一种氙灯预燃方法、电路以及IPL设备与流程

本发明涉及照明设备技术领域，具体涉及一种用于实现氙灯高效预燃的氙灯预燃方法、电路以及ipl设备。

背景技术：

脉冲氙灯具体谱线宽、亮度强、电光效率高、寿命长以及负阻性的特点，因此被广泛用于ipl脱毛仪、ipl嫩肤仪等美容医疗设备和激光内雕机、激光焊接机、激光美容机等激光泵浦设备。

在一般ipl光子美容医疗设备中，脉冲氙灯工作状态一般包含辉光放电和弧光放电两种状态，在辉光放电预燃中，脉冲氙灯没导通时处于高阻态，氙灯的内阻无穷大，氙灯裸露在绝缘体中需要供15000v以上的击穿电压才能成功有效预燃或氙灯置放在不封闭导体中需要供7000v以上的击穿电压才能成功有效预燃，击穿时间大于10ms，此时脉冲氙灯处于低阻态，氙灯的内阻小于1kω，只需要100v左右即可以维持180ma的辉光放电。

现有技术中，通常都是通过恒定的高压增加γ作用或通过脉冲的高压增加α作用，实现氙灯的预燃的，使得氙灯导通的击穿电压很高，由于高电压触发预燃会增加氙灯负极溅射的创伤而导致氙灯寿命变短，因此，如何通过降低氙灯在预燃过程中的击穿电压，以条氙灯的使用寿命成为本领域技术人员亟待解决的技术问题之一。

技术实现要素：

有鉴于此，本发明实施例提供一种氙灯预燃方法、电路以及ipl设备，以解决现有技术中氙灯使用寿命过短的问题。

为实现上述目的，本发明实施例提供如下技术方案：

一种氙灯预燃方法，应用于氙灯预燃电路中，包括：

判断是否获取到氙灯预燃信号，如果是，向氙灯两端施加预设直流电压，向氙灯所处的局域封闭性良导体腔芯上施加预设交变电压，所述预设直流电压的电压值为第一电压值，所述预设交变电压的频率为第一预设频率、最高峰值为第一预设峰值；

当获取到停止预燃信号时，将所述预设直流电压切换为用于维持所述氙灯导通第二电压值，停止向所述氙灯所处的局域封闭性良导体腔芯上施加预设交变电压。

优选的，上述氙灯预燃方法中，所述第一预设电压值为1200v，所述第一预设频率为不小于50khz的交变电压，所述第一预设峰值为不大于2000v，所述第二预设电压值的取值范围为[100v，200v]。

优选的，上述氙灯预燃方法中，所述向氙灯两端施加预设直流电压，向氙灯所处的局域封闭性良导体腔芯上施加预设交变电压，具体为：

通过多绕组变压器的第一次级绕组以及整流电路向氙灯两端施加预设直流电压，通过所述多然组变压器的第二次级绕组向氙灯所处的局域封闭性良导体腔芯上施加预设交变电压。

优选的，上述氙灯预燃方法中，当获取到停止预燃信号之前，还包括：

实时监测氙灯的导通状态，当检测到氙灯导通时，生成停止预燃信号；

或当获取到所述氙灯预燃信号时开始计时，当计时时长达到设定时长时生成所述停止预燃信号。

一种氙灯预燃电路，包括：

变频器；

与所述变频器相连的变压器电路；

输入端分别与所述变压器电路第一输出端和第二输出端一一对应相连的整流电路，所述整流电路的输出端与所述氙灯两端一一对应相连；

所述变压器电路的第三输出端和第四输出端的输出电压施加在所述氙灯所处的局域封闭性良导体腔芯上；

所述变频器被配置为：当获取到氙灯预燃信号时，通过所述变压器电路的第一输出端、第二输出端和整流电路向氙灯两端施加预设直流电压，通过所述变压器电路的第三输出端和第四输出端向氙灯所处的局域封闭性良导体腔芯上施加预设交变电压，所述预设直流电压的电压值为第一电压值，所述预设交变电压的频率为第一预设频率、最高峰值为第一预设峰值；当获取到停止预燃信号时，将所述预设直流电压切换为用于维持所述氙灯导通第二电压值，停止向所述氙灯所处的局域封闭性良导体腔芯上施加预设交变电压。

