专利名称：不平衡－平衡转换电路元件的制作方法
技术领域：
本发明涉及通过在层叠基板上形成集中参数型电路而实现的不平衡一平衡转换电路。
背景技术：
目前，在较多的RF前端模块中，由天线接收到的信号为不平衡型信号，与之不同的是，在RF半导体IC中，由平衡型信号来执行信号处理。因此，需要具有将由天线所接收到 的不平衡型信号转换为平衡型信号的不平衡一平衡转换功能的电路。作为这样的不平衡一平衡转换电路，存在以下两种。一种是利用传输线路之间的耦合的商业型，另一种是专利文献I中也记载的使用集中参数型低通滤波器(以下，称为LPF)及高通滤波器(以下，称为HPF)的集中参数型。此处，在商业型的情况下，为了获得具有相位差的两个输出信号，相对于主线路，形成由传输信号(接收信号)的波长的I / 4长度所构成的副线路，从该副线路的两端输出各信号，因此，比集中参数型要难以实现小型化。因此，为了实现小型的不平衡一平衡转换电路元件，优选为集中参数型。图I是现有的一般的集中参数型的不平衡一平衡转换电路元件的电路图。现有的不平衡一平衡转换电路元件IOP包括不平衡端子PUB、以及由第一平衡端子Pbi和第二平衡端子Pb2所构成的一对平衡端子。在不平衡端子Pub与第一平衡端子Pbi之间串联连接有电感器LLlp。电感器LLlp的第一平衡端子Pbi —侧经由电容器CLlp接地。由上述串联连接的电感器LLlp和并联连接的电容器CLlp构成LPF。在不平衡端子Pub与第二平衡端子Pb2之间串联连接有电容器CHlp。电容器CHlp的第二平衡端子Pb2 —侧经由电感器LHlp接地。由上述串联连接的电容器CHlp和并联连接的电感器LHlp构成HPF。现有技术文献专利文献专利文献I :日本专利特开2005 — 166702号公报
发明内容
然而，图I所示的现有的不平衡一平衡转换电路元件IOP中，在与RF半导体IC进行连接的情况下，难以与阻抗的相位分量进行匹配。因此，现有的RF前端模块需要具有图2所示的电路结构。图2是现有的RF前端模块的电路结构图。如图2所示，现有的RF前端模块包括上述的不平衡一平衡转换电路元件10P、天线800、匹配电路802、RF半导体IC803。在不平衡一平衡转换电路元件IOP的不平衡端子Pub上连接有天线800。不平衡一平衡转换电路元件IOP的由第一平衡端子Pbi及第二平衡端子Pb2所构成的平衡端子经由匹配电路802与RF半导体IC803相连接。
匹配电路802包括与第一平衡端子Pbi串联连接的电感器、与第一平衡端子Pbi并联连接的电容器、与第二平衡端子Pb2串联连接的电感器、以及与第二平衡端子Pb2并联连接的电容器。因此，即使不平衡一平衡转换电路元件IOP是集中参数型，能小型化，但还需要匹配电路802，因此，阻碍作为RF前端模块的小型化。此外，尽管能利用匹配电路802取得不平衡一平衡转换电路元件IOP与RF半导体IC803之间的匹配，但作为RF前端模块的插入损耗因需要匹配电路802而相应地降低一些。 因此，本发明的目的在于提供一种不平衡一平衡转换电路，即使在与匹配时需要调节输入阻抗的相位分量的元件进行连接的情况下，也不必另外设置匹配电路，容易小型化，能低损耗地传输信号。本发明涉及一种不平衡一平衡转换电路元件，该不平衡一平衡转换电路元件包括输入输出不平衡信号的不平衡端子、由输入输出平衡信号的第一平衡端子及第二平衡端子所构成的一对平衡端子，其还包括第一电感器、第一电容器、及阻抗调节元件。第一电感器串联连接在不平衡端子与第一平衡端子之间。第一电容器串联连接在不平衡端子与第二平衡端子之间。阻抗调节元件由连接在第一电感器的第一平衡端子一侧与第一电容器的第二平衡端子一侧之间的电感器或电容器所构成。在该结构中，通过包括与包含第一电感器的第一平衡端子一侧的电路和包含第一电容器的第二平衡端子一侧的电路均进行连接的阻抗调节元件，能使第一平衡端子一侧的电路和第二平衡端子一侧的电路同时以相同的相位量进行旋转。由此，能利用阻抗调节元件的元件值来调节由第一平衡端子和第二平衡端子所构成的平衡端子的输出阻抗的相位分量。此时，不需要使用太多电路元件，只要使用单体的电感器或电容器作为阻抗调节元件，就能获得足够的相位旋转量，从而能扩大可采用的相位范围。此外，本发明的不平衡一平衡转换电路元件优选为以下的结构。不平衡一平衡转换电路兀件包括将多个电介质层进行层叠而成的层叠体。第一电感器、第一电容器、及阻抗调节元件由形成于层叠体的多个电介质层上的电极图案所形成。第一电感器及阻抗调节元件配设在第一电容器与层叠体的安装面之间。换言之，第一电容器沿着层叠方向配设在层叠体的安装面的相反侧而夹着第一电感器及阻抗调节元件的形成区域。该结构中，未接地的第一电容器远离安装面进行配置，因此，在层叠体内，通常形成于该安装面或其接近层上的接地电极与构成第一电容器的相对电极之间能形成较大的距离。由此，能抑制接地电极与第一电容器之间产生的寄生电容，从而能改善插入损耗。此外，本发明的不平衡一平衡转换电路元件优选为以下结构。该不平衡一平衡转换电路元件包括直流分量除去用电容器，该直流分量除去用电容器串联连接在第一电感器和第一电容器之间的连接点与不平衡端子之间。直流分量除去用电容器由形成于多个电介质层上的电极图案所形成。第一电感器及阻抗调节元件配设在直流分量除去用电容器与层叠体的安装面之间。换言之，直流分量除去用电容器沿着层叠方向配设在层叠体的安装面的相反一侧而夹着第一电感器及阻抗调节元件的形成区域。该结构中，还能抑制与不平衡端子串联连接的、未直接接地的直流分量除去用电容器的寄生电容。由此，即使是包括直流分量除去用电容器的结构，也能改善插入损耗。此外，本发明的不平衡一平衡转换电路元件中，优选包括施加直流电压的直流电压施加端子，该直流电压施加端子与第一电感器及第一电容器相连接。该结构中，能将直流分量提供给由第一平衡端子及第二平衡端子所构成的一对平衡端子。即，能将直流电压提供给后级的RF半导体1C。此外，本发明的不平衡一平衡转换电路元件优选为以下结构。该不平衡一平衡转换电路元件包括将第一平衡端子或第二平衡端子接地的滤波器特性调节元件。此时，若阻抗调节元件是电感器，则滤波器特性调节元件由将第一平衡端子接地的电容器所构成。若阻抗调节元件是电容器，则滤波器特性调节元件由将第二平衡端子接地的电感器所构成。该结构中，通过包括滤波器特性调节元件，不仅能以容易且 简单的结构恰当地调节阻抗，还能调节不平衡一平衡转换电路元件的滤波器特性。此外，本发明的不平衡一平衡转换电路元件中，优选包括第二电容器，该第二电容器将第一电感器的、该第一电感器与第一电容器之间的连接点一侧的端部接地。在该结构中，通过将第二电容器连接在不平衡端子与接地之间，能降低中心频率。即，在维持阻抗特性和平衡特性的同时，能使所传输的信号的频率向低频一侧移动。根据本发明，能使可低损耗地传输RF信号的不平衡一平衡转换电路实现小型化。
