基于MEMS宽频带相位检测器的倍频器的制作方法

文档序号:16764309发布日期:2019-01-29 17:54阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种基于MEMS宽频带相位检测器的倍频器,其特征在于,包括:MEMS宽频带相位检测器、直流自动增益控制AGC放大器、第一压控振荡器VCO1和第二压控振荡器VCO2、第一可变电阻R1和第二可变电阻R2、除法器;电源VE通过第一可变电阻R1加载到第一压控振荡器VCO1上,同时通过第二可变电阻R2加载到直流自动增益控制AGC放大器上;第一压控振荡器VCO1产生参考信号,通过调节第一可变电阻R1的大小改变第一压控振荡器VCO1的控制电压VC1;参考信号和反馈信号分别加载到MEMS宽频带相位检测器的地线(2)和CPW信号线(3)组成的两个对称的输入端口,得到与相位差有关的直流电压V,直流电压V输入直流自动增益控制AGC放大器,放大后的信号为第二压控振荡器VCO2的控制电压VC2,第二压控振荡器VCO2的输出信号通过除法器后,频率变为原来的1/N,作为倍频器的反馈信号输入MEMS宽频带相位检测器;调节第二可变电阻R2的大小控制直流自动增益控制AGC放大器的增益,调节第二压控振荡器VCO2的控制电压,控制反馈信号的频率;同步调节第一可变电阻R1和第二可变电阻R2,使第二压控振荡器VCO2的输出频率为第一压控振荡器VCO1的输出频率的N倍,完成对不同频率的参考信号的倍频,实现在宽频带范围内工作的倍频器。

2.如权利要求1所述的基于MEMS宽频带相位检测器的倍频器,其特征在于,参考信号和反馈信号通过输入端口输入MEMS宽频带相位检测器后,首先通过功合器进行矢量合成,合成信号通过热电式功率传感器转化为与相位差有关的直流电压V,经直流输出电极(11)输出;此直流电压V表示为:其中K为与输入信号幅度有关的系数,ωref为参考信号角频率,ωback为反馈信号角频率,为固有相位差;MEMS宽频带相位检测器输出的直流电压V通过第一端口(12)输入至直流自动增益控制AGC放大器进行放大,放大后的直流电压VC2表示为:其中A为直流自动增益控制AGC放大器的增益系数,放大后的直流电压VC2为第二压控振荡器VCO2的控制电压,通过第二端口(13)控制第二压控振荡器VCO2的输出频率,VCO2输出频率ωo通过下式表达:通过调节第二可变电阻R2,改变直流自动增益控制AGC放大器的直流偏置电源VC实现对增益系数A的调节,从而改变第二压控振荡器VCO2的控制电压及其相应的输出信号的频率,第二压控振荡器VCO2的输出信号通过第三端口(14)输入除法器;经过除法器后,频率变为原来的1/N,也就是:此信号为倍频器的反馈信号,通过第四端口(15)重新输入MEMS宽频带相位检测器;通过同步控制第一可变电阻R1和第二可变电阻R2,可使反馈信号和参考信号的频率相等,即第二压控振荡器VCO2的输出频率是第一压控振荡器VCO1输出频率的N倍,实现倍频。

3.如权利要求1所述的基于MEMS宽频带相位检测器的倍频器,其特征在于,MEMS宽频带相位检测器在不同频率下的输出直流电压V存在波动的情况下,通过调节第一可变电阻R1和第二可变电阻R2来实现倍频,倍频后的信号通过第五端口(16)输出。

4.如权利要求1所述的基于MEMS宽频带相位检测器的倍频器,其特征在于,MEMS宽频带相位检测器以GaAs(1)为衬底,包括功合器和热电式功率传感器,功合器包括地线(2)、CPW信号线(3)、第一ACPS传输线(4)、第二ACPS传输线(5)、第三ACPS传输线(6)和隔离电阻(7),热电式功率传感器包括终端电阻(8)、热电堆半导体臂(9)、热电堆金属臂(10)、直流输出电极(11);MEMS宽频带相位检测器以GaAs为衬底,地线(2)与CPW信号线(3)构成功合器的输入和输出端口,第一ACPS传输线(4)、第二ACPS传输线(5)和第三ACPS传输线(6)相级联,隔离电阻(7)分别设置在第一ACPS传输线(4)、第二ACPS传输线(5)和第三ACPS传输线(6)的末端,终端电阻(8)设置在CPW信号线(3)的输出端口处,热电堆半导体臂(9)与热电堆金属臂(10)依次连接,构成热电堆,直流输出电极(11)连接在热电堆两端。

5.如权利要求4所述的基于MEMS宽频带相位检测器的倍频器,其特征在于,第一ACPS传输线(4)的特征阻抗为Z1,第二ACPS传输线(5)的特征阻抗为Z2,第三ACPS传输线(6)的特征阻抗为Z3。

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