优选的，上述氙灯预燃电路中，所述整流电路包括：

输出端与所述变压器电路的第一输出端相连的第一单向电路，所述第一单向电路的输入端与所述氙灯的第一端相连；

输入端与所述变压器电路的第一输出端相连的第二单向电路，所述第二单向电路的输出端与所述氙灯的第二端相连；

输入端与所述变压器电路的第二输出端相连的第三单向电路，所述第三单向电路的输出端与所述氙灯的第二端相连；

输出端与所述变压器电路的第二输出端相连的第四单向电路，所述第四单向电路的输入端与所述氙灯的第一端相连。

优选的，上述氙灯预燃电路中，所述第一至第四单向电路均由两个顺向串联的二极管组成。

优选的，上述氙灯预燃电路中，所述变压器输出电路的第四输出端与所述氙灯的第二端相连，所述变压器输出电路的第三输出端与所述氙灯所处的局域封闭性良导体腔芯相连。

优选的，上述氙灯预燃电路中，还包括：

设置在所述变压器输出电路的第四输出端与所述氙灯的第二端之间或设置在所述变压器输出电路的第三输出端与所述局域封闭性良导体腔芯之间的控制开关；

开关控制器，用于当获取到停止预燃信号时，向所述控制开关输出用于控制所述控制开关断开的控制信号。

优选的，上述氙灯预燃电路中，还包括：

氙灯状态检测电路，用于检测氙灯的导通状态，当氙灯处于导通状态时，生成并输出停止对氙灯进行预燃的停止预燃信号。

优选的，上述氙灯预燃电路中，所述变压器电路为多绕组变压器；

所述多绕组变压器的输入绕组与所述变频器的输出端相连；

所述多绕组变频器的第一次级绕组的异名端作为所述变压器电路的第一输出端、同名端作为所述变压器电路的第二输出端；

所述多绕组变频器的第二次级绕组的异名端作为所述变压器电路的第三输出端、同名端作为所述变压器电路的第四输出端。

优选的，上述氙灯预燃电路中，所述变压器电路包括：

第一变压器和第二变压器；

所述第一变压器和第二变压器的输入端与所述变频器的输出端相连；

所述第一变压器的次级绕组的两端分别作为所述变压器电路的第一输出端和第二输出端；

所述第二变压器的次级绕组的两端分别作为所述变压器电路的第三输出端和第四输出端。

一种ipl设备，应用有上述任意一项所述的氙灯预燃电路

基于上述技术方案，本发明实施例提供的上述方案中，所述变压器电路开始工作时，所述变压器电路的第一输出端、第二输出端通过所述整流电路向所述氙灯输出预设直流电压，所述变压器电路的第三输出端和第四输出端向所述局域封闭性良导体腔芯施加预设交变电压，通过所述预设交变电压产生的高压迅变场保持并增强了氙灯气体α作用，增加了气体的正离子数量，与此同时氙灯灯极最高只有所述预设直流电压，所述预设直流电压相较于现有技术中在氙灯两端施加的电压较小，降低了氙灯阴极的γ作用，减小了正离子轰击阴极的动能，这样通过提高正离子作用于氙灯阴极的丰度，弱化正离子作用于氙灯阴极的裂度，有效地加大了氙灯内部电子、正离子数量。单个正离子轰击氙灯阴极溅射二次电子作用被弱化，氙灯使用寿命会有大幅度的提高。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例公开的一种氙灯预燃电路的结构图；

图2为本申请另一实施例公开的一种氙灯预燃电路的结构图；

图3为本申请又一实施例公开的一种氙灯预燃电路的结构图；

图4为为本申请实施例公开的一种氙灯预燃方法的流程示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本申请实施例公开的方案是基于：据汤森气体自持放电条件，即击穿判据：

δ＝γ(e^αd-1)＝1

它的物理意义是如果最初从阴极逸出一个初始电子，则该电子在加速的同时不断进行碰撞电离，到达阳极时电子数增至e^αd，在这个过程中生成的正离子数就相当于从这些电子数中减去一个电子，即(e^αd-1)，这些正离子最终通过γ作用，产生二次电子发射，如果二次电子发射γ(e^αd-1)至少为1，那么便可以产生持续自持的电流。

