带有耦合体声波谐振器且具有阻抗匹配适应的滤波电路的制作方法

专利名称：带有耦合体声波谐振器且具有阻抗匹配适应的滤波电路的制作方法
技术领域：
本发明关于包括体声波谐振器(BAW)的集成电子电路和微系统的领域。
背景技术：
对使用声谐振器的关注正随着电信发展而增长，且尤其是随着需要小型化有效滤波电路的移动电话而增长。声谐振器的使用使得能够实现滤波电路中的高质量因子。几年来，由于其内在质量和SAW (表面声波)型谐振器无法提供的其集成简易性， BAff (体声波谐振器)型声谐振器已产生用于制造RF滤波电路的特定关注。除了其集成在半导体电路内以外，由于其针对制造复杂滤波电路所提供的多个组合可能性，BAW型集成电路尤其引起关注。声谐振器的第一组合件是基于“梯子”型或“格子”型架构。这些拓扑使得能够实现高度滤波功能，然而所述高度滤波功能具有在硅上展现不可忽视的占据表面面积的缺点。为了减少在衬底上所需要的空间，且根据以英语“SMR Coupled Filters (SCF) (SMR耦合滤波器(SCF))”命名且例如在由K · M ·拉金(K.M. Lakin)在2002 IEEE国际频率控制讨论会中所作的称为“体声波耦合谐振滤波器(Bulk Acoustic ffave Coupled Resonators Filters)”的文献(8A-1)中描述的已知技术，其中所堆叠的谐振器共享共用电极。图IA说明包括两个区段(分别为左和右)的此类结构，每一区段包括两个谐振器 1-2和3-4的堆叠。每一对谐振器1-2 (分别为3-4)具有共用电极，因而确保每一谐振器在彼此反向的定相上进行操作。因此，所述区段中的每一者构成一个极，且因而借助于左和右两个区段来实现两极滤波器。然而，由这种类型的滤波器获得的通带带宽不足够用于例如WCDMA等移动电话的现代应用。后来，已通过一个或一个以上具体耦合层来研究图IB中所展示的在谐振器的区段中的每一者内引入耦合，且这已导致实现如在此图中展示的命名为耦合谐振滤波器 (CRF)的结构。在所展示的例子中，滤波器的声隔离由布拉格反射体来实施。如在图中所展示，电路包括两个结构(分别为左和右)，其关于穿过图中部的垂直轴线完全对称。第一区段(或左区段)分解成上部谐振器，所述上部谐振器包括将由压电材料制成的层7夹在中间的两个电极(分别为下部电极11和上部电极12)。组合件定位在实施声耦合的层6上方，所述层6放置在下部谐振器上，所述下部谐振器包括将压电材料层4夹在中间的两个电极，分别为下部电极3和上部电极5。在垂直轴线的另一侧上，且与第一区段完全对称，电路包括第二级(或右区段)，其分解成由声耦合层6分离的上部谐振器和下部谐振器。上部谐振器分成将层7夹在中间的两个电极下部电极21 (可能连接到电极11)和上部电极22。下部谐振器分解成将层4夹在中间的两个电极3和5。
由两个区段制成的组合件放置在声镜2 (或膜)上，所述声镜放置在可能包括MOS 或CMOS技术中的逻辑或模拟电路的硅或SiGe衬底1上。命名为CFR的此结构为所属领域的技术人员众所周知，且不需要进一步描述此结构，尤其是其制造工艺。将仅提醒的是，上部谐振器(电极11和12以及层7)接收待滤波的电信号，且将电信号转换成作为体波的声波。此体波由声耦合通过层6发射到第一级的下部谐振器，其中体波被转换成发射到第二区段的下部谐振器的电信号，这是由于此谐振器共享第一区段的下部谐振器的相同电极。体波接着由声耦合通过层6发射到位于图IB的右侧的第二区段的上部谐振器。借助于此CRF结构，实现了展现四个谐振极和比针对SCF滤波器所展现的带宽大的带宽的滤波响应。可优化声耦合以实现称为“临界”的耦合，其为滤波器的波纹比与插入损耗之间的最佳折衷。