1.一种用于在电子设备中进行信号驱动的解耦电容电路，所述解耦电容电路位于电子设备的输出级中，其特征在于，所述解耦电容电路包括：
第一解耦电容，具有第一端和第二端，耦接在第一预定电压电平和第三预定电压电平之间，其中，所述第一预定电压电平高于所述第三预定电压电平；以及
至少一个开关单元，耦接在所述第一解耦电容的所述第一端和所述第二端的其中一端以及所述第一预定电压电平、所述第三预定电压电平中的至少一个预定电压电平之间，用于选择性地使能或禁能所述第一解耦电容。
2.如权利要求1所述的解耦电容电路，其特征在于，在所述至少一个开关单元的控制下，所述第一解耦电容的所述第一端和所述第二端中的其中一端被选择性地耦接于所述第一预定电压电平和所述第三预定电压电平中的其中一个预定电压电平；以及，所述解耦电容的所述第一端和所述第二端中的其中另一端耦接于所述第一预定电压电平。
3.如权利要求1所述的解耦电容电路，其特征在于，所述至少一个开关单元包括：
第一开关单元，具有耦接于所述第三预定电压电平的第一端和耦接于所述第一解耦电容的所述第一端和所述第二端中的其中一端的第二端。
4.如权利要求1或3所述的解耦电容电路，其特征在于，所述至少一个开关单元包括：
第二开关单元，具有耦接于所述第一预定电压电平的第一端和耦接于所述第一解耦电容的所述第一端和所述第一解耦电容的所述第二端的其中一端的第二端。
5.如权利要求1所述的解耦电容电路，其特征在于，所述输出级内对应于所述第一解耦电容的后驱动器用于根据所述第一预定电压电平或者根据第二预定电压电平进行信号驱动；其中，所述第二预定电压电平高于所述第一预定电压电平；以及当对应于所述第一解耦电容的所述后驱动器用于根据所述第一预定电压电平进行信号驱动时，所述至少一个开关单元使能所述第一解耦电容。
6.如权利要求1所述的解耦电容电路，其特征在于，所述输出级内对应于所述第一解耦电容的后驱动器用于根据所述第一预定电压电平或者根据第二预定电压电平进行信号驱动；其中，所述第二预定电压电平高于所述第一预定电压电平，以及，当对应于所述第一解耦电容的所述后驱动器用于根据所述第二预定电压电平进行信号驱动时，所述至少一个开关单元禁能所述第一解耦电容，以保护所述第一解耦电容。
7.如权利要求1所述的解耦电容电路，其特征在于，所述解耦电容电路还包括：
第二解耦电容，耦接在第二预定电压电平和所述第三预定电压电平之间，所述第二预定电压电平高于所述第一预定电压电平。
8.如权利要求7所述的装置，其特征在于，所述第一解耦电容是第一金属氧化物半导体场效应晶体管，以及，所述第二解耦电容为第二金属氧化物半导体场效应晶体管；其中，所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管的氧化物厚度小于所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管的氧化物厚度。
9.如权利要求8所述的解耦电容电路，其特征在于，所述解耦电容电路还包括第三解耦电容，耦接在所述第一预定电压电平和所述第三预定电压电平之间，其中，所述第三解耦电容为所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管。
10.如权利要求1所述的解耦电容电路，其特征在于，所述第一解耦电容是利用核心器件实现的，其中，所述核心器件的驱动电压小于输入输出器件的驱动电压。
11.如权利要求1所述的解耦电容电路，其特征在于，所述第一解耦电容包括具有串联电阻的解耦电容、纯电容、P型金属氧化物半导体场效应晶体管和N型金属氧化物半导体场效应晶体管中的至少一种。
12.一种用于在电子设备中进行信号驱动的装置，其特征在于，所述装置包括：
输出级，位于所述电子设备内，以及，耦接在第一预定电压电平和第三预定电压电平之间，用于对所述电子设备进行信号驱动；其中，所述输出级包括如权利要求1-11任一项所述的解耦电容电路。。
13.如权利要求12所述的装置，其特征在于，所述输出级还包括：
后驱动器，耦接在所述第一预定电压电平和所述第三预定电压电平之间，用于根据所述第一预定电压电平进行信号驱动，其中，所述第二预定电压电平高于所述第一预定电压电平。
14.如权利要求13所述的装置，其特征在于，所述后驱动器还耦接在第二预定电压电平和所述第三预定电压电平之间，用于根据所述第一预定电压电平或者根据所述第二预定电压电平进行信号驱动，其中，所述第二预定电压电平高于所述第一预定电压电平。
15.如权利要求13所述的装置，其特征在于，所述输出级还包括：
前驱动器，耦接在所述第二预定电压电平和所述第三预定电压电平之间，用于根据所述第二预定电压电平，通过所述后驱动器来进行信号驱动，其中，所述后驱动器耦接于所述前驱动器。