专利名称：噪声发生器的制作方法
技术领域：
本发明涉及用于产生随机序列或随机位的种子的器件。更具体地说，本发明涉及 一种防止干扰信号干扰以便提供可用于产生随机位的真正随机种子的噪声源。
背景技术：
随机数或随机位通常是伪随机(PN)类型，由反馈移位寄存器产生。这种PN序列是 确定且循环的，但当以随机时间间隔快照时，在足够长的周期看上去该PN序列是随机的。 通过用真正随机值来播种PN发生器，PN码将具有更好的统计特性。这种种子例如可从热 噪声(其原则上是随机的)中产生。由于电路缺陷，热噪声将包含循环，诸如寄生信号和时 钟馈通，这使它更不适合单独用作随机发生器。通过将热噪声源与移位寄存器相结合，并采 用其它信号处理，可获得更好的结果。噪声器件一般由放大的热噪声源、噪声振荡器或不规则反馈电路组成。热噪声来 源于高欧姆电阻器或反偏PN结(其中经常采用一些击穿机制)。由于振荡器的频率稳定性 低，振荡器通常基于驰张振荡器或环形振荡器。W. Timothy Holman, J. Alvin Conolly 和 Ahmad B. Dowlatabadi 的“集成模拟 / 数字随机噪声源，，(IEEE Transactions on Circuits andSystems I -Fundamental Theory and Applications, 44 (6) :521-528,1997年6月)公开了一种模拟/数字随机噪声源。大 电阻器用作热噪声发生器。该电阻器耦合到用于放大弱噪声的运算放大器，其中放大的噪 声信号馈送到比较器的非反相输入，并经低通滤波器馈送到该比较器的反相输入，以去掉 DC和低频分量。比较器将基于噪声输入信号产生数字随机输出。Craig S. Petrie和J. Alvin Conelly的“用于密码学应用的基于噪声的IC随机 数发生器，，(IEEE Transactions on Circuits and Systems I !Fundamental Theory and Applications, 47 (5) :615-621, 2000年5月)公开了一种随机数发生器。来自包括噪声源、 低通滤波器和Ι/f滤波器的噪声器件的噪声被放大，并经限幅器馈送到采样和保持电路的 输入，并最终馈送到产生随机输出的电流控制振荡器。两个50欧姆η井输入的电阻器用于 产生可预测电平的热噪声。根据已知现有技术的解决方案利用了运算放大器，其中该放大器的尺寸确定不是 设计用于高的噪声/干扰比，而是用于常规尺寸确定参数，诸如电流、驱动能力、固有噪声 等。同样，没有提供噪声发生器免受干扰的保护。以上解决方案的缺点是在产生热噪声的过程中作为用于产生随机位序列的种子， 其中上述方法并不完全适于数字CMOS技术。电阻器值必须高，这意味着，如果在集成电路 上实现，则这些电阻占的面积很大，导致增加基底和其它电容耦合干扰的倾向。此外，并不 是所有CMOS技术都提供合适的电阻器。用作噪声源的反偏PN结常常依赖于载波相乘来放大噪声，这导致了高噪声电平，其在宽噪声带宽情况下是有噪声的。遗憾的是，在标准数字 ASIC技术中没有具有足够低击穿电压的合适结可用。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种用于产生真正随机种子的器件，该种子用于产生随 机位序列。并且，目的是提供一种用于在接通时产生随机种子的器件，该种子用于产生具有 快速稳定时间的随机位序列。包括噪声源和放大器的用于产生具有高噪声/干扰比的噪声信号的器件实现了 以上目的。根据本发明的器件具有防止噪声源受到干扰信号干扰的设计。此外，来自MOS 晶体管的固有噪声被用作噪声源，借助于连接到电源和所述噪声晶体管的负载以及连接到 所述噪声晶体管和接地部件的尾电流源，来防止噪声源受到干扰信号的干扰。所有这些元 件共同组成噪声放大器。在放大器链中进一步放大来自噪声放大器的噪声。DC反馈滤波器 和噪声放大器与随后的第一放大器单元之间的对称性提供了快速稳定时间，因为在反馈滤 波器稳定之前噪声将是可用的。在本发明的一个实施例中，放大器链的输出用作振荡部件的偏置源。响应于调制 振荡部件的偏置，所述振荡部件将产生真正的随机输出。