专利名称：一种稳压电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种半导体集成电路，更具体地说涉及一种稳压电路。
背景技术：
在很多种电子设备中都会用到稳压器，稳压电路在应用中具有诸如结构简单，成本低廉，低噪声，低功耗以及封装体积小等突出优点，在便携式电子设备中得到了广泛的应用。如图1中所示，现有的稳压电路的基本框架结构分别由基准电压3和误差放大器电路2，驱动管1，第一分压电阻7，第二分压电阻8组成。基准电压3产生一个与输入端4 电源电压及温度无关的基准电压，分压电阻对输出端6电压信号进行采样，误差放大器将比较第一分压电阻7电压，第二分压电阻8电压压和基准电压的大小，然后调整驱动管1的栅极电压高低来稳定输出电压值。在不同的应用场合中，对稳压电路通常要求有较高的电源抑制比，即在轻负载或者重负载条件下，电源变化对输出电压的影响，要求越小越好。在稳压电路中误差放大器模块的性能对整个稳压电路的性能的影响巨大。通常的误差放大器设计中，为了环路稳定，频率补偿方便，误差放大器的开环增益不会设计很高，而开环增益如果太小会直接影响稳压器系统的性能，例如电源抑制比和负载调整率变差。
发明内容为解决上述开环增益大，环路不稳定，开环增益小LDO系统稳定性能差的问题，本实用新型提供了一种稳压电路。本实用新型的技术方案是一种稳压电路，包括电压输入端、电压输出端、基准电压、误差放大器电路、驱动管P1、第一分压电阻和第二分压电阻，所述的误差放大器电路包括第一级放大器、第二级放大器和补偿电路，所述的第一级放大器与第二级放大器相串联， 所述的补偿电路的两端分别连接第二级放大器的输入端、输出端。所述的第一级放大器为高增益放大电路。所述的第二级放大器为高增益放大电路。所述的第一级放大器包括N型MOS管、P型MOS管、恒流源、外接的偏置基准电压 VA、外接的偏置基准电压VE、输入端INN和输入端INP，所述的N型MOS管为四个，所述的P 型MOS管为四个，所述的输入电压Vdd与P型MOS管相连接，所述的外接的偏置基准电压 VE的接入点E与P型MOS管相连接，所述的外接的偏置电压的VA接入点A与N型MOS管相连接，所述的MOS管M2的源极与所述的MOS管MO的漏极相连接，所述的输入端INN与N 型MOS管相连接，所述的输入端INP与N型MOS管相连接，所述的恒流源与N型MOS管相连接，恒流源的另一端接地。所述的MOS管MO、MOS管Ml、MOS管M2和MOS管M3为N型MOS管，所述的MOS管 M4、MOS 管 M5、MOS 管 M6 禾P MOS 管 M7 为 P 型 MOS 管。[0011]所述的第二级放大器22包括MOS管M10、M0S管M15、M0S管M17和MOS管M18，所述的MOS管M17的的源极与MOS管M5的源极和MOS管M6的源极相连，所述的MOS管M17 的栅极与MOS管M4的漏极相连接，所述的MOS管M17的漏极与MOS管M18的源极相连接， 所述的MOS管M18的栅极与外接偏置基准电压的B点相连接，所述MOS管M18的漏极与MOS 管M15的漏极相连接，MOS管M15的栅极为外接偏置基准电压的C点，所述MOS管M15的源极与MOS管MlO的漏极相连接，MOS管MlO的栅极为外接偏置基准电压的D点，所述的MOS 管MlO的源极接地，所述的MOS管M15的漏极和MOS管M18的漏极为第二放大器的输出端 OUT。所述的MOS管MlO和MOS管M15为N型MOS管，所述的MOS管M17和MOS管M18 为P型MOS管。所述的补偿电路23包括电阻Rl和电容⑶，所述的电阻Rl的一端与MOS管M4的漏极和MOS管M17的栅极相连接，所述的电阻Rl的另一端与电容CO的一端相连接，所述的电阻Rl和所述的电容CO串联，所述的电容的另一端与第二放大器的22的输出端OUT相连接。本实用新型的有益效果在于第一、本实用新型提供的稳压电路创造性的设计了两级高增益放大电路和补偿电路，在高开环增益的条件下依然可以保证环路稳定，频率补偿方便。第二、本实用新型提供的稳压电路，在高开环增益的条件下，系统稳定性好，如电源抑制比高，负载调整率好。第三、本实用新型提供的稳压电路，不会增加电路的复杂性，真正做到了低成本、 高稳定性。