图I是现有的一般的集中参数型的不平衡一平衡转换电路元件IOP的电路图。图2是现有的RF前端模块的电路结构图。图3是实施方式I所涉及的不平衡一平衡转换电路元件10的电路图。图4是实施方式I所涉及的不平衡一平衡转换电路元件10的等效电路图。图5是表示实施方式I所涉及的不平衡一平衡转换电路元件10的各种特性的图。图6是实施方式I所涉及的不平衡一平衡转换电路元件10的外观立体图。图7是实施方式I所涉及的不平衡一平衡转换电路元件10的分解立体图。图8是表示本申请结构的不平衡一平衡转换电路元件10的插入损耗特性、以及将电容器CHl配置在层叠体100的底面一侧的情况(Ref结构)下的插入损耗特性的图。图9是表不输出阻抗值与电感器LHl的兀件值(电感)的关系的表。图10是实施方式2所涉及的不平衡一平衡转换电路元件IOA的电路图。图11是不平衡一平衡转换电路元件IOA的分解立体图。图12是表不输出阻抗值与电容器CLlA的兀件值(电容)的关系的表。图13是表示由实施方式I和实施方式2所构成的不平衡一平衡转换电路元件所能采用的阻抗值的范围的概念的图。图14是实施方式3所涉及的不平衡一平衡转换电路元件IOB的电路图。图15是不平衡一平衡转换电路元件IOB的分解立体图。图16是实施方式4所涉及的不平衡一平衡转换电路元件IOC的电路图。图17是不平衡一平衡转换电路元件IOC的分解立体图。图18是实施方式5所涉及的不平衡一平衡转换电路元件IOD的电路图。图19是实施方式6所涉及的不平衡一平衡转换电路元件IOE的电路图。
具体实施方式
参照附图对本发明的实施方式I所涉及的不平衡一平衡转换电路元件进行说明。图3是实施方式I所涉及的不平衡一平衡转换电路元件10的电路图。不平衡一平衡转换电路元件10包括不平衡端子PUB、以及由第一平衡端子Pbi和第二平衡端子Pb2所构成的平衡端子。在不平衡端子Pub与第一平衡端子Pbi之间串联连接有电感器LU。该电感器LLl相当于本发明的第一电感器。此外，电感器LLl的第一平衡端子Pbi —侧经由电容器CLl接地。该电容器CLl相当于本发明的滤波器特性调节元件。由上述电感器LLl和电容器CLl构成低通滤波器(LPF)。在不平衡端子Pub与第二平衡端子Pb2之间串联连接有电容器CH1。该电容器CHl相当于本发明的第一电容器。高通滤波器(HPF)主要由该电容器CHl构成。 从不平衡端子Plffi输入并通过电感器LLl的信号由电感器LLl使相位提前，然后从第一平衡端子Pbi输出。同时，从不平衡端子Pub输入并通过电容器CHl的信号由电容器CHl 使相位滞后，然后从第二平衡端子Pb2输出。由此，从第一平衡端子Pbi输出的信号的相位与从第二平衡端子Pb2输出的信号的相位具有180°的相位差。因此，从不平衡端子Plffi输入的不平衡型信号从由第一平衡端子Pbi及第二平衡端子Pb2所构成的平衡端子作为平衡型信号输出，不平衡一平衡转换电路元件10起到不平衡一平衡转换电路的作用。在电感器LLl的第一平衡端子Pbi—侧与电容器CHl的第二平衡端子Pb2 —侧之间连接有电感器LHl。该电感器LHl相当于本发明的阻抗调节元件。在具有上述电路结构的不平衡一平衡转换电路元件10中，可以将图3所示的电感器LHl看作假想接地，因此，能用图4所示的等效电路来表示。图4是实施方式I所涉及的不平衡一平衡转换电路元件10的等效电路图。如图4所示，连接在电感器LLl的第一平衡端子Pbi—侧与电容器CHl的第二平衡端子Pb2—侧之间的电感器LHl在等效电路上等同于以下的电路S卩，将上述电感器LLl的第一平衡端子Pbi —侧接地的电感器LH1’与将电容器CHl的第二平衡端子Pb2 —侧接地的电感器LH1”经由接地进行串联连接。而且，电感器LH1’和电感器LH1”的电感相同。通过上述结构，可以看作具有相同电感的电感器与第一平衡端子Pbi —侧的电路和第二平衡端子Pb2 —侧的电路并联连接。由此，能使从第一平衡端子Pbi观察不平衡端子P 一侧所得到的阻抗的相位和从第二平衡端子Pb2观察不平衡端子P —侧所得到的阻抗的相位以相同的相位量进行旋转。而且，该相位旋转量由电感器LLl的电感来确定。因此，通过包括这样的电感器LHl，能使由第一平衡端子Pbi及第二平衡端子Pb2所构成的平衡端子的输出阻抗的相位分量从零向负方向移动。此时，通过恰当地设定电感器LHl的电感，能恰当地设定相位分量。由此，即使将输入阻抗具有负的相位分量的RF半导体IC与该不平衡一平衡转换电路元件10的平衡端子一侧进行连接，也能设定不平衡一平衡转换电路元件10的平衡端子的输出阻抗的相位分量，以与RF半导体IC的输入阻抗的相位分量匹配。图5是表示本实施方式所涉及的不平衡一平衡转换电路元件10的各种特性的图。图5(A)是表示平衡端子一侧的微分模式下的输出阻抗的史密斯图，图5(B)是微分模式下的平衡输出信号的通过特性。图5 (C)是来自两个平衡端子的输出信号的振幅偏差，图5(D)是来自两个平衡端子的输出信号之间的相位差。另外，图5的仿真是如下情况下的仿真假设作为通频带的2. 4[GHz]频带下的RF半导体IC的输入阻抗为50 — j80[Q]的情况，对各电感器的电感及电容器的电容进行设定，使不平衡一平衡转换电路元件10的平衡端子一侧的输出阻抗为50 +」80[Ω]。如果使用本实施方式的结构，则如图5(A)的标记mil所示，在2. 4GHz下，输入阻抗基本为50 +」80[Ω]，能以简单的结构实现所需的输入阻抗。此外，如图5(B)的标记ml所示，在2. 4GHz下的衰减量为IdB以下，能实现插入损耗低的特性。而且，如图5(C)的标记m5所示，在2. 4GHz下的两个平衡端子处的信号的振幅差大致为O [dB]，能实现基本没有振幅偏差的特性。而且，如图5⑶的标记m7所示，在2. 4GHz下的两个平衡端子处的信号的相位差大致为180°，能实现180°的相位差、即作为平衡端子的理想相位差。