本发明的另一个目的是，提供一种包括用于产生真正随机种子的器件的集成电 路，该随机种子用于产生随机位序列。通过包括用于产生具有高噪声/干扰比的噪声信号的器件的集成电路来实现上 述目的，该器件包括噪声源和放大器。在本发明的一个实施例中，使用标准CMOS技术来实 现该器件的所有元件，其中保护噪声源使之不受干扰信号的干扰。本发明的又一目的是，提供一种包括用于产生随机种子的器件的电子装置，该随 机种子用于产生随机序列。根据本发明，通过包括用于产生具有高噪声/干扰比的噪声信号的器件的电子装 置来实现上述目的，该器件包括噪声源和连接到该噪声源的放大器，其中防止该噪声源受 到干扰信号的干扰。此外，根据本发明，该噪声用作振荡部件的偏置源。本发明的一个优点是提供了高噪声/干扰比，其中可产生用于产生随机位序列的 真正随机种子。此外，根据本发明的器件的所有电路块，包括电阻器和电容器，都可提供有 CMOS技术。放宽了所有公差，并且只有相对匹配是重要的，使其与芯片级实现兼容。此外， 由于利用了正规MOS器件的热和Ι/f噪声，因此不需要专用噪声器件，诸如高值电阻器或齐 纳二极管。本发明的另一个优点是，噪声放大器链的DC耦合避免了信号通路的分路，并避免 了通过来自耦合电阻器的寄生信号引入干扰。根据本发明的器件的最佳尺寸确定具有如下优点放大器链的差分结构最小化了 共模引起的干扰。此外，将负载连接到电源、通过使用级联PMOS负载和NMOS尾电流源最小 化从Vdd到地的阻抗通路，最小化了来自电源、地和基底的耦合通路。此外，使用噪声放大 器的同一基本放大器单元(其具有最佳器件尺寸确定)和放大器的至少一个放大器单元具 有不需要级间耦合电阻器的优点，这将进一步增加噪声电平，并由此增加噪声/干扰比。本发明的另一个优点是，用于产生种子的器件可用作独立噪声源，并因此适合用作任何使用噪声源的电子装置中的集成元件。在从属权项中定义了本发明的其它优选特征。应强调的是，当在本说明书中使用术语“包括”时，用于指定所阐述特征、整数、步 骤或部件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整数、步骤、部件或其群组的存在或附 加。
现在将参考附图更详细地描述本发明的实施例和各种其它方面，附图中图1示出了包括用于产生噪声信号的器件的移动电话；图2示出了用于产生噪声信号的器件及示例性振荡部件的原理；图3是根据图2产生噪声信号的器件的一个实施例的更详细图；图4是根据本发明的基本放大器单元的图示；图5是实施为噪声放大器的噪声源的一个实施例的详细图示；图6a是图2放大器的第一放大器单元的一个实施例的详细图示；图6b是图2放大器的第二放大器单元的一个实施例的详细图；图7示出包含在本发明中的DC补偿反馈滤波器的原理；图8是图7反馈滤波器的一个实施例的更详细图示；以及图9是图2示例性振荡部件振荡放大器的一个实施例的详细图。
具体实施例方式图1示出了实施为移动电话1的电子装置，其中采用了本发明。然而，本发明并不 局限于移动电话1，而可在任何使用噪声源的电子装置中实现。移动电话1包括用于例如通 过移动电信网络与其它电子装置通信的各种电路。该电子装置还可实施为移动无线终端、 寻呼机、通信器，诸如电子管理器或智能电话等。为了提供安全通信，移动电话1包括密码 块，该密码块可分别用于加密和解密。因此，移动电话1适于提供本身已知的密码功能。根 据本发明的一个实施例，用于产生噪声信号的器件与其它功能块(诸如密码块)一起提供 为集成电路，以形成结合在移动电话1中的ASIC (专用集成电路)。图2示出了用于产生随机位序列的器件的原理，该器件包括根据本发明用于产生 噪声信号的器件10，器件10包括输出端连接到放大器12输入端的噪声源11。在一个示例 性实施例中，放大器12的输出端连接到诸如压控振荡器(VCO)的振荡部件13的输入端，用 于产生具有许多抖动和独立于移动电话1时钟系统的频率的连续位流。在该实施例中，振 荡部件13的输出又连接到诸如低扇出缓冲器的缓冲器14的输入。噪声源11产生弱宽带噪声信号，该信号被放大器12放大为接近特定电压，诸如 lOOmV-。然而这个值并是决定性的，而且必须在每个特定配置中测试和估计。根据本发明 的一个示例性实施例，放大器12放大的噪声用于调制振荡部件13，下面将进一步描述。