第一电极的至少一部分重叠的状态形成，其中，压电膜夹置在第二电极和第一电极之间。每个压电谐振器还包括下部空间，形成在基板和压电膜之间；以及上部空间，形成在压电力莫上方。根据本发明上述实施例的电视调谐器具有根据本发明上述实施例的带通滤波器装置。因此，与相关4支术中具有由LC电路形成的外部带通滤波器装置进行比较，在一个基板上形成了用于宽频带的带通滤波器装置。根据本发明的实施例，提供了一种电视接收器，包括电视调谐器，包括用于选4奪通过天线4妻收的电—见信号的多个开关以及^皮i殳置为对应于每个开关的带通滤波器装置。带通滤波器装置包括多个带通滤波器元件，置于基板的主面上；其中，带通滤波器元件分别对应于通过频率区域所划分的多个频道，并且每个带通滤波器元件均具有多个压电谐振器。每个压电谐振器均包括压电膜，其外围通过基板来支撑；第一电极，形成在压电膜的下表面上；以及第二电极，形成在压电膜的上表面上，并以与第一电极的至少一部分重叠的状态形成，其中，压电膜夹置在第二电极和第一电极之间。每个压电谐4展器还包括下部空间，形成在基4反和压电膜之间；以及上部空间，形成在压电膜上方。施例的电一见调谐器。因此，与相关^支术中具有由LC电^各形成的外部带通滤波器装置的电视调谐器相比，在一个基板上形成了用于宽频带的带通滤波器装置。根据本发明上述实施例的带通滤波器装置可以在所谓的单芯片上处理宽频带和频宽比(％)的宽范围。例如，带通滤波器装置可以处理/人VHF频带到UHF频带的宽频带。因此，与线圈和电容器的相关谐振电路的滤波器特性相比，可以实现使包括一个频道的通带之外的相邻频道的元件频率区域急剧衰减的良好滤波器特性。因此，具有能够大大降低所接收频道的噪声并执行高质量接收的优点。才艮据本发明上述实施例的带通滤波器装置的制造方法可以形成能够在所谓的单芯片上处理宽频带和频宽比(％)的宽范围的带通滤波器装置。例如，带通滤波器装置可以处理,人VHF频带到UHF频带的宽频带。因此，与线圈和电容器的相关谐振电路的滤波器特性相比，可以实现使包括一个频道的通带之外的相邻频道的元件频率区域急剧衰减的良好滤波器特性。因此，具有能够大大降低所接收频道的噪声并执行高质量接收的优点。根据本发明上述实施例的电视调谐器使用根据本发明上述实施例的带通滤波器装置。因此，电S见调谐器可以实现能够在非常宽的频率范围内急剧衰减的良好滤波器特性。电视调谐器具有能够大大减少所接收频道的噪声并执行高质量接收的其他优点。施例的电视调谐器。因此，电视接收器可以实现能够在非常宽的频率范围内急剧衰减的良好滤波器特性。电视接收器具有能够大大减少所接收频道的噪声并执行高质量接收的其他优点。图1是^^居本发明的带通滤波器装置的实施例的示意性平面布局图2是带通滤波器元件的电路图；图3是带通滤波器元件的示意性透视图;图4是压电谐振器的示意性截面图；图5是压电谐振器的示意性透一见图；图6是压电谐振器的示意性透视图；图7是带通滤波器元件的电路图；图8是辅助说明带通滤波器元件的电路图和示意性透视图；图9是频率特性图；图IO是频率特性图；图11是频率特性图12是辅助说明带通滤波器元件的电路图和示意性透视图13是压电谐振器和谐振元件的示意性透视图14是压电谐振器和谐振元件的示意性透^L图15是频率特性图16是频率特性图17是频率特性图18是根据本发明的带通滤波器装置的实施例的示意性平面布局图19是频率特性图20是频率特性图21是频率特性图22是频率特性图23A-图23M是关于根据本发明的制造带通滤波器装置的方法的制造压电谐振器的方法的实施例的制造工艺截面图；图24是形成在晶片上的带通滤波器装置的平面图；图25是示出了根据本发明的电视调谐器的实施例的电路以及图26是示出了压电谐振器的谐振模式和机电耦合系数的实例的示图。具体实施例方式接下来，将参照图1的示意性平面布局图描述^^艮据本发明的带通滤波器装置的实施例。如图l所示，带通滤波器装置lO在基板ll的主面上具有多个带通滤波器元件20。带通滤波器元件20分别对应于通过频率区域所划分的多个频道。例如，每个带通滤波器元件20均由多个压电谐才展器21-26构成。在附图所示的实例中，例如，带通滤波器元件20被设置用于60个频道。图中仅示出了部分带通滤波器元件20。接下来，将参照图2的电路图、图3的示意性透视图以及图4的示意性截面图来描述带通滤波器元件20的结构。