专利名称：一种声表面波滤波器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种中频、大带宽、高矩形度和高带外抑制度的移动通讯用的声表面波滤波器，属于温度测量技术领域。
背景技术：
随着通讯设备的用户的越来越多，对通讯设备中的覆盖某一区域的接收部分的通带要求也越来越宽。同时为了保证通带信号不受带外信号的干扰，还要保证对带外信号进行有效抑制，达到通带内信号不受邻道信号和其它杂波信号干扰的目的。而现有的滤波设备无法实现在移动通讯领域的中频、大带宽、高矩形度和高抑制度的声表面波滤波。
发明内容本实用新型的目的是提供一种应用于移动通讯的中频、大带宽、高矩形度和高抑制度的声表面波滤波器。本实用新型的目的是通过以下技术方案实现的一种声表面波滤波器，包括基片，所述基片采用TL切型的铌酸锂晶片，所述基片采用Demod梯形对称结构设置。由上述本实用新型提供的技术方案可以看出，本实用新型所述的声表面波滤波器，采用^切型的铌酸锂晶片，从材料上保证了产品的大带宽；在芯片的结构设计上，采用 Demod梯形对称结构的芯片设计方案，通过增加V槽宽度，有效地增加了产品的带宽，并且实现了产品的高矩形度和对带外信号的高抑制度。
图1是本实用新型具体实施方式
提供的声表面波滤波器的结构示意图；图2是本实用新型具体实施方式
提供的封装结构示意图。
具体实施方式
本实用新型具体实施方式
提供了一种声表面波滤波器，如图1和图2所示，包括基片，所述基片采用η切型的铌酸锂晶片，所述基片采用Demod梯形对称结构设置。具体的，在芯片的结构设计上，基片采用Demod梯形对称结构的芯片设计方案，达到了实现产品高矩形度和高抑制度的目的；在材料的选取上，采用^切型的铌酸锂晶片， 配合芯片的Demod梯形对称结构设计，保证了产品能够实现的大带宽滤波的目的。制作中要解决的关键问题是工艺问题。声表面波器件的制作采用的半导体IC器件制作工艺，但又不同于一般的IC制作，不要求多层套刻，但对指条的光刻质量和芯片表面质量要求比IC高。因此在声表波器件制作过程中，镀膜和光刻工艺都是关键工艺。本具体实施方式
中的滤波器的频率为90M。由于频率较低，故在工艺生产过程中要求产品的铝膜较厚，并且图形的条宽较窄。铝膜厚度达到了 1万埃以上，而条宽只有1. Ιμπι。在实际生产中，我们通过增加曝光能量和延长曝光时间的方法，使产品能够充分曝光。严格控制显影和腐蚀的过程时间，最终研制出了合格产品。该产品的电性能指标如下
权利要求1.一种声表面波滤波器，其特征在于，包括基片，所述基片采用TL切型的铌酸锂晶片， 所述基片采用Demod梯形对称结构设置。
2.根据权利要求1所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述基片的特征频率为 89. 5 90. 5MHz。
3.根据权利要求1或2所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述声表面波滤波器的相对带宽彡26. 67%。
4.根据权利要求3所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述声表面波滤波器的抑制为 50dB。
5.根据权利要求1或2所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述声表面波滤波器的矩形系数小于1.03。
专利摘要本实用新型提供了一种声表面波滤波器，包括基片，所述基片采用YZ切型的铌酸锂晶片，所述基片采用Demod梯形对称结构设置。本实用新型所述的声表面波滤波器，采用YZ切型的铌酸锂晶片，从材料上保证了产品的大带宽；在芯片的结构设计上，采用Demod梯形对称结构的芯片设计方案，通过增加V槽宽度，有效地增加了产品的带宽，并且实现了产品的高矩形度和对带外信号的高抑制度。
文档编号H03H9/64GK202334459SQ201120482688
公开日2012年7月11日 申请日期2011年11月28日 优先权日2011年11月28日
发明者张敬钧, 董启明 申请人:北京中讯四方科技股份有限公司