一种基于分立器件的硬件复位电路的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及移动互联网设备领域，尤其涉及一种基于分立器件的硬件复位电路，包括：电源控制电路和复位电路，所述电源控制电路与复位电路连接，所述复位电路中包括：延迟电路，同时触发电源键和复位键时，延时预设的时间后，实现硬件复位，与现有技术中的集成电路相比，本实用新型降低了生产成本，且延时时间可以由分立器件预先设置。
【专利说明】
【技术领域】
[0001] 本实用新型涉及移动互联网设备领域，尤其涉及一种基于分立器件的硬件复位电 路。 一种基于分立器件的硬件复位电路
【背景技术】
[0002] 移动互联网设备（Mobile Internet Device,简称MID)，是一种新的"比智能电 话大，比笔记本小"的互联网终端，是一款能够提高高端客户办事效率、满足随时随地上 网需求、用着舒心、便于携带的定级口袋计算机，MID中一般设置有电源管理单元（Power Management Unit, PMU)，电源管理单元是一种高度集成的、针对便携式应用的电源管理方 案，即将传统分立的若干类电源管理器件整合在单个的封装之内，成本较高。 实用新型内容
[0003] 本实用新型的目的在于提出一种基于分立器件的硬件复位电路，降低了成本。
[0004] 为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：
[0005] -种基于分立器件的硬件复位电路，包括：复位电路，所述复位电路包括：R62电 阻、R199电阻、R200电阻、R202电阻、D7二极管、EC5电容、Q37三极管、Q32场效应管、PWR_ KEY接口和RESET接口，其中，R202电阻的一端连接PWR_KEY接口，R202电阻的另一端连 接Q37三极管的基极，Q37三极管的发射极接地，Q37三极管的集电极与R199电阻的一端、 EC5电容的正极、D7二极管的正极连接在一起，R199电阻的另一端连接VCC_I0电源接口， EC5电容的负极接地，D7二极管的负极与R200电阻的一端、Q32场效应管的栅极连接在一 起，Q32场效应管的源极接地，Q32场效应管的漏极，与RESET接口、R62电阻的一端连接在 一起，R62电阻的另一端连接VCC_I0电源接口。
[0006] 其中，所述R62电阻的阻值是100ΚΩ，R199电阻的阻值是330ΚΩ，R200电阻的阻 值是1ΜΩ，R202电阻的阻值是68ΚΩ，D7二极管的型号是1N4148，EC5电容的型号是C1206， 参数为10 μ F/4V，Q37三极管的型号是S8050, Q32场效应管的型号是2SK3018。
[0007] 其中，还包括电源控制电路，所述电源控制电路包括：PWRJTOLD接口、PWR_KEY接 口、PWR_EN接口、VCC_I0电源接口、VDC电源接口、VBUS0电源接口、VSYS电源接口、R174电 阻、R184电阻、R187电阻、R173电阻、R40电阻、R175电阻、R176电阻、R190电阻、R192电 阻、D3二极管、D4二极管、D6二极管、Q36三极管和SW9开关，其中，Q36三极管的集电极与 R174电阻的一端、PWR_KEY接口连接在一起，R174电阻的另一端连接VCC_I0电源接口，Q36 三极管的发射极与R184电阻的一端一起接地，Q36三极管的基极与R184电阻的另一端、 R187电阻的一端连接在一起，R187电阻的另一端与SW9开关的管脚3、D4二极管的管脚2 连接在一起，SW9开关的管脚1和管脚2 -起接地，SW9开关的管脚4连接R173电阻的一 端，R173电阻的另一端连接VSYS电源接口，D4二极管的管脚1与R40电阻的一端、R175电 阻的一端连接在一起，R175电阻的另一端接地，R40电阻的另一端连接PWRJTOLD接口，D4 二极管的管脚3与PWR_EN接口、R176电阻的一端、R190电阻的一端和R192电阻的一端连 接在一起，R176电阻的另一端接地，R190电阻的另一端连接D3二极管的负极，D3二极管的 正极连接VDC电源接口，R192电阻的另一端连接D6二极管的负极，D6二极管的正极连接 VBUSO电源接口。
