直流卤素灯智能软启动电路的制作方法

文档序号:15109759发布日期:2018-08-07 11:21阅读:来源:国知局
技术特征:

1.一种直流卤素灯智能软启动电路,其特征在于,包括MCU处理器,控制开关、卤素灯、采样单元、软启动控制单元;所述控制开关与MCU处理器相连接;所述MCU控制器的PWM输出引脚与软启动控制单元相连接;所述软启动控制单元与MCU控制器的ADC采样引脚之间连接有采样单元;所述软启动控制单元的输出端连接卤素灯;

所述软启动控制单元包括双MOS电路和接地电阻;所述双MOS电路的输入端与MCU控制器的PWM输出引脚相连接,所述双MOS电路的控制端连接第一电压源,所述双MOS电路的输出端与卤素灯相连接,双MOS电路中与MCU控制器的PWM输出引脚连接的MOS管的漏极连接接地电阻的一端,所述接地电阻的另一端接地。

2.根据权利要求1所述的直流卤素灯智能软启动电路,其特征在于,所述双MOS电路包括PMOS场效应管、NMOS场效应管、第一二极管、第二二极管和接地电阻;所述PMOS场效应管的栅极连接MCU控制器的PWM输出引脚,漏极串联接地电阻接地,源极连接第一电压源;所述PMOS场效应管的源极连接第一二极管的阴极;所述第一二极管的阳极连接PMOS场效应管的漏极;所述NMOS场效应管的栅极与PMOS场效应管的漏极相连;所述NMOS场效应管源极连接第二二极管的阳极,并连接采样电阻;所述第二二极管的阴极与NMOS场效应管的漏极连接,并连接卤素灯。

3.根据权利要求1所述的直流卤素灯智能软启动电路,其特征在于,所述双MOS电路采用型号为SI4599DY的双MOS集成芯片。

4.根据权利要求1所述的直流卤素灯智能软启动电路,其特征在于,MCU处理器的电源输入管脚和接地管脚之间通过滤波单元相连接;滤波单元包括第一滤波电容和第二滤波电容;所述第一滤波电容与第二滤波电容并联。

5.根据权利要求1所述的直流卤素灯智能软启动电路,其特征在于,MCU处理器采用型号为STC15W408AS的单片机芯片。

6.根据权利要求1所述的直流卤素灯智能软启动电路,其特征在于,所述卤素灯为直流供电。

7.根据权利要求6所述的直流卤素灯智能软启动电路,其特征在于,所述卤素灯的直流电压为12V。

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