由此，通过使用本实施方式的结构，能以简单的结构实现具有优异的传输特性及优异的平衡特性的不平衡一平衡转换电路元件。具有这样的电路结构的不平衡一平衡转换电路元件10通过如图6及图7所示的层叠体来实现。图6是不平衡一平衡转换电路元件10的外观立体图。图7是不平衡一平衡转换电路元件10的分解立体图。如图6所示，不平衡一平衡转换电路元件10包括矩形形状的层叠体100。在层叠体100的第一侧面(图6的前表面)上隔开规定距离形成有第一外部电极201和第二外部电极202。在层叠体100的与第一侧面相对的第二侧面(图6的后表面)上隔开规定距离形成有第三外部电极203和第四外部电极204。第一外部电极201与第四外部电极204相对配置，第二外部电极202与第三外部电极203相对配置。这些第一、第二、第三、第四外部电极201、202、203、204以如下形状形成，即，不仅形成在各形成面(侧面)上，还延伸至层叠体100的顶面(图6的上表面)及底面(图6的下表面)。层叠体100将底面作为安装面，以安装到安装有RF半导体IC等的外部电路基板上。本实施方式的不平衡一平衡转换电路元件10中，第一外部电极201与不平衡端子P 相对应，第二外部电极202与接地端子GND相对应，第三外部电极203与第一平衡端子Pbi相对应，第四外部电极204与第二平衡端子Pb2相对应。如图7所示，层叠体100通过将分别形成有规定的电极图案的16层的电介质层进行层叠而成。以下，将成为层叠体100的顶面的最上层作为第I层，将成为层叠体100的底面的最下层作为第16层来对电极图案的结构进行说明。在第I层的电介质层101上形成有第一外部电极201、第二外部电极202、第三外部电极203、及第四外部电极204。第一外部电极201、第二外部电极202、第三外部电极203、及第四外部电极204从电介质层101的侧面形成至顶面。另外，第一外部电极201、第二外部电极202、第三外部电极203、及第四外部电极204在电介质层102 116的各侧面上也形成为向层叠方向延伸。在第2层的电介质层102、第3层的电介质层103、第4层的电介质层104上分别形成有平板电极221、231、241，平板电极231与平板电极221及平板电极241相对，从而构成电容器CH1。平板电极221和平板电极241被引出到第四外部电极204以进行连接。平板电极231被引出到第一外部电极201以进行连接。
在第5层的电介质层105、第6层的电介质层106、第7层的电介质层107、第8层的电介质层108、第9层的电介质层109、第10层的电介质层110上分别形成有构成电感器LLl的线状电极251、261、271、281、291、301。线状电极251的一端与第一外部电极201相连接。线状电极301的一端与第三外部电极203相连接。线状电极251和线状电极261通过通孔电极901在层叠方向上相连接。线状电极261和线状电极271通过通孔电极902在层叠方向上相连接。线状电极271和线状电极281通过通孔电极903在层叠方向上相连接。线状电极281和线状电极291通过通孔电极905在层叠方向上相连接。线状电极291和线状电极301通过通孔电极907在层叠方向上相连接。在第7层的电介质层107、第8层的电介质层108、第9层的电介质层109、第10层的电介质层110、第11层的电介质层111、第12层的电介质层112上分别形成有构成电感器LHl的线状电极272、282、292、302、311、321。线状电极272的一端与第四外部电极204·相连接。线状电极321的一端与第三外部电极203相连接。线状电极272和线状电极282通过通孔电极904在层叠方向上相连接。线状电极282和线状电极292通过通孔电极906在层叠方向上相连接。线状电极292和线状电极302通过通孔电极908在层叠方向上相连接。线状电极302和线状电极311通过通孔电极909在层叠方向上相连接。线状电极311和线状电极321通过通孔电极910在层叠方向上相连接。在第13层的电介质层113、第14层的电介质层114、第15层的电介质层115上分别形成有平板电极331、341、351，平板电极341与平板电极331及平板电极351相对，从而构成电容器CL1。平板电极331、351被引出到第二外部电极202以进行连接。这些平板电极331、351起到作为层叠体100内的内层接地电极的作用。平板电极341被引出到第三外部电极203以进行连接。在第16层的电介质层116上形成有第一外部电极201、第二外部电极202、第三外部电极203、第四外部电极204。第一外部电极201、第二外部电极202、第三外部电极203、第四外部电极204从电介质层116的侧面形成至底面。通过采用这样的结构，从层叠体100的顶面侧起，按照电容器CH1、电感器LU、LH1、电容器CLl的顺序形成构成不平衡一平衡转换电路元件10的电路元件。而且，如上所述，该层叠体100的内层接地电极成为接近层叠体100的底面的、电介质层113、115的平板电极331、351。因此，在构成电容器CHl的平板电极221、231、241与平板电极341及成为内层接地电极的平板电极331、351之间夹设有形成电感器LL1、LHl的电介质层，从而能将构成电容器CHl的平板电极221、231、241与平板电极341及成为内层接地电极的平板电极331,351隔开。由此，能抑制平板电极221、231、241与平板电极331、341、351之间产生寄生电容。图8是表示本申请结构的不平衡一平衡转换电路元件10的插入损耗特性、以及在将构成电容器CHl的平板电极221、231、241与成为内层接地电极的平板电极331、351不进行隔开、而是一起配置在层叠体100的底面一侧的情况(Ref结构)下的插入损耗特性的图。图8表示作为通频带的2. 4[GHz]附近的插入损耗，实线表示本发明的插入损耗特性，虚线表示Ref结构的插入损耗特性。如图8所示，通过使用本发明的结构，如上所述，能抑制寄生电容的产生，改善插入损耗。另外，上述的说明中，仅示出了一种输入阻抗的情况，但通过对构成不平衡一平衡转换电路元件10的各电路元件的各元件值进行适当的设定，能实现较宽范围的相位分量。图9是表示输出阻抗值与电感器LHl的元件值(电感)的关系的表。如图9所示，通过使用本实施方式的结构，只要改变电感器LHl的元件值(电感)，就能实现50土 j0 [ Ω ]以下的50 - jl20[Q]为止的复数阻抗。因此，即使层叠体的尺寸较小，也能相对于上述相位分量实现较宽范围的复数阻抗。换言之，能将相对于相位分量实现较宽范围的复数阻抗的不平衡一平衡转换电路元件10形成为小型。接下来，参照附图对实施方式2所涉及的不平衡一平衡转换电路元件进行说明。图10是实施方式2所涉及的不平衡一平衡转换电路元件IOA的电路图。·