[0008] 其中，所述D4二极管的型号为BAT54C，R174电阻的阻值是4. 7K Ω，R184电阻的阻 值是47K Ω，R187电阻的阻值是47K Ω，R173电阻的阻值是10K Ω，R40电阻的阻值是1K Ω， R175电阻的阻值是47K Ω，R176电阻的阻值是150K Ω，R190电阻的阻值是100K Ω，R192电 阻的阻值是100K Ω，D3二极管的型号为1N4148, D6二极管的型号为1N4148, Q36三极管的 型号为 S8050, SW9 开关的型号为 SMD_TACT_TS-A12E_4P-PL-D。
[0009] 其中，所述R199电阻和所述EC5电容组成所述延迟电路，所述延迟电路的延迟时 间由R199电阻的阻值和EC5电容的电容值计算得到。
[0010] 本实用新型的有益效果为：一种基于分立器件的硬件复位电路，包括：电源控制 电路和复位电路，所述电源控制电路与复位电路连接，所述复位电路中包括：延迟电路，同 时触发电源键和复位键时，延时预设的时间后，实现硬件复位，与现有技术中的集成电路相 t匕，本实用新型降低了生产成本，且延时时间可以由分立器件预先设置。
【专利附图】
【附图说明】
[0011] 图1是本实用新型【具体实施方式】提供的复位电路的电路图。
[0012] 图2是本实用新型【具体实施方式】提供的电源控制电路的电路图。
【具体实施方式】
[0013] 下面结合图1及图2并通过【具体实施方式】来进一步说明本实用新型的技术方案。
[0014] 图1是本实用新型【具体实施方式】提供的复位电路的电路图。
[0015] 一种基于分立器件的硬件复位电路，包括：复位电路，所述复位电路包括：R62电 阻、R199电阻、R200电阻、R202电阻、D7二极管、EC5电容、Q37三极管、Q32场效应管、PWR_ KEY接口和RESET接口，其中，R202电阻的一端连接PWR_KEY接口，R202电阻的另一端连 接Q37三极管的基极，Q37三极管的发射极接地，Q37三极管的集电极与R199电阻的一端、 EC5电容的正极、D7二极管的正极连接在一起，R199电阻的另一端连接VCC_I0电源接口， EC5电容的负极接地，D7二极管的负极与R200电阻的一端、Q32场效应管的栅极连接在一 起，Q32场效应管的源极接地，Q32场效应管的漏极，与RESET接口、R62电阻的一端连接在 一起，R62电阻的另一端连接VCC_I0电源接口。
[0016] 在本实施例中，当电源键按下时，PWR_KEY接口变为低电平，PWR_KEY接口保持低 电平2秒左右开机，当长按电源键时，PWR_KEY接口保持低电平大于9秒实现硬件低电平复 位。
[0017] 在现有的MID开发电路里面，此原理是集成在PMU里面，在本实施例中，分立器件 电源管理替代PMU的功能，达到相同应用效果的同时，降低了 MID的成本。
[0018] 在本实施例中，所述R62电阻的阻值是100ΚΩ，R199电阻的阻值是330ΚΩ，R200 电阻的阻值是1ΜΩ，R202电阻的阻值是68ΚΩ，D7二极管的型号是1N4148，EC5电容的型号 是C1206,参数为10 μ F/4V，Q37三极管的型号是S8050, Q32场效应管的型号是2SK3018。
[0019] 如图2所示，在本实施例中，还包括电源控制电路，所述电源控制电路包括：PWR_ HOLD 接口、PWR_KEY 接口、PWR_EN 接口、VCC_IO 电源接口、VDC 电源接口、VBUSO 电源接口、 VSYS电源接口、R174电阻、R184电阻、R187电阻、R173电阻、R40电阻、R175电阻、R176电 阻、R190电阻、R192电阻、D3二极管、D4二极管、D6二极管、Q36三极管和SW9开关，其中， Q36三极管的集电极与R174电阻的一端、PWR_KEY接口连接在一起，R174电阻的另一端连 接VCC_I0电源接口，Q36三极管的发射极与R184电阻的一端一起接地，Q36三极管的基极 与R184电阻的另一端、R187电阻的一端连接在一起，R187电阻的另一端与SW9开关的管脚 3、D4二极管的管脚2连接在一起，SW9开关的管脚1和管脚2 -起接地，SW9开关的管脚4 连接R173电阻的一端，R173电阻的另一端连接VSYS电源接口，D4二极管的管脚1与R40 电阻的一端、R175电阻的一端连接在一起，R175电阻的另一端接地，R40电阻的另一端连接 PWRJTOLD接口，D4二极管的管脚3与PWR_EN接口、R176电阻的一端、R190电阻的一端和 R192电阻的一端连接在一起，R176电阻的另一端接地，R190电阻的另一端连接D3二极管 的负极，D3二极管的正极连接VDC电源接口，R192电阻的另一端连接D6二极管的负极，D6 二极管的正极连接VBUS0电源接口。