其密切取决于构成CRF的不同层(尤其是中间耦合镜)的特征和厚度。对于讲一步细节将尤其参看以下参考“耦合谐振滤波器(化卯/^/ Resonators Filters )”, K ·M ·拉金(K. Μ· LAKIN)，文件 3D-5，IEEE 2002 超声波讨论会，10 月 8 日到 11曰。此类已知CRF结构尤其关于在硅衬底上获得的空间节约展现巨大优点。此外，已尝试实施天线与定位在滤波电路下游的电子电路之间的阻抗变换和模式转换的功能。具有有限的操作功率和频率带宽的非集成的SAW型滤波器实现这些功能，但其有时需要麻烦的外部电感。对于CRF，第一已知解决方案由优化所述结构的区段中的每一者中的电极的表面面积构成，以便改变等效电容且因此增加在输出处展现的阻抗值。在图2A中，展示右区段的尺寸减小两倍，这使得能够实现50 Ω到100 Ω型的阻抗匹配。然而，在图2Β中，展示由于在滤波电路自身内的匹配的缺点，表面面积的改变导致引入补充插入损耗，尤其是在如图2C中所说明的两个区段之间的电互连的层级处。对于等于4 (或等于的变换比，可移除与此失配相关的插入损耗。已知技术由使用包括两个区段(因此四个谐振器)的两个相同滤波路径构成，且以令人满意的方式(串联或并联)电互连用于所述区段中的每一者的两个上部谐振器。图3Α展示电互连这些谐振器的方式。滤波器包括两个区段(分别为左区段和右区段)，每一区段具有两对基本谐振器。 左区段包括下部对41-42和上部对43-44，而右区段包括下部对45-46和上部对47-48。还在两个谐振器41和45的下部和上部电极中的每一者之间建置电连接，且以相同方式针对两个谐振器42和46建置电连接。左区段的两个谐振器的下部电极也被连接，且此外右部分的两个上部谐振器以反并联方式连接。图IBB展示在作为滤波器的部分的两个路径中的每一者中，在两个区段之间在下部谐振器41-45和42-46的层级处实现阻抗匹配。以此方式，建置了保证有效阻抗匹配(驻波比(SWR) < 2)和变换比等于四的滤波器结构。对于进一步细节将更明确地参看以下参考“用于使用耦合谐振器BAW技术的移动电话的单端到平衡滤波器(Single-to-balanced Filters for Mobile Phones Using Coupled Resonator BAff technology)”，G·范汀格(G. Fattinger)等人，IEEE 超声波讨论会 IEEE, 2004。基于相同原理，专利申请案WO 2005/046052 Al “薄膜声耦合变换器中的阻抗变换比控制(Impedance Transformation Ratio Control in Film Acoustically-Coupled Transformers)”提出通过在滤波器CRF中添加由两个区段制成的两个以上路径来实现若干其它变换比。这导致使用具有大大减少的表面面积的谐振器，此举致使电性能优化变复杂。这还促使增加上部谐振器之间的电互连的数目，且因此增加滤波器的表面面积及其插入损耗。CFR结构具有使得能够进行阻抗变换和模式转换的重要优点。然而，取决于待实现的变换比，所述结构就插入损耗和SWR来说或多或少是有效的。因此，无法设想实现阻抗匹配的全部可能组合。此外，而且这是更无法接受的缺点已知的CFR结构需要完全控制构成组件的各种层的制造工艺来完成。在实验室中已观察到，在电极层、压电层的层级处以及在耦合层的层级处的低分散导致同一区段的上部和下部谐振器的谐振频率的无法接受的偏移，从而不可逆地致使滤波器响应不顺从所要电信标准(GSM带、UMTS带等等)，且因此致使滤波器不可用。此处，存在对这些结构的制造工艺的主要限制制造昂贵且其可能会阻碍此类结构的工业发展。本发明旨在补救此些缺陷。

发明内容