如图2和图3所示，带通滤波器元件20具有包括压电谐振器21~23的梯型电路(1x1)和包括压电谐振器24~26的格型电路(2x2)的基本电路结构。将参照图4和图5描述在带通滤波器元件20中所4吏用的压电谐振器21-26。图4和图5示出了作为代表的压电谐振器21。其他压电谐振器22~26具有基本上与压电谐振器21相同的结构。图5主要示出了压电膜以及设置在压电膜的上表面和下表面上的电极。如图4和图5所示，压电谐振器21具有被形成为在基板110上形成下部空间121的压电膜111。例如，压电膜111由氮化铝膜形成。压电谐振器21还具有与压电膜111的下表面接触的第一电极112以及与压电膜111的上表面接触且部分与第一电极112重叠的第二电才及113。例如，第一电才及112和第二电才及113由钼月莫形成。压电膜111可以被划分为多个部分。压电膜111的每个划分部分均形成樣H皆振元件27。在具有包括第一电极112和第二电极113的压电膜111的倾斜表面的区域中形成与下部空间121连通的第一通孔114。另外，在压电膜111的上表面侧的倾斜表面上形成上部空间形成膜115，上部空间形成膜形成上部空间122并且其中形成有与上部空间122连通的第二通3L116。此外，第一密封层117被形成为填充第一通孔114，以及第二密封层118被形成为填充第二通孔116。形成第一密封层117，使第一密封层117的一部分通过第一通孔114与作为基底(foundation)的基板110接触。形成第二密封层118，使第二密封层118的一部分通过第二通孔116与作为基底的压电膜111接触。在上部空间形成膜115上形成层间绝缘膜131、平坦化膜132等，并形成连接至第一电极112和第二电极113的接触部133和134。形成连4妄至4妻触部133和134的配线135和136,并形成其4也配线137等。此外，形成覆盖配线135~137的绝纟彖膜138和139。在绝纟彖膜138和139中形成与连4妄至4妄触部133和134的配线135和136连it的i^4妄孑匕140—141。可以通过改变孩i谐振元件27在一维方向上的长度来改变谐振模式。例如，可以通过改变图5中箭头方向上的各个微谐振元件的长度来改变压电谐振器21(22~26)的谐振模式。另夕卜，如图6所示，可以通过改变樣H皆I展元件27在二维方向上的长度来改变谐振模式。例如，通过改变图6中箭头方向上的各个微谐振元件27的长度来改变压电谐振器21(22~26)的谐振模式。带通滤波器装置10可以设置大量的带通滤波器，它们由具有与目前电视的所有频道相对应的各种不同谐振频率的薄膜所形成的压电谐振器构成。接下来，将以用于日本地面数字广播的电纟见频道滤波器为例来描述具体实施例。例如，将参照图7和图8描述具有476MHz的中心频率并形成6MHz的频道带宽的具体带通滤波器元件20的电路实例以及形成该电路的微谐振元件的设计值。如图7所示，压电谐振器21-26具有三种电容Cx、Cy和Co。在这种情况下，例如，压电谐振器21具有电容Cx，压电谐振器24具有电容Cy，且压电谐振器22、23、25和26具有电容Co。例如，假设Cx=9.54pf，Cy=4.77pf,且Co=6.75pf。可通过调节谐振元件在一维方向上的长度来改变这三种电容。另夕卜，如图8所示，压电谐振器2126具有两种谐振频率frX和frX。在这种情况下，例如，电谐振器21、22和23由具有谐振频率frX的电容形成压，以及压电谐4展器24、25和26由具有谐才展频率frY的电容形成。例如，压电谐振器21、22和23由具有谐振频率frX的电容形成，从而fr=471.80MHz且fa-474.80MHz,以及压电谐振器24、25和26由具有谐振频率frY电容形成，从而fr=477.30MHz且fa=480.4MHz。可以通过调节谐振元件在一维方向上的长度(箭头方向的长度)来改变两种谐振频率。例如，设计压电谐振21、22和23的谐振模式长度，使fr=477.30MHz，由氮化铝形成的压电膜的长度L=8.736pm,电容面积(=樣丈i皆l展元件27的总面积)SC=89772.9pm2,由氮4匕铝形成的压电膜111的厚度ta-lOOOnm，在压电膜的下部由钼形成的第一电极112的膜厚tl=334nm，以及在压电膜的上部由钼形成的第二电相^113的月莫厚t2=334nm。