电路装置的制作方法

文档序号:11142803阅读:来源:国知局

技术特征:

1.电路装置(1),尤其是用于操控电机的电路装置,所述电路装置具有至少一个高压半导体桥式电路(2),所述高压半导体桥式电路具有低侧半导体开关(4)和高侧半导体开关(3),其中,给所述高侧半导体开关(3)分配高侧门极驱动器(5),并且给所述低侧半导体开关(4)分配低侧门极驱动器(6),其特征在于,高侧反激式变换器(8)接在所述高侧门极驱动器前面,并且低侧反激式变换器(9)接在所述低侧门极驱动器(6)前面,其中,其中反激式变换器(7、8、9)中的至少一个被构造为高压反激式变换器。

2.根据权利要求1所述的电路装置,其特征在于,两个反激式变换器(8、9)被构造为高压反激式变换器。

3.根据前述权利要求中任一项所述的电路装置,其特征在于,所述高压半导体桥式电路(2)具有逻辑单元(7),所述逻辑单元为了其电压供应与反激式变换器(8、9)中的至少一个连接。

4.根据前述权利要求中任一项所述的电路装置,其特征在于,所述逻辑单元(7)为了其电压供应与两个反激式变换器(8、9)连接。

5.根据前述权利要求中任一项所述的电路装置,其特征在于,至少一个、尤其两个反激式变换器(8、9)具有用于对所述逻辑单元(7)进行电压供应的辅助绕组。

6.根据前述权利要求中任一项所述的电路装置,其特征在于,所述反激式变换器(8、9)分别通过中间连接的二极管(12、13)彼此并联地与所述逻辑单元(7)连接。

7.根据前述权利要求中任一项所述的电路装置,其特征在于,所述电路装置构造为逆变器,具有至少一个另外的半导体桥式电路。

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