专利名称：一种差分的射频开关电路的制作方法
技术领域：
本发明属于电子电路技术领域，涉及一种差分的射频开关电路。
背景技术：
在无线或者移动通信系统中常常会用到射频开关(RF switch)进行射频通道选择。例如用射频开关选择接收和发射通道，从而在共用天线的情况下实现无线信号的接收和发送；在军用宽频段电台中为了增加抗干扰性能，使用射频开关选择不同频段的滤波器。在这些系统中一般都要求射频开关有尽可能低的差损和高的隔离度。由于开关器件的非理想性，导致射频开关电路有一定的插损，隔离度也有限。很难在低插损下达到高隔离特性。传统的方法是在电路中用并联的电感谐振掉开关器件的寄生电容，隔离度可达到40dB以上，插损一般在0. 5 ldB。类似的方法还有并联电阻-电容-电阻法。这两种方法的缺点 是工作频带较窄。另外，还有通过连接成多个级的场效应晶体管的射频开关电路，如图I所示，该电路包括基本开关部分，其包括串联连接的多个场效应晶体管并设置在用于输入和输出射频信号的输入/输出端子和地之间；和多个电阻器元件，每个电阻器元件的一端连接到多个长效应晶体管中的相应场效应晶体管的漏极，并且另一端连接到相应场效应晶体管的源极。在多个电阻器当中，连接在一个场效应晶体管的源极与漏极之间的电阻器的电阻值小于连接在其余每一个场效应晶体管的漏极与源极之间的电阻器的电阻值，其中所述场效应晶体管是在多个场效应晶体管当中连接到输入/输出端子的场效应晶体管。该开关电路虽然能在常规射频开关电路的基础上改进输入/输出功率特性，但其电路损耗仍在0. 5dB以上。此外，还有并联分布式场效应管法，这种方法较为复杂，需要对半导体开关器件进行特殊设计。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种差分的射频开关电路，该开关电路可以将射频输出口在PA和LNA接口间进行切换，且射频损耗在0. 5dB以内。为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案。一种差分的射频开关电路，包括第一 NMOS管、第二 NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管；其中，第一 NMOS管的漏极与第二 NMOS管的源极相连，第三NMOS管的漏极与第四NMOS管的源极相连；第一 NMOS管的栅极与第三NMOS管的栅极相连，第二 NMOS管的栅极与第四NMOS管的栅极相连；第一 NMOS管的夹断点、第二 NMOS管的夹断点、第三NMOS管的夹断点及第四NMOS管的夹断点均接地；第一 NMOS管的源极接LNA接口 ；第二 NMOS管的漏极接PA接口 ；第三NMOS管的源极接LNAB接口 ；第四NMOS管的漏极接PAB接口 ；第一 NMOS管的漏极与第二 NMOS管的源极接ANT接口 ；第三NMOS管的漏极与第四NMOS管的源极接ANTB接口 ；第一 NMOS管和第三NMOS管的栅极接电阻R1，第二 NMOS管和第四NMOS管的栅极接电阻R2。第一 NMOS管和第三NMOS管的栅极通过电阻Rl接第一倒相放大器的输出端，第一倒相放大器的输入端接第二倒相放大器的输出端；第二 NMOS管和第四NMOS管的栅极通过电阻R2接第二倒相放大器的输出端，第二倒相放大器的输入端接TR-control接口。本发明的有益效果在于采用了全NMOS设计，在gate上串联了电阻，可以有效降低MOS管上电容对射频信号产生的影响，同时串联电阻隔离了噪声，使得电路整体的射频损耗在0. 5dB以内；此外，本发明可以将射频输出口在PA和LNA接口间进行切换，方便客户PCB板设计。
图I为现有的射频开关电路的结构不意 图2为本发明所述的差分的射频开关电路的结构原理图。 主要组件符号说明I、第一 NMOS 管；2、第二 NMOS 管；3、第三 NMOS 管；4、第四 NMOS 管；5、第一倒相放大器； 6、第二倒相放大器。
具体实施例方式下面结合附图对本发明的具体实施方式
作进一步详细说明。实施例一本实施例提供一种集成在芯片上的差分的射频开关电路，如图2所示，该差分的射频开关电路主要由4个NMOS管构成，分别为第一 NMOS管I、第二 NMOS管2、第三NMOS管