另外，例如，设计压电谐振器24、25和26的谐振模式长度，4吏&=471.8MHz,由氮化铝形成的压电膜的长度L=8.864pm,电容面积(=;f效谐振元件27的总面积)SC=126958.1|am2，由氮化铝形成的压电膜111的厚度ta-lOOOnm,在压电膜的下部由钼形成的第一电极112的膜厚tl=334nm，以及在压电膜的上部由钼形成的第二电才及113的月莫厚t2=334nm。当频道频率/人低频侧向高频侧变化时，上述结构的带通滤波器元件20增加了在梯型电路和格型电路的压电谐振器21~23的串联谐振元件的反谐振频率与压电谐振器21~23的并联谐振元件的谐4展频率之间的频率差。对于形成带通滤波器元件20的压电谐4展器21~26的谐振元件电容，可以通过将才各型电3各的压电谐振元件的串耳关电路和并联电容之间的比率固定为1并改变梯型电路的串联电路和并联电路之间的比率来改变"i皆纟展频率。压电谐振器2126具有如图9~图11所示的i皆才展元件特性。图9示出了在这些元件形成滤波器的长度模式下的谐振元件的谐振特性。图10示出了由这些谐振元件形成其电路的滤波器的带通特性。图11示出了相邻频道的衰减特性。如图10和图11所示，即使在频率处于更宽范围的情况下，相邻频率的频率特性也呈现出相似的频率特性。即，以通过带宽偏移的状态获得类似的波形。通过中心频率fo=476MHz、带宽-6MHz、纹波-1.6dB、插入损耗=5.2dB、相邻频道的衰减量(每个频道的中心位置)=20dB以及fo=土IOOMHz衰减>60dB来获得上述频率特性。接下来，将参照图12~图14描述通过谐振元件的面积改变谐振模式的结构。如图12所示，带通滤波器元件20具有包括压电谐振器21-23的才弟型电路(1x1)和包4舌压电i皆才展器2426的才各型电路(2x2)的基本电路结构。可通过改变上述微谐振元件27在二维方向上的长度来改变谐振才莫式。例如，可通过改变图12所示箭头方向上的预定樣史谐l展元件27的面积来改变压电谐振器21(22-26)的谐振模式。带通滤波器装置10还可以通过4吏用上述带通滤波器元件20而形成。带通滤波器装置可以设置大量的带通滤波器，它们都由具有与目前电一见的所有频道的各种不同谐l展频率的薄膜所形成的压电谐振器构成。接下来，将描述当使用带通滤波器元件20时用于日本地面数字广#番的电一见频道滤波器的具体实施例。例如，将参照图13和图14描述具有476MHz的中心频率并形成6MHz的频道带宽的具体带通滤波器元件20的电路实例以及形成该电路的谐振元件的设计值。如图13和图14所示，压电谐振器21-26具有两种微谐振元件总面积SC1和SC2。在这种情况下，例如，压电谐振器21、22和23具有樣i谐振元件总面积SC1,而压电谐振器24、25和26具有微谐振元件总面积SC2。例如，微谐振元件总面积SC1=239970.9lum2,以及微谐振元件总面积8。2=558303.3|um2。可通过调节谐振元件在二维方向上的长度(箭头方向上的长度)来改变这两种微谐才展元件总面积。例如，设计压电谐振器21、22和23,使微谐振元件27的由氮化铝形成的压电膜的长度L-27315nm，电容面积(=微谐振元件27的总面积)SC1=239970.9jam2，由氮化铝形成的压电膜111的厚度ta-lOOOnm，在压电膜的下部由钼形成的第一电极112的膜厚tl=334nm，以及在压电膜的上部由钼形成的第二电极113的膜厚t2=334nm。另夕卜，设计压电谐振器24、25和26，使;微谐振元件27的由氮化铝形成的压电膜的长度L-28350nm,电容面积(=微谐振元件27的总面积)SC2=558303.3jam2，由氮4匕铝形成的压电月莫111的厚度ta-1000nm，在压电膜的下部由钼形成的第一电极112的膜厚tl=334nm，以及在压电膜的上部由钼形成的第二电极113的膜厚t2-334nm。压电谐振器21-26具有如图15~图17所示的谐振元件特性。图15示出了元件形成滤波器的面积模式下的谐振元件的谐振特性。图16示出了由这些谐振元件形成其电路的滤波器的带通特性。图17示出了相邻频道的衰减特性。如图16和图17所示，即使在频率处于更宽范围的情况下，相邻频率的频率特性也呈现出类似的频率特性。即，以通过带宽偏移的状态来获得类似波形。