技术总结
本实用新型公开了一种低成本通过雷击差模测试的高PF电路，包括并联在整流桥堆的第一引脚和第四引脚上可控硅调光电路和π型滤波电路，整流桥堆的第二和第三引脚上分别连接第一测试点和第二测试点，所述第一测试点与整流桥堆第二引脚之间依次连接有保险丝和第一电阻，所述第二测试点直接与整流桥堆第三引脚连接，所述第一电阻与第三引脚之间连接有压敏电阻。本实用新型在压敏电阻VR1和保险丝F1之间设置了一个电阻R1，当电源受到雷击差摸电压时，由于压敏电阻前增加了一个电阻R1，较大的降低流过压敏电阻的电流，有效降雷击时MOS管二端电压，达到保护MOS管的目的，轻松地通过雷击测试，降低了通过雷击测试的实验成本。
技术研发人员：屈经斌
受保护的技术使用者：佛山冠今光电科技有限公司
文档号码：201620993960
技术研发日：2016.08.30
技术公布日：2017.03.15