声波装置及其制造方法与流程

技术领域

本公开涉及一种声波装置及其制造方法。

背景技术：

带通滤波器是通信装置的仅允许在各种频率中的特定频带的信号通过以发送和接收所选择的信号的核心组件。

带通滤波器的典型示例包括表面声波(SAW)滤波器、体声波(BAW)滤波器等。

在声波装置中，由于其运行特性，在声波发生器和盖构件之间需要预定的空间。因此，制造声波装置使得在声波发生器和盖构件之间形成间隙。

然而，当声波装置被安装在主板上并且使用环氧材料等密封时，通过注射压力可使声波装置的盖构件变形。换言之，由于注射压力，可减小声波发生器和盖构件之间的间隙，或盖构件可接触声波发生器。

技术实现要素：

提供本发明内容以简化的形式对挑选出来的构思进行介绍，并在具体实施方式中对所述构思进行进一步描述。本发明内容既不意在限定所要求保护的主题的主要特征或必要特征，也不意在帮助确定所要求保护的主题的范围。

根据本公开的一方面，一种声波装置可包括：基板，具有供声波发生器设置与其上的一个表面；声波发生器，与支撑组件分开，并且被配置在所述基板上；保护构件，被结合到所述支撑组件，并且与所述声波发生器分开预定的距离；以及密封组件，密封所述保护构件。

根据本公开的另一方面，一种声波装置可包括：声波发生器，与支撑组件分开，并且被配置在基板上；保护构件，被结合到所述支撑组件，并且与所述声波发生器分开预定的距离；以及密封组件，密封所述保护构件。

根据本公开的另一方面，一种制造声波装置的方法可包括：准备基板；在所述基板的一个表面上形成声波发生器；沿所述声波发生器的外周在所述基板的所述一个表面上形成支撑组件，并且将保护构件结合到所述支撑组件上使得所述保护构件与所述声波发生器分开预定的距离；以及形成密封组件，以密封所述保护构件和所述支撑组件。

附图说明

图1是示出根据本公开的示例性实施例的声波装置的示意性俯视图；

图2是示出根据本公开的示例性实施例的声波装置的示意性剖视图；

图3是在图2中示出的声波装置的A部分的放大视图；

图4是示出根据本公开的另一示例性实施例的声波装置的示意性剖视图；

图5是示出根据本公开的另一示例性实施例的声波装置的示意性剖视图；

图6是示出根据本公开的另一示例性实施例的声波装置的示意性剖视图；

图7和图8是示出制造在图2中示出的声波装置的方法的示图；

图9A和图9B是示出根据本公开的另一示例性实施例的制造声波装置的方法的示图；

图10A至图10C是示出根据本公开的另一示例性实施例的制造声波装置的方法的示图；

图11至图13分别是示出根据本公开的其他示例性实施例的声波装置的示意性剖视图；

图14是示意性地示出根据本公开的另一示例性实施例的声波装置的透视图；

图15是在图14中示出的声波装置的分解透视图；以及

图16和图17分别是示出根据本公开的其他示例性实施例的声波装置封装件的示意性剖视图。

在所有的附图和具体实施方式中，相同的标号指示相同的元件。附图可不按比例绘制，并且为了清楚、说明及方便起见，附图中元件的相对尺寸、比例和描绘可被放大。

具体实施方式

提供以下具体实施方式以帮助读者获得对这里所描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，这里所描述的方法、设备和/或系统的各种变换、修改及等同物对于本领域的普通技术人员将是显而易见的。这里所描述的操作的顺序仅仅是示例，其并不限于这里所阐述的顺序，而是除了必须以特定顺序发生的操作之外，可做出对本领域的普通技术人员将是显而易见的变换。此外，为了提高清楚性和简洁性，可省略对于本领域的普通技术人员来说公知的功能和结构的描述。

这里所描述的特征可以以不同的形式实施，并且不被解释为局限于这里所描述的示例。更确切的说，提供这里所描述的示例是为了使本公开将是彻底的和完整的，并将把本公开的全部适用范围传达给本领域的普通技术人员。

在整个说明书中，将被理解的是，当元件(诸如，层、区域或晶圆(基板))被称为“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件时，其可直接“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件，或者可存在介于它们之间的其他元件。相比之下，当元件被称为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或“直接结合到”另一元件时，可没有介于它们之间的元件或层。相同的标号始终指示相同的元件。如在此所使用的，术语“和/或”包括所列出的相关项的一项或更多项的任何以及全部组合。

将显而易见的是，尽管可在此使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种构件、组件、区域、层和/或部分，但是这些构件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语所限制。这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例实施例的教导的情况下，在下面讨论的第一构件、组件、区域、层或部分也可被称为第二构件、组件、区域、层或部分。