不平衡一平衡转换电路元件IOA包括不平衡端子PUB、以及由第一平衡端子Pbi和第二平衡端子Pb2所构成的平衡端子。在不平衡端子Plffi与第一平衡端子Pbi之间串联连接有电感器LL1A。该电感器LLlA相当于本发明的第一电感器。低通滤波器(LPF)主要由该电感器LLlA构成。在不平衡端子Plffi与第二平衡端子Pb2之间串联连接有电容器CH1A。该电容器CHlA相当于本发明的第一电容器。此外，电容器CHlA的第二平衡端子Pb2 —侧经由电感器LHlA接地。该电感器LHlA相当于本发明的滤波器特性调节元件。由这些电容器CHlA和电感器LHlA构成高通滤波器(HPF)。在电感器LLlA的第一平衡端子Pbi —侧与电容器CHlA的第二平衡端子Pb2 —侧之间连接有电容器CL1A。该电容器CLlA相当于本发明的阻抗调节元件。在具有上述电路结构的不平衡一平衡转换电路元件IOA中，可以将电容器CLlA看作假想接地，因此，连接在电感器LLlA的第一平衡端子Pbi —侧与电容器CHlA的第二平衡端子Pb2—侧之间的电容器CLlA在等效电路上等同于以下的电路S卩，将上述电感器LLlA的第一平衡端子Pbi —侧接地的电容器CL1A’与将电容器CHlA的第二平衡端子Pb2 —侧接地的电容器CL1A”经由接地进行串联连接。而且，电容器CL1A’和电容器CL1A”的电容相同。通过上述结构，可以看作具有相同电容的电容器与第一平衡端子Pbi —侧的电路和第二平衡端子Pb2 —侧的电路并联连接。由此，能使从第一平衡端子Pbi观察不平衡端子P 一侧所得到的阻抗的相位和从第二平衡端子Pb2观察不平衡端子P —侧所得到的阻抗的相位以相同的相位量进行旋转。而且，该相位旋转量由电容器CLlA的电容来确定。此外，相位旋转方向与实施方式I所示的结构相反。因此，通过包括这样的电容器CL1A，能使由第一平衡端子Pbi及第二平衡端子Pb2所构成的平衡端子的输出阻抗的相位分量从零向正方向移动。此时，通过恰当地设定电容器CLlA的电容，能恰当地设定相位分量。由此，即使将输入阻抗具有正的相位分量的RF半导体IC与该不平衡一平衡转换电路元件IOA的平衡端子一侧进行连接，也能设定不平衡一平衡转换电路元件IOA的平衡端子的输出阻抗的相位分量，以与RF半导体IC的输入阻抗的相位分量匹配。具有这样的电路结构的不平衡一平衡转换电路元件IOA通过如图11所示的层叠体100A来实现。图11是不平衡一平衡转换电路元件IOA的分解立体图。另外，不平衡一平衡转换电路元件IOA的外形形状与实施方式I所示的不平衡一平衡转换电路元件10具有相同的结构要素，因此省略详细的说明。其中，本实施方式的不平衡一平衡转换电路元件IOA中，第一外部电极201A与不平衡端子Pub相对应，第二外部电极202A与第二平衡端子Pb2相对应。本实施方式的不平衡一平衡转换电路元件IOA中，第三外部电极203A与第一平衡端子Pbi相对应，第四外部电极204A与接地端子GND相对应。如图11所示，层叠体100A通过将分别形成有规定的电极图案的13层的电介质层进行层叠而成。以下，将成为层叠体100A的顶面的最上层作为第I层，将成为层叠体100A的底面的最下层作为第13层来对电极图案的结构进行说明。在第I层的电介质层IOlA上形成有第一外部电极201A、第二外部电极202A、第三外部电极203A、及第四外部电极204A。第一外部电 极201A、第二外部电极202A、第三外部电极203A、及第四外部电极204A从电介质层IOlA的侧面形成至顶面。另外，第一外部电极201A、第二外部电极202A、第三外部电极203A、及第四外部电极204A在电介质层102A 113A的各侧面上也形成为向层叠方向延伸。在第2层的电介质层102A、第3层的电介质层103A、第4层的电介质层104A上分别形成有平板电极221A、231A、241A，平板电极231A与平板电极221A及平板电极241A相对，从而构成电容器CH1A。平板电极221A、241A被引出到第二外部电极202A以进行连接。平板电极23IA被引出到第一外部电极20IA以进行连接。在第5层的电介质层105A、第6层的电介质层106A、第7层的电介质层107A、第8层的电介质层108A上分别形成有构成电感器LLlA的线状电极251A、261A、271A、281A。线状电极25IA的一端与第一外部电极20IA相连接。线状电极28IA经由通孔电极904A及电介质层109A的平板电极29IA引出到第三外部电极203A以进行连接。线状电极251A和线状电极261A通过通孔电极901A在层叠方向上相连接。线状电极261A和线状电极271A通过通孔电极902A在层叠方向上相连接。线状电极271A和线状电极28IA通过通孔电极903A在层叠方向上相连接。在第8层的电介质层108A、第9层的电介质层109A、第10层的电介质层IlOA上分别形成有构成电感器LHlA的线状电极282A、292A、301A。线状电极282A的一端与第四外部电极204A相连接。线状电极30IA的一端与第二外部电极202A相连接。线状电极282A和线状电极292A通过通孔电极905A在层叠方向上相连接。线状电极292A和线状电极30IA通过通孔电极906A在层叠方向上相连接。在第11层的电介质层111A、第12层的电介质层112A、第13层的电介质层113A上分别形成有平板电极311A、321A、331A，平板电极32IA与平板电极31IA及平板电极33IA相对，从而构成电容器CL1A。平板电极311A、331A被引出到第二外部电极202A以进行连接。这些平板电极311A、331A起到作为层叠体100A内的内层接地电极的作用。平板电极321A被引出到第三外部电极203A以进行连接。在第13层的电介质层113A上形成有第一外部电极201A、第二外部电极202A、第三外部电极203A、第四外部电极204A。第一外部电极201A、第二外部电极202A、第三外部电极203A、第四外部电极204A从电介质层113A的侧面形成至底面。通过采用这样的结构，从层叠体100A的顶面侧起，按照电容器CH1A、电感器LL1A、LH1A、电容器CLlA的顺序形成构成不平衡一平衡转换电路元件IOA的电路元件。而且，如上所述，该层叠体IOOA的内层接地电极成为接近层叠体100A的底面的、电介质层111A、113A的平板电极311A、331A。