因 此，振荡部件13将产生具有许多抖动和独立于时钟系统的频率的连续位流，并且该位流由 缓冲器14缓冲。图3示出了根据本发明用于产生噪声信号的器件10的更详细实施例。噪声源11 包括噪声放大器100，放大器12分别包括DC耦合的第一和第二级联放大器单元200和300，并且示例性振荡部件13包括三个振荡放大器400a、400b、400c和一个差分放大器500。而 且，所述器件10连接到反馈放大器15和偏置部件16，该偏置部件具有分别提供第一和第二 偏置biaSl和的第一和第二输出端17、18。根据本发明，热和/或Ι/f噪声用作噪声源。在本发明的优选实施例中，来自MOS 晶体管的固有噪声用作产生热噪声的噪声源11。而且，如下面将描述的，来自后面放大器的 Ι/f噪声将用于进一步改进根据本发明器件的噪声特性。然而，固有噪声非常弱，Vn2 kT/ Cgs，其中k是玻尔兹曼常数，T是绝对温度，而Cgs是晶体管的栅极源极电容。而且，为了提 供真正随机噪声，必须保护噪声源使之免受干扰时钟信号的干扰，该干扰时钟信号可经由 电源和偏置线路并通过ASIC基底进入噪声源，该ASIC中结合了产生噪声信号的器件10。由于MOS晶体管中可用的低噪声电平，放大器12放大由噪声源11产生的噪声。 放大器12通过使用包括多个放大器单元200、300的放大器链增大噪声的方式来实现放大。 放大器单元最好与噪声源11同一类型。如下面将描述的，噪声源11是真正没有输入信号 的放大器。根据本发明的一个实施例，噪声源11和放大器12的所有元件都可构建在同一 基本放大器单元600的周围，这将在下面描述。图4示出了本发明的基本放大器单元600，其中保护放大器件(包括噪声源)使之 免受干扰信号的干扰。MOS晶体管本身用作放大器件。由于固有噪声非常弱，因此具有高 功率增益的放大器是优选的。因此，根据优选实施例使用共源放大器，因为这是具有最高功 率增益的配置。MOS晶体管在集成电路上非常小，并且对于放大器件的相邻器件而言，干扰 信号和场将具有同一大小和方向。通过使用放大器件的差分拓扑，这种干扰将显示为共模 (CM)信号，通过优化电路和布局对称性可抑制该共模信号，这将在下面进行说明。图4中所示的基本放大器单元600包括第一晶体管对60Ia和60Ib、第二晶体管对 602a和60 、第三晶体管对603a和60 以及第四晶体管对60 和604b。根据本发明的 一个实施例，第一和第二晶体管对601a、601b、6(^a、602b是用作共源放大器负载的PMOS器 件。在一个实施例中，第三和第四晶体管对603a、603b、6(Ma、604b是NMOS器件，其中第三 晶体管对603a、60;3b是共源放大器，而第四晶体管对6(Ma、604b是尾电流源。PMOS晶体管601a、601b、6(^a、602b使用公共偏置，其中第一晶体管对601a、601b 的栅极经第一偏置端607a连接到第一偏置biaSl，而第二晶体管对60h、602b的栅极经第 二偏置端607b连接到第二偏置bias2。第一晶体管对601a、601b的源极和体(bulk)连接 到电源(Vdd)。第一晶体管对601a、601b的漏极分别连接到第二晶体管对60h、602b的源 极。第二晶体管对60h、602b的漏极分别连接到第三晶体管对603a、60;3b的漏极和第 四晶体管对6(Ma、604b的栅极。第三和第四晶体管对603a、603b、6(Ma、604b的体连接到接 地部件，诸如在其上实现基本放大器单元600的基底。第三晶体管对603a、60;3b的源极分别 连接到第四晶体管对6(Ma、604b的漏极。而且，第三晶体管对603a、603b的源极短路。第 四晶体管对6(Ma、604b的源极连接到接地部件。第四晶体管对6(Ma、604b的栅极分别连接 到第二晶体管对60h、602b的漏极，还分别连接到第一和第二输出端60fe、605b。第三晶体 管对603a、603b的栅极分别连接到第一和第二输入端606a、606b。为了最大化共模抑制比(CMRR)和电源抑制比(PSRR)，基本放大器单元600的差 分放大器(即第三晶体管对603a、603b)和尾电流源(即第四晶体管对6(Ma、604b)连接到接地部件。所述尾电流源提供共模反馈，该共模反馈将NMOS尾电流源6(Ma、604b设为适当 的静点。