具有高频信号峰化的宽带发射机的制作方法

技术特征：

1.一种电路，包括：

电压模式驱动器，其被配置成：驱动跨输出节点对的差分输出电压；

电流模式驱动器，其被配置成：响应于所述差分输出电压的第一极性，在第一方向上驱动差分电流通过所述输出节点对，并且响应于所述差分输出电压的相反的第二极性，在相反的第二方向上驱动差分电流通过所述输出节点对，所述电流模式驱动器包括多个跨导体，所述多个跨导体用于响应于对应的偏置电压而生成所述差分电流；以及

与所述多个跨导体相对应的多个高通滤波器，每个高通滤波器被配置成：响应于所述差分输出电压而生成用于对应跨导体的偏置电压。

2.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电流模式驱动器包括多个开关，所述多个开关被配置成：响应于所述差分输出电压而切换，以控制是在所述第一方向上还是在所述相反的第二方向上驱动所述差分电流。

3.如权利要求2所述的电路，其特征在于，所述多个开关包括：

第一对交叉耦合的开关；以及

第二对交叉耦合的开关。

4.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电压模式驱动器包括用于驱动所述输出节点中的正输出节点的正驱动器以及用于驱动所述输出节点中的负输出节点的负驱动器。

5.如权利要求4所述的电路，其特征在于，所述正驱动器包括多个可选择切片，以取决于多少可选择切片被选择而在所述正输出节点处提供经校准输出阻抗。

6.如权利要求4所述的电路，其特征在于，所述负驱动器包括多个可选择切片，以取决于多少可选择切片被选择而在所述负输出节点处提供经校准输出阻抗。

7.如权利要求1所述的电路，其特征在于，每个高通滤波器包括电容器和电阻器的串联组合。

8.如权利要求3所述的电路，其特征在于，所述第一对交叉耦合的开关包括第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管具有耦合到所述输出节点中的正输出节点的漏极并具有耦合到所述输出节点中的负输出节点的栅极，所述第一NMOS晶体管具有耦合到所述负输出节点的漏极和耦合到所述正输出节点的栅极。

9.如权利要求8所述的电路，其特征在于，所述第二对交叉耦合的开关包括第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管，所述第二PMOS晶体管具有耦合到所述负输出节点的漏极并具有耦合到所述正输出节点的栅极，所述第二NMOS晶体管具有耦合到所述正输出节点的漏极和耦合到所述负输出节点的栅极。

10.如权利要求1所述的电路，其特征在于，每个跨导体包括并联布置的跨导体阵列。

11.如权利要求10所述的电路，其特征在于，进一步包括与所述多个跨导体阵列相对应的多个使能晶体管阵列，并且其中，每个使能晶体管充当响应于使能信号的开关，以控制对应的跨导体是否对所述差分电流作出贡献。

12.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述跨导体中的第一多个跨导体包括PMOS晶体管，并且其中，所述跨导体中的第二多个跨导体包括NMOS晶体管。

13.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电压模式驱动器被配置成：响应于来自预增强电路的多个输入信号而驱动所述差分输出电压。

14.一种方法，包括：

响应于对第一输出节点的电压进行高通滤波而调整第一偏置电压；

响应于对第二输出节点的电压进行高通滤波而调整第二偏置电压；以及

响应于跨所述第一输出节点与所述第二输出节点的差分输出电压具有第一极性，根据所述第一偏置电压和所述第二偏置电压来进行跨导，以在第一方向上驱动差分电流通过耦合在所述第一输出节点与所述第二输出节点之间的负载。

15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，进一步包括：

响应于所述差分输出电压具有与所述第一极性相反的第二极性，根据所述第一偏置电压和所述第二偏置电压来进行跨导，以在第二方向上驱动所述差分电流通过所述负载，所述第二方向与所述第一方向相反。

16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，进一步包括：响应于所述差分输出电压具有所述第一极性，关断第一对开关并且导通第二对开关。

17.如权利要求16所述的方法，其特征在于，进一步包括：响应于所述差分输出电压具有所述第二极性，导通所述第一对开关并且关断所述第二对开关。

18.一种电路，包括：

电压模式驱动器，其被配置成：驱动跨输出节点对的差分输出电压；

电流模式驱动器，其被配置成：驱动差分电流通过所述输出节点对，其中，所述电流模式驱动器包括多个跨导体，所述多个跨导体用于响应于对应的偏置电压而生成所述差分电流；以及

用于响应于所述差分输出电压的高频变化而调整所述偏置电压以增加所述差分输出电压的装置。

19.如权利要求18所述的电路，其特征在于，所述电流模式驱动器包括多个开关，所述多个开关被配置成：响应于所述差分输出电压而切换，以控制是在第一方向上还是在相反的第二方向上驱动所述差分电流。

20.如权利要求19所述的电路，其特征在于，所述多个开关包括：

第一对交叉耦合的开关；以及

第二对交叉耦合的开关。

21.如权利要求18所述的电路，其特征在于，所述电压模式驱动器包括用于驱动所述输出节点中的正输出节点的正驱动器以及用于驱动所述输出节点中的负输出节点的负驱动器。

22.如权利要求21所述的电路，其特征在于，所述正驱动器包括多个可选择切片，以在所述正输出节点处提供经校准输出阻抗。

23.如权利要求21所述的电路，其特征在于，所述负驱动器包括多个可选择切片，以在所述负输出节点处提供经校准输出阻抗。

24.如权利要求18所述的电路，其特征在于，所述装置包括多个高通滤波器。

25.如权利要求20所述的电路，其特征在于，所述第一对交叉耦合的开关包括第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管具有耦合到所述输出节点中的正输出节点的漏极并具有耦合到所述输出节点中的负输出节点的栅极，所述第一NMOS晶体管具有耦合到所述负输出节点的漏极和耦合到所述正输出节点的栅极。

26.如权利要求25所述的电路，其特征在于，所述第二对交叉耦合的开关包括第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管，所述第二PMOS晶体管具有耦合到所述负输出节点的漏极并具有耦合到所述正输出节点的栅极，所述第二NMOS晶体管具有耦合到所述正输出节点的漏极和耦合到所述负输出节点的栅极。

27.如权利要求18所述的电路，其特征在于，每个跨导体包括并联布置的跨导体阵列。