[0020] 在本实施例中，所述D4二极管的型号为BAT54C，R174电阻的阻值是4. 7ΚΩ，R184 电阻的阻值是47K Ω，R187电阻的阻值是47K Ω，R173电阻的阻值是10K Ω，R40电阻的阻值 是1K Ω，R175电阻的阻值是47K Ω，R176电阻的阻值是150K Ω，R190电阻的阻值是100K Ω， R192电阻的阻值是100ΚΩ，D3二极管的型号为1N4148，D6二极管的型号为1N4148，Q36三 极管的型号为S8050, SW9开关的型号为SMD_TACT_TS-A12E_4P-PL-D。
[0021] 在本实施例中，所述D4二极管的型号为BAT54C，是一种肖特基半导体二极管，具 有3个管脚，具有低导通电压、快速开关、ESD保护等特性。
[0022] 在本实施例中，所述R199电阻和所述EC5电容组成所述延迟电路，所述延迟电路 的延迟时间由R199电阻的阻值和EC5电容的电容值计算得到。
[0023] 在本实施例中，R202电阻的作用是限流，防止Q37三极管基极和发射极出现钳位 而影响PWR_KEY接口的电平状态；Q37三极管的作用是开关，不按电源键时，PWR_KEY接口 高电平，Q37三极管饱和导通，电源键按下时，PWR_KEY接口低电平，Q37三极管截止；D7二 极管的作用是串联分压；R200电阻的作用是为Q32场效应管的栅极提供泄放回路；Q32场 效应管的作用是开关，当栅极高电平时饱和导通，栅极低电平时截止；R61电阻的作用是上 拉，Q32场效应管截止时RESET高电平，Q32场效应管饱和导通时RESET低电平复位。
[0024] 在本实施例中，所述R199电阻和所述EC5电容组成所述延迟电路，所述延迟电路 的延迟时间由R199电阻的阻值和EC5电容的电容值计算得到；在本实施例中，R199电阻的 阻值为330K，EC5电容的电容值为10yF，Q32场效应管的型号为：2SK3018,其导通电压为 1. 5V，D7二极管的型号为：1N4148,其正向压降为0. 7V，因此，EC5电容要充电到2. 2V，Q32 场效应管才能导通实现复位，引用RC充电计算公式：
[0025] t t Uc (t) = Us (1 - e_E)，带入数值得：2. 2 = 3. 15(1 - )，
[0026] 由此可得：t = 8. 7秒，故，在本实施例中，当长按电源键保持大于9秒，PWR_KEY 接口处于低电平，VCC_I0电源接口经由R199电阻与EC5电容组成的RC电路给EC5电容充 电，经过8. 7秒后EC5电容端电压达到2. 2V，经D7二极管降压，Q32场效应管的栅极电压为 1. 5V，UGS = L 5V-0V = L 5v，Q32场效应管导通，RESRET拉低，实现硬件低电平复位。
[0027] 在本实施例中，PWR_KEY 接口、RESET 接口、PWRJTOLD 接口、PWR_KEY 接口、PWR_EN 接口、VCC_I0电源接口、VDC电源接口、VBUS0电源接口、VSYS电源接口都与微处理器连接， 所述微处理器为现有的公知元件，不属于本实用新型的保护范围之内，兹不赘述。
[0028] 在本实施例中，上述各种元器件的参数只是本实用新型的一种优选实施例，本领 域的技术人员可以通过调整上述元器件的参数来实现类似的复位效果，如：更改R199电阻 的阻值和EC5电容的电容值来调节复位时间，这些都在本实用新型的保护范围之内。