因此，从第三晶体管对603a、603b到Vdd具有很高的阻抗通路(负载)极为重要。 在图4的实施例中，第一和第二晶体管对601a、601b、6(^a、602b的级联PMOS晶体管提供了 该负载。在集成电路中不可避免的是，电源电压将携带具有大约IO-IOOmV较大尖峰信号的 干扰信号。通过使负载阻抗最大，最小化了进入第三和第四晶体管对603a、603b、6(Ma、604b 的NMOS晶体管的Vda感应干扰电流。根据本发明的优选实施例，已选择了级联PMOS负载。通过第一和第二晶体管对的级联耦合，抑制了连接到Vdd的第一晶体管对601a、 601b的PMOS晶体管之间的失配，如图4中所示，其中最大化了负载阻抗。因此，进入第三和 第四晶体管对603a、603b、6(Ma、604b的干扰电流将被最小化。在备选实施例中，基本放大器单元600的极性改变了，其中第一和第二放大器对 60la、60lb、602a、602b由NMOS晶体管替代，而第三和第四晶体管对603a、603b、604a、604b 由PMOS晶体管替代。在又一个实施例中，基本放大器单元600的晶体管被提供为双极结型晶体管 (BJT)。在另一实施例中，尾电流源可提供为电阻器。给尾电流源提供电阻器可能导致不稳 定的工作点。因此，当电阻器用于提供尾电流源时，提供附加偏置部件(未示出)来控制静 点。同样，在备选实施例中，由电阻器(未示出)提供第三和第四晶体管对603a、603b、6(Ma、 604b的载荷。在备选实施例中，第一晶体管对601a、601b之间的任何失配通过短路它们的漏极 端(未示出)来得以消除。因此，进入第一晶体管对601a、601b的来自Vdd的干扰将同相 地通过所述晶体管，其中如果它们完全匹配，则其漏极电位相等。因此，可提供第一晶体管 对601a、601b漏极之间的短路。所述短路要求第一晶体管对601a、601b之间的任何不匹 配对于第二晶体管对60h、602b都是不可见的。对于差分信号，在所述漏极没短路的情况 下，漏极电位不相等，其中在漏极不提供信号接地。然而，提供短路将提供差分信号的虚拟 接地点，由此将降低差分输出阻抗，并由此降低差分负载阻抗增益。在通过使所述晶体管的 漏极短路的方式维护第一晶体管对601a、601b之间的失配之后，第二晶体管对60h、602b 的其余两个PMOS晶体管和第三晶体管对603a、6(Ma的NMOS晶体管之间的失配将留作为有 限共模抑制比(CMRR)的源。从共模角度来看，负载阻抗并不因并联而受到损害，但差分负 载阻抗受到损害，如上所述。在第一和第二晶体管对601a、601b、6(^a、602b的晶体管并联 情况下，即601a与601b并联，而60 与602b并联，当第一晶体管对601a、601b的漏极短 路(未示出)时，第三和第四晶体管对603a、603b、6(Ma、604b的NMOS晶体管经历了各为 gdS603+gdS602的低频负载。然而，当第一和第二晶体管对601a、601b、6(^a、602b按图4中所 示的第一实施例连接时，第三和第四晶体管对603a、603b、6(Ma、604b的NMOS晶体管的每个 负载将大约为&s6(l3+&s6。2 · g-cu/s^，这导致更高的差分增益，gm是晶体管的跨导。应注意 的是，根据本发明的另一实施例(未示出)，第三和第四晶体管对603a、603b、6(Ma、604b的 NMOS晶体管的载荷(即第一和第二晶体管对601a、601b、6(^a、602b)可设有电阻器。将尾电流源(即第四晶体管对6(Ma、604b)的栅极连接到输出端60fe、605b (并因 此连接到第二晶体管对60h、602b的漏极)通常将迫使所述第四晶体管对进入三极管区。 然而，通过适当调节第三和第四晶体管对603a、603b、6(Ma、604b之间的长度-宽度比，即使 在考虑第三晶体管对的背栅(back-gate)效应时，第四晶体管对6(Ma、604b也将几乎处于五极管区。并且，在晶体管周围增加几个基底接点、以及通过最大化布局对称性的方式，在 地和基底之间的干扰短路时，CMRR将足够高。根据优选实施例，以相同方式确定基本放大 器单元600的PMOS晶体管和NMOS晶体管的尺寸，来放大偏置。因此，根据本发明的优选实 施例，晶体管的尺寸确定(sizing)，即宽度-长度比Z，设置为