本发明旨在提出一种滤波电路，其基于耦合体声波谐振器，易于集成在半导体衬底中，且最小化由电路的各种层的制造工艺所展现的变化的效应。本发明的另一目的是提供一种具有耦合声波谐振器的滤波电路，其提供阻抗匹配和变换的多个可能性，同时最小化插入损耗。本发明的第三目的是提供一种滤波电路，其易于集成在半导体产品中，且不需要 BALUN型变换器。本发明的另一目的是提供一种滤波电路，其适合于建置用于移动电信的接收和发射电路。本发明借助于基于耦合BAW谐振器的滤波电路来实现这些目标，所述滤波电路包括
-衬底；
-膜或声镜，其既定作为谐振器的机械支撑件来操作，且既定隔离衬底的声波；
-第一结构(左)，其包括借助于至少一个声耦合层彼此耦合的上部谐振器和下部谐振器，所述上部和下部谐振器具有第一区段(Al)；
-第二结构(右)，其包括借助于至少一个声耦合层彼此耦合的上部谐振器和下部谐振器，所述第二结构的所述上部和下部谐振器具有第二区段(A2)；
所述两个结构之间的电互连的特征在于，其包括在所述结构中的一者的下部谐振器与另一结构的上部谐振器之间的至少一个金属级间连接。此连接将被命名为穿级间连接或通路。所述两个结构之间的此连接允许对由滤波电路的制造工艺所展现的分散进行显著补偿，所述连接基本上不同于下部谐振器之间的常规连接。其导致对施加在制造工艺上的限制的显著释放，这是主要优点。在特定实施例中，左和右结构的上部和下部谐振器展现具有选定厚度的压电层， 所述厚度经选择以尤其使得实现由穿级间连接所连接的两个谐振器之间的阻抗匹配。因此，其导致阻抗匹配的多个可能性，这是由于右结构的谐振器的区段面积可任意地变化以使结构匹配于放置在下游的电子电路的阻抗，而与同时修改上部和/或下部压电层以便确保在CRF滤波器的两个结构之间的连接的层级处的阻抗匹配无关。在特定实施例中，所述谐振器为可通过例如薄膜沉积、溅射、真空下汽化或化学气相沉积(CVD)等技术建置的体声波(B. A. W)型谐振器。本发明还提供一种用于具有耦合谐振器的滤波电路的制造方法，其包括以下步骤
-提供衬底；
-将声镜放置在衬底或膜上方；
-放置第一(左)和第二 (右)结构，每一结构包括具有电极(由一种或一种以上金属材料制成)和压电层的下部谐振器； -安置至少一个声耦合层；
-安置具有电极(由一种或一种以上金属材料制成)和第二压电层的上部谐振器； - 安置金属通路，其放置于谐振器之间且确保一个结构的下部谐振器与另一结构的上部谐振器之间的穿级间电连接。


通过阅读在下文仅作为非限制性实例给出的描述和附图将明白本发明的其它特征、目的和优点。在附图中
图IA和图IB展示CRF型的已知滤波器的基础结构。图2A和图2B分别说明实施50 Ω到100 Ω型的阻抗匹配的已知滤波电路的俯视图及其等效电方案。图2C展示由于右区段的表面面积改变引起的失配所造成的损耗。图3Α和图:3Β分别说明确保具有变换比四而不具有补充损耗的阻抗匹配的已知 CFR结构及其等效电方案。图4Α展示根据本发明的结构的实施例。图4Β说明此类结构的等效方案，其展示以比率二实现的阻抗变换。图4C展示实施变换比等于二而不具有补充电损耗的电路的层的堆叠的特定实施例。图4D说明实施变换比等于二而不具有补充电损耗的电路布局的特定实施例。图4Ε为如在图4Β和图4C中所展示的具有阻抗变换比2的CRF滤波器的实施例的性能曲线与用图2Α中所展示的已知实施例获得的性能曲线之间的比较。此实例展示本发明的优点在其中实现阻抗变换的情况下未降低滤波器的电性能。图5展示滤波电路的特定实施例，其中所要阻抗变换比已由Δ指定且滤波器CRF 的输入阻抗已由A指定。图6说明根据本发明的滤波电路的架构的另一实例，其在与已知解决方案组合时使得能够放大变换比。