因此，在构成电容器CHlA的平板电极221A、231A、241A与平板电极321A及成为内层接地电极的平板电极311A、331A之间夹设有形成电感器LL1A、LHlA的电介质层，从而能将构成电容器CHlA的平板电极221A、231A、241A与平板电极32IA及成为内层接地电极的平板电极311A、331A隔开。由此，能抑制平板电极221A、231A、241A与平板电极311A、321A、331A之间产生寄生电容。此外，通过对构成本实施方式的不平衡一平衡转换电路元件IOA的各电路元件的各元件值进行适当的设定，与实施方式I的不平衡一平衡转换电路元件10相同，能实现较宽范围的相位分量。图12是表示输出阻抗值与电容器CLlA的元件值(电容)的关系的表。如图12所示，通过使用本实施方式的结构，只要改变电容器CLlA的元件值(电容)，就能实现50土」0[Ω]以上的50 +」120[Ω]为止的复数阻抗。因此，即使层叠体的尺寸较小，也能相对于上述相位分量实现较宽范围的复数阻抗。换言之，能将相对于相位分量实现较宽范围的复数阻抗的不平衡一平衡转换电路元件IOA形成为小型。而且，如上述的实施方式1、2所示，如果将电感器或电容器连接在第一平衡端子 Pbi 一侧的LPF与第二平衡端子Pb2 —侧的HPF之间，则能在维持小型的状态下实现从一」120[Ω]至+」_120[Ω]的相位调节。图13是表示由实施方式I和实施方式2所构成的不平衡一平衡转换电路元件所能采用的阻抗值的范围的概念的图。如图13所示，在图I所示的现有结构中，能够采用的复数阻抗的相位分量的范围极其狭窄，但通过使用本发明的结构，在相位方向上能够采用的范围与现有结构相比能得到大幅度的拓宽。另外，图13所示的能采用的相位分量的范围是一个示例，根据不平衡一平衡转换电路元件的形状和规格会发生变化，但至少能在规定范围内容易地调节相位分量。此时，实现不平衡一平衡转换电路元件的层叠体的形状基本没有变化，也不会大型化。因此，相对于RF半导体IC的复数阻抗的相位分量能在较宽范围内进行匹配，能实现小型的不平衡一平衡转换电路元件。而且，在不平衡一平衡转换电路元件与RF半导体IC之间不需要另设匹配电路，因此，作为RF前端模块的形状也能小型化。接下来，参照附图对本发明的实施方式3所涉及的不平衡一平衡转换电路元件进行说明。图14是实施方式3所涉及的不平衡一平衡转换电路元件IOB的电路图。本实施方式的不平衡一平衡转换电路元件IOB相对于实施方式I所示的不平衡一平衡转换电路元件10添加了直流电压施加用接地端子PKFe，随着该直流电压施加用接地端子PKre的添加，进一步添加了多个元件。因此，基本的不平衡一平衡转换功能与实施方式I所示的不平衡一平衡转换电路元件10相同。因此，仅对电路结构及层叠结构进行具体说明。不平衡一平衡转换电路元件IOB包括不平衡端子PUB、由第一平衡端子Pbi和第二平衡端子Pb2所构成的平衡端子、以及直流电压施加用接地端子PKre。在不平衡端子Plffi与第一平衡端子Pbi之间串联连接有电感器LLlB。该电感器LLlB相当于本发明的第一电感器。此外，电感器LLlB的第一平衡端子Pbi —侧经由电容器CLlB与直流电压施加用接地端子PKre相连接。在不平衡端子Plffi与第二平衡端子Pb2之间串联连接有电容器CHlB。该电容器CHlB相当于本发明的第一电容器。此外，电容器CHlB的与电感器LLlB的连接侧经由电感器LH2B与直流电压施加用接地端子PKre相连接。
在电感器LLlB的第一平衡端子Pbi —侧与电容器CHlB的第二平衡端子Pb2 —侧之间连接有电感器LHlB。该电感器LHlB相当于本发明的阻抗调节元件。电感器LLlB和电容器CHlB之间的连接点与不平衡端子Pub之间连接有直流分量除去用电容器Cin。具有这样的电路结构的不平衡一平衡转换电路元件IOB通过如图15所示的层叠体100B来实现。图15是不平衡一平衡转换电路元件IOB的分解立体图。另外，不平衡一平衡转换电路元件IOB的外形形状与实施方式1、2所示的不平 衡一平衡转换电路元件10、IOA具有相同的结构要素，因此省略详细的说明。其中，本实施方式的不平衡一平衡转换电路元件IOB中，第一外部电极201B与不平衡端子Plffi相对应，第二外部电极202B与第一平衡端子Pbi相对应。本实施方式的不平衡一平衡转换电路元件IOB中，第三外部电极203B与第二平衡端子Pb2相对应，第四外部电极204B与直流电压施加用接地端子PKFe相对应。如图15所示，层叠体100B通过将分别形成有规定的电极图案的21层的电介质层进行层叠而成。以下，将成为层叠体100B的顶面的最上层作为第I层，将成为层叠体100B的底面的最下层作为第21层来对电极图案的结构进行说明。在第I层的电介质层IOlB上形成有第一外部电极201B、第二外部电极202B、第三外部电极203B、及第四外部电极204B。第一外部电极201B、第二外部电极202B、第三外部电极203B、及第四外部电极204B从电介质层IOlB的侧面形成至顶面。另外，第一外部电极201B、第二外部电极202B、第三外部电极203B、及第四外部电极204B在电介质层102B 121B的各侧面上也形成为向层叠方向延伸。在第2层的电介质层102B、第3层的电介质层103B、第4层的电介质层104B、第5层的电介质层105B上分别形成有平板电极221B、231B、241B、251B，平板电极221B、241B与平板电极23IB、25IB相对，从而构成直流分量除去用电容器Cin。平板电极22IB、24IB被引出到第一外部电极201B以进行连接。平板电极231B经由通孔电极901B与平板电极251B相连接。平板电极251B经由通孔电极902B、形成于电介质层107B的连接电极271B、及通孔电极903B与电介质层108B的线状电极282B相连接。在第6层的电介质层106B上形成有构成电容器CHlB的一部分的平板电极26IB。平板电极261B与形成于第5层的电介质层的平板电极251B相对，从而构成CH1B。平板电极26IB被引出到第三外部电极203B以进行连接。在8层的电介质层108B、第9层的电介质层109B、第10层的电介质层110B、第11层的电介质层111B、第12层的电介质层112B、第13层的电介质层113B上分别形成有构成电感器LH2B的线状电极282B、292B、302B、312B、322B、332B。线状电极282B的一端经由通孔电极903B、电介质层107B的连接电极271B、及通孔电极902B与平板电极251B相连接，且与处于同一层上的作为电感器LLlB的结构要素的线状电极281B相连接。线状电极332B的一端与第四外部电极204B相连接。线状电极282B的另一端和线状电极292B通过通孔电极905B在层叠方向上相连接。线状电极292B和线状电极302B通过通孔电极907B在层叠方向上相连接。线状电极302B和线状电极312B通过通孔电极909B在层叠方向上相连接。线状电极312B和线状电极322B通过通孔电极911B在层叠方向上相连接。线状电极322B和线状电极332B通过通孔电极913B在层叠方向上相连接。
