基于MEMS宽频带相位检测器的倍频器的制作方法

本发明涉及微电子机械系统领域，尤其是一种基于MEMS宽频带相位检测器的倍频器。

背景技术：

倍频器可以以一个参考信号为标准，利用频率基本运算技术，获得参考信号频率N倍的频率信号。目前，倍频器已经广泛应用在无线电收、发信机中，广泛采用倍频器作为收、发信机的振荡频源。

现有技术中，倍频器大多工作在单个频点，无法满足宽带通讯系统的需求。另外，微电子技术促使电路系统向着体积小、功耗低的方向发展。MEMS宽频带相位检测器能够在较宽频段内保持稳定的检测性能，具备构造宽带倍频器的潜力。

技术实现要素：

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种结构合理的基于MEMS宽频带相位检测器的倍频器，可以实现宽频带范围内不同频率信号的倍频。

为解决上述技术问题，本发明提供一种基于MEMS宽频带相位检测器的倍频器，包括MEMS宽频带相位检测器、直流自动增益控制AGC放大器、第一压控振荡器VCO1和第二压控振荡器VCO2、第一可变电阻R1和第二可变电阻R2、除法器；电源VE通过第一可变电阻R1加载到第一压控振荡器VCO1上，同时通过第二可变电阻R2加载到直流自动增益控制AGC放大器上；第一压控振荡器VCO1产生参考信号，通过调节第一可变电阻R1的大小改变第一压控振荡器VCO1的控制电压VC1；参考信号和反馈信号分别加载到MEMS宽频带相位检测器的地线2和CPW信号线3组成的两个对称的输入端口，得到与相位差有关的直流电压V，直流电压V输入直流自动增益控制AGC放大器，放大后的信号为第二压控振荡器VCO2的控制电压VC2，第二压控振荡器VCO2的输出信号通过除法器后，频率变为原来的1/N，作为倍频器的反馈信号输入MEMS宽频带相位检测器；调节第二可变电阻R2的大小控制直流自动增益控制AGC放大器的增益，调节第二压控振荡器VCO2的控制电压，控制反馈信号的频率；同步调节第一可变电阻R1和第二可变电阻R2，使第二压控振荡器VCO2的输出频率为第一压控振荡器VCO1的输出频率的N倍，完成对不同频率的参考信号的倍频，实现在宽频带范围内工作的倍频器。

优选的，参考信号和反馈信号通过输入端口输入MEMS宽频带相位检测器后，首先通过功合器进行矢量合成，合成信号通过热电式功率传感器转化为与相位差有关的直流电压V，经直流输出电极11输出；此直流电压V可以表示为：其中K为与输入信号幅度有关的系数，ωref为参考信号角频率，ωback为反馈信号角频率，为固有相位差；MEMS宽频带相位检测器输出的直流电压V通过第一端口12输入至直流自动增益控制AGC放大器进行放大，放大后的直流电压VC2可以表示为：其中A为直流自动增益控制AGC放大器的增益系数，放大后的直流电压VC2为第二压控振荡器VCO2的控制电压，通过第二端口13控制第二压控振荡器VCO2的输出频率，VCO2输出频率ωo可以通过下式表达：通过调节第二可变电阻R2，改变直流自动增益控制AGC放大器的直流偏置电源VC可以实现对增益系数A的调节，从而改变第二压控振荡器VCO2的控制电压及其相应的输出信号的频率，第二压控振荡器VCO2的输出信号通过第三端口14输入除法器；经过除法器后，频率变为原来的1/N，也就是：此信号为倍频器的反馈信号，通过第四端口15重新输入MEMS宽频带相位检测器；通过同步控制第一可变电阻R1和第二可变电阻R2，可使反馈信号和参考信号的频率相等，即第二压控振荡器VCO2的输出频率是第一压控振荡器VCO1输出频率的N倍，实现倍频。

优选的，MEMS宽频带相位检测器在不同频率下的输出直流电压V存在波动的情况下，通过调节第一可变电阻R1和第二可变电阻R2来实现倍频，倍频后的信号通过第五端口16输出。