图1是现有技术的电路框图。图2是本实用新型的电路框图。图3是本实用新型的电路图。
具体实施方式
实施例一结合图1、图2，，一种稳压电路，包括电压输入端4、电压输出端6、基准电压3和误差放大器电路2，驱动管1、第一分压电阻7和第二分压电阻8，所述的误差放大器电路2包括第一级放大器21、第二级放大器22和补偿电路23，所述的补偿电路23与第二级放大器 22并联，所述的第一级放大器21与所述的补偿电路23和第二级放大器22的并联电路串联。所述的第一级放大器和所述的第二级放大器都是高增益放大器。结合图3，为本实用新型的电路图，所述的第一级放大器21包括MOS管M0、M0S管 Ml、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、MOS管M5、MOS管M6禾口 MOS管M7，十亘流源11、夕卜接的偏置基准电压VA、VE,输入端INN和输入端INP，所述的输入电压Vdd与MOS管M5的源极和 MOS管M6的源极相连接，所述的外接的偏置基准电压VE的接入点E与MOS管M7的栅极和 MOS管M4的栅极相连接，所述的MOS管M6的漏极和MOS管M7的源极相连接，所述的MOS管
4M6的栅极、MOS管M7的漏极和MOS管M5的栅极相连接，所述的MOS管M4的源极与MOS管 M5的漏极相连接；所述的MOS管M7的漏极与MOS管M2的漏极相连接，所述的外接的偏置电压的VA接入点A与MOS管M2的栅极和MOS管M3的栅极相连接，所述的MOS管M2的源极与所述的MOS管MO的漏极相连接，所述的MOS管MO的栅极为第一级放大器21的输入端 INN,所述的MOS管M3的源极与MOS管Ml的漏极相连接，所述的MOS管Ml的栅极为第一级放大器21的另一输入端INP，所述的MOS管MO的源极和MOS管Ml的源极都与恒流源Il的输出端相连接，恒流源Il的另一端接地。所述的MOS管MO、MOS管Ml、MOS管M2和MOS管M3为N型MOS管，所述的MOS管 M4、MOS 管 M5、MOS 管 M6 禾P MOS 管 M7 为 P 型 MOS 管。所述的第二级放大器22包括MOS管M10、M0S管M15、M0S管M17和MOS管M18，所述的MOS管M17的的源极与MOS管M5的源极和MOS管M6的源极相连，所述的MOS管M17 的栅极与MOS管M4的漏极相连接，所述的MOS管M17的漏极与MOS管M18的源极相连接， 所述的MOS管M18的栅极与外接偏置基准电压的B点相连接，所述MOS管M18的漏极与MOS 管M15的漏极相连接，MOS管M15的栅极为外接偏置基准电压的C点，所述MOS管M15的源极与MOS管MlO的漏极相连接，MOS管MlO的栅极为外接偏置基准电压的D点，所述的MOS 管MlO的源极接地，所述的MOS管M15的漏极和MOS管M18的漏极为第二放大器22的输出端 OUT。所述的MOS管MlO和MOS管M15为N型MOS管，所述的MOS管M17和MOS管M18 为P型MOS管。所述的补偿电路23包括电阻Rl和电容⑶，所述的电阻Rl的一端与MOS管M4的漏极和MOS管M17的栅极相连接，所述的电阻Rl的另一端与电容CO的一端相连接，所述的电阻Rl和所述的电容CO串联，所述的电容的另一端与第二放大器的22的输出端OUT相连接。本实用新型设计的稳压电路，在大幅度提高开环增益的同时，避免了复杂的补偿电路，不需要缓冲级，输入电源电压范围宽，而且输出范围幅度在全电源电压范围，对提高驱动管的驱动能力有很大帮助，可以减小驱动管的面积，节约了成本。虽然本实用新型的优选实例被以作为例证的目的进行披露，但本领域的技术人员可以理解各种修改、添加和替换是可能的，只要其不脱离所附权利要求中详述的本实用新型的精神和范围。