3、第四NMOS管4 ;其中，第一 NMOS管I的漏极与第二 NMOS管2的源极相连，第三NMOS管3的漏极与第四NMOS管4的源极相连；第一 NMOS管I的栅极与第三NMOS管3的栅极相连，第二 NMOS管2的栅极与第四NMOS管4的栅极相连；第一 NMOS管I的夹断点、第二 NMOS管2的夹断点、第三NMOS管3的夹断点及第四NMOS管4的夹断点均接地；第一 NMOS管I的源极接LNA接口；第二 NMOS管2的漏极接PA接口；第三NMOS管3的源极接LNAB接口；第四NMOS管4的漏极接PAB接口；第一 NMOS管I的漏极与第二 NMOS管2的源极接ANT接口；第三NMOS管3的漏极与第四NMOS管4的源极接ANTB接口 ；第一 NMOS管I和第三NMOS管3的栅极通过电阻Rl接第一倒相放大器5的输出端，第一倒相放大器5的输入端接第二倒相放大器6的输出端；第二 NMOS管2和第四NMOS管4的栅极通过电阻R2接第二倒相放大器6的输出端,第二倒相放大器6的输入端接TR-control接口。本发明所述的差分的射频开关电路采用了全NMOS设计，使用电阻作为gate的偏置，结构简单，可以有效降低MOS管上电容对射频信号产生的影响；同时可以将射频输出口在PA和LNA接口间进行切换，方便客户PCB板设计，射频损耗降低至0. 5dB以下。本发明的描述和应用是说明性的，并非想将本发明的范围限制在上述实施例中。这里所披露的实施例的变形和改变是可能的，对于那些本领域的普通技术人员来说实施例的替换和等效的各种部件是公知的。本领域技术人员应该清楚的是，在不脱离本发明的精神或本质特征的情况下，本发明可以以其他形式、结构、布置、比例，以及用其他元件、材料和部件来实现。
权利要求
1.一种差分的射频开关电路，其特征在于包括第一 NMOS管、第二 NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管；其中，第一 NMOS管的漏极与第二 NMOS管的源极相连，第三NMOS管的漏极与第四NMOS管的源极相连；第一 NMOS管的栅极与第三NMOS管的栅极相连，第二 NMOS管的栅极与第四NMOS管的栅极相连；第一 NMOS管的夹断点、第二 NMOS管的夹断点、第三NMOS管的夹断点及第四NMOS管的夹断点均接地；第一 NMOS管的源极接LNA接口 ；第二 NMOS管的漏极接PA接口 ；第三NMOS管的源极接LNAB接口；第四NMOS管的漏极接PAB接口 ；第一NMOS管的漏极与第二 NMOS管的源极接ANT接口 ；第三NMOS管的漏极与第四NMOS管的源极接ANTB接口 ；第一 NMOS管和第三NMOS管的栅极接电阻R1，第二 NMOS管和第四NMOS管的栅极接电阻R2。
2.根据权利要求I所述的差分的射频开关电路，其特征在于第一NMOS管和第三NMOS管的栅极通过电阻Rl接第一倒相放大器的输出端，第一倒相放大器的输入端接第二倒相放大器的输出端;第二 NMOS管和第四NMOS管的栅极通过电阻R2接第二倒相放大器的输出端，第二倒相放大器的输入端接TR-control接口。
全文摘要
本发明公开了一种差分的射频开关电路，包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管；其中，第一NMOS管的漏极与第二NMOS管的源极相连，第三NMOS管的漏极与第四NMOS管的源极相连；第一NMOS管的栅极与第三NMOS管的栅极相连，第二NMOS管的栅极与第四NMOS管的栅极相连；第一NMOS管的夹断点、第二NMOS管的夹断点、第三NMOS管的夹断点及第四NMOS管的夹断点均接地；第一NMOS管的源极接LNA接口；第二NMOS管的漏极接PA接口；第一NMOS管和第三NMOS管的栅极接电阻R1，第二NMOS管和第四NMOS管的栅极接电阻R2。本发明采用了全NMOS设计，在gate上串联了电阻，可以有效降低MOS管上电容对射频信号产生的影响，同时串联电阻隔离了噪声，使得电路整体的射频损耗在0.5dB以内。
文档编号H03K17/56GK102655404SQ201110052219
公开日2012年9月5日 申请日期2011年3月4日 优先权日2011年3月4日
发明者文耀锋 申请人:苏州联科盛世科技有限公司