优选的，MEMS宽频带相位检测器以GaAs1为衬底，包括功合器和热电式功率传感器，功合器包括地线2、CPW信号线3、第一ACPS传输线4、第二ACPS传输线5、第三ACPS传输线6和隔离电阻7，热电式功率传感器包括终端电阻8、热电堆半导体臂9、热电堆金属臂10、直流输出电极11；MEMS宽频带相位检测器以GaAs为衬底，地线2与CPW信号线3构成功合器的输入和输出端口，第一ACPS传输线4、第二ACPS传输线5和第三ACPS传输线6相级联，隔离电阻7分别设置在第一ACPS传输线4、第二ACPS传输线5和第三ACPS传输线6的末端，终端电阻8设置在CPW信号线3的输出端口处，热电堆半导体臂9与热电堆金属臂10依次连接，构成热电堆，直流输出电极11连接在热电堆两端。

优选的，第一ACPS传输线4的特征阻抗为Z1，第二ACPS传输线5的特征阻抗为Z2，第三ACPS传输线的特征阻抗为Z3。

本发明的有益效果为：MEMS宽频带相位检测器的使用，使倍频器具有宽频带特性，可以实现对不同频率的参考信号的倍频；通过可变电阻对压控振荡器电压的控制和对直流自动增益控制AGC放大器增益的控制，实现对参考信号和反馈信号的同步调节，即使在电路存在波动的情况下也能实现倍频；结构新颖，操作方便，与GaAs单片微波集成电路兼容。

附图说明

图1是本发明的倍频器俯视图。

图2是本发明的倍频器的A-A’向剖面图。

图3是本发明的倍频器的B-B’向剖面图。

具体实施方式

如图1、2和3所示，一种基于MEMS宽频带相位检测器的倍频器，包括MEMS宽频带相位检测器、直流自动增益控制AGC放大器、第一压控振荡器VCO1和第二压控振荡器VCO2、第一可变电阻R1和第二可变电阻R2、除法器；电源VE通过第一可变电阻R1加载到第一压控振荡器VCO1上，同时通过第二可变电阻R2加载到直流自动增益控制AGC放大器上；第一压控振荡器VCO1产生参考信号，通过调节第一可变电阻R1的大小改变第一压控振荡器VCO1的控制电压VC1；参考信号和反馈信号分别加载到MEMS宽频带相位检测器的地线2和CPW信号线3组成的两个对称的输入端口，得到与相位差有关的直流电压V，直流电压V输入直流自动增益控制AGC放大器，放大后的信号为第二压控振荡器VCO2的控制电压VC2，第二压控振荡器VCO2的输出信号通过除法器后，频率变为原来的1/N，作为倍频器的反馈信号输入MEMS宽频带相位检测器；调节第二可变电阻R2的大小控制直流自动增益控制AGC放大器的增益，调节第二压控振荡器VCO2的控制电压，控制反馈信号的频率；同步调节第一可变电阻R1和第二可变电阻R2，使第二压控振荡器VCO2的输出频率为第一压控振荡器VCO1的输出频率的N倍，完成对不同频率的参考信号的倍频，实现在宽频带范围内工作的倍频器。

参考信号和反馈信号通过输入端口输入MEMS宽频带相位检测器后，首先通过功合器进行矢量合成，合成信号通过热电式功率传感器转化为与相位差有关的直流电压V，经直流输出电极11输出；此直流电压V可以表示为：其中K为与输入信号幅度有关的系数，ωref为参考信号角频率，ωback为反馈信号角频率，为固有相位差；MEMS宽频带相位检测器输出的直流电压V通过第一端口12输入至直流自动增益控制AGC放大器进行放大，放大后的直流电压VC2可以表示为：其中A为直流自动增益控制AGC放大器的增益系数，放大后的直流电压VC2为第二压控振荡器VCO2的控制电压，通过第二端口13控制第二压控振荡器VCO2的输出频率，VCO2输出频率ωo可以通过下式表达：通过调节第二可变电阻R2，改变直流自动增益控制AGC放大器的直流偏置电源VC可以实现对增益系数A的调节，从而改变第二压控振荡器VCO2的控制电压及其相应的输出信号的频率，第二压控振荡器VCO2的输出信号通过第三端口14输入除法器；经过除法器后，频率变为原来的1/N，也就是：此信号为倍频器的反馈信号，通过第四端口15重新输入MEMS宽频带相位检测器；通过同步控制第一可变电阻R1和第二可变电阻R2，可使反馈信号和参考信号的频率相等，即第二压控振荡器VCO2的输出频率是第一压控振荡器VCO1输出频率的N倍，实现倍频。

