本实用新型涉及无线射频技术领域,具体地说,涉及一种无线射频模块。
背景技术:
现有的无线射频模块一般由多层PCB层构成,其中包括电源VCC层。目前,现有技术中的VCC层的Vbat电源滤波电容的GND和其它管脚的GND都设置在PCB层的同一个层面上,这种设计导致电流回路增长,占用面积大,并且非常容易产生交变磁场,从而产生噪音影响。
技术实现要素:
本实用新型的目的在于针对现有无线射频模块存在的上述问题,提供了一种电流回路面积小、降低噪声影响的无线射频模块。
本实用新型的技术方案为:一种无线射频模块,包括四层设有导电铜皮层的PCB层,由上而下分别为TOP层、GND层、VCC层、BOTTOM层,TOP层、GND层、VCC层、BOTTOM层上均设有Via过孔,TOP层、GND层、VCC层、BOTTOM层的表面对应Via过孔的周边位置设置有扑铜禁区;TOP层的VIN_DCDC_ANA、VIN_DCDC_PA、VIN_DCDC_DIG三路Vbat输入的电源滤波电容的GND端通过Via过孔依次与GND层上的GND端、VCC层上的GND端、BOTTOM层上的GND端连接,BOTTOM层对应VIN_DCDC_ANA、VIN_DCDC_PA、VIN_DCDC_DIG的GND区域掏空。通过Via过孔连接相邻的PCB层,并在各层的表面对应Via过孔的周边位置设置有扑铜禁区,使VIN_DCDC_ANA、VIN_DCDC_PA、VIN_DCDC_DIG三路Vbat输入的电源滤波电容的GND端与各层其他部分的GND隔离,有效地缩短了电流回路,使电流回路的面积缩小;并且有效抑制交变磁场辐射,降低了噪声。
作为优选,GND层的GND走线与TOP层的VIN_DCDC_ANA、VIN_DCDC_PA、VIN_DCDC_DIG三条线路走线部分重合,进一步缩小了电流回路的面积。
作为优选,TOP层的VIN_DCDC_ANA、VIN_DCDC_PA、VIN_DCDC_DIG三路Vbat输入的电源滤波电容的GND端通过Via过孔在GND层上的主GND走回chipset下面的GND焊点。
本实用新型的有益效果为:本实用新型TOP层的VIN_DCDC_ANA、VIN_DCDC_PA、VIN_DCDC_DIG三路Vbat输入的电源滤波电容的GND端通过Via过孔依次与GND层上的 GND端、VCC层上的GND端、BOTTOM层上的GND端连接,TOP层、GND层、VCC层、BOTTOM层的表面对应Via过孔的周边位置设置有扑铜禁区,使敏感电源的GND与各PCB层其它的GND隔离,有效缩短了电流回路,使电流回路的面积缩小,并有效地抑制交变磁场辐射,降低了噪声。
附图说明
图1为本实用新型具体实施例的结构示意图。
图2为本实用新型具体实施例GND层的结构简图。
图3为本实用新型具体实施例Vbat输入电源部分的原理图。
图中,1、TOP层,2、GND层,3、VCC层,4、BOTTOM层,5、Via过孔。
具体实施方式
下面结合附图说明本发明的具体实施方式:
如图1、2、3所示,一种无线射频模块,包括四层设有导电铜皮层的PCB层,由上而下分别为TOP层、GND层、VCC层、BOTTOM层,TOP层、GND层、VCC层、BOTTOM层上均设有Via过孔,TOP层、GND层、VCC层、BOTTOM层的表面对应Via过孔的周边位置设置有扑铜禁区;TOP层的VIN_DCDC_ANA、VIN_DCDC_PA、VIN_DCDC_DIG三路Vbat输入的电源滤波电容C2、C3、C4的GND端通过Via过孔依次与GND层上的GND端、VCC层上的GND端、BOTTOM层上的GND端连接,BOTTOM层对应VIN_DCDC_ANA、VIN_DCDC_PA、VIN_DCDC_DIG的GND区域掏空。通过设计在无线射频模各层上的Via过孔和扑铜禁区,使VIN_DCDC_ANA、VIN_DCDC_PA、VIN_DCDC_DIG三路Vbat输入的电源滤波电容的GND端与各层其他部分的GND隔离,有效缩短了电流回路,缩小了电流回路的面积,并且有效抑制交变磁场辐射,从而降低了噪声。
在本实施例中,为了进一步缩小了电流回路的面积,GND层的GND走线与TOP层的VIN_DCDC_ANA、VIN_DCDC_PA、VIN_DCDC_DIG三条线路走线部分重合,其中,TOP层的VIN_DCDC_ANA、VIN_DCDC_PA、VIN_DCDC_DIG三路Vbat输入的电源滤波电容的GND端通过Via过孔在GND层上的主GND走回chipset下面的GND焊点。
上述实施例用来解释本实用新型,而不是对本实用新型进行限制,在本实用新型的精神和权利要求的保护范围内,对本实用新型做出的任何修改和改变,都落入本实用新型的保护范围。