在这里可使用诸如“在……之上”、“上部”、“在……之下”和“下部”等的空间关系术语，以易于描述如附图所示的一个元件与其他元件的关系。将理解的是，空间关系术语意图除了包括在附图中所描绘的方位之外，还包括装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为在其他元件或特征“之上”或“上部”的元件随后将被定位为在其他元件或特征“之下”或“下部”。因此，术语“在……之上”可根据附图的特定方向而包括“在……之上”和“在……之下”两种方位。所述装置可被另外定位(旋转90度或处于其他方位)，并可对在这里使用的空间关系描述符做出相应的解释。

在此使用的术语仅用于说明各种实施例，并非意图限制当前实施方式。除非上下文另外清楚地指明，否则如在此所使用的单数的形式也意图包括复数的形式。还将理解的是，在本说明书中使用术语“包括”和/或“包含”时，列举存在的所陈述的特征、整数、步骤、操作、构件、元件和/或它们组成的组，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整数、步骤、操作、构件、元件和/或它们组成的组。

在下文中，将参照示意图描述当前实施方式的实施例。在附图中，例如，由于制造技术和/或公差，可估计所示出的形状的修改。因此，实施例不应被解释为局限于在此示出的区域的特定形状，而是例如，包括由制造引起的形状上的改变。下面的实施例还可由实施例中的一个或其组合组成。

根据示例，描述一种能够显著地减少由于外力(诸如在注射成型工艺期间施加的力)引起的变形的声波装置。根据另一示例，描述一种制造防止变形的声波装置的方法。

图1是示出根据本公开的示例性实施例的声波装置的示意性俯视图，图2是示出根据本公开的示例性实施例的声波装置的示意性剖视图，图3是在图2中示出的声波装置的A部分的放大视图。

参照图1至图3，声波装置10的示例包括基板100、支撑组件200、保护构件300以及密封组件400。在本示例性实施例中，声波装置10可包括使在许可频带中的波通过的滤波元件(诸如表面声波(SAW)滤波器、体声波(BAW)过滤器、双工器等)。

在SAW滤波器被用于实现声波装置10的示例中，压电基板可被用作基板100。在BAW滤波器被用于实现声波装置10的示例中，Si基板可被用作基板100。

例如，基板100可由诸如LiTaO₃、LiNbO₃、Li₂B₄O₇、SiO₂、硅等的单晶体形成。此外，可使用锆钛酸铅(PZT)基多晶基板或ZnO薄膜。

然而，在声波装置10中使用的基板不局限于此，而是可用本领域中通常使用的各种基板替代。

参照图2，可在基板100的一个表面上设置声波发生器110。

在示例中，如图2中所示，声波装置10被设置为表面声波(SAW)滤波器，并且声波发生器110由金属电极形成。声波发生器110可由铝(Al)或铜(Cu)形成，并且可包括其中有多个电极以梳状图案彼此交替地交叉的叉指换能器(IDT)电极。

在这种情况下，可通过在基板100上形成金属层，然后利用光刻法以预定的电极形式处理所述金属层来设置声波发生器110。

同时，在另一示例中，声波装置10被设置为体声波(BAW)滤波器，并且声波发生器110被形成为单独的结构。例如，声波发生器110可包括：压电薄膜谐振器，将电信号转换为机械信号或将机械信号转换为电信号。

在这种情况下，在声波发生器110中，可自其下部顺序地形成下部电极、压电层以及上部电极，从而形成谐振组件。

支撑组件200可被设置在基板100的一个表面上，并且与声波发生器110分开。

支撑组件200可沿声波发生器110的边缘连续地形成以围住声波发生器110的外周。例如，支撑组件200可与声波发生器110分开预定的距离(例如，3μm或更大)，并且被连续地设置以围住声波发生器110的外周。

此外，支撑组件200可从基板100的一个表面突出预定的突起高度。在本示例中，支撑组件200的突起高度可大于声波发生器110的厚度。因此，可在被安放于支撑组件200上的保护构件300与声波发生器110之间形成间隙。

因此，根据本示例性实施例的支撑组件200的结构不局限于上面所提到的结构，而是只要可在保护构件300和声波发生器110之间形成间隙就可进行各种改变。

支撑组件200可由诸如树脂或聚合物的绝缘材料形成。然而，支撑组件200的材料不局限于此，而在使支撑组件200与声波发生器110充分地分开或使支撑组件200与声波发生器110彼此绝缘的示例中，支撑组件200可由金属形成。

可在支撑组件200上配置保护构件300。声波发生器110可在谐振的同时发生变形。因此，支撑组件200被构造为能够使声波发生器110与保护构件300彼此分开使得声波发生器110在谐振时不接触保护构件300或脱离保护构件300。