但是，目前绝大多数氙灯设备都是通过恒定的高压增加γ作用或通过脉冲的高压增加α作用，来实现氙灯预燃的，氙灯导通所需的击穿电压和击穿时间都很高，造成了氙灯使用寿命缩短。

针对于现有技术中，在预燃阶段存在较高的氙灯预燃过程中，严重缩短氙灯的使用寿命的问题，本申请公开了一种氙灯预燃电路，参见图1，该电路包括：

变频器100；

与所述变频器100相连的变压器电路200；

输入端分别与所述变压器电路200的第一输出端和第二输出端一一对应相连的整流电路300，所述整流电路300的两个输出端与所述氙灯两端一一对应相连；

所述变压器电路200的第三输出端和第四输出端与所述氙灯所处的局域封闭性良导体腔芯a(氙灯包含在所述腔芯a内部，局域封闭性良导体腔芯图中未画出，仅以竖线代替)相连；

所述变频器100被配置为：当获取到氙灯预燃信号时，通过所述变压器电路200的第一输出端、第二输出端和整流电路300向氙灯两端施加预设直流电压，通过所述变压器电路200的第三输出端和第四输出端向氙灯所处的局域封闭性良导体腔芯a上施加预设交变电压，所述预设直流电压的电压值为第一电压值，所述预设交变电压的频率为第一预设频率、最高峰值为第一预设峰值；当获取到停止预燃信号时，将所述预设直流电压切换为用于维持所述氙灯导通第二电压值，停止向所述氙灯所处的局域封闭性良导体腔芯上施加预设交变电压。

所述氙灯正常工作时，氙灯预燃电路中，所述变压器电路200的第一输出端和第二输出端为氙灯预燃电路的维持电压输出端，当氙灯未预燃时，所述第一输出端和第二输出端通过整流电路整流后向所述氙灯输出一预设恒定的高压直流电，该预设直流电的电压值依据所述变频器100的输出以及所述变压器电路200中的输入输出电压的比值而定，例如，在本申请上述实施例公开的技术方案中，通过设定所述变频器100的输出以及变压器电路200输出和输出的比值，可使得整流电路输出1200的直流高压。当氙灯预燃后，所述变压器电路200的第一输出端和第二输出端所输出的电压只有能够维持氙灯辉光放电所需的100v～200v的管压降，即，当预燃结束后，可以通过调节变频器100输出和/或变压器电路200，使得所述整流电路300的输出电压为用于维持所述氙灯辉光放电所需的电压，其电压值大小可以依据用户需求自行选择，例如可以为[100v，200v]范围内的任意一电压值；

所述变压器电路200的第三输出端和第四输出端为氙灯的预燃触发电压输出端，此端接到所述氙灯的局域封闭性良导体腔芯a上，目的是输出高压、高频的交流信号。在氙灯未预燃时，所述变压器电路200的第三输出端和第四输出端的输出电压的最高峰值为应小于一设定峰值阈值的第一预设峰值，其频率可以为小于一设定频率阈值的第一预设频率，例如，在氙灯未预燃时，所述第三输出端和第四输出端输出的电压值交流信号的最大峰值可以设定为不大于1500v的第一预设峰值，其频率可以为不小于50khz的第一预设频率；当氙灯预燃结束后，则无需向所述局域封闭性良导体腔芯a施加所述交变电流，因此，此时停止向所述局域封闭性良导体腔芯a施加所述交变电流；

下面，基于工作原理对本申请上述电路的工作过程进行统一说明，当所述变频器100收到预燃信号时，所述变压器电路200开始工作，所述变压器电路200的第一输出端、第二输出端通过所述整流电路300向所述氙灯输出预设直流电压，所述变压器电路200的第三输出端和第四输出端向所述局域封闭性良导体腔芯a施加预设交变电压，通过所述预设交变电压产生的高压迅变场保持并增强了氙灯气体α作用，增加了气体的正离子数量，与此同时氙灯灯极最高只有所述预设直流电压，所述预设直流电压相较于现有技术中在氙灯两端施加的电压较小，降低了氙灯阴极的γ作用，减小了正离子轰击阴极的动能，这样通过提高正离子作用于氙灯阴极的丰度，弱化正离子作用于氙灯阴极的裂度，有效地加大了氙灯内部电子、正离子数量，使氙灯内部雪崩式反应加快，能在极短的时间内(微秒数量级)将氙灯点燃导通。在这个过程中，因为单个正离子轰击氙灯阴极溅射二次电子作用被弱化，氙灯使用寿命会有大幅度的提高。

