专利名称：一种可实现快速通断的高压高频脉冲电子开关的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种脉冲电子开关，尤其是涉及一种可实现快速通断的高压高频脉冲电子开关。
背景技术：
脉冲电子开关要求电压幅值比较高，大约在4. 5kV以上，六千以下，开关频率比较高，最高开关频率在2MHz，上升沿仅5nS，普通机械开关或者电磁开关达到电压和频率要求，必须采用半导体开关。
发明内容
本发明的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种无使用疲劳，可实现永久无衰减快速通断的高压高频脉冲电子开关。本发明的目的可以通过以下技术方案来实现一种可实现快速通断的高压高频脉冲电子开关，其特征在于，包括CMOS管电路和驱动电路，所述的CMOS管电路与驱动电路连接。所述的CMOS管电路由多个CMOS管组并联而成，每个CMOS管组由多个CMOS管串联而成。所述的多个CMOS管组为4 10个CMOS管组，所述的多个CMOS管为10 20个CMOS 管。所述的驱动电路包括逆变电路和倍压电路，所述的逆变电路连接倍压电路，所述的倍压电路的输出端连接CMOS管电路。所述的CMOS管的耐压为500V。与现有技术相比，本发明实现了高频高压脉冲电子开关的快速通断，而且波形一致性比较好，成本低，没有使用疲劳问题，可以实现永久无衰减快速通断。
图I为本发明的电路示意图；图2为CMOS管电路连接方式的原理示意图。
具体实施例方式下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细说明。实施例如图I所示，一种可实现快速通断的高压高频脉冲电子开关，包括CMOS管电路2和驱动电路I，CMOS管电路I由5个CMOS管组并联而成，每个CMOS管组均由10个CMOS管串联而成。每个CMOS管的耐压为500V，则每个CMOS管组的总体耐压在5000V左右，每个CMOS管同时驱动，可以解决耐高压的问题。然后5组CMOS管组并联组成CMOS管电路，达到提高脉冲电流的要求。驱动电路I包括逆变电路11和倍压电路12，逆变电路11连接倍压电路12，倍压电路12的输出端连接CMOS管电路2中每个CMOS管的栅极，倍压电路12采用互感原理，在驱动CMOS管的同时，可以起到高压隔离和保护电路的作用。低压电源首先通过逆变电路11升压，然后再经过倍压电路12进一步升压，并输出高压驱动方波，驱动CMOS管电路2，使CMO S管同时导通，实现永久无衰减快速通断。
权利要求
1.一种可实现快速通断的高压高频脉冲电子开关，其特征在于，包括CMOS管电路和驱动电路，所述的CMOS管电路与驱动电路连接。
2.根据权利要求I所述的一种可实现快速通断的高压高频脉冲电子开关，其特征在于，所述的CMOS管电路由多个CMOS管组并联而成，每个CMOS管组由多个CMOS管串联而成。
3.根据权利要求2所述的一种可实现快速通断的高压高频脉冲电子开关，其特征在于，所述的多个CMOS管组为4 10个CMOS管组，所述的多个CMOS管为10 20个CMOS管。
4.根据权利要求I所述的一种可实现快速通断的高压高频脉冲电子开关，其特征在于，所述的驱动电路包括逆变电路和倍压电路，所述的逆变电路连接倍压电路，所述的倍压电路的输出端连接CMOS管电路。
5.根据权利要求2或3所述的一种可实现快速通断的高压高频脉冲电子开关，其特征在于，所述的CMOS管的耐压为500V。
全文摘要
本发明涉及一种可实现快速通断的高压高频脉冲电子开关，其特征在于，包括CMOS管电路和驱动电路，所述的CMOS管电路与驱动电路连接。与现有技术相比，本发明没有使用疲劳，可以实现永久无衰减快速通断。
文档编号H03K17/687GK102957406SQ20111023654
公开日2013年3月6日 申请日期2011年8月17日 优先权日2011年8月17日
发明者毛文斌, 顾建军, 赵健 申请人:上海普锐马电子有限公司