数显A型智能操控装置的制作方法

文档序号:14622575发布日期:2018-06-06 01:28阅读:283来源:国知局

本实用新型涉及一种数显A型智能操控装置。



背景技术:

在10KV系统中,常规的高压传感器容量是110pf,短路输出电流>200uA,使用常规的电阻限流方案的电路可以点亮高压指示灯。

而在数显A型智能操控装置中,高压传感器容量较小,通常使用的小容量高压传感器低于18pf,对于这种小容量的高压传感器,短路输出电流一定<200uA,从而导致常规的电阻限流方案电路无法点亮高压指示灯,从而导致提示功能无法正常实现。



技术实现要素:

本实用新型的目的在于克服上述不足,提供一种在使用小容量高压传感器的情况下仍然能够点亮指示灯的数显A型智能操控装置。

本实用新型的目的是这样实现的:

一种数显A型智能操控装置,所述装置包含有一高压带电显示电路,所述高压带电显示电路包含有桥式整流电路,所述桥式整流电路的输入端连接至三相高压信号的一相信号上,该桥式整流电路的两个输出端上并联有充电电容和电阻,且桥式整流电路的正极输出端经双向触发二极管后连接至发光二极管的正极,该发光二极管的负极连接至光电耦合器的1脚,上述桥式整流电路的负极输出端连接至该光电耦合器的2脚。

本实用新型一种数显A型智能操控装置,所述光电耦合器的型号为EL357。

本实用新型一种数显A型智能操控装置,所述光电耦合器的4脚经电阻连接至上拉电平+5V,所述光电耦合器的3脚经电阻接地、且该光电耦合器的3脚经电容接地、该光电耦合器的3脚连接至三极管的基极,该三极管的集电极经电阻连接至上拉电平+5V,该三极管的发射极接地。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:

本实用新型采用电容充电放电设计,相比于常规的电阻降压方式,即便小容量传感器,本装置也能够顺利点亮发光二极管,因此可适用于不同规格的高压传感器,增加了产品的适用范围,提高了其市场竞争力。

附图说明

图1为本实用新型一种数显A型智能操控装置的电路图。

具体实施方式

参见图1,本实用新型涉及的一种数显A型智能操控装置,所述装置包含有一高压带电显示电路,所述高压带电显示电路包含有桥式整流电路,所述桥式整流电路的输入端连接至三相高压信号的一相信号上,该桥式整流电路的两个输出端上并联有充电电容C3和C4、以及电阻R4,充电电容C3和C4设置两个电容并联的目的在于可以使存储的更多电量,使LED灯更亮;设置电阻R4的作用是当高压停电时,此时已经没有信号输入,通过电阻R4为C3和C4提供放电回路,把上面存储的电慢慢释放掉;所述桥式整流电路的正极输出端经双向触发二极管DB3后连接至发光二极管的正极,该发光二极管的负极连接至光电耦合器的1脚(发光端),上述桥式整流电路的负极输出端连接至该光电耦合器的2脚(发光端);

进一步的,所述光电耦合器的型号为EL357;

本实用新型的工作原理为:高压A相信号从IDA输入桥式整流电路的输入端,由于数显A型智能操控装置中采用小容量高压传感器,所以此输入信号电流很小,无法直接点亮LED灯,经过桥式整流电路,给充电电容C3、C4充电,此时A点电压小于DB3触发导通电压,发光二极管LED无法点亮;当充电电容C3、C4充电后的电压大于DB3导通电压,C3、C4上面存储的电能就点亮了LED灯;继而进入下一个充放电循环;

进一步的,所述光电耦合器的4脚(感光端)经电阻R3连接至上拉电平+5V,所述光电耦合器的3脚(感光端)经电阻R12接地、且该光电耦合器的3脚(感光端)经电容C10接地、该光电耦合器的3脚(感光端)连接至三极管Q2的基极,该三极管Q2的集电极经电阻R11连接至上拉电平+5V,该三极管Q2的发射极接地;

使用时,高压传感器电压达到15%时,本电路发光二极管LED灯就能闪烁;高压传感器电压达到40%时,本电路发光二极管LED灯就能达到常亮;下面分析高压传感器信号为40%电压时电路如何工作。

当电容C3和C4放电时,导通DB3、导通LED灯、并使光电耦合器EL357也闭合导通;此时上拉电阻R3就给C10充电,并使三极管Q2导通,同时把三极管Q1基极电压拉低,使Q1断开,这样闭锁继电器就断开。这样就达到有高压信号输入,高压指示灯点亮并且高压柜门就打不开,实现了闭锁功能;

当电容C3和C4充电时,光电耦合器EL357就不导通,此时也要保证闭锁继电器没有发生跳变,维持刚才C3和C4放电时闭锁继电器的状态。这里电容C10选择了47uf/25V的,刚才存储的电,足以导通Q2,使闭锁回路保持刚才状态,C10旁边还并联了R12,主要作用就是高压信号不输入时,使C10上面存储的电慢慢释放掉;如果R12选择过小,就会使C10放电过快,导致闭锁不工作。

另外:需要注意的是,上述具体实施方式仅为本专利的一个优化方案,本领域的技术人员根据上述构思所做的任何改动或改进,均在本专利的保护范围之内。

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