通过中心频率fo=174MHz、带宽=7MHz、紋波=1.6dB、插入损耗=5.0dB、相邻频道的衰减量(每个频道的中心位置)=18dB以及fo=±100MHz衰减>60dB来获得上述频率特性。接下来，将参照图18的示意性平面布局图描述才艮据本发明实施例的带通滤波器装置的应用实例。图18是将带通滤波器装置应用于VHF频带和UHF频带的实例的透—见图。如图18所示，带通滤波器装置10在基板11的主面上具有多个带通滤波器元件20。带通滤波器元件20分别对应于通过频率区域所划分的多个频道。例如，每个带通滤波器元件20均由多个压电谐，振器20~26构成。在附图所示的实例中，例如，带通滤波器元件20被设置用于60个频道。图中示出了部分带通滤波器元件20。作为带通滤波器元件20，可以^使用与上述相似的带通滤波器元件。在带通滤波器装置10中，通过多个带通滤波器元件20形成的第一带通滤波器元件组20-1具有与VHF频带相对应的谐振才莫式。通过多个带通滤波器元件20形成的第二带通滤波器元件组20-2具有与UHF频带相对应的谐振才莫式。例如，用于日本i也面凄t字广4番的UHF频带的高频侧上的频道滤波器的通过特性如图19和图20所示。例如，用于欧洲地面数字广播的UHF频带的低频侧上的频道滤波器的通过特性如图21和图22所示。例如，UHF频带的高频侧上的频道滤波器的通过特性如上述图19和图20所示。期望由通过层压拉伸应力膜和压缩应力膜所制成的层压膜来形成上述压电谐振器21~26的压电膜111。以每种谐振才莫式特有的才几电井禹合系凄t(k)的递减顺序，/人频道频率的^f氐频侧向高频侧以及/人频道的大频宽比的区域向小频宽比的区域来顺序配置处于不同谐振模式的带通滤波器元件20。可以将这种配置应用于上述图1所示的带通滤波器元件20的配置。上述彼此相反的应力压电膜结构(在同一膜结构中交替层压压缩应力膜和拉伸应力力莫并且这两种应力在膜中整体上相互平纟軒的结构)，从而可以实现目前不能实现的横向机电耦合系数(keff)。另外，如上面参照图5和图6所述，压电力莫111可以-波划分为多个部分。即，可以形成多个微谐振元件27。假设Co为微谐振元件27的电容，fo为带通滤波器元件20的中心频率，以及Z为带通滤波器的匹配阻抗，则上述微谐振元件27的数量N为N=1/(2兀xfoxCoxZ)。上述N为整数。例如，在与小数部分相对应的所有电容区域中的谐振元件的谐振频率与目标频率(通过尺寸限定谐振频率)偏离，为了抑制这种变化，期望N为整数。当上述N是具有小数部分的数时，通过改变谐振元件在与小数部分相对应的电容区域中的振动来使N变成整数。例如，当压电谐振器执行长度振动时，缩短压电谐振器的谐振元件的长度以抑制振动。当压电谐振器执行面积振动时，减少压电谐振器的谐振元件的面积。例如，在压电谐振器的谐振元件的外围部分中形成狭缝，从而使谐振元件的外围分离，并通过分离的外围部分来抑制振动。从而，可以;波此独立地设置谐振元件的电容和滤波器的阻抗匹配，因此，可以容易地实现滤波器的匹配。长度谐振模式或面积谐振模式的微谐振元件27可以以高密度彼此并联地电连接，并且一个元件可以通过多个谐4展元件来实现。连续设置带通滤波器装置10的多个带通滤波器元件20的频带，并且多个带通滤波器元件20具有电压施加源，该电压施加源将用于在与频道带宽的士1/2相对应的频率范围中改变带通滤波器元件的频带的电压施加给从带通滤波器元件20中经过频道选择出的带通滤波器元件。因此，通过切换改变频道频带滤波器，并通过电压改变与频道带宽的1/2相对应的频率范围，从而通过连续配置的带通滤波器元件20中的一个来选4奪期望频道。电压施加源连4妄至第一电才及112或第二电4及113,并通过对压电膜111的电串联电压来控制所施加的电压。例如，带通滤波器装置10可以处理/人VHF频带到UHF频带的宽频率范围以及频宽比(％)的宽范围。还可能实现单芯片滤波器，并减少了在相关技术中必需的大量外部部件(线圏和电容器)。另外，与线圈和电容器的相关谐振电路的滤波器特性相比，可实现可以通过薄膜压电谐振元件的滤波器结构来使包括一个频道的通带之外的相邻频道的元件频率区域急剧削弱，乂人而大大降^f氐所接收频道的噪声，并执行高质量接收。此外，不仅通过在相关技术中提出的通过开关仅选择配置在晶片上的一组滤波器的系统，而且通过控制在频率轴上连续配置滤波器的频道滤波器结构中形成滤波器的薄膜压电谐振元件的直流电压将谐振频率改变频道带宽的±1/2，针对特定频道频率制造的芯片可利用开关和电压控制的组合来选择全世界的所有频道频率。