权利要求
1.一种用于产生噪声信号的器件(10)，包括用于产生固有噪声的噪声源(11)，其中所 述噪声源(11)是具有放大部件(103a，10 )、连接到所述放大部件和电源的负载(101a， 101b, 102a, 102b)以及连接到接地部件和所述放大部件(103a，10 )的尾电流源(104a， 104b)的噪声放大器单元(100)，并且其中所述固有噪声为所述放大部件(103a，103b)的固 有噪声，其中所述噪声放大器单元中所述放大部件的输入端在AC方面被短路到接地部件。
2.如权利要求1所述的器件，其中所述放大部件包括共源放大器(103a，10 )。
3.如权利要求2所述的器件，其中所述共源放大器(103a，103b)包括具有差分拓扑的 晶体管(103a, 103b)。
4.如权利要求2所述的器件，其中所述尾电流源(10 ，104b)连接到所述放大部件 (103a, 103b)和接地部件，以提供共模反馈。
5.如权利要求1-4中任一项所述的器件，其中所述负载包括电阻器。
6.如权利要求1-4中任一项所述的器件，还包括DC耦合到所述噪声放大器单元(100) 的第一放大器O00)，所述噪声放大器单元(100)的输出端(105a，105b)连接到第一放大器 (200)的各个输入端(206a, 206b)。
7.如权利要求6所述的器件，其中第一放大器O00)的结构相同于所述噪声放大器单 元(100)的结构。
8.如权利要求6所述的器件，还包括具有连接到第一放大器(200)输出端Q05a， 205b)的第一和第二输入端(306a，306b)的差分放大器(300)，所述差分放大器包括放大部 件(303a，30 )、连接到所述放大部件和电源的负载(301a，301b，302a，302b)以及连接到 接地部件和所述放大部件的尾电流源(30 , 304b)。
9.如权利要求8所述的器件，其中所述噪声放大器单元(100)、第一放大器(200)和差 分放大器(300)的负载(101a, 101b, 102a, 102b ；201a, 201b, 202a, 202b ；301a, 301b, 302a, 302b)、放大部件(103a, 103b ；203a, 203b ；303a, 303b)和尾电流源(104a, 104b ；204a, 204b ；304a, 304b)包括MOS (金属氧化物半导体)晶体管。
10.如权利要求8所述的器件，其中所述噪声放大器单元(100)、第一放大器(200)和 差分放大器(300)的所述负载、所述放大部件和所述尾电流源包括BJT (双极结型晶体管) 晶体管。
11.如权利要求1-4中任一项所述的器件，其中所述负载包括两个PMOS晶体管对 (101a, 101b, 102a, 102b ；201a, 201b, 202a, 202b ；301a, 301b, 302a, 302b)，并且所述放大部 件和所述尾电流源包括NMOS 晶体管(103a，103b，104a，104b ；203a, 203b, 204a, 204b ；303a, 303b,304a,304b)。
12.如权利要求1-4中任一项所述的器件，其中所述负载包括NMOS晶体管，且所述放大 部件和所述尾电流源包括PMOS晶体管。
13.如权利要求11所述的器件，其中所述放大部件的晶体管(103a，10 )的宽度-长 度比(Z)至少是所述尾电流源的晶体管(104a，104b)的宽度-长度比的3倍，并且所述负 载的与所述放大部件(103a，103b)相连接的第二晶体管对(102a，102b)的宽度-长度比至 少是所述负载的与所述电源相连接的第一晶体管对(101a，IOlb)的宽度-长度比大小的3 倍。
14.如权利要求11所述的器件，其中所述放大部件的晶体管(103a，103b)和所述负载的与所述放大部件(103a，103b)相连接的第二晶体管对(102a，102b)的晶体管的宽度(W) 在2. 5-125 μ m的范围内，并且所述晶体管的长度(L)在0. 25-12. 5 μ m的范围内；所述尾电 流源的晶体管(104a，104b)和所述负载的与所述电源相连接的第一晶体管对(101a，IOlb) 的晶体管的宽度和长度在0. 25-12. 5 μ m的范围内。
