微波放大器脉冲调漏电路的制作方法

文档序号:11663475阅读:537来源:国知局

本实用新型涉及微波放大器电路电源中提供脉调制放大器漏级电路,具体地,涉及微波放大器脉冲调漏电路。



背景技术:

现代微波毫米波通信、卫星通信、有源相控阵雷达、测试仪表等系统电路中,微波放大器电路都有着举足轻重的地位,其涉及低噪声放大、高功率放大等器件,在这些电路的设计中都要涉及到脉冲调漏电路的运用。

现有的微波放大器漏极容易出现失真,性能比较低下,针对此,需要设计一种微波放大器脉冲调漏电路。



技术实现要素:

本实用新型的目的是提供一种微波放大器脉冲调漏电路,该微波放大器脉冲调漏电路结构简单,电路稳定,可通过脉冲信号来控制整个电路的放大器漏极电压供给,从而保证电路中对脉冲调漏有要求的器件能够正常工作。

为了实现上述目的,本实用新型提供了一种微波放大器脉冲调漏电路,该微波放大器脉冲调漏电路包括:反向驱动电路和P沟道MOS管电路;其中,所述反向驱动电路接收输入脉冲信号,并将所述脉冲信号进行反向;

所述P沟道MOS管电路电连接于所述反向驱动电路,在所述反向驱动电路输出高电平时,所述P沟道MOS管电路截止;在所述反向驱动电路输出低电平时,所述P沟道MOS管电路导通。

优选地,所述反向驱动电路包括:反向驱动芯片和输入下拉电路,所述输入下拉电路被配置成连接于所述反向驱动芯片的输入端,以输入脉冲信号;所述反向驱动芯片的输出端输出反向的所述脉冲信号至所述P沟道MOS管电路的栅极。

优选地,所述输入下拉电路包括:信号输入端口和下拉电阻,所述信号输入端口通过所述下拉电阻连接于地,且所述反向驱动芯片的输入端连接于所述信号输入端口和下拉电阻之间。

优选地,所述反向驱动电路还包括:

电源和滤波电容,所述电源的输出端连接于所述反向驱动芯片的电源输入端,所述滤波电容的一端连接于所述电源的输出端和所述向驱动芯片的电源输入端之间,且所述滤波电容的另一端接地。

优选地,所述电源为电压12V的电源。

优选地,所述滤波电容的电容值为1uF。

优选地,所述P沟道MOS管电路的源极电连接于电压值为12V的电源。

通过上述的实施方式,该电路改善了脉冲失真,提高了调制的准确度,使得微波放大器脉冲调漏电路的性能得到了进一步提高。利用P沟道MOS管电路低电平导通、高电平截止性能,信号再次被反向,且增加驱动能力,最终输出信号给微波放大器漏极上,起到微波放大器脉冲漏极调制作用。

本实用新型的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。

附图说明

附图是用来提供对本实用新型的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与下面的具体实施方式一起用于解释本实用新型,但并不构成对本实用新型的限制。在附图中:

图1是说明本实用新型的一种微波放大器脉冲调漏电路的电路图。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本实用新型,并不用于限制本实用新型。

本实用新型提供一种微波放大器脉冲调漏电路,该微波放大器脉冲调漏电路包括:反向驱动电路和P沟道MOS管电路;其中,所述反向驱动电路接收输入脉冲信号,并将所述脉冲信号进行反向;

所述P沟道MOS管电路电连接于所述反向驱动电路,在所述反向驱动电路输出高电平时,所述P沟道MOS管电路截止;在所述反向驱动电路输出低电平时,所述P沟道MOS管电路导通。

通过上述的实施方式,该电路改善了脉冲失真,提高了调制的准确度,使得微波放大器脉冲调漏电路的性能得到了进一步提高。利用P沟道MOS管电路低电平导通、高电平截止性能,信号再次被反向,且增加驱动能力,最终输出信号给微波放大器漏极上,起到微波放大器脉冲漏极调制作用。

P沟道MOS管构成输出调制电路,其作用是增大输出信号的调制能力,有效实现微波放大器脉冲漏极调制功能。

在本实用新型的一种具体实施方式中,所述反向驱动电路可以包括:反向驱动芯片和输入下拉电路,所述输入下拉电路被配置成连接于所述反向驱动芯片的输入端,以输入脉冲信号;所述反向驱动芯片的输出端输出反向的所述脉冲信号至所述P沟道MOS管电路的栅极。

输入电阻R1和反向驱动器芯片组成输入反向器驱动器电路,使输入的脉冲信号反向且提高其驱动能力。

在该种实施方式中,所述输入下拉电路可以包括:信号输入端口和下拉电阻(下拉电阻为R1),所述信号输入端口通过所述下拉电阻连接于地,且所述反向驱动芯片的输入端连接于所述信号输入端口和下拉电阻之间。

在该种实施方式中,所述反向驱动电路还包括:

电源和滤波电容(如图1中为C1),所述电源的输出端连接于所述反向驱动芯片的电源输入端,所述滤波电容的一端连接于所述电源的输出端和所述向驱动芯片的电源输入端之间,且所述滤波电容的另一端接地。

在该种实施方式中,为了实现装置的通电导通,所述电源为电压12V的电源。

在该种实施方式中,所述滤波电容的电容值为1uF。

在该种实施方式中,所述P沟道MOS管电路的源极电连接于电压值为12V的电源。

如图1所示,TTL信号从IN端口输入,经过输入电阻R1、滤波电容C1和反向驱动器芯片(附图1中为T1)组成输入反向器驱动器电路是一个反向驱动电路,在理想的电路中,TTL信号经过反向驱动器芯片T1后信号被反向且反向信号幅度被拉大到12V,输入的下拉R1为10k,R1作用是在没有TTL信号输入(悬空)时候,保证了反向驱动器芯片T1输出为高电平,致使P沟道MOS管(附图1中为T2)输出为0V,起到保护作用;滤波电容C1为1uF目的是给反向驱动器芯片(附图1中为T1)供电电源滤波减少干扰降低失真;在TTL信号被反向拉大后信号经过P沟道MOS管,利用利用其低电平导通、高电平截止性能,信号再次被反向,且增加驱动能力,最终输出信号给微波放大器漏极上,起到微波放大器脉冲漏极调制作用。

以上结合附图详细描述了本实用新型的优选实施方式,但是,本实用新型并不限于上述实施方式中的具体细节,在本实用新型的技术构思范围内,可以对本实用新型的技术方案进行多种简单变型,这些简单变型均属于本实用新型的保护范围。

另外需要说明的是,在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征,在不矛盾的情况下,可以通过任何合适的方式进行组合,为了避免不必要的重复,本实用新型对各种可能的组合方式不再另行说明。

此外,本实用新型的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合,只要其不违背本实用新型的思想,其同样应当视为本实用新型所公开的内容。

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