因此，消除了针对各个国家的复杂个别设计的需要，从而可以实现低成本。接下来，将参照图23A~图23M的示意性截面图描述4艮据本发明的制造带通滤波器装置的方法的实施例。因为带通滤波器装置由作为压电谐振器集合体的带通滤波器元件构成，所以将在下文中描述制造压电谐振器的方法。如图23A所示，制备使用绝缘硅、玻璃等的绝缘基板IIO。例如，该基板110是具有1000Qcm以上的电阻率cj和600pm的厚度的石圭(Si)基氺反。在基冲反110上形成第一牺4生层151。例如，第一牺牲层151通过将掺杂有磷(P)的非晶硅沉积到例如600nm~1200nm而形成。例如，4匕学气相;^积法可用于月莫形成。此后，通过4吏用光刻技术和反应离子蚀刻(RIE)技术进行图案化来形成第一牺牲层151。此时，在蚀刻中，四氟化碳(CF4)、三氟曱烷(CHF3)和氧(02)用作蚀刻气体，而氩(Ar)用作载气。例如，蚀刻气体的压力设为10Pa，并且例如，等离子生成供给电力设为1500W。接下来，在形成第一电极112之后，形成压电膜111，并在压电膜111上形成第二电极113。第二电极113被形成为使第二电极113的至少一部分与第一电4及112重叠，其中，压电月莫lll夹置在第二电极113和第一电才及112之间。接下来，如图23B所示，以与第一牺牲层151连通的方式，在压电力莫111的一部分中形成用于通过选择性蚀刻去除第一牺牲层151的第一通孔114。4妄下来，如图23C所示，通过第一通孔114^f又选4奪性地去除第一牺4生层151(参见图23B)。例如，湿蚀刻^皮用在该蚀刻处理中。例如，使用10。/。wt的氢氟酸溶液(溶液温度-30。C)作为用于蚀刻的蚀刻剂。顺便，当执行干蚀刻时，氟化氢气体被用作蚀刻气体。作为蚀刻结果，在压电膜111和基板110之间形成下部空间121。接下来，如图23D所示，测量由压电月莫lll、第一电才及112和第二电极113形成的谐振元件或者由谐振元件形成的电敏未示出)的谐振频率或频率滤波器，并调节所测量的谐振频率或所测量的频率滤波器。例如，通过利用反应离子蚀刻(RIE)或离子束方法照射压电膜111来进4亍这种频率调节。因为可以在处理期间如此才丸4亍频率调节，所以可提高产量并提高可靠性。接下来，如图23E所示，以通过第一通孑L114到达基板110的表面的方式，在包括第二电极113的压电膜111上形成第一密封层117。例如，通过纯铝金属或者含铝化合物作为主要成分来形成该第一密封层117。例如，铝化合物包括Al-3。/。Cu和Al-3°/。Cu-l%Si。賊射方法可以被用于膜形成，并且对于膜形成的条件，例如，以150cmVmin的流速在溅射气体中才是供氩(Ar)气，例如，阶段温度净皮设为300。C，且DC偏压功率被设为1.5kW。第一密封层117被形成为具有足够的膜厚来覆盖并填充第一通孔114。例如，在第一密封层117是铝膜时膜厚为1000(im的情况下，才艮据下部空间121的高度和压电膜111的膜厚可以采用500nm~2500nm的力莫厚。接下来，如图23F所示，通过光刻和反应离子蚀刻来图案化第一密封层117,使第一密封层117残留在第一通孔114的内部和外围，并去除其他部分上的第一密封层117。在反应离子蚀刻中，例如，三氯化硼(BC13)和氯(Cl2)的混合气体被用作蚀刻气体，蚀刻气体的压力被设为16Pa，且基板偏压被设为60W。利用上述设置，使用入射离子能量来执行垂直处理。接下来，如图23G所示，以覆盖第一密封层的方式在包括第二电极113的压电膜111上形成第二牺牲层152。接下来，如图23H所示，通过光刻和反应离子蚀刻来图案化第二牺牲层152。用于该图案化的蚀刻条件与第一牺牲层151的蚀刻条件相同。4妄下来，如图23I所示，以覆盖第二牺4生层152的方式形成上部空间形成膜115。例如，〗吏用溅射法用于力莫形成，并且例如通过氮化铝力莫或氮化石圭力莫来形成上部空间形成膜115。例如，氮化铝膜被形成为1500nm的厚度。对于此时的溅射条件，氩(Ar)和氮(N2)的混合气体净皮用作处理气体，并且DC偏压#^殳为2.5kW。4妄下来，如图23J所示，以与第二牺4生层152连通的方式，在上部空间形成膜115的一部分中形成用于通过选择性蚀刻去除第二牺牲层152的第二通孑L116。