在第8层的电介质层108B、第9层的电介质层109B、第10层的电介质层110B、第
11层的电介质层111B、第12层的电介质层112B、第13层的电介质层113B、第14层的电介质层114B、第15层的电介质层115B上分别形成有构成电感器LLlB的线状电极281B、291B、301B、311B、321B、331B、341B、351B。线状电极281B的一端与处于同一层上的作为电感器LH2B的结构要素的线状电极282B相连接。线状电极351B的一端与第二外部电极202B相连接。线状电极281B的另一端和线状电极291B通过通孔电极904B在层叠方向上相连接。线状电极291B和线状电极301B通过通孔电极906B在层叠方向上相连接。线状电极301B和线状电极311B通过通孔电极908B在层叠方向上相连接。线状电极311B和线状电极321B通过通孔电极910B在层叠方向上相连接。线状电极321B和线状电极331B通过通孔电极912B在层叠方向上相连接。线状电极331B和线状电极341B通过通孔电极914B在层叠方向上相连接。线状电极341B和线状电极351B通过通孔电极915B在层叠方向上相连接。
在第16层的电介质层116B、第17层的电介质层117B、第18层的电介质层118B、第19层的电介质层119B上分别形成有构成电感器LHlB的线状电极361B、371B、381B、391B。线状电极361B的一端与第三外部电极203B相连接。线状电极391B的一端与第二外部电极202B相连接。线状电极361B的另一端和线状电极371B通过通孔电极916B在层叠方向上相连接。线状电极371B和线状电极381B通过通孔电极917B在层叠方向上相连接。线状电极381B和线状电极391B通过通孔电极918B在层叠方向上相连接。在第20层的电介质层120B、第21层的电介质层121B上分别形成有平板电极401B.411B,通过使平板电极40IB和41IB相对，从而构成电容器CLlB。平板电极40IB被引出到第二外部电极202B以进行连接。平板电极411B被引出到第四外部电极204B以进行连接。平板电极411B起到作为层叠体100B内的内层接地电极的作用。在第21层的电介质层121B上形成有第一外部电极201B、第二外部电极202B、第三外部电极203B、第四外部电极204B。第一外部电极201B、第二外部电极202B、第三外部电极203B、第四外部电极204B从电介质层121B的侧面形成至底面。通过采用这样的结构，从层叠体100B的顶面侧起，按照电容器Cin、CHIB、电感器LL1B、LH2B、LH1B、电容器CLlB的顺序形成构成不平衡一平衡转换电路元件IOB的电路元件。而且，如上所述，该层叠体100B的内层接地电极成为层叠体100B的最下层即电介质层121B的平板电极411B。因此，在构成电容器Cin、CHlB的平板电极221B、231B、241B、251B、26IB与平板电极40IB及成为内层接地电极的平板电极41IB之间夹设有形成电感器LL1B、LH1B、LH2B的电介质层，从而能将构成电容器Cin、CHlB的平板电极221B、231B、241B、251B、261B与平板电极401B及成为内层接地电极的平板电极411B隔开。由此，能抑制平板电极221B、231B、241B、251B、261B与平板电极401B、411B之间产生寄生电容。由此，对于具有直流电压施加功能的不平衡一平衡转换电路元件IOB也能获得与上述实施方式I所示的不平衡一平衡转换电路元件10相同的作用效果。接下来，参照附图对实施方式4所涉及的不平衡一平衡转换电路元件进行说明。图16是实施方式4所涉及的不平衡一平衡转换电路元件IOC的电路图。本实施方式的不平衡一平衡转换电路元件IOC相对于实施方式2所示的不平衡一平衡转换电路元件IOA添加了直流电压施加用接地端子PKFe，随着该直流电压施加用接地端子PKFe的添加，进一步添加了多个元件。因此，基本的不平衡一平衡转换功能与实施方式2所示的不平衡一平衡转换电路元件IOA相同。因此，仅对电路结构及层叠结构进行具体说明。不平衡一平衡转换电路元件IOC包括不平衡端子PUB、由第一平衡端子Pbi和第二平衡端子Pb2所构成的平衡端子、以及直流电压施加用接地端子PKre。在不平衡端子Plffi与第一平衡端子Pbi之间串联连接有电感器LL1C。该电感器LLlC相当于本发明的第一电感器。此外，电感器LLlC的第一平衡端子Pbi —侧经由电容器CLlC和电感器LH2C的串联电路与直流电压施加用接地端子PKFe相连接。在不平衡端子Plffi与第二平衡端子Pb2之间串联连接有电容器CH1C。该电容器CHlC相当于本发明的第一电容器。电容器CHlC的与电感器LLlC的连接侧经由电感器LHlC与直流电压施加用接地端子PKFe相连接。电容器CHlC的第二平衡端子Pb2 —侧连接到电容器CLlC和电感器LH2C之间的连接点。 由此，在电感器LLlC的第一平衡端子Pbi —侧与电容器CHlC的第二平衡端子Pb2一侧之间连接有电容器CL1C。该电容器CLlC相当于本发明的阻抗调节元件。在电感器LLlC和电容器CHlC之间的连接点与不平衡端子Pub之间连接有直流分量除去用电容器Cin。具有这样的电路结构的不平衡一平衡转换电路元件IOC通过如图17所示的层叠体100C来实现。图17是不平衡一平衡转换电路元件IOC的分解立体图。另外，不平衡一平衡转换电路元件IOC的外形形状与实施方式1、2、3所示的不平衡一平衡转换电路元件10、10AU0B具有相同的结构要素，因此省略详细的说明。其中，本实施方式的不平衡一平衡转换电路元件IOC中，第一外部电极201C与不平衡端子Pub相对应，第二外部电极202C与第二平衡端子Pb2相对应。