举例来说，图7Α展示组成耦合镜的层中的一者的厚度的高于1%的分散对由两个区段制成的CRF滤波器的发射响应的效应。观察到，相对于对应于特定标准的所要参考通带带宽发生波纹比的重大增加和实际通带带宽的减少。图7Β展示此相同技术分散对由CRF滤波器的区段所展现的阻抗变换比的效应。图7C说明此技术分散对用图4Α的方法建置的滤波器的发射响应的效应。本发明使得能够非常显著地减少分散的负面效应。图7D说明与已知实施例相比此技术分散对用图4Α的方法建置的滤波器的反射响应的效应。本发明使得能够减少滤波器的通带带宽中的阻抗失配。图8说明根据本发明的制造方法的实施例。
具体实施例方式将描述的滤波电路尤其适合于既定用以例如GSM (全球移动通信系统)或WCDMA (宽带码分多址)等移动电话的RF滤波电路的制造。根据本发明的电路具有CRF型架构，所述架构包括安置在布拉格镜或膜上的声谐振器堆叠。要提醒的是，声镜包括具有不同声阻抗的层的堆叠，所述层的厚度经优化。两个相异层的交替实施声波的反射功能，其中一者展现高声阻抗且另一者展现低声阻抗。参看图4Α，描述根据本发明的具有耦合谐振器的滤波电路的制造。滤波电路由硅型衬底100制成，所述衬底以硅(Si)、砷化镓(GaAs)、玻璃或陶瓷建置。此衬底100可包括常规MOS结构，所述常规MOS结构使得能够实施不作为本发明的部分且将不再进一步描述的逻辑和/或模拟电路。滤波电路进一步包括定位在衬底100上方的由具有不同声特性的层的堆叠制成的反射镜101 (或布拉格镜)，所述堆叠安置在衬底100上。布拉格反射体确保在衬底100 内的声波的最小衰减。或者，将提供膜以将滤波电路与衬底隔离。滤波电路此外包括位于声镜上方的一组四个BAW型谐振器，所述谐振器相对于图 4A上的由200指定的垂直轴线均分成分别为左和右的两个不对称的结构。左区段包括由至少一个耦合声层130分离的两个谐振器的堆叠，两个谐振器分别为下部谐振器Iio和上部谐振器120，所述耦合声层可能分成若干耦合子层。如在图4A中所展示，左结构(分别为右结构)包括下部谐振器110(分别为210)，所述下部谐振器包括将压电材料层112 (分别为212)夹在中间的下部电极111 (分别为211) 和上部电极113 (分别为213)。左结构(分别为右结构)进一步包括上部谐振器120 (分别为220)，所述上部谐振器包括将压电材料层122 (分别为222)夹在中间的下部电极121 (分别为221)和上部电极 123 (分别为223)。所述谐振器为借助于例如薄膜沉积技术、溅射技术、真空下汽化技术或化学气相沉积(CVD)技术等众所周知的技术建置的体声波(B. A. W)型声谐振器。每一谐振器分解成压电材料和将此层夹在中间的两个电极，分别为下部电极和上部电极。压电材料可为&ι0、 A1N、ZnS或所属领域的技术人员已知的任何其它压电材料。电极可用适合于所尝试的应用的任何金属来建置，例如，钨(W)、铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、银(Ag)、金 (Au)或钽(Ta)。应注意，用于制造图4A中所展示的元件的步骤类似于用于常规滤波器CRF的方法，且因此将不再进一步详细描述。为了实施阻抗匹配功能，根据本发明的实施例，左结构的两个谐振器110和120展现共用区段Al，以及具有相应值Wb和Wt的压电材料的两个相异厚度。右结构的两个谐振器210和220展现相异于Al的共用区段A2，以及具有相应值 Wb和Wt的压电材料的两个相异厚度。与已知的CFR结构相反，两个左和右结构的下部谐振器彼此不连接。根据本发明的实施例，左结构的下部谐振器110借助于金属通路300和400连接到右结构的上部谐振器220。