接下来，如图23K所示，使用可选择性地溶解并且仅去除第二牺牲层152(参见图23J)的蚀刻剂，选纟奪性地溶解并从第二通孔116中去除第二牺牲层152。这种蚀刻方法使用了具有10:1的稀释比的氢氟酸溶液。可选地，可使用氟化氢(HF)气体通过干蚀刻来去除第二牺牲层152。.结果，在压电月莫111上形成上部空间122作为由压电膜111、第一电极112和第二电极113构成的谐振元件。4姿下来，如图23L所示，以通过第二通孔116到达压电膜111的表面的方式，在上部空间形成膜115上形成第二密封层118。例如，通过纯铝金属或含铝化合物作为主要成分来形成该第二密封层118。例如，铝化合物包括Al-3。/。Cu和Al-3%Cu-l%Si。可以使用溅射方法来用于膜形成，并且对于膜形成的条件，例如，以150cmVmin的流速在溅射气体中提供氩(Ar)气，例如，阶段温度被设为300。C，且DC偏压功率祐没为1.5kW。^接下来，如图23M所示，通过光刻和反应离子蚀刻来图案化第二密封层118，^吏第二密封层118残留在第二通孔116的内部和外围，并去除其他部分上的第二密封层118。在这种反应离子蚀刻中，例如，三氯化硼(BC13)和氯(Cl2)的混合气体净皮用作蚀刻气体，蚀刻气体的压力被设为16Pa,且基板偏压被设为60W。利用上述设置，使用入射离子能量执行垂直处理。如上所述，制造其中在谐振元件的谐振部件的上方和下方形成并密封上部空间122和下部空间121的压电i皆振器21的方法可以以大大短于相关^支术方法的时间来去除第一牺牲层151和第二牺牲层152,并且可以在形成过程中包4舌调节频率的步骤。此外，可以通过简单处理来实现这些步骤。另外，消除了如在相关技术情况下昂贵的氧化铝封装等气密性密封的需要。从而，能够获得了能够易于制造、提供高产量且便宜的谐振器。另外，因为消除了在铝封装等中对根据本实施例的谐振器的气密性密封的需要，所以与在相关技术谐振器的情况相比，可以稀疏地形成根据本实施例的谐振器。通过上述制造方法形成压电谐振器，并且以采用上述电路结构的方式在相同的基板IIO上形成压电谐振器，从而形成了带通滤波器元件20。此外，以对应于各个频道频带的方式在相同的基部110上形成这些带通滤波器元件20,从而形成带通滤波器装置10。另外，例如，如图24的晶片布局平面图所示，在晶片200上形成带通滤波器装置IO作为多个带通滤波器装置10中的一个。根据本发明上述实施例的制作带通滤波器装置的方法在每个带通滤波器元件20中形成上述压电膜结构，从而可以改变夹置在第一电极112和第二电才及113之间的压电膜111在一维方向上的长度(长度谐振模式)或二维方向上的长度(面积谐振^^莫式)。因此，形成了压电谐振器21~26，其被形成用于使期望频带通过的带通滤波器元件20。另外，带通滤波器元件20可分别对应于通过频率区i或所划分的多个频道。因此，可以在相同的基4反上"&置调节至电视频带(例如，UHF频带和VHF频带)的多个带通滤波器元件20。根据该制造方法，可以采用滤波器组系统结构，这是根据本发明实施例的带通滤波器装置，并通过半导体处理在晶片上形成滤波器组系统结构。通过代替可调谐选择滤波器而采用滤波器组系统并且将所有频道都配置在芯片上并通过开关来进4于选4奪的结构，可以减少作为当前主流的外部部件(线圏)。另外，可以实现LC滤波器理i仑上不能实现的滤波器特性(仅专门选择6MHz~8MHz的频道带)。可以整体(单掩膜)形成与宽频率范围(VHF~UHF)相对应的谐振元件。从而，可通过开关和DC偏压进行频道选择，从而可以对全世界的所有规则都作出准备。可通过开关改变频道的频带带通滤波器，通过电压改变与频道带宽的1/2相对应的频率范围，以及通过连续配置的滤波器中的一个选择期望频道。的结果，这能够减低成本，并且能够利用一个频带带通滤波器规则通过电操作选择全世界的地面数字TV的所有频率频道。因此，可以降低制造成本。可以采用能够通过在上述制造方法中描述的FBAR处理制造4氐成本封装(PKG)的直插式封装技术。如在多个MEMS装置中，在频带带通滤波器组系统中，在晶片上形成谐振元件。因此，至今还需要中空结构的封装，而采用这种中空结构的封装导致制造成本的增加。可通过直插式封装实现低成本封装，其中，通过半导体制造处理在芯片本身内部形成中空结构，乂人而可以采用普通<更宜的去;]"装。