因此，在一个示例中，在声波发生器110、支撑组件200以及保护构件300之间围成的区域形成空间部d。在本示例中，声波发生器110的上表面和保护构件300的下表面之间的间隙距离g与支撑组件200的高度和声波发生器110的厚度之间的差相对应。空间部d被用作在驱动声波装置10时声波发生器110的变形空间。

保护构件300可完全地覆盖声波发生器110的上部。

根据本示例性实施例的保护构件300可形成为平板状，并且为了提供刚性，可由金属(例如，铜板)形成。然而，保护构件300的材料不局限于此，而是保护构件300可由诸如树脂等的另一材料形成，只要所述材料可提供与金属结构的刚度相同或相似的刚度即可。

保护构件300可接触支撑组件200的上表面的一部分，并且可在保护构件300的外部与支撑组件200之间形成台阶部210。

换言之，保护构件300可在朝向声波发生器110的方向上仅被设置在支撑组件200的上表面的一部分上，使得保护构件300的边缘和支撑组件200的边缘可形成呈台阶状的台阶部210。

在如上所述的形成台阶部210的情况下，可增加与下面描述的密封组件400接触的面积，这可有利于将空间部d密封为相对于外部环境气密。

保护构件300可被单独地制造，然后被结合到支撑组件200。此外，保护构件300可进行各种修改。例如，保护构件300可被直接堆叠在支撑组件200上。

密封组件400可密封保护构件300和支撑组件200的外部。

由于密封组件400可密封保护构件300和支撑组件200的外部，从而防止湿气和异物渗入到保护构件300和支撑组件200之间的空间部d中。

密封组件400可由薄膜层形成。例如，密封组件400可由包含从包括氮化硅(Si_xN_y)、二氧化硅(SiO₂)、氮氧化硅(SiO_xN_y)以及碳化硅(SiC)的组中选择的至少一种成分的薄膜层形成。

然而，密封组件400的材料不局限于此。如果必要的话，则密封组件400可由诸如Au、Ni、Pt、Cu、Al等的金属形成。

这里，将简要地描述根据本公开的示例性实施例的声波装置10的显著地减小变形的原理。

通常，声波装置10可安装在封装板2(在图17中)上，并且为了保护和密封声波装置10，可通过注射成型来形成将声波装置10嵌入的包封组件3。如果注射诸如环氧树脂等的树脂材料，则所述树脂材料可压缩声波装置10的密封组件400或盖。如果密封组件400由于上面所描述的注射压力而变形，则可发生与声波发生器110等的接触。

然而，根据示例性实施例的声波装置10可包括位于密封组件400与声波发生器110之间的单独的保护构件300。由于保护构件300可增强密封组件400的刚度，所以可通过保护构件300而显著地减少由外力使密封组件400向内地变形的现象。

因此，即使为了封装声波装置10而执行注射成型，也可显著地减小声波装置10的变形。

同时，可在基板100的一个表面上设置电极垫120以及使电极垫120和声波发生器110彼此电连接的布线图案(未示出)。此外，电极垫120可配置在密封组件400之外。

可在基板100的一个表面上配置电连接到声波发生器110的连接端子500。连接端子500可设置在密封组件400之外，并且可通过电极垫120结合到基板100。

连接端子500可被形成为焊料球、焊料凸块或其他形状，但不局限于此。

如上面所描述的连接端子500可被设置为在封装板2(在图17中)与声波装置10之间建立电连接。例如，声波装置10可通过将连接端子500与封装板2焊接而被安装在封装板2上。

参照图3中所示的示例，为了使声波装置10和封装板2容易地彼此结合，将从基板100的一个表面到连接端子500的上部的竖直长度L1设置为比从基板100的所述一个表面到密封组件400的竖直长度L2长。

图4是示出根据本公开的另一示例性实施例的声波装置的示意性剖视图。在下文中，将参照图4描述根据本公开的另一示例性实施例的声波装置10a。

参照图4，根据另一示例性实施例的声波装置10a可包括：基板100，具有其上设置有声波发生器110的一个表面；支撑组件200，设置在基板100的所述一个表面上并且与声波发生器110分开；保护构件300，结合在支撑组件200上并且设置为与声波发生器110分开预定的距离；密封组件400，密封保护构件300的外部和支撑组件200的外部；连接端子500，设置在基板100的与基板100的所述一个表面相对的另一表面上。

这里，除连接端子500的布置之外，根据本示例性实施例的声波装置10a的其他配置与在图1至图3中示出的声波装置的配置基本相同。

因此，相同配置的详细描述将由上面提到的描述所替代并且可被省略。

在根据本示例性实施例的声波装置10a中，连接端子500可设置在基板100的与其上设置有声波发生器110的一个表面相对的另一表面上，并且连接端子500可通过导电通路600电连接到声波发生器110。