因此，金属通路300使得能够将谐振器110的下部电极111连接到谐振器222的下部电极221，而金属通路400确保谐振器110的上部电极113到谐振器 222的上部电极223的连接。对于此拓扑，谐振器120和210分别充当滤波电路的输入谐振器和输出谐振器。因此，滤波电路的左结构分别通过两个谐振器110和220连接到其对应的右结构， 所述谐振器同时展现相异区段(分别为Al、A2)和压电材料的相异厚度(ffb、Wt)。因此，可以适合地选择区段Al和A2的活动表面面积的值以及厚度Wb和Wt的值以保证谐振器Iio与220之间的电方面的完全匹配。为了以二的比率实施阻抗匹配，在50 Ω 到100 Ω型的电路的情况下，可选择以下厚度Wb与Wt以及区段Al与Α2的参考面积之间的比率
Wb = Wt χ V 2 Al = Α2 χ V 2
因此观察到，如果谐振器110具有比谐振器220的区段面积重大的区段面积，那么其介电材料的厚度然而以相同比率减少，因此确保电阻抗恒等。每一区段中的上部与下部谐振器之间的频率对准通过调整(例如)与每一压电层相关联的电极的厚度来实现。图4Β说明此类结构的等效方案，其展示用于具有输入阻抗50 Ω和输出阻抗100 Ω 的CRF滤波器的区段之间的阻抗匹配。图4C和图4D说明使得能够建置具有阻抗变换比等于二的滤波电路的层堆叠和布局的特定实施例。以用于电极的Mo和用于压电层的AlN来建置谐振器。耦合层由钨(W)以及由二氧化硅(SiO2)制成。图4Ε将根据已知实施例的具有阻抗变换的CRF滤波器(图2Α)的电响应与根据本发明的具有阻抗变换的CRF滤波器(图4D)的电响应进行比较。图5说明滤波电路的特定实施例，其中已说明所要阻抗变换比Δ。在此特定实施例中，观察到阻抗变换是通过以比率V Δ增加下部压电层的厚度而右部分的区段的面积已以相同比率V Δ减少来实施。图6的结构是基于与已知实施例组合地使用本发明的实施例以增加阻抗变换比。所说明的实例为具有由两个区段制成的两个路径的CRF滤波器，所述CRF滤波器具有输入阻抗50 Ω和输出阻抗4 Δ χ 50 Ω。本发明实现变换比Δ。为了突出本发明的利益和优点，回到两个重要的技术效应是有用的。1.对施加在制造工艺上的限制的释放
如上文所描述，CFR滤波电路包括两个左和右区段，每一区段包括两个压电谐振器的堆叠，以及在一个区段的下部谐振器与另一区段的上部谐振器之间的至少一个直接连接。滤波电路的此实施特性提供制造工艺的重要优点。因此，已观察到，由导致不同层尤其是压电层、电极或耦合层之间的变化的制造工艺造成的分散对引入所述结构中的每一者的上部与下部谐振器之间的频率偏移有影响。这是由于每一区段中的两个谐振模式之间的声耦合的修改以及电响应的更改。此问题为所属领域的技术人员众所周知，且将不再详述。因此，重要的限制以必须能够实施在厚度方面展现非常高的准确性的层的制造工艺为条件。在图7Α中说明这些限制，其中光分散可致使滤波电路完全不顺从由标准所界定的滤波轮廓。图7Β展示由滤波器区段展现的变换比(最初接近1)的演变，所述滤波器区段在耦合层上具有(例如)达到5%的技术分散。所提出的新结构允许对这些限制的显著释放。实际上，图7C展示在耦合层上具有高达5%的技术分散的滤波器的电响应的演变。与图7Α相比，清楚地观察到，分散效应减到最小。事实证明，尽管存在分散，电路仍保持在所要的滤波轮廓内。图7D展示在耦合层上具有高达5%的技术分散的滤波器的反射响应的演变。在左边，展示针对图4Α的电路所获得的响应。在右边，展示针对常规滤波器所获得的响应。如所证明，根据本发明的结构的使用导致显著释放对制造工艺的限制，因此提供低成本制造的前景。2.阻抗匹配