15.如权利要求1-4中任一项所述的器件，其中所述噪声放大器单元(100)的所述放大 部件(103a, 103b)的输入端(106a, 106b)以AC方式短路到接地部件。
16.如权利要求1-4中任一项所述的器件，其中所述噪声放大器单元(100)的所述放大 部件(103a, 103b)的输入端(106a, 106b)以DC方式短路到固定电位。
17.如权利要求6所述的器件，还包括具有分别连接到第一放大器(200)输出端 (205a, 205b)和所述噪声放大器(100)输入端(106b, 106a)的反馈滤波器(15)的DC补偿 回路。
18.如权利要求17所述的器件，其中所述反馈滤波器(15)包括第一滤波器(700a)和 第二滤波器(700b)，这两个滤波器各包括提供相位补偿的高频幻象零点电容器(Cz，705)。
19.如权利要求18所述的器件，其中所述反馈滤波器(1 包括两个滤波器(700a， 700b)，这两个滤波器各包括连接到接地部件的第一电容器(CP，707a-707e)、连接到所述滤 波器(700a，700b)输出端的第一电阻器(Rl，703)、与连接到所述滤波器(700a，700b)输出 端的所述高频幻象零点电容器(Cz，7(^)并联的第二电阻器(R2，70h-702b)以及连接到所 述滤波器(700a，700b)输入端的第三电阻器(R3，701a-701b)。
20.如权利要求19所述的器件，其中第一电容器(CP，707a-707e)、第一电阻器(R1， 703)、第二电阻器(R2，7023-70 )、所述高频幻象零点电容器(Cz，705)以及第三电阻器 (R3，701a-701b)包括 MOS 晶体管。
21.如权利要求19所述的器件，其中第一电容器(CP，707a-707e)包括NMOS晶体管，并 且第一电阻器(R1，703)、第二电阻器(R2, 702a-702b)和第三电阻器(R3，701a_701b)包括 PMOS晶体管。
22.如权利要求19所述的器件，其中第一电容器(CP，707a-707e)包括PMOS晶体管，并 且第一电阻器(R1，703)、第二电阻器(R2, 702a-702b)和第三电阻器(R3，701a_701b)包括 NMOS晶体管。
23.如权利要求1-4中任一项所述的器件，其中所述器件(10)的输出端(305)连接 到用于产生随机位序列的器件，所述器件包括具有输入端G09)的振荡部件，所述输入端 (409)用于接收作为连接到所述输出端(305)的输入的偏置，所述振荡部件(13)包括至少 一个振荡放大器GOOa，400b，400c)和连接到所述振荡放大器的差分放大器(500)，每个振 荡放大器(400a, 400b, 400c)和所述差分放大器(500)包括放大部件(303a, 303b ；403a, 403b)以及连接到所述放大部件和接地部件的尾电流源(304a，304b ；404a，404b)，所述放 大部件通过连接到所述放大部件和电源的负载(301a，301b, 302a, 302b ；401a, 401b, 402a, 402b)来防止受到干扰信号的干扰。
24.一种电子装置，包括如权利要求1-23中任一项所述的用于产生噪声信号的器件。
25.如权利要求M所述的电子装置，其中所述装置是移动无线终端、寻呼机、通信器、 电子管理器或智能电话。
26.如权利要求M所述的电子装置，其中所述装置是移动电话。
27. 一种集成电路，包括如权利要求1-23中任一项所述的用于产生噪声信号的器件。
全文摘要
公开了一种用于产生噪声信号的器件(10)，该噪声信号可用于产生真正随机的位序列。该器件包括噪声源(11)和连接到噪声源(11)的放大器(12)。根据本发明，根据噪声源的器件受到保护使之免于干扰信号的干扰，以提供高的噪声干扰比。此外，本发明涉及一种集成电路和一种电子装置，其包括根据本发明用于产生噪声信号的器件。
文档编号H03F3/45GK102064766SQ201010601750
公开日2011年5月18日 申请日期2004年3月19日 优先权日2003年3月26日
发明者S·马蒂森 申请人:艾利森电话股份有限公司