例如，可在基板100的另一表面上设置电极垫120，并且可将连接端子500结合到电极垫120。

在本示例中，因为电极垫120可通过穿透基板100的导电通路600而电连接到声波发生器110，所以可使连接端子500和声波发生器110彼此电连接。

导电通路600可被设置用于将连接端子500和声波发生器110电连接，并且导电通路600可穿透基板100。

可通过利用导电材料填充基板100的穿透孔或在穿透孔的内表面上涂覆导电材料来设置导电通路600。

例如，形成导电通路600的导电材料可为Cu、Ag、Au、Ni、Pt、Pd或它们的合金，但不局限于此。

图5是示出根据本公开的另一示例性实施例的声波装置的示意性剖视图。

参照图5，根据本示例性实施例的声波装置10b可包括基板100、支撑组件200、保护构件300以及密封组件400，其中，可在保护构件300的一个表面上设置气密层390。

除气密层390之外，根据本示例性实施例的声波装置10b的其他配置与在图1至图3中示出的声波装置的配置相似。因此，将省略相同配置的详细描述。

在根据本示例性实施例的声波装置10b中，气密层390可配置在保护构件300的底表面(即，保护构件300的面向声波发生器110的一个表面)上。

当保护构件300由绝缘材料或树脂材料(而不是金属)形成时，与金属相比，湿气可容易渗入。因此，当如本示例性实施例中保护构件300由树脂材料形成时，湿气可渗透保护构件300而被引向声波发生器110。

因此，根据本示例性实施例，为了尽可能多地防止湿气渗入到声波发生器110中，可在保护构件300的一个表面上形成气密层390。因此，可通过气密层390改善声波装置10的抗湿性能。

同时，在可仅用保护构件300充分地防止湿气的渗入的情况下，可省去气密层390。

气密层390可由薄膜层形成。例如，气密层390可由包含从包括氮化硅(Si_xN_y)、二氧化硅(SiO₂)、氮氧化硅(SiO_xN_y)以及碳化硅(SiC)的组中选择的至少一种成分的薄膜层或诸如氧化膜的薄绝缘层形成。

可利用气相沉积法形成气密层390。例如，可通过物理气相沉积(PVD)法或化学气相沉积(CVD)法形成气密层390。

然而，形成气密层390的方法不局限于此。如果必要的话，则也可通过镀覆法、印刷法等形成气密层390。

图6是示出根据本公开的另一示例性实施例的声波装置的示意性剖视图。

参照图6，声波装置10c可包括基板100、支撑组件200、保护构件300、密封组件400以及电连接到被设置在基板100的一个表面上的声波发生器110的连接端子500。此外，如果必要的话，则可在保护构件300的底表面上配置气密层390。

在根据本示例性实施例的声波装置10c中，电极垫120可设置在基板100的与基板100的一个表面相对的另一表面上，并且连接端子500可被结合到电极垫120。

电极垫120和连接端子500可通过穿透基板100的导电通路600而电连接到声波发生器110。

图7和图8是示出制造在图2中示出的声波装置的方法的示图。将参照图7和图8描述根据本公开的示例性实施例的制造声波装置10的方法。

在根据本示例性实施例的制造声波装置的方法中，保护构件300(在图2中)和声波发生器110(在图2中)可彼此分开制造，然后彼此结合。

首先，将描述保护构件300的制造方法。

可在基底基板310的一个表面上形成粘合层320(S 1)。

可使用晶圆作为基底基板310。此外，粘合层320可由粘合带形成。例如，可使用热剥离双面粘合带作为根据本示例性实施例的粘合层320。

然后，可在粘合层320上形成金属层350(S2)。

金属层350可由铜(Cu)材料形成在粘合层320的整个上表面上。然而，金属层350的材料不局限于此，并且可使用任何金属，只要该金属可提供与铜的刚度相似或比铜的刚度强的刚度即可。

然后，顺序地，可在金属层350上形成掩膜层330(S3)，并且可利用掩膜层330将金属层350图案化(S4)。

这里，可使用干膜光阻(DFR)形成掩膜层330，但不局限于此。

然后，在移除掩膜层330之后，可在金属层350的一个表面上形成绝缘层300a(S5)，从而完成保护构件300。因此，整个保护构件300或保护构件300的表面可由绝缘材料形成。绝缘层300a可由氧化膜形成，但不局限于此。

为了防止由金属形成的保护构件300与声波发生器110、基板100的布线等之间的电气干扰，可设置绝缘层300a。因此，如果确保了在保护构件300与声波发生器110或基板100的布线之间绝缘，则可省去在保护构件300的表面上形成绝缘层300a。