MEMS宽频带相位检测器在不同频率下的输出直流电压V存在波动的情况下，通过调节第一可变电阻R1和第二可变电阻R2来实现倍频，倍频后的信号通过第五端口16输出。

MEMS宽频带相位检测器以GaAs1为衬底，包括功合器和热电式功率传感器，功合器包括地线2、CPW信号线3、第一ACPS传输线4、第二ACPS传输线5、第三ACPS传输线6和隔离电阻7，热电式功率传感器包括终端电阻8、热电堆半导体臂9、热电堆金属臂10、直流输出电极11；MEMS宽频带相位检测器以GaAs为衬底，地线2与CPW信号线3构成功合器的输入和输出端口，第一ACPS传输线4、第二ACPS传输线5和第三ACPS传输线6相级联，隔离电阻7分别设置在第一ACPS传输线4、第二ACPS传输线5和第三ACPS传输线6的末端，终端电阻8设置在CPW信号线3的输出端口处，热电堆半导体臂9与热电堆金属臂10依次连接，构成热电堆，直流输出电极11连接在热电堆两端。

第一ACPS传输线4的特征阻抗为Z1，第二ACPS传输线5的特征阻抗为Z2，第三ACPS传输线的特征阻抗为Z3。

本发明的基于MEMS宽频带相位检测器的倍频器的制备方法如下：

1)准备GaAs衬底：选用外延的半绝缘GaAs衬底，其中外延N+GaAs的

掺杂浓度为10¹⁸cm^-3，其方块电阻值为100～130Ω/□；

2)光刻并隔离外延的N+GaAs，形成热电堆的半导体热偶臂的图形和欧姆接触区；

3)反刻N+GaAs，形成其掺杂浓度为10¹⁷cm^-3的热电堆的半导体热偶臂；

4)光刻：去除将要保留金锗镍/金地方的光刻胶；

5)溅射金锗镍/金，其厚度共为

6)剥离，形成热电堆的金属热偶臂；

7)光刻：去除将要保留氮化钽地方的光刻胶；

8)溅射氮化钽，其厚度为1μm；

9)剥离；

10)光刻：去除将要保留第一层金的地方的光刻胶；

11)蒸发第一层金，其厚度为0.3μm；

12)剥离，形成CPW信号线、ACPS信号线、地线、直流输出电极；

13)反刻氮化钽，形成终端电阻，其方块电阻为25Ω/□；

14)蒸发钛/金/钛，其厚度为蒸发用于电镀的底金；

15)光刻：去除要电镀地方的光刻胶；

16)电镀第二层金，其厚度为2μm；

17)反刻钛/金/钛，腐蚀底金，形成CPW信号线、ACPS信号线、地线、直流输电极；

18)将该GaAs衬底背面减薄至100μm；

19)将制备的MEMS宽频带相位检测器与其他电路元件相连，构成倍频器。

区分是否为该结构的标准如下：

本发明的基于MEMS宽频带相位检测器的倍频器包含MEMS宽频带相位检测器，直流自动增益控制AGC放大器，第一压控振荡器VCO1和第二压控振荡器VCO2，第一可变电阻R1和第二可变电阻R2，除法器。MEMS宽频带相位检测器采用三节传输线级联结构，实现宽带特性。直流电源VE通过第一可变电阻R1和第二可变电阻R2分别连接到第一压控振荡器VCO1和直流自动增益控制AGC放大器上，参考信号由第一压控振荡器VCO1产生，通过调节第一可变电阻R1的大小来控制参考信号的频率。参考信号和反馈信号通过MEMS宽频带相位检测器后输出包含相位差信息的直流电压V，经直流自动增益控制AGC放大器进行放大，产生第二压控振荡器VCO2的控制电压，第二压控振荡器VCO2的输出信号经除法器后产生反馈信号。直流自动增益控制AGC放大器的增益由第二可变电阻R2控制，通过调节第二可变电阻R2的大小便可控制反馈信号的频率，同步调节第一可变电阻R1和第二可变电阻R2使第二压控振荡器VCO2的输出频率为第一压控振荡器VCO1输出频率的N倍，完成倍频，实现在宽频带范围内工作的倍频器。

尽管本发明就优选实施方式进行了示意和描述，但本领域的技术人员应当理解，只要不超出本发明的权利要求所限定的范围，可以对本发明进行各种变化和修改。