根据本发明的CRF滤波电路包括两个区段，左区段和右区段，每一区段包括两个声谐振器的堆叠以及在一个区段的下部谐振器与可展现不同活动表面面积以及压电层的不同厚度的上部谐振器之间的至少一个直接连接。如上文所描述，在修改右区段的谐振器的表面面积(如所已知)以实现输入与输出之间的阻抗变换(例如50到100欧姆或50到200欧姆)时，已看到在左区段和右区段的下部谐振器的电连接的层级处形成失配。实际上，左区段和右区段的下部谐振器具有不同面积，这导致其不同的等效电容， 且因此形成阻抗失配。图5中所展示的新结构通过实施下部左谐振器与上部谐振器之间的连接来解决此问题，其压电电学不是由与针对下部左谐振器的层实行的相同制造工艺产生的，且因此能够展现压电材料的不同厚度。这由此导致，将可以仅修改这两个谐振器的压电层的厚度和每一区段的活动表面面积，以便重建这两个谐振器之间的阻抗匹配。每一区段中的上部与下部谐振器之间的频率对准是通过调整(例如)与每一压电层相关联的电极的厚度来获得。所提供的此自由度现在允许设想不具有补充电损耗的全部阻抗匹配组合，因此以显著增加所提议的新CFR结构的应用领域。由于可能抑制先前观察到的由区段之间的失配造成的损耗，所以此处理允许极好地改进滤波电路性能。上文已描述的结构具有重要的优点，这是由于其一方面允许显著释放对制造工艺的限制，且另一方面允许提供滤波器的输入与输出之间的阻抗变换比的较大区间。现在将相对于图8描述根据本发明的滤波电路的制造工艺。本发明借助于大部分基于用于制造已知CRF滤波器的现有工艺的方法来允许实施具有耦合谐振器的有效滤波器。出于此目的，所述方法包括以下步骤
在步骤701中，准备既定接纳谐振器的结构的衬底100。有可能的是，将准备所述衬底以接纳所属领域的技术人员众所周知的MOS型的其它结构。在步骤702中，根据已知的方法将声镜101安置在衬底上方。替代方式是实施膜以将装置与衬底在声学上隔离。在步骤703中，安置经蚀刻以分别实施图6的下部电极111和211的第一金属层。在步骤704中，安置既定实施层112和212的压电材料，例如A1N。在步骤705中，安置接着经蚀刻以实施电极213和223的第二金属层。在步骤706中，安置一个或一个以上声耦合材料层130。在步骤707中，安置既定形成上部谐振器120和220的下部电极(121、221)的第
三金属层。在步骤708中，安置既定实施层122和222的第二压电层。在步骤709中，安置既定实施经蚀刻以定界两个左和右结构的上部电极123和223 的第四金属层。所述操作由钝化步骤来补充，接着在步骤710中实施既定在左结构与右结构之间建置“穿”级间连接300和400的两个通路。应注意，沉积步骤阶段为通过沉积薄膜、通过溅射、通过真空下汽化或通过化学气相沉积(CVD)进行的现有技术的已知步骤。而且，蚀刻步骤借助于所属领域的技术人员众所周知的干式蚀刻或湿式蚀刻的蚀刻技术来实行，其不需要进一步描述。本发明有利地适用于移动电话，尤其是既定准确地识别尤其彼此靠近的两个频带的通带滤波器的实施。
权利要求
1.一种具有耦合谐振器的滤波电路，其包括衬底(100)；声镜(101)或膜，其既定充当压电谐振器的支撑件且将所述压电谐振器与所述衬底隔离 ；第一结构(左)，其包括借助于至少一个声耦合层(130)彼此耦合的上部谐振器(120)和下部谐振器(110)，所述上部和下部谐振器具有第一区段(Al)；第二结构(右)，其包括借助于至少一个声耦合层(130)彼此耦合的上部谐振器(220)和下部谐振器(210)，所述第二结构的所述上部和下部谐振器具有第二区段(A2)；所述滤波电路的特征在于，其包括实施一个区段的所述下部谐振器与另一区段的所述上部谐振器之间的级间连接的金属通路。