权利要求1.一种稳压电路，包括电压输入端、电压输出端、基准电压、误差放大器电路、驱动管、 第一分压电阻和第二分压电阻，其特征在于所述的误差放大器电路包括第一级放大器、第二级放大器和补偿电路，所述的第一级放大器与第二级放大器相串联，所述的补偿电路的两端分别连接第二级放大器的输入端、 输出端。
2.根据权利要求1所述的稳压电路，其特征在于所述的第一级放大器为高增益放大电路。
3.根据权利要求1所述的稳压电路，其特征在于所述的第二级放大器为高增益放大电路。
4.根据权利要求2或3所述的稳压电路，其特征在于所述的第一级放大器包括N型 MOS管、P型MOS管、恒流源、外接的偏置基准电压VA、外接的偏置基准电压VE、输入端INN 和输入端INP，所述的N型MOS管为四个，所述的P型MOS管为四个，所述的输入电压Vdd与 P型MOS管相连接，所述的外接的偏置基准电压VE的接入点E与P型MOS管相连接，所述的外接的偏置电压的VA接入点A与N型MOS管相连接，所述的MOS管M2的源极与所述的 MOS管MO的漏极相连接，所述的输入端INN与N型MOS管相连接，所述的输入端INP与N型 MOS管相连接，所述的恒流源与N型MOS管相连接，恒流源的另一端接地。
5.根据权利要求4所述的稳压电路，其特征在于所述的第二级放大器02)包括MOS 管M10、M0S管M15、M0S管M17和MOS管M18，所述的MOS管M17的的源极与MOS管M5的源极和MOS管M6的源极相连，所述的MOS管Ml7的栅极与MOS管M4的漏极相连接，所述的MOS 管M17的漏极与MOS管M18的源极相连接，所述的MOS管M18的栅极与外接偏置基准电压的B点相连接，所述MOS管M18的漏极与MOS管M15的漏极相连接，MOS管M15的栅极为外接偏置基准电压的C点，所述MOS管M15的源极与MOS管MlO的漏极相连接，MOS管MlO 的栅极为外接偏置基准电压的D点，所述的MOS管MlO的源极接地，所述的MOS管M15的漏极和MOS管M18的漏极为第二放大器02)的输出端OUT。
6.根据权利要求5所述的稳压电路，其特征在于所述的MOS管MlO和MOS管M15为N 型MOS管，所述的MOS管M17和MOS管M18为P型MOS管。
7.根据权利要求6所述的稳压电路，其特征在于所述的补偿电路03)包括电阻Rl和电容C0，所述的电阻Rl的一端与MOS管M4的漏极和MOS管M17的栅极相连接，所述的电阻 Rl的另一端与电容CO的一端相连接，所述的电阻Rl和所述的电容CO串联，所述的电容的另一端与第二放大器的02)的输出端OUT相连接。
专利摘要本实用新型提供了一种稳压电路，属于半导体集成电路领域，对于现有技术中的开环增益大，环路不稳定，开环增益小稳压器系统整体性能差的问题，一种稳压电路，包括电压输入端、电压输出端、基准电压、误差放大器电路、驱动管、第一分压电阻和第二分压电阻，其特征在于所述的误差放大器电路包括第一级放大器、第二级放大器和补偿电路，所述的第一级放大器与第二级放大器相串联，所述的补偿电路的两端分别连接第二级放大器的输入端、输出端。应用于便携式电子设备中。
文档编号H03G3/30GK202257339SQ20112026380
公开日2012年5月30日 申请日期2011年7月25日 优先权日2011年7月25日
发明者袁川 申请人:深圳市富满电子有限公司南山分公司