在本申请上述实施例公开的技术方案中，所述整流电路的具体结构可以依据用户需求自行设定，例如其可以为零式电路、桥式电路或其他类型的能够实现交-直流转换的整流电路。

参见图2，在本申请实施例公开的技术方案中，所述整流电路300可以由四个单向电路组成的全桥式整流电路，所述变压器电路200的第一输出端和第二输出端输出的交流信号经所述全桥整流电路进行全桥整流后，输出直流电压到氙灯的阳极，其中：

所述第一单向电路301输出端与所述变压器电路200的第一输出端相连，所述第一单向电路301的输入端与所述氙灯的第一端相连；

所述第三单向电路303输入端与所述变压器电路200的第二输出端相连，所述第三单向电路303的输出端与所述氙灯的第二端相连；

所述第二单向电路302输入端与所述变压器电路200的第一输出端相连，所述第二单向电路302的输出端与所述氙灯的第二端相连；

所述第四单向电路304输出端与所述变压器电路200的第二输出端相连，所述第四单向电路304的输入端与所述氙灯的第一端相连。

所述第一单向电路301和第三单向电路303组成第一整流支路，所述第二单向电路302和第四单向电路304组成第二条整流支路，当所述变压器电路200的第三输出端输出电压信号为正值、第一输出端输出的电信号为负值时，电流由所述变压器电路的第三输出端输出，输出的电流依次流经所述第三单向电路303、氙灯第二端、氙灯第一端、第一单向电路301流回至所述变压器电路200的第一输出端；当所述变压器电路200的第一输出端输出电压信号为正值、所述变压器输出电路的第二输出端输出的电信号为负值时，电流由所述变压器电路的第一输出端流出，并依次流经所述第二单向电路301、氙灯第二端、氙灯第一端、第四单向电路304流回至所述变压器电路200第二输出端。通过电流在所述第一整流支路和第二整流支路之间交替切换，实现了通过所述整流电路300向所述氙灯施加预设大小的直流电压。

上述单向电路中，每个单向电路的具体结构可以依据用户需求自行设定，只要能够实现对应单向电路的单向功能即可，例如，在本申请上述实施例公开的技术方案中，所述第一至第四单向电路均可以由一个二极管或两个顺向串联的二极管组成。

在本申请上述实施例公开的技术方案中，为了向所述局域封闭性良导体腔芯a施加预设交变电压，所述变压器输出电路200的第四输出端可以与所述氙灯的第二端相连，所述变压器输出电路200的第三输出端与所述氙灯所处的局域封闭性良导体腔芯a相连，从而实现了向所述局域封闭性良导体腔芯a施加预设交变电压。

在本申请另一实施例公开的技术方案中，当所述氙灯预燃结束后，就不需要向局域封闭性良导体腔芯a施加电压，因此，为了防止电能浪费以及局域封闭性良导体腔芯a上施加的预设交变电压对氙灯的正常工作造成影响，本申请实施例公开的技术方案中，还可以在所述变压器输出电路200的第四输出端与所述氙灯的第二端之间或所述变压器输出电路200的第三输出端与所述局域封闭性良导体腔芯a之间设置的控制开关s1；

为了能够及时控制所述控制开关s1的通断以及控制变频器100输出电压和频率的调整，本申请上述实施例公开的技术方案中，还可以包括一开关控制器，所述用于依据用户操作设置所述变频器的输出信号，在本申请实施例公开的技术方案中，所述变频器的输出信号可以包括第一输出信号和第二输出信号，所述第一输出信号用于在预燃过程中击穿所述氙灯，所述第二输出信号用于维持所述氙灯处于辉光放电阶段，所述第一输出信号和第二输出信号的频率和电压峰值均可以依据用户需求自行设定，当获取到氙灯预燃信号时，向所述变频器100输出和所述控制开关s1触发信号，控制所述变频器100输出用户调节后的第一输出信号，控制所述控制开关s1闭合；当获取到所述停止预燃信号时，控制所述变频器输出第二输出信号，控制所述控制开关s1断开。

