声波谐振器及其制造方法与流程

技术特征：

1.一种声波谐振器，包括：

谐振部，包括第一电极、第二电极以及设置在第一电极与第二电极之间的压电层；

多个种子层，设置在谐振部的一侧上。

2.如权利要求1所述的声波谐振器，所述声波谐振器还包括设置在所述多个种子层的与谐振部背对的一侧上的基底。

3.如权利要求2所述的声波谐振器，其中，基底与所述多个种子层之间设置有气隙。

4.如权利要求2所述的声波谐振器，其中，所述谐振部还包括保护层。

5.如权利要求2所述的声波谐振器，其中，膜介于基底与所述多个种子层之间，并且气隙设置在基底与膜之间。

6.如权利要求5所述的声波谐振器，其中，所述膜包括多个膜层，所述多个膜层中的至少一个膜层为蚀刻阻挡层。

7.如权利要求1所述的声波谐振器，其中，所述多个种子层包括第一种子层和第二种子层，

第一种子层包含具有与压电层的材料的晶系相同的晶系的材料，

第二种子层包含具有与第一种子层的材料的晶胞几何形状相同的晶胞几何形状的材料。

8.如权利要求7所述的声波谐振器，其中，第一种子层或第二种子层的厚度在至的范围内。

9.如权利要求7所述的声波谐振器，其中，所述压电层、第一种子层和第二种子层均包含具有六方晶系的材料。

10.如权利要求9所述的声波谐振器，其中，第二种子层包含具有密排六方结构的材料。

11.如权利要求9所述的声波谐振器，其中，所述压电层包含氮化铝或掺杂的氮化铝，第一电极包含钼，第一种子层包含氮化铝，第二种子层包含钛。

12.如权利要求7所述的声波谐振器，其中，第二种子层的上表面对应于六方晶格的(002)面。

13.一种制造声波谐振器的方法，所述方法包括：

在基底上形成牺牲层；

在基底或牺牲层上形成多个种子层；

在所述多个种子层上形成第一电极；

在第一电极上形成压电层；

在压电层上形成第二电极。

14.如权利要求13所述的方法，所述方法还包括：在形成所述多个种子层之前，在基底或牺牲层上形成膜。

15.如权利要求13所述的方法，其中，在形成所述多个种子层时，所述多个种子层中的至少一个种子层仅沿堆叠方向生长。

16.如权利要求13所述的方法，所述方法还包括：在第二电极和压电层上形成保护层。

17.如权利要求13所述的方法，所述方法还包括：通过去除牺牲层来形成气隙。

18.一种制造声波谐振器的方法，所述方法包括：

在多个种子层上沉积第一电极；

在第一电极上沉积压电层，

其中，所述多个种子层包括第一种子层和第二种子层，

第一种子层和第二种子层包含具有相同的晶胞几何形状的材料。

19.如权利要求18所述的方法，其中，通过在第二种子层上沉积第一种子层来获得所述多个种子层。

20.如权利要求19所述的方法，其中，在形成第二种子层的材料的六方晶格的(002)面上沉积第一种子层。

21.如权利要求18所述的方法，其中，第一种子层或第二种子层包含与形成压电层的材料属于相同的晶系的材料。

22.如权利要求19所述的方法，其中，第一种子层在没有多晶生长区域的情况下在第二种子层上生长。

23.如权利要求19所述的方法，其中，第二种子层的上表面对应于钛的(002)面或氮化铝的(002)面。