然后，可在用于声波装置的基板100上形成声波发生器110(S6)。

如上面所述，在SAW滤波器的情况下，压电基板可被设置为基板100，而在BAW滤波器的情况下，Si基板可被用作基板100。

然而，用于声波装置的基板100不局限于此，而可被替换为本领域中通常使用的各种基板。

如上面所述，当声波装置10被用作SAW滤波器时，声波发生器110可由铝(Al)或铜(Cu)形成，并且具有在其中多个电极以梳状图案相互交替地交叉的结构。在这种情况下，可通过在基板100上形成导体层，然后利用光刻法以预定的电极形式处理所述导体层来设置声波发生器110。

此外，当声波装置10被用作BAW滤波器时，可在基板100的一个表面上将声波发生器110设置为其中顺序地堆叠有下部电极、压电层以及上部电极的单独结构。

在S6中，可在声波发生器110的周围形成电连接到声波发生器110的电极垫120。电极垫120可与声波发生器110一起形成或在形成声波发生器110之后被形成。将在下面描述的示例性实施例中更加详细地描述在基板100上形成电极垫120的方法。

在声波发生器110被形成在基板100上之后，可沿声波发生器110的外周在基板100的一个表面上形成支撑组件200(S7)。

支撑组件200可由诸如树脂或聚合物的绝缘材料形成。然而，如果必要的话，则支撑组件200可由金属形成。

可利用光刻法形成支撑组件200。然而，支撑组件200不局限于此。

然后，可将在S5中制造的保护构件300转移到在S7中制造的支撑组件200(S8)处。此时，保护构件300可被安放在支撑组件200上，同时与声波发生器110分开预定的距离。

保护构件300可被配置为完全地覆盖声波发生器110的上部。因此，声波发生器110可被配置在通过保护构件300和支撑组件200形成的空间部d中。

这里，保护构件300可接触支撑组件200的上表面的一部分，并且可在保护构件300的外部和支撑组件200之间形成台阶部210。

在S8中，保护构件300可以在保护构件300粘附到基底基板310的状态下粘附到支撑组件200。因此，即使保护构件300的厚度是薄的，也可容易地操作保护构件。

当保护构件300被转移到支撑组件200时，可除去通过粘合层320附着到保护构件300的基底基板310(S9)。如上面所述，可使用热剥离粘合带作为粘合层320。因此，可通过向粘合层320施加热量使基底基板310与保护构件300容易地分离。同时，在粘合层320由UV带形成的情况下，可通过将UV光照射到粘合层320而使基底基板310与保护构件300分离。

然后，可形成密封保护构件300和支撑组件200的密封组件400(S10)。

密封组件400的形成可包括：在基板100的设置有保护构件300的一个表面上全部形成密封层；利用光刻法部分地除去所述密封层以使电极垫120向外暴露。

这里，可通过气相沉积法形成密封组件400。例如，可通过物理气相沉积(PVD)法或化学气相沉积(CVD)法形成密封组件400。

更详细地讲，可利用溅射法、电子束蒸发法、热蒸发法、激光分子束外延(L-MBE)法、脉冲激光沉积(PLD)法、金属有机化学气相沉积(MOCVD)法、氢化物气相外延(HVPE)法以及等离子增强化学气相沉积(PECVD)法之中的任何一种方法来形成密封组件400。

在下文中，在图2中示出的声波装置10可通过在基板100的一个表面上形成连接端子500而被完成。

可在形成于基板100的一个表面上的电极垫120上形成连接端子500。然而，连接端子500被设置的位置不局限于基板100的设置有声波发生器110的一个表面。在另一示例中，如图4所示，连接端子500可被设置在基板100的与基板100的设置有声波发生器110的表面相对的另一表面上。在这种情况下，可进一步形成将声波发生器110与连接端子500电连接的导电通路600(在图4中)。

同时，根据本示例性实施例的制造声波装置的方法不局限于此，而是可进行各种变型。

图9A和图9B是示出根据本公开的另一示例性实施例的制造声波装置的方法的示图。

参照图9A和图9B，在根据本示例性实施例的制造声波装置的方法中，首先，可在基板100上形成声波发生器110(S1)。

声波发生器110可通过如下步骤设置：在基板100上形成导体层；然后利用光刻法以预定的电极形式处理所述导体层。

在声波装置是SAW滤波器的情况下，所述导体层可由铝(Al)形成。然而，所述导体层不局限于此。

可在声波发生器110的周围和声波发生器110一起形成电连接到声波发生器110的布线图案(未示出)。此外，所述布线图案可包括多个布线层121，以在后来形成电极垫120。

