一种陶瓷基垂直微细探针卡高频连接口MVW结构的制作方法

本发明涉及一种电路板连接技术领域，尤其涉及一种陶瓷基垂直微细探针卡高频连接口mvw结构。

背景技术：

现有技术的垂直探针卡连接方式采用飞线连接的方式(normalconcept)需要陶瓷多层电路板的应用，需要专用焊接设备进行焊接，由于间距非常小，连接点锡球在融化时会很容易与相邻的点产生短路现象导致整个产品不良，本身陶瓷多层电路板在使用过程中发生磨损就不能维修成本非常高。

本发明的垂直探针卡高频连接口mvw结构采用陶瓷基电路板、pps1电源层、微钻孔、微细金属导线、环氧树酯、电源触点、接地触点、高频信号触点的组合结构，实现电源、接地、高频信号分离，免除焊接工艺，使得整个连接座体积小，制作周期短，成本低，电源、接地、高频信号高度稳定，频率超过800mhz；可实现大电流高频率的测试要求并提高可靠性。并用机械连接的方式可以重复使用，在磨损后还能进行修复，将触点处进行打磨重新镀金，修复快捷，简单方便。克服了现有技术的不足。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种陶瓷基垂直微细探针卡高频连接口mvw结构，合理地解决了现有技术的垂直探针卡连接结构不能修复，组装复杂，连接点锡球易与相邻的点产生短路，pad间距大，测试频率低的问题。

本发明采用如下技术方案：

一种陶瓷基垂直微细探针卡高频连接口mvw结构，包括补强板、pcb主板、陶瓷基电路板、上陶瓷基板层、下陶瓷基板层、接地层、pps1电源层、微钻孔、微细金属导线、环氧树酯、电源触点、接地触点、高频信号触点、触点镀层、铜镀层、镍镀层、金镀层、垂直探针卡头、探针，其特征在于：

所述pcb主板的上板面设有补强板，下板面设有陶瓷基电路板，所述补强板和陶瓷基电路板设有微小边框与所述pcb主板连接，所述陶瓷基电路板自上而下依次设有pps1电源层、上陶瓷基板层、接地层、下陶瓷基板层，所述上陶瓷基板层的上板面紧贴设有pps1电源层，所述上、下陶瓷基板层之间，设有接地层；

所述pcb主板设有穿透所述pcb主板、穿透所述pcb主板和上陶瓷基板层、穿透所述pcb主板和陶瓷基电路板的三种微钻孔，所述下陶瓷基板层设有仅穿透下陶瓷基板层的微钻孔和穿透所述上、下陶瓷基板的微钻孔，所述微钻孔内设有微细金属导线和环氧树酯；穿透所述pcb主板的微钻孔内设有的微细金属导线连接所述pps1电源层和所述pcb主板，穿透所述pcb主板和上陶瓷基板层的微钻孔内设有的微细金属导线连接所述接地层和所述pcb主板，穿透所述pcb主板和陶瓷基电路板的微钻孔内设有的微细金属导线上端连接所述pcb主板，下端设有高频信号触点，穿透所述上、下陶瓷基板的微钻孔内设有的微细金属导线上端连接所述pps1电源层，下端设有电源触点，仅穿透下陶瓷基板层的微钻孔内设有的微细金属导线上端连接所述接地层，下端设有接地触点；

所述电源触点、接地触点、高频信号触点上设有触点镀层，所述触点镀层依次由铜镀层、镍镀层、金镀层组成，所述金镀层设置在最外层，衔接所述金镀层设有垂直探针卡头，所述垂直探针卡头设有探针，所述探针与所述金镀层接触连接，构成所述一种陶瓷基垂直微细探针卡高频连接口mvw结构。

进一步地，所述陶瓷基垂直微细探针卡连接口mvw结构应用于大电流高频率的测试。

进一步地，所述垂直探针卡头与所述pcb主板为直接机械连接。

进一步地，所述微钻孔的直径为50-100微米。

进一步地，所述陶瓷基垂直微细探针卡高频连接口mvw结构测试频率大于800mhz。

本发明的有益技术效果是:

本发明公开了一种陶瓷基垂直微细探针卡高频连接口mvw结构，合理地解决了现有技术的垂直探针卡连接结构不能修复，组装复杂，连接点锡球易与相邻的点产生短路，pad间距大，测试频率低的问题。