2.根据权利要求1所述的具有耦合谐振器的滤波电路，其特征在于所述上部谐振器具有压电层，所述压电层具有与所述下部谐振器的厚度不同的选定厚度，且所述滤波电路的特征在于所述区段Al具有与所述区段A2不同的表面面积，以便实施所述第一与区段之间的阻抗匹配。
3.根据权利要求1或2所述的滤波电路，其特征在于所述谐振器为体声波(B.A. W)型谐振器。
4.根据权利要求3所述的滤波电路，其特征在于所述BAW型谐振器通过薄膜沉积、溅射、真空下汽化或化学气相沉积(CVD)的技术来建置。
5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的滤波电路，其特征在于所述BAW型谐振器包括可为aiO、A1N、ZnS的压电材料。
6.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的滤波电路，其特征在于所述谐振器包括由例如钨(W)、铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、银(Ag)、金(Au)或钽(Ta)制成的电极。
7.根据前述权利要求中任一权利要求所述的滤波电路，其特征在于所述滤波电路用以实施用于移动电话的接收或发射电路。
8.一种用于制造具有耦合谐振器的滤波电路的方法，其包括以下步骤提供衬底(100);将声镜(101)安置在所述衬底上方或膜上方；安置第一(左)区段和第二 (右)区段，每一区段包括具有电极和压电层的下部谐振器 (110,210)以及上部谐振器(120、220)，所述下部和上部谐振器由至少一个声耦合层(130) 分离，所述第一和第二区段由确保一个结构的下部谐振器与另一结构的上部谐振器之间的级间连接的金属通路连接。
9.根据权利要求8所述的用于制造的方法，其特征在于所述方法包括将声镜(101)或膜布置在所述衬底上方；布置第一金属层，所述第一金属层既定实施所述第一和第二区段的所述下部谐振器的下部电极(211、221)；布置第一压电层(111);布置第二金属层，所述第二金属层既定实施所述第一和第二区段的所述下部谐振器的上部电极(213)；布置一个或一个以上声耦合材料层(130)，所述层确保所述所叠加的谐振器之间的临界華禹合；布置第三金属层，所述第三金属层既定实施所述第一和第二区段的所述上部谐振器的下部电极(121、221)；布置第二压电层(122、222)；布置第四金属层，所述第四金属层既定实施所述第一和第二区段的所述上部谐振器的上部电极(123、223)；布置所述滤波电路的两个左和右结构；布置在一个结构的所述下部谐振器的电极与另一结构的所述上部谐振器的电极之间的金属连接的至少一个通路。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于BAW型谐振器包括可为&ι0、A1N、ZnS的压电材料。
全文摘要
本发明提供具有耦合谐振器的滤波电路，其包括衬底(100)；声镜(101)或膜，其既定充当声谐振器的机械支撑件且将这些谐振器与所述衬底隔离；第一区段(左)，其包括借助于至少一个声耦合层(130)彼此耦合的上部谐振器(120)和下部谐振器(110)，所述上部和下部谐振器构成第一区段(A1)；第二区段(右)，其包括借助于至少一个声耦合层(130)彼此耦合的上部谐振器(220)和下部谐振器(210)，所述第二区段的所述上部和下部谐振器构成第二区段(A2)；以及金属通路，其实施一个区段的所述下部谐振器与另一区段的所述上部谐振器之间的级间连接。
文档编号H03H9/58GK102282764SQ200980153622
公开日2011年12月14日 申请日期2009年12月11日 优先权日2008年12月12日
发明者亚历山大·沃拉捷, 琼-弗兰斯瓦·卡朋蒂埃, 皮埃尔·巴尔 申请人:意法半导体公司