可在声波发生器110的表面和所述布线图案的表面上形成诸如SiO₂膜的绝缘保护膜(未示出)。然而，所述布线图案的布线层121可被暴露在所述绝缘保护膜的外面。

同时，在本示例性实施例中以示例的方式描述了制造其中以金属电极形式形成声波发生器110的SAW滤波器的情况，然而声波发生器110不局限于此。例如，声波发生器110可被形成为压电薄膜谐振器的形式，使得声波装置可被制造为BAW滤波器。

然后，可在声波发生器110和布线层121上形成种子层122(S2)。种子层122可被设置为便于执行电镀，并且可利用铜(Cu)材料通过溅射法而形成。然而，形成种子层122的方法不局限于此。

可在声波发生器110上形成绝缘膜。因此，种子层122可仅直接地结合到暴露在所述绝缘膜的外面的布线层121。

然后，在种子层122上形成掩膜层125之后，可部分地除去掩膜层125使得种子层122的一部分被暴露(S3)。这里，种子层122的与布线层121相对应的区域可被暴露。

然后，可通过在被暴露的种子层122上形成镀层123而形成电极垫120的形状(S4)。镀层123可利用种子层122通过电镀法而被形成。然而，镀覆方法不局限于此，而如果必要的话，则也可使用无电镀覆方法。

根据本示例性实施例的镀层123可通过在种子层122上顺序地堆叠镍(Ni)层和金(Au)层而被形成。然而，形成镀层123的方法不局限于此。

然后，可除去掩膜层125和种子层122(S5)。种子层122的除了其与电极垫120相对应的区域之外的区域可被除去。因此，可在基板100上形成电极垫120和声波发生器110。

同时，在如本示例性实施例中的以SAW滤波器结构制造根据本示例性实施例的声波装置的情况下，布线层121可由铝(Al)材料形成。在本示例中，向外暴露的布线层121可在后来执行的光刻或蚀刻期间被一起除去。因此，为了防止被暴露的布线层121被除去，在根据本示例性实施例的声波装置中，镀层123可作为阻挡层被形成在被暴露的布线层121上。

然而，在以BAW滤波器结构制造声波装置的示例中，由于布线层121由在蚀刻期间不容易被除去的钼(Mo)材料或金(Au)材料形成，所以可省去镀层123或种子层122以及镀层123和种子层122的形成。

然后，顺序地，可在基板100的一个表面上形成支撑层201(S6)，然后，可通过部分地除去支撑层201而沿声波发生器110的外周形成支撑组件200(S7)。

支撑组件200可由诸如树脂或聚合物的绝缘材料形成。然而，如果必要的话，则支撑组件200可由金属形成。此外，可利用光刻法形成支撑组件200。然而，形成支撑组件200的方法不局限于此。

然后，可在支撑组件200上堆叠保护构件300(S8)。此时，保护构件300可被安放在支撑组件200上，同时与声波发生器110分开预定的距离。

保护构件300可由单个金属片形成。例如，可使用铜(Cu)片作为保护构件。

此外，如图15所示，根据本示例性实施例的保护构件300可由金属片形成为具有足够同时覆盖多个声波发生器110的尺寸和形状。因此，由于保护构件300的在接触支撑组件200时通过支撑组件200支撑的面积近似于或大于空间部d的面积(在图2中)，所以，即使保护构件300被堆叠在支撑组件200上，也可保持平坦的片状。

然后，可在保护构件300上形成掩膜层303，并且保护构件300可被图案化(S9)。本操作(S9)可通过光刻法执行。

然后，可形成密封保护构件300和支撑组件200的密封组件400(S10)。

如上面所述，密封组件400可由薄膜层形成，所述薄膜层由绝缘材料形成。

然而，密封组件400的材料不局限于此，而如果必要的话，则密封组件400可由金属形成。

此外，如上面所述，密封组件400可通过气相沉积法形成。然而，形成密封组件400的方法不局限于此，而是可进行各种改变。例如，可利用镀覆法形成密封组件400。

在下文中，可在电极垫120上形成连接端子500(S11)，从而完成声波装置。

图10A至图10C是示出根据本公开的另一示例性实施例的制造声波装置的方法的示图，并且示出了制造在图5中所示的声波装置的方法。

这里，图10A示出形成保护构件300的方法，图10B和图10C示出将保护构件300结合到基板以完成声波装置的方法。

首先，将参照图10A描述形成保护构件300的方法。

可在基底基板310a上形成种子层312(S 1)。种子层312可由钛(Ti)、铝(Al)、铜(Cu)等形成，并且可使用晶圆作为基底基板310a，但是种子层312和基底基板310a的材料不局限于此。