[0029] 以上所述仅为本实用新型的【具体实施方式】，这些描述只是为了解释本实用新型的 原理，而不能以任何结构解释为对本实用新型保护范围的限制。基于此处的解释，本领域的 技术人员不需要付出创造性的劳动即可联想到本实用新型的其它具体实施方法，这些结构 都将落入本实用新型的保护范围之内。
【权利要求】
1. 一种基于分立器件的硬件复位电路，其特征在于，包括：复位电路，所述复位电路包 括：R62电阻、R199电阻、R200电阻、R202电阻、D7二极管、EC5电容、Q37三极管、Q32场效 应管、PWR_KEY接口和RESET接口，其中，R202电阻的一端连接PWR_KEY接口，R202电阻的 另一端连接Q37三极管的基极，Q37三极管的发射极接地，Q37三极管的集电极与R199电阻 的一端、EC5电容的正极、D7二极管的正极连接在一起，R199电阻的另一端连接VCC_IO电 源接口，EC5电容的负极接地，D7二极管的负极与R200电阻的一端、Q32场效应管的栅极连 接在一起，Q32场效应管的源极接地，Q32场效应管的漏极，与RESET接口、R62电阻的一端 连接在一起，R62电阻的另一端连接VCC_IO电源接口。
2. 根据权利要求1所述的一种基于分立器件的硬件复位电路，其特征在于，所述R62电 阻的阻值是100ΚΩ，R199电阻的阻值是330ΚΩ，R200电阻的阻值是1ΜΩ，R202电阻的阻 值是68K Ω，D7二极管的型号是1N4148, EC5电容的型号是C1206,参数为10 μ F/4V，Q37三 极管的型号是S8050, Q32场效应管的型号是2SK3018。
3. 根据权利要求1所述的一种基于分立器件的硬件复位电路，其特征在于，还包括电 源控制电路，所述电源控制电路包括：PWRJTOLD接口、PWR_KEY接口、PWR_EN接口、VCC_IO电 源接口、VDC电源接口、VBUS0电源接口、VSYS电源接口、R174电阻、R184电阻、R187电阻、 R173电阻、R40电阻、R175电阻、R176电阻、R190电阻、R192电阻、D3二极管、D4二极管、 D6二极管、Q36三极管和SW9开关，其中，Q36三极管的集电极与R174电阻的一端、PWR_KEY 接口连接在一起，R174电阻的另一端连接VCC_IO电源接口，Q36三极管的发射极与R184电 阻的一端一起接地，Q36三极管的基极与R184电阻的另一端、R187电阻的一端连接在一起， R187电阻的另一端与SW9开关的管脚3、D4二极管的管脚2连接在一起，SW9开关的管脚1 和管脚2 -起接地，SW9开关的管脚4连接R173电阻的一端，R173电阻的另一端连接VSYS 电源接口，D4二极管的管脚1与R40电阻的一端、R175电阻的一端连接在一起，R175电阻 的另一端接地，R40电阻的另一端连接PWRJTOLD接口，D4二极管的管脚3与PWR_EN接口、 R176电阻的一端、R190电阻的一端和R192电阻的一端连接在一起，R176电阻的另一端接 地，R190电阻的另一端连接D3二极管的负极，D3二极管的正极连接VDC电源接口，R192电 阻的另一端连接D6二极管的负极，D6二极管的正极连接VBUS0电源接口。
4. 根据权利要求3所述的一种基于分立器件的硬件复位电路，其特征在于，所述D4二 极管的型号为BAT54C，R174电阻的阻值是4. 7ΚΩ，R184电阻的阻值是47ΚΩ，R187电阻 的阻值是47ΚΩ，R173电阻的阻值是10ΚΩ，R40电阻的阻值是1ΚΩ，R175电阻的阻值是 47ΚΩ，R176电阻的阻值是150ΚΩ，R190电阻的阻值是100ΚΩ，R192电阻的阻值是100ΚΩ， D3二极管的型号为1N4148，D6二极管的型号为1N4148，Q36三极管的型号为S8050，SW9开 关的型号为 SMD_TACT_TS-A12E_4P-PL-D。
5. 根据权利要求1所述的一种基于分立器件的硬件复位电路，其特征在于，所述R199 电阻和所述EC5电容组成延迟电路，所述延迟电路的延迟时间由R199电阻的阻值和EC5电 容的电容值计算得到。
【文档编号】H03K17/22GK203851116SQ201420240715
【公开日】2014年9月24日 申请日期:2014年5月12日 优先权日:2014年5月12日
【发明者】周瑞鹏 申请人:深圳恒隆电子有限公司