本实施方式的不平衡一平衡转换电路元件IOC中，第三外部电极203C与第一平衡端子Pbi相对应，第四外部电极204C与直流电压施加用接地端子PKFe相对应。如图17所示，层叠体100C通过将分别形成有规定的电极图案的21层的电介质层进行层叠而成。以下，将成为层叠体100C的顶面的最上层作为第I层，将成为层叠体100C的底面的最下层作为第21层来对电极图案的结构进行说明。在第I层的电介质层IOlC上形成有第一外部电极201C、第二外部电极202C、第三外部电极203C、及第四外部电极204C。第一外部电极201C、第二外部电极202C、第三外部电极203C、及第四外部电极204C从电介质层IOlC的侧面形成至顶面。另外，第一外部电极201C、第二外部电极202C、第三外部电极203C、及第四外部电极204C在电介质层102C 121C的各侧面上也形成为向层叠方向延伸。在第2层的电介质层102C、第3层的电介质层103C、第4层的电介质层104C、第5层的电介质层105C上分别形成有平板电极221C、231C、241C、251C，平板电极221C、241C与平板电极231C、25IC相对，从而构成直流分量除去用电容器Cin。平板电极221C、241C被引出到第一外部电极201C以进行连接。平板电极231C经由通孔电极901C与平板电极251C相连接。平板电极25IC经由通孔电极902C、电介质层107C的连接电极271C、及通孔电极903C与电介质层108C的线状电极281C相连接。
在第6层的电介质层106C上形成有构成电容器CHlC的一部分的平板电极261C。平板电极261C与平板电极251C相对，从而构成电容器CH1C。此外，平板电极261C被引出到第三外部电极203C以进行连接。在8层的电介质层108C、第9层的电介质层109C、第10层的电介质层110C、第11层的电介质层111C 、第12层的电介质层112C、第13层的电介质层113C上分别形成有构成电感器LHlC的线状电极281C、291C、301C、311C、321C、331C。线状电极281C的一端经由通孔电极903C、电介质层107C的连接电极271C、通孔电极902C与平板电极251C相连接，且与处于同一层上的作为电感器LLlC的结构要素的线状电极282C相连接。线状电极331C的一端与第四外部电极204C相连接。线状电极281C的另一端和线状电极291C通过通孔电极904C在层叠方向上相连接。线状电极291C和线状电极301C通过通孔电极906C在层叠方向上相连接。线状电极301C和线状电极311C通过通孔电极908C在层叠方向上相连接。线状电极311C和线状电极321C通过通孔电极910C在层叠方向上相连接。线状电极321C和线状电极331C通过通孔电极912C在层叠方向上相连接。在第8层的电介质层108C、第9层的电介质层109C、第10层的电介质层110C、第11层的电介质层111C、第12层的电介质层112C、第13层的电介质层113C、第14层的电介质层114C、第15层的电介质层115C上分别形成有构成电感器LLlC的线状电极282C、292C、302C、312C、322C、332C、341C、351C。线状电极282C的一端与处于同一层上的作为电感器LHlC的结构要素的线状电极281C相连接。线状电极351C的一端与第二外部电极202C相连接。线状电极282C的另一端和线状电极292C通过通孔电极905C在层叠方向上相连接。线状电极292C和线状电极302C通过通孔电极907C在层叠方向上相连接。线状电极302C和线状电极312C通过通孔电极909C在层叠方向上相连接。线状电极312C和线状电极322C通过通孔电极911C在层叠方向上相连接。线状电极322C和线状电极332C通过通孔电极913C在层叠方向上相连接。线状电极332C和线状电极341C通过通孔电极914C在层叠方向上相连接。线状电极341C和线状电极351C通过通孔电极915C在层叠方向上相连接。在第16层的电介质层116C、第17层的电介质层117C、第18层的电介质层118C、第19层的电介质层119C上分别形成有构成电感器LH2C的线状电极361C、371C、381C、391C。线状电极361C的一端与第三外部电极203C相连接。线状电极391C的一端与第四外部电极204C相连接。线状电极361C和线状电极371C通过通孔电极916C在层叠方向上相连接。线状电极371C和线状电极381C通过通孔电极917C在层叠方向上相连接。线状电极381C和线状电极391C通过通孔电极918C在层叠方向上相连接。在第20层的电介质层120C、第21层的电介质层121C上分别形成有平板电极401C、411C，通过使平板电极401C和411C相对，从而构成电容器CL1C。平板电极401C被引出到第二外部电极202C以进行连接。平板电极41IC被引出到第三外部电极203C以进行连接。平板电极401C起到作为层叠体100C内的内层接地电极的作用。在第21层的电介质层121C上形成有第一外部电极201C、第二外部电极202C、第三外部电极203C、第四外部电极204C。第一外部电极201C、第二外部电极202C、第三外部电极203C、第四外部电极204C从电介质层121C的侧面形成至底面。通过采用这样的结构，从层叠体100C的顶面侧起，按照电容器Cin、CHIC、电感器LH1C、LL1C、LH2C、电容器CLlC的顺序形成构成不平衡一平衡转换电路元件IOC的电路元件。而且，如上所述，该层叠体100C的内层接地电极成为层叠体100C的底面附近的、电介质层120C的平板电极401C。因此，在构成电容器Cin、CHlC的平板电极221C、231C、241C、251C、261C与平板电极411C及成为内层接地电极的平板电极401C之间夹设有形成电感器LH1C、LL1C、LH2C的电介质层，从而能将构成电容器Cin、CHlC的平板电极221C、231C、241C、251C、261C与平板电极411C及成为内层接地电极的平板电极401C隔开。由此，能抑制平板电极221C、231C、241C、251C、261C与平板电极401C、411C之间产生寄生电容。这样，对于具有直流电压施加功能的不平衡一平衡转换电路元件IOC也能获得与 上述实施方式2所示的不平衡一平衡转换电路元件IOA相同的作用效果。