然后，顺序地，可在种子层312上形成掩膜层330a(S2)，并且可利用掩膜层330a形成镀层315(S3)。镀层315可由与种子层312的材料相同的材料形成，但不局限于此。

在下文中，可除去掩膜层330a，并且可在种子层312的表面和镀层315的表面上形成涂覆层317(S4)，从而完成用于形成保护构件300的框架360。

为了使下面描述的由树脂材料形成的绝缘构件370与框架360容易地分开，可设置涂覆层317。涂覆层317可由包含氟的材料(例如，铁氟龙(Teflon)材料)形成，但不局限于此。

然后，可将框架360设置在模具(未示出)中，并且可通过注射成型在框架360上形成绝缘构件370(S5)。此外，为了容易地操作绝缘构件370，可在绝缘构件370的外侧配置转移基板380。

可根据种子层312和镀层315的形状形成绝缘构件370。因此，绝缘构件370的与框架360的其上仅形成有种子层312的部分相对应的部分可被形成为厚的，并且绝缘构件370的与框架360的其上形成有镀层315的部分相对应的部分可被形成为相对薄的。

尽管在图10A中示出了绝缘构件370的厚的部分的数量为一个的情况，但是厚的部分的数量不局限于此。换言之，可重复地配置多个厚的部分和多个薄的部分。

绝缘构件370的厚的部分最后可形成为保护构件300。另一方面，可最后除去绝缘构件370的薄的部分。因此，绝缘构件370的薄的部分可用作将绝缘构件370的厚的部分彼此连接的连接部。

可使用可容易执行其粘合和分离的基板作为转移基板380。例如，可使用热剥离膜、UV膜、假晶圆(dummy wafer)等，并且可使用所有具有柔韧性的膜或具有刚性的基板。

然后，在绝缘构件370与框架360分离之后，可在绝缘构件370的表面上形成气密层390(S6)。如上面所述，气密层390可由包含从由氮化硅(Si_xN_y)、二氧化硅(SiO₂)、氮氧化硅(SiO_xN_y)以及碳化硅(SiC)组成的组中选择的至少一种成分的薄膜层或氧化膜形成。

由于绝缘构件370由树脂材料形成，所以与金属相比，湿气可容易地通过其而渗入。因此，当如本示例性实施例中保护构件300由树脂材料形成时，湿气可渗透保护构件300而被引向声波发生器110。

因此，根据本示例性实施例，为了尽可能多地防止湿气渗入到声波发生器110中，可在保护构件300的一个表面上形成气密层390。

同时，在仅利用保护构件300可充分地防止湿气的渗透的情况下，可省去气密层390。

接着，将参照图10B和图10C描述将保护构件300结合到基板100以完成声波装置的方法。

首先，可在用于声波装置的基板100上形成声波发生器110(S7)。在这种情况下，在形成声波发生器110之后，可在基板100的一个表面上形成电连接到声波发生器110的电极垫120。

然后，可沿声波发生器110的外周在基板100上形成支撑组件200(S8)。支撑组件200可由诸如树脂或聚合物的绝缘材料形成。然而，如果必要的话，则支撑组件200可由金属形成。此外，可利用光刻法形成支撑组件200。然而，形成支撑组件200的方法不局限于此。

然后，可将绝缘构件370转移到支撑组件200(S9)。此时，绝缘构件370可在被安放在支撑组件200上，同时与声波发生器110分开预定的距离。

此外，可将绝缘构件370转移到支撑组件200，同时形成在绝缘构件370的一个表面上的气密层390接触支撑组件200的上表面。

当将绝缘构件370被转移到支撑组件200时，可除去附着到绝缘构件370的转移基板380，并且可除去绝缘构件370的不必要的部分(S10)。例如，可将绝缘构件370打磨为相对薄的，从而完成在图5中示出的保护构件300。

同时，尽管未示出，但是由于绝缘构件370被打磨，所以可除去绝缘构件370的所有薄的部分，并且其多个厚的部分可被彼此分开，从而分别形成为保护构件300。因此，可在多个声波发生器110上同时形成多个保护构件300。

在下文中，顺序地，为了形成其中嵌有保护构件300的密封组件400，可在保护构件300上形成密封层401(S11)，可在密封层401上形成掩膜层330c，并且可部分地除去密封层401(S 12)，然后，可通过除去掩膜层330c来完成密封组件400(S13)。