本发明的垂直探针卡高频连接口mvw结构采用陶瓷基电路板、pps1电源层、微钻孔、微细金属导线、环氧树酯、电源触点、接地触点、高频信号触点的组合结构，实现电源、接地、高频信号分离，免除焊接工艺，使得整个连接座体积小，制作周期短，成本低，电源、接地、高频信号高度稳定，频率超过800mhz；可实现大电流高频率的测试要求并提高可靠性。并用机械连接的方式可以重复使用，在磨损后还能进行修复，将触点处进行打磨重新镀金，修复快捷，简单方便。克服了现有技术的不足。

附图说明

图1是本发明剖面结构示意图。

图2是本发明垂直探针卡头剖面结构示意图。

图3是本发明触点镀层剖面结构示意图。

图中所示：1-补强板、2-pcb主板、3-陶瓷基电路板、4-上陶瓷基板层、5-下陶瓷基板层、6-接地层、7-pps1电源层、8-微钻孔、9-微细金属导线、10-环氧树酯、11-电源触点、12-接地触点、13-高频信号触点、14-触点镀层、15-铜镀层、16-镍镀层、17-金镀层、18-垂直探针卡头、19-探针。

具体实施方式

通过下面对实施例的描述，将更加有助于公众理解本发明，但不能也不应当将申请人所给出的具体的实施例视为对本发明技术方案的限制，任何对部件或技术特征的定义进行改变和/或对整体结构作形式的而非实质的变换都应视为本发明的技术方案所限定的保护范围。

实施例:

如图1-图3所示的一种陶瓷基垂直微细探针卡高频连接口mvw结构，包括补强板1、pcb主板2、陶瓷基电路板3、上陶瓷基板层4、下陶瓷基板层5、接地层6、pps1电源层7、微钻孔8、微细金属导线9、环氧树酯10、电源触点11、接地触点12、高频信号触点13、触点镀层14、铜镀层15、镍镀层16、金镀层17、垂直探针卡头18、探针19。

首先设置补强板1、pcb主板2、陶瓷基电路板3，在所述陶瓷基电路板3上设置上陶瓷基板层4、下陶瓷基板层5、接地层6、pps1电源层7，再将所述补强板1和陶瓷基电路板3分别设置在所述pcb主板2的上、下板面。

然后设置微钻孔8，在所述pcb主板2上设置穿透pcb主板2连接pps1电源层7的微钻孔8，穿透所述pcb主板2、pps1电源层7和上陶瓷基板层4连接所述接地层6的微钻孔8，穿透所述pcb主板2和所述陶瓷基电路板3(包括所述上陶瓷基板层4、下陶瓷基板层5、接地层6、pps1电源层7)的微钻孔8；在所述下陶瓷基板层5上设置穿透下陶瓷基板层5与所述接地层6连接的微钻孔8，设置穿透下陶瓷基板层5、接地层6、上陶瓷基板层4与所述pps1电源层7连接的微钻孔8。在所述微钻孔8内设置微细金属导线9和环氧树酯10。所述穿透pcb主板2连接pps1电源层7的微钻孔8内设置的所述微细金属导线9连接所述pcb主板2和pps1电源层7。所述穿透所述pcb主板2、pps1电源层7和上陶瓷基板层4连接所述接地层6的微钻孔8内设置的所述微细金属导线9连接所述pcb主板2和接地层6。所述穿透所述pcb主板2和所述陶瓷基电路板3的微钻孔8内设置的所述微细金属导线9上端连接所述pcb主板2，下端设置为高频信号触点13。在所述下陶瓷基板层5上设置穿透下陶瓷基板层5与所述接地层6连接的微钻孔8内设置的所述微细金属导线9上端连接所述接地层6，下端设置为接地触点12。所述设置穿透下陶瓷基板层5、接地层6、上陶瓷基板层4与所述pps1电源层7连接的微钻孔8内设置的所述微细金属导线9上端连接所述pps1电源层7，下端设置为电源触点11。

最后设置触点镀层14和垂直探针卡头18。在所述垂直探针卡头18上设置探针19。在所述电源触点11、接地触点12、高频信号触点13上设置触点镀层14，所述触点镀层14依次由铜镀层15、镍镀层16、金镀层17设置在所述微细金属导线9的末端，将所述垂直探针卡头18设有的探针19与所述金镀层17机械连接。完成所述一种陶瓷基垂直微细探针卡高频连接口mvw结构的实施。

当然，本发明还可以有其他多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员可以根据本发明做出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。