接下来，将参照图25的示意性电路图描述根据本发明的电视调"i皆器的实施例。如图25所示，电视调谐器300具有用于选择通过天线310接收的电一见信号的多个开关，并具有与开关320相对应的带通滤波器装置10。具体地，带通滤波器装置10的带通滤波器元件20经由预定的阻抗元件330连接以对应于各个开关320。当然，带通滤波器元件20的输入侧连接至天线310侧，并通过带通滤波器元件20选择特定频带中的电视信号，然后从带通滤波器20的输出侧输出。上面参照图1~图17描述的根据本发明实施例的带通滤波器装置10等用作带通滤波器装置10。才艮据本发明实施例的电—见调谐器300具有才艮据本发明实施例的带通滤波器装置IO。因此，与相关技术中由LC电路形成的外部带通滤波器装置相比，在一个基板上形成用于宽频带的带通滤波器装置10。接下来，将描述根据本发明实施例的电视接收器的实施例。视调谐器。具体地，电-见接收器具有上面参照图25所述的电^f见调谐器，电视调谐器具有用于选择通过天线接收的电视信号的多个开关以及被设置为对应于开关的带通滤波器装置。根据本发明实施例的带通滤波器装置10被用作在上述电视调谐器中使用的带通滤波器装因此，因为上述电视接收器具有根据本发明实施例的电视调谐器，所以与相关技术中具有由LC电路形成的外部带通滤波器装置的电视调谐器相比，在一个基板上形成用于宽频带的带通滤波器装置。因此，电视接收器可以实现能够在非常宽的频率范围内急剧衰减的良好滤波器特性。电视接收器具有能够大大降低所接收频道的噪声并执行高质量接收的其他优点。本领域的技术人员应该理解，才艮据设计要求和其他因素，可以有多种修改、组合、再组合和改进，均应包含在本发明的权利要求或等同物的范围之内。权利要求1.一种带通滤波器装置，包括多个带通滤波器元件，置于基板的主面上；其中，所述带通滤波器元件分别对应于通过频率区域所划分的多个频道，并且每个带通滤波器元件均具有多个压电谐振器，而且每个所述压电谐振器均包括压电膜，其外围通过所述基板来支撑，第一电极，形成在所述压电膜的下表面上，第二电极，形成在所述压电膜的上表面上，并以与所述第一电极的至少一部分重叠的状态形成，其中，所述压电膜夹置在所述第二电极和所述第一电极之间，下部空间，形成在所述基板和所述压电膜之间，以及上部空间，形成在所述压电膜上方。2.根据权利要求1所述的带通滤波器装置，其中，所述带通滤波器元件具有多个带通滤波器元件组，所述多个带通滤波器元件组的一组中的每个带通滤波器元件均具有多个压电谐振器，并且每个压电谐振器的压电膜都通过改变与所述基板的主面平行的一维方向上的长度而具有不同频率的谐振模式，以及所述多个带通滤波器元件组的另一组中的每个带通滤波器元件均具有多个压电谐振器，并且每个压电谐振器的压电膜都通过改变与所述基^L的主面平4于的二维方向上的长度而具有不同频率的谐振^t式。3.根据权利要求2所述的带通滤波器装置，其中，所述多个带通滤波器元件组的一组中的每个带通滤波器元件均具有多个压电谐振器，并被形成为使夹置在每个压电谐振器的所述第一电极和所述第二电4及之间的所述压电膜的宽度不同，以及所述多个带通滤波器元件组的另一组中的每个带通滤波器元件均具有多个压电谐振器，并被形成为使夹置在每个压电谐振器的所述第一电极和所述第二电极之间的所述压电膜的面禾口、不同。4.根据权利要求2所述的带通滤波器装置，其中，作为所述多个带通滤波器元件组中的一组的第一带通滤波器元件组具有与UHF频带相对应的谐振模式，以及作为所述多个带通滤波器元件组中的另一组的第二带通滤波器元件组具有与VHF频带相对应的谐振;模式。5.根据权利要求1所述的带通滤波器装置，其中，所述压电谐振器的压电膜由通过层压4立伸应力膜和压缩应力膜所形成的层压膜制成，以及以每种谐振模式所特有的机电耦合系数递减的顺序，从频道频率的4氐频侧向高频侧以及,人频道的大频宽比的区i或向小频宽比的区域，顺序排列不同谐振冲莫式的所述带通滤波器元件。6.根据权利要求1所述的带通滤波器装置，其中，7.根据权利要求6所述的带通滤波器装置，其中，所述频道的频宽比4艮据所述频道的频率连续变化，以及当频道的频率/人^氐频侧向高频侧变化时，在所述梯型电路和所述格型电路的串联谐振元件的反谐振频率与并联谐振元件的谐4展频率之间的频率差增加。8.