接下来，参照附图对实施方式5所涉及的不平衡一平衡转换电路元件进行说明。图18是实施方式5所涉及的不平衡一平衡转换电路元件IOD的电路图。本实施方式的不平衡一平衡转换电路元件IOD的电感器LL1D、LH1D、电容器CH1D、CL1D分别相当于实施方式I所示的电感器LLULHl、电容器CHUCLl。在不平衡一平衡转换电路元件IOD中，电感器LLlD的不平衡端子Pub —侧的端部经由电容器CL2D接地。通过具有上述结构，能获得与上述实施方式I所示的不平衡一平衡转换电路元件10相同的作用效果，且能使LPF及HPF的通频带的中心频率及通频带整体朝低频一侧移动。接下来，参照附图对实施方式6所涉及的不平衡一平衡转换电路元件进行说明。图19是实施方式6所涉及的不平衡一平衡转换电路元件IOE的电路图。本实施方式的不平衡一平衡转换电路元件IOE的电感器LL1E、LH1E、电容器CH1E、CLlE分别相当于实施方式2所示的电感器LL1A、LH1A、电容器CH1A、CL1A。在不平衡一平衡转换电路元件IOE中，电感器LLlE的不平衡端子Pub —侧的端部经由电容器CL2E接地。通过具有上述结构，能获得与上述实施方式2所示的不平衡一平衡转换电路元件IOA相同的作用效果，且能使LPF及HPF的通频带的中心频率及通频带整体朝低频一侧移动。标号说明10、10A、10B、10C、10D、10EU0P :不平衡一平衡转换电路元件100、100A、100B、100C :层叠体101- 116U01A- 113A、101B— 212B、101C— 121C :电介质层201、201A、201B、201C :第一外部电极202、202A、202B、202C :第二外部电极203、203A、203B、203C :第三外部电极204、204A、204B、204C :第四外部电极221、231、241、331、341、351、221A、231A、241A、291A、311A、321A、331A、221B、231B、241B、251B、261B、401B、411B、221C、231C、241C、251C、261C、401C、411C :平板电极251、261、271、272、281、282、291、292、301、302、311、321、 251A、261A、271A、281A、282A、292A、301A、281B、282B、291B、292B、301B、302B、311B、312B、321B、322B、331B、332B、341B、351B、361B、371B、381B、391B、281C、282C、291C、292C、301C、302C、311C、312C、321C、322C、331C、332C、341C、351C、361C、371C、381C、391C :线状电极271B、271C :连接电极800 :天线802:匹配电路803:RF 半导体 IC901-910,901A- 906A :通孔电极Plffi:不平衡端子 Pm :第一平衡端子Pb2 :第二平衡端子PKFe :直流电压施加用接地端子LLl、LHl、LL1A、LH1A、LL1B、LH1B、LH2B、LL1C、LH2C、LH1C、LL1D、LH1D、LL1E、LH1E、LLlp、LHlp 电感器 CLl、CHl、CL1A、CH1A、CL1B、CHIB、CL1C、CHIC、CL1D、CL2D、CHID、CL1E、CL2E、CH1E、
CLlp, CHlp :电容器 Cin :直流分量除去用电容器。
权利要求
1.一种不平衡一平衡转换电路元件，该不平衡一平衡转换电路元件包括输入输出不平衡信号的不平衡端子、由输入输出平衡信号的第一平衡端子及第二平衡端子所构成的一对平衡端子，其特征在于，包括 第一电感器，该第一电感器串联连接在所述不平衡端子与所述第一平衡端子之间； 第一电容器，该第一电容器串联连接在所述不平衡端子与所述第二平衡端子之间；以及 阻抗调节元件，该阻抗调节元件由连接在所述第一电感器的所述第一平衡端子一侧与所述第一电容器的所述第二平衡端子一侧之间的电感器或电容器所构成。
2.如权利要求I所述的不平衡一平衡转换电路元件，其特征在于， 包括将多个电介质层进行层叠而成的层叠体， 所述第一电感器、所述第一电容器、及所述阻抗调节元件由形成于所述层叠体的所述多个电介质层上的电极图案所形成， 所述第一电感器及所述阻抗调节元件配设在所述第一电容器与所述层叠体的安装面之间。
3.如权利要求2所述的不平衡一平衡转换电路元件，其特征在于， 包括直流分量除去用电容器，该直流分量除去用电容器串联连接在所述第一电感器和所述第一电容器之间的连接点与所述不平衡端子之间， 该直流分量除去用电容器由形成于所述多个电介质层上的所述电极图案所形成，所述第一电感器及所述阻抗调节元件配设在所述直流分量除去用电容器与所述层叠体的安装面之间。
4.如权利要求I至3的任一项所述的不平衡一平衡转换电路元件，其特征在于， 包括施加直流电压的直流电压施加端子， 该直流电压施加端子与所述第一电感器及所述第一电容器相连接。
5.如权利要求I至4的任一项所述的不平衡一平衡转换电路元件，其特征在于， 包括将所述第一平衡端子或所述第二平衡端子接地的滤波器特性调节元件， 若所述阻抗调节元件是电感器，则所述滤波器特性调节元件由将所述第一平衡端子接地的电容器所构成， 若所述阻抗调节元件是电容器，则所述滤波器特性调节元件由将所述第二平衡端子接地的电感器所构成。
6.如权利要求I至5的任一项所述的不平衡一平衡转换电路元件，其特征在于， 包括第二电容器，该第二电容器将所述第一电感器的、该第一电感器与所述第一电容器之间的连接点一侧的端部接地。
全文摘要
在不平衡－平衡转换电路元件(10)的不平衡端子(PUB)与第一平衡端子(PB1)之间串联连接有电感器(LL1)。电感器(LL1)的第一平衡端子(PB1)一侧经由电容器(CL1)接地。在不平衡端子(PUB)与第二平衡端子(PB2)之间串联连接有电容器(CH1)。在电感器(LL1)的第一平衡端子(PB1)一侧与电容器(CH1)的第二平衡端子(PB2)一侧之间连接有电感器(LH1)。在形成不平衡－平衡转换电路元件(10)的层叠体(100)内，电容器(CH1)形成得比其他电路元件要远离安装面。
文档编号H03H7/42GK102916670SQ20121027044
公开日2013年2月6日 申请日期2012年7月31日 优先权日2011年8月1日
发明者田中阳 申请人:株式会社村田制作所