一种基于锁存器的电容对差分动态比较器的制作方法

文档序号:11663481阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种基于锁存器的电容对差分动态比较器,其特征在于,包括:

锁存比较器(1),具有同相输入端、反相输入端、时钟信号输入端、正极性输出端和负极性输出端,

控制开关单元(2),包含:控制负极性差分信号的采样并根据外部参考信号调节锁存比较器反相输入端电压的第一子单元,控制正极性差分信号的采样并根据外部参考信号调节锁存比较器同相输入端电压的第二子单元,及,

耦合电容单元(3),包含:对其上极板所承受的负极性差分信号进行采样的第一隔离电容、对其上极板所承受的正极性差分信号进行采样的第二隔离电容,第一隔离电容的下极板接锁存比较器的反相输入端,第二隔离电容的下极板接锁存比较器的同相输入端。

2.根据权利要求1所述一种基于锁存器的电容对差分动态比较器,其特征在于,所述第一子单元的第一输入端接负极性差分信号,第二输入端接第一参考电压信号,第三输入端接共模电压信号,第一、第二输出端接第一隔离电容的上极板,第三输出端接第一隔离电容的下极板。

3.根据权利要求2所述一种基于锁存器的电容对差分动态比较器,其特征在于,所述第一子单元包括:第一开关、第二开关、第三开关,所述第一开关的电流流入端接负极性差分信号,第二开关的电流流入端接第一参考电压信号,第三开关的电流流入端接共模电压信号,第一开关及第二开关的电流流出端均与第一隔离电容的上极板连接,第三开关的电流流出端接第一隔离电容的下极板。

4.根据权利要求3所述一种基于锁存器的电容对差分动态比较器,其特征在于,所述第一、第二、第三开关为单个PMOS管或单个NMOS管或由PMOS管和NMOS管构成的传输门。

5.根据权利要求1所述一种基于锁存器的电容对差分动态比较器,其特征在于,所述第二子单元的第一输入端接正极性差分信号,第二输入端接第二参考电压信号,第三输入端接共模电压信号,第一、第二输出端接第二隔离电容的上极板,第三输出端接第二隔离电容的下极板。

6.根据权利要求5所述一种基于锁存器的电容对差分动态比较器,其特征在于,所述第二子单元包括:第四开关、第五开关、第六开关,所述第四开关的电流流入端接正极性差分信号,第五开关的电流流入端接第二参考电压信号,第六开关的电流流入端接共模电压信号,第四开关和第五开关的电流流出端均与第二隔离电容的上极板连接,第六开关的电流流出端接第二隔离电容的下极板。

7.根据权利要求6所述一种基于锁存器的电容对差分动态比较器,其特征在于,所述第四、第五、第六开关为单个PMOS管或单个NMOS管或由PMOS管和NMOS管构成的传输门。

8.根据权利要求1所述一种基于锁存器的电容对差分动态比较器,其特征在于,所述锁存比较器(1)包括:第一至第四PMOS管、第一至第五NMOS管,第一PMOS管的栅极、第四PMOS管的栅极、第五NMOS管的栅极并接后作为锁存比较器的时钟信号输入端,第一至第四PMOS管的源极并接后接电源,第一PMOS管的漏极、第二PMOS管的漏极、第一NMOS管的漏极、第三POMS管的栅极、第二NMOS管的栅极并接后作为锁存比较器的正极性输出端,第二PMOS管的栅极、第一NMOS管的栅极、第三PMOS管的漏极、第二NMOS管的漏极、第四PMOS管的漏极并接在一起作为锁存比较器的负极性输出端,第一NMOS管的源极接第三NMOS管的漏极,第二NMOS管的源极接第四NMOS管的漏极,第三NMOS管的源极与第四NMOS管的源极、第五NMOS管的漏极相连接,第三NMOS管的栅极作为锁存比较器的反相输入端,第四NMOS管的栅极作为锁存比较器的同相输入端,第五NMOS管的源极接电源地。

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