在本申请实施例公开的技术方案中，为了能够使得所述开关控制器能够精准的把控所述变频器100输出信号之间的切换、控制开关s1导通状态之间的切换的时机，本申请上述实施例公开的技术方案中还可以包括氙灯状态检测电路，该检测电路用于检测氙灯的导通状态，当氙灯处于导通状态时，生成并输出停止对氙灯进行预燃的停止预燃信号，所述变频器和/或开关控制器检测到该信号时执行相应的操作，该检测电路可以通过检测氙灯两端的电压或氙灯的输出光强等信号来检测氙灯的导通状态。

当然，为了对电路进行简化，所述停止预燃信号也可以由一计时器自动输出，即，当检测到所述氙灯预燃信号时所述计时器开始计时，当计时时长达到设定时长时，自动生成所述停止预燃信号。

在本申请上述实施例公开的技术方案中，所述变频器电路200的具体结构可以依据用户需求自行设定，其可以由一个多绕组变压器组成，当其为一个多绕组变压器时，参见图3，该多绕组变压器包括一个主绕组和两个次级绕组，所述多绕组变压器的输入绕组与所述变频器100的输出端相连；所述多绕组变频器的第一次级绕组的异名端作为所述变压器电路的第一输出端、同名端作为所述变压器电路的第二输出端；所述多绕组变频器的第二次级绕组的异名端作为所述变压器电路的第三输出端、同名端作为所述变压器电路的第四输出端。在设计时，可以通过提高所述变频器输出信号频率的方式来减小所述第二次级绕组的匝数以达到降低所述第三输出端和第四输出端输出的信号的最高峰值，例如，当其频率设置为高于1mhz时，所述第三输出端和第四输出端输出的信号的最高峰值可以设置为小于1500v，氙灯与然后，由于变频器的输出变化，所述第三输出端和第四输出端的输出电压迅速降低，当控制开关断开时，所述第三输出端和第四输出端停止输出；

当然，所述变压器电路100由两个相互独立的变压器组成，即所述变压器电路100可以包括：

第一变压器和第二变压器；

其中，所述第一变压器和第二变压器的输入端与所述变频器100的输出端相连；

所述第一变压器的次级绕组的两端分别作为所述变压器电路的第一输出端和第二输出端；

所述第二变压器的次级绕组的两端分别作为所述变压器电路的第三输出端和第四输出端。

参见图3，在本申请另一实施例公开的技术方案中，所述变压器电路的第四输出端、第二单向电路的输出端、第三单向电路的输出端，通过高压隔离硅堆d0连接到所述氙灯的第二端，其中，所述高压隔离硅堆d0的输出端与所述氙灯的第二端相连。所述变压器电路200的第三输出端与所述腔芯a之间还设置有一隔离电容c，优选的，所述隔离电容c的一端与所述变压器电路200的第三输出端输出端相连、另一端所述控制开关s1相连，所述控制开关s1的另一端与所述腔芯a相连。

参见图3，为了对电路进行保护，所述变压器电路200用于与变频器100相连的两个输入端之间设置有电容c1。

在本申请另一实施例公开的一优选方案中，所述变频器100被配置为：当获取到氙灯预燃信号时，通过所述变压器电路200的第一输出端、第二输出端和整流电路300向氙灯两端施加1200v预设直流电压，通过所述变压器电路200的第三输出端和第四输出端向氙灯所处的局域封闭性良导体腔芯上施加最高峰值为2000v、频率为50khz的预设交变电压；当获取到停止预燃信号时，将所述预设直流电压切换为用于维持所述氙灯导通的100v～200v的第二电压值，控制所述控制开关s1断开以停止向所述氙灯所处的局域封闭性良导体腔芯上施加预设交变电压，通过迅速关断所述控制开关s1切断所述变压器电路第三输出端和第四输出端残留的高频电压600-700v。