然后，可通过将连接端子500结合在电极垫120上而完成图5中所示的声波装置10b。

由于可如上面所描述的示例性实施例中类似地制造密封组件400和连接端子500，所以将省略其描述。

图11至图13分别是示出根据本公开的其他示例性实施例的声波装置的示意性剖视图。

首先，参照图11，根据本示例性实施例的声波装置可被用作包括天线的双工器。

为此，根据本示例性实施例的声波装置还可包括至少一个天线190。

天线190可被形成为布线图案的一部分，并且可电连接到声波发生器110。

根据本示例性实施例的天线190可被配置为与声波发生器110分开预定的距离，并且与声波发生器110一起被设置在空间部d中。

然而，天线190的配置不局限于此。例如，如图12所示，天线也可被设置在空间部d之外，而非在空间部d之内。

此外，如图13所示，天线190也可被插设在基板100和支撑组件200之间。在本示例中，可通过在基板100上形成天线190，然后在其上形成支撑组件200来制造声波装置。

如上面所述，根据本公开的声波装置可进行各种变型。

图14是示意性地示出根据本公开的另一示例性实施例的声波装置的透视图，图15是在图14中示出的声波装置的分解透视图。

参照图14和图15，在根据本示例性实施例的声波装置中，可在单个基板100上配置多个声波发生器110。

支撑组件200可被形成为单层片形式，并且包括供声波发生器110设置于其中的多个孔H。

保护构件300可被形成为单层片形式，并且被堆叠在支撑组件200上，并且可封住支撑组件200中所形成的孔H。

可在保护构件300上配置密封组件400。

保护构件300可由金属板或金属片形成，而密封组件400可由覆盖保护构件300的绝缘材料形成。

在如上面所描述的根据本示例性实施例的声波装置中，可通过堆叠单层支撑组件200和单层保护构件300而同时形成将声波发生器110容纳于其中的多个空间部d(在图2中)。

图16和图17分别是示出根据本公开的其他示例性实施例的声波装置封装件的示意性剖视图。

参照图16和图17，声波装置封装件可包括封装板2、安装在封装板2上的多个电子元件1以及包封组件3。

可使用任何电子组件作为电子元件1，只要所述电子组件可被安装在封装板2上即可。例如，电子元件1可为有源元件或无源元件。

此外，根据本示例性实施例的电子元件1可包括至少一个声波装置10a以及其他元件11。在图16中示出了使用图4中所示的声波装置10a的情况，在图17中示出了使用图5中所示的声波装置10b的情况。然而，声波发生器110不局限于此。

可使用各种类型的板(例如，陶瓷板、印刷电路板、玻璃板、柔性板等)作为封装板2，并且可在封装板2的至少一个表面上安装至少一个电子元件1。此外，可在封装板2的另一表面上配置多个外部连接端子2a。

包封组件3可包封被安装在封装板2上的电子元件1。此外，包封组件3可被填充在被安装在封装板2上的电子元件1之间以防止在电子元件1之间发生电短路，并且将电子元件1固定到封装板2上，同时围住电子元件1的外部。因此，可安全地保护电子元件1不受外部影响。

包封组件3可通过注射成型法形成。例如，环氧模塑料(EMC)可被用作包封组件3的材料。然而，形成包封组件3的方法不局限于此。如果有必要形成包封组件3，则可使用诸如压缩半固化树脂的方法等的各种方法。

参照图16，根据本示例性实施例的声波装置封装件可包括：保护构件300，被配置以与封装板2平行并且与封装板2分开；声波发生器110，被配置在保护构件300和封装板2之间；声波装置基板100。

此外，声波发生器110可被配置在保护构件300和声波装置基板100之间。

参照图17，根据本示例性实施例的声波装置封装件可包括：声波装置基板100和封装板2，被配置为彼此平行；保护构件300，被配置在声波装置基板100和封装板2之间。

此外，可在保护构件300和声波装置基板100之间配置声波发生器110，并且可在保护构件300的与声波发生器110面对的一个表面上配置气密层390。

在图16和图17所示的声波装置封装件中，可通过至少一个连接端子500将封装板2的接地部与声波装置10a或10b的接地部彼此电连接。

如上面所阐述的，根据本公开的示例性实施例，声波装置可显著地减小在使用注射成型法封装声波装置期间出现的变形。

虽然本公开包括具体示例，但对本领域普通技术人员将显而易见的是，在不脱离权利要求及其等同物的精神及范围的情况下，可在这些示例中做出形式和细节上的各种改变。这里所描述的示例将被理解为仅是描述性的含义，而非限制的目的。每个示例中的特征或方面的描述将被理解为可适用于其他示例中的类似的特征或方面。如果以不同的顺序执行所描述的技术，和/或如果按照不同的方式组合和/或通过其他组件或它们的等同物替换或增补所描述的系统、架构、装置或电路中的组件，则可获得合适的结果。因此，本公开的范围不由具体实施方式而由权利要求及其等同物来限定，并且在权利要求及其等同物的范围之内的全部变型将被理解为包含于本公开。