根据权利要求6所述的带通滤波器装置，其中，对于形成所述带通滤波器元件的所述压电谐振器的谐振元件电容，,站间的比率固定为1,以及的。9.根据权利要求1所述的带通滤波器装置，其中，通过多个微谐振元件的集合形成用于形成所述带通滤波器元件的所述压电谐振器的谐振元件。10.根据权利要求9所述的带通滤波器装置，其中，々支设Co为所述樣t谐振元件的电容，fo为所述带通滤波器元件的中心频率，以及Z为所述带通滤波器的匹配阻抗，则所述孩B皆振元4牛的凄t量N为N=1/(2兀xfoxCoxZ)。11.根据权利要求IO所述的带通滤波器装置，其中，所述N为整凄史。12.根据权利要求1所述的带通滤波器装置，其中，所述多个带通滤波器元件的频带被连续设置，以及所述带通滤波器装置具有电压施加源，所述电压施加源件的频带在与±1/2频道带宽相对应的频率范围内变化的电压施加给所述频道选择的带通滤波器元件。13.根据权利要求12所述的带通滤波器装置，其中，所述电压施加源连接至所述第一电极和所述第二电极中的一个，并通过对所述压电膜的电串联电压来控制所施加的电压。14.一种制造带通滤波器的方法，所述方法包括以下步骤通过在基板的主面上形成多个压电谐振器来形成带通滤波器元件，并形成多个所述带通滤波器元件；所述形成每个所述压电谐振器的步骤包4舌以下步骤在所述基板上形成第一牺牲层，形成第一电4及，以覆盖所述第一牺4生层的一部分，形成压电膜，以覆盖所述第一电极和所述第一牺牲层，以及形成第二电才及，以覆盖所述压电膜的一部分，所述第二电才及具有与所述第一电才及重叠的部分，其中，所述压电膜夹置在所述第二电极和所述第一电极之间；在形成所述压电膜之后或者在形成所述第二电极之后，形成第一通孔以与形成在所述基纟反和所述压电膜之间的所述第一牺牲层连通；在形成所述第一通孔之后，形成第二牺牲层以覆盖所述压电膜上的所述第二电极；形成上部空间形成膜，以覆盖所述第二牺牲层；在形成所述上部空间形成膜之后，形成第二通孔以与形成在所述压电膜和所述上部空间形成膜之间的所述第二牺牲层连通；以及通过所述第一通孔去除所述第一牺牲层，并通过所述第二通孔去除所述第二牺牲层。15.—种电一见调谐器，包括多个开关，用于选择通过天线接收的电视信号；以及带通滤波器装置，对应于每个所述开关而设置；其中，所述带通滤波器装置包括置于基板的主面上的多个带通滤波器元件，个频道，并且每个带通滤波器元件均具有多个压电谐振器，而且每个所述压电谐振器均包括压电膜，其外围通过所述基板来支撑，第一电极，形成在所述压电膜的下表面上，第二电极，形成在所述压电膜的上表面上，并以与所述第一电极的至少一部分重叠的状态形成，其中，所述压电膜夹置在所述第二电4及和所述第一电才及之间，下部空间，形成在所述基板和所述压电膜之间，以及上部空间，形成在所述压电膜上方。16.—种电视接收器，包括电视调谐器，包括用于选择通过天线接收的电视信号的多个开关以及对应于每个所述开关而设置的带通滤波器装置；其中，所述带通滤波器装置包括置于基板的主面上的多个带通滤波器元件，个频道，并且每个带通滤波器元件均具有多个压电谐振器，而且每个所述压电谐振器均包括压电膜，其外围通过所述基板来支撑，第一电才及，形成在所述压电膜的下表面上，第二电极，形成在所述压电膜的上表面上，并以与所述第一电极的至少一部分重叠的状态形成，其中，所述压电膜夹置在所述第二电极和所述第一电极之间，下部空间，形成在所述基4反和所述压电膜之间，以及上部空间，形成在所述压电膜上方。全文摘要本发明公开了一种带通滤波器装置及其制造方法、电视调谐器以及电视接收器，其中，该带通滤波器装置包括多个带通滤波器元件，置于基板的主面上；其中，带通滤波器元件分别对应于通过频率区域所划分的多个频道，并且每个带通滤波器元件均包括多个压电谐振器。每个压电谐振器均包括压电膜，其外围通过基板来支撑；第一电极，形成在压电膜的下表面上；第二电极，形成在压电膜的上表面上，并以与第一电极的至少一部分重叠的状态形成，其中，压电膜夹置在第二电极和第一电极之间；下部空间，形成在基板和压电膜之间；以及上部空间，形成在压电膜上方。本发明具有大大降低所接收频道的噪声并执行高质量接收的优点。文档编号H03H9/19GK101540592SQ20091012719公开日2009年9月23日申请日期2009年3月17日优先权日2008年3月18日发明者吉田浩申请人:索尼株式会社