一种新型MOS管开关控制电路的制作方法

本实用新型属于开关控制电路技术领域，具体涉及一种新型MOS管开关控制电路。

背景技术：

目前电路上涉及到很多负载控制电路直接由三极管来控制，不同的负载控制使用不同的三极管，如附图1所示，能给负载工作的有两路信号，一路是IN1+直接供电负载，另一路则是IN2+经过三极管Q1给负载工作。当5V IN信号还没来的时候，由于三极管Q1、Q2都处于截止状态，IN2+的信号是不会直接经过三极管Q1给负载工作。当5V IN信号来的时候，信号就会经过电阻R2、三极管Q2使三极管的发射极产生电流而导通，由于三极管Q2的导通，IN2+的信号直接通过三极管Q1、电阻R1形成回路使三极管Q1直接导通，这样的情况下，负载直接通电工作。当负载工作的信号是来自IN1+时，IN1+信号电会经过三极管反漏电到IN2+信号的支路上，假如我想在IN2+的支路上再设计一些复杂性的电路，就会受到反漏电压的干扰影响。由于三极管具有漏电特性，这也是难以避免，假如图1中电路直接用MOS管来代替三极管Q1的话，也是不行的，原因在于输入信号IN1+时，MOS管的G、S极会形成负电压直接导通，使信号IN1+和IN2+直接有冲突。故而适用性一定程度上受到限制。

技术实现要素：

本实用新型的目的是提供一种结构设置合理且使用稳定性好的新型MOS管开关控制电路。

实现本实用新型目的的技术方案是一种新型MOS管开关控制电路，包括第一MOS管、第二MOS管、第一三极管、第一电阻、第二电阻和第三电阻，第一MOS管的漏极与IN2+信号端子相连接，所述第一MOS管的源极与第二MOS管的源极相连接且所述第一MOS管的栅极与第二MOS管的栅极相连接，所述第二MOS管的漏极与IN1+信号端子和OUT+端子相连接，所述第一电阻连接在第一MOS管的漏极与栅极之间，所述第一MOS管的栅极连接在第一三极管的集电极上，所述第一三极管的发射极连接在地线，所述第三电阻连接在第一三极管的基极与发射极之间，所述第一三极管的基极通过第二电阻连接在5VIN端子上。

所述三极管为NPN型三极管。

所述第一MOS管和第二MOS管均为P沟道MOS管。

本实用新型具有积极的效果： 本实用新型的结构设置合理，采用双MOS管，可有防止IN1+信号反漏至IN2+的支路上，从而可以减少在IN2+支路上复杂电路的设计，从而不会收到IN1+信号突然输入的干扰影响，提高了电路的使用稳定性和可靠性，适用性强且实用性好。

附图说明

为了使本实用新型的内容更容易被清楚的理解，下面根据具体实施例并结合附图，对本实用新型作进一步详细的说明，其中：

图1为传统技术的电路结构示意图；

图2为本实用新型的电路结构示意图。

具体实施方式

（实施例1）

图2显示了本实用新型的一种具体实施方式，其中图2为本实用新型的电路结构示意图。

见图2，一种新型MOS管开关控制电路，包括第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第一三极管Q3、第一电阻R1、第二电阻R2和第三电阻R3，第一MOS管的漏极与IN2+信号端子相连接，所述第一MOS管的源极与第二MOS管的源极相连接且所述第一MOS管的栅极与第二MOS管的栅极相连接，所述第二MOS管的漏极与IN1+信号端子和OUT+端子相连接，所述第一电阻连接在第一MOS管的漏极与栅极之间，所述第一MOS管的栅极连接在第一三极管的集电极上，所述第一三极管的发射极连接在地线，所述第三电阻连接在第一三极管的基极与发射极之间，所述第一三极管的基极通过第二电阻连接在5VIN端子上。

所述三极管为NPN型三极管。

所述第一MOS管和第二MOS管均为P沟道MOS管。

其在使用时，给负载工作的有两路信号，一路是IN1+直接供电负载，另一路则是IN2+经过两个MOS管Q1、Q2给负载工作。

当5V IN信号还没来的时候，IN2+的信号直接经过MOS管Q1内置的二极管，使Q1的S极处于高电平，由于电阻R1的设计，MOS管Q1、Q2的G极和S极的电压同等，这样的情况下MOS管Q2就处于截止状态，IN2+的信号电不能直接给负载工作。

当5V IN信号来的时候，信号就会经过电阻R2、三极管Q3使三极管的发射极产生电流而导通，这样的情况下，MOS管Q1、Q2的G极同时拉地为低电平，两个MOS管Q1、Q2的G极电压比S极电压小，形成负电压而导通，负载就直接得电工作。

当负载工作的电是来自IN1+的时候，IN1+的信号会经过MOS管Q2内置的二极管，使两个MOS管Q1、Q2的S极处于高电平状态，由于电阻R1的设计，两个MOS管Q1、Q2的G极同时为高电平状态，这样的情况下，MOS管Q1的G极和S极电压同等，形成不了负电压而处于截止状态，这样的IN1+信号就不会反漏电到IN2+的支路上。

本实用新型的结构设置合理，采用双MOS管，可有防止IN1+信号反漏至IN2+的支路上，从而可以减少在IN2+支路上复杂电路的设计，从而不会收到IN1+信号突然输入的干扰影响，提高了电路的使用稳定性和可靠性，适用性强且实用性好。

显然，本实用新型的上述实施例仅仅是为清楚地说明本实用新型所作的举例，而并非是对本实用新型的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而这些属于本实用新型的实质精神所引伸出的显而易见的变化或变动仍属于本实用新型的保护范围。