申请人通过验证得到，由上述实施例公开的技术方案，所达到的效果为：

启辉阶段的击穿电压，相较于现有技术而言，在同等条件下预燃电压低达620v，降低了10倍以上；

启辉阶段的击穿时间，相较于现有技术而言，同等条件下预燃时间低达57us，效率提高了200倍以上；

启辉阶段的脉冲尖峰干扰，相较于现有技术而言，同等条件下脉冲尖峰峰值变得相当小，无明显尖峰；

启辉阶段的高频电压幅值低于2000v，频率大于50khz，同等条件下所需的峰值电压降低了4倍以上，避免了高压静电干扰；

辉光阶段的电离辐射，同等条件下不再出现电离辐射；

脉冲氙灯寿命，同等条件下，脉冲氙灯阴极γ作用小，脉冲氙灯寿命能大幅度提高。

与上述电路相对应，本申请还公开了应用所述氙灯预燃电路的设备，例如该设备可以为ipl(intensepulsedlight，被称为强脉冲光)设备，例如，ipl脱毛仪、ipl嫩肤仪等，所述ipl设备应用有本申请上述任意一项实施例所述的氙灯预燃电路。

对应于上述电路，本申请还公开了一种氙灯预燃方法，方法实施例的描述可参见电路结构中的实施例描述，该方法可以应用于本申请上述实施例提供的任意一项氙灯预燃电路中，参见图4，方法可以包括：

步骤s101：判断是否获取到氙灯预燃信号，如果是，执行步骤s102和s103；

步骤s102：向氙灯两端施加预设直流电压；

其中，所述预设直流电压的电压值为第一电压值；

步骤s103：向氙灯所处的局域封闭性良导体腔芯上施加预设交变电压；

所述预设交变电压的频率为第一预设频率、最高峰值为第一预设峰值；

步骤s104：当获取到停止预燃信号时，执行步骤s105和s106；

步骤s105：将所述预设直流电压切换为用于维持所述氙灯导通第二电压值；

其中，所述第一电压值和第二预设电压值的大小依据用户需求可调，所述预设交变电压的频率和最高峰值同样也可依据用户需求可调；

步骤s106：停止向所述氙灯所处的局域封闭性良导体腔芯上施加预设交变电压。

上述方法中，当检测到所述预燃信号时，向所述氙灯两端施加预设直流电压，向所述局域封闭性良导体腔芯a施加预设交变电压，通过所述预设交变电压产生的高压迅变场保持并增强了氙灯气体α作用，增加了气体的正离子数量，与此同时氙灯灯极最高只有所述预设直流电压，所述预设直流电压相较于现有技术中在氙灯两端施加的电压较小，降低了氙灯阴极的γ作用，减小了正离子轰击阴极的动能，这样通过提高正离子作用于氙灯阴极的丰度，弱化正离子作用于氙灯阴极的裂度，有效地加大了氙灯内部电子、正离子数量，使氙灯内部雪崩式反应加快，能在极短的时间内(微秒数量级)将氙灯点燃导通。在这个过程中，因为单个正离子轰击氙灯阴极溅射二次电子作用被弱化，氙灯使用寿命会有大幅度的提高。

与上述装置相对应，所述方法中，所述第一预设电压值为1200v，所述第一预设频率为不小于50khz的交变电压，所述第一预设峰值为不大于2000v，所述第二预设电压值的取值范围为[100v，200v]。

上述方法中，所述向氙灯两端施加预设直流电压，向氙灯所处的局域封闭性良导体腔芯上施加预设交变电压，具体可以为：

通过多绕组变压器的第一次级绕组以及整流电路向氙灯两端施加预设直流电压，通过所述多然组变压器的第二次级绕组向氙灯所处的局域封闭性良导体腔芯上施加预设交变电压。

与上述方法相对应，当获取到停止预燃信号之前，还包括：

通过氙灯两端的电压、氙灯输出的光强等实时监测氙灯的导通状态，当检测到氙灯导通时，生成停止预燃信号；

或当获取到所述氙灯预燃信号时开始计时，当计时时长达到设定时长时生成所述停止预燃信号。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。