高阻带抑制带通滤波器的制作方法

文档序号:14966365发布日期:2018-07-18 02:37阅读:798来源:国知局

本实用新型属于微波技术领域,特别涉及一种高阻带抑制带通滤波器。



背景技术:

随着通信技术及军事电子应用的迫切需求,微波器件、微波系统正朝着小型化,高性能,多功能,低成本和高可靠方向迅速发展,推动了微波毫米波多芯组件技术尤其是微波毫米波LTCC技术的迅速发展,特别是在移动手持式无线通信终端和单兵卫星移动通信终端领域中。LTCC制作的集总参数滤波器也得到了迅速的发展,从低通到带通,可实现的品种越来越丰富;而滤波器的小型化是行业内的大趋势。普通的集总参数LTCC滤波器阻带抑制效果差,一般只有40dB左右;这是受到寄生的影响,尤其是寄生对地电感的影响,导致其不能良好接地,因而其阻带抑制效果较差。传统的方法是采取增加阶数提高对阻带抑制效果,但是传统方法增加了设计复杂度,提高制造成本,并且降低可靠性外、阻带改善不明显。



技术实现要素:

本实用新型的目的在于提供一种高阻带抑制带通滤波器,其设计结构简单,增设传输零点电路,提高了阻带抑制效果。

为了实现上述目的,本实用新型采取以下技术方案:一种高阻带抑制带通滤波器,包括输入、输出端口,包括谐振电路、耦合电路、传输零点电路,所述的耦合电路包括输入、输出端口之间依次串联的第六、第七、第八、第九、第十、第十一电容;所述的谐振电路包括依次并联设置的第一并联谐振单元、第二并联谐振单元、第三并联谐振单元、第四并联谐振单元、第五并联谐振单元,第一并联谐振单元连接于第六、第七电容之间,第二并联谐振单元连接于第七、第八电容之间,第三并联谐振单元连接于第八、第九电容之间,第四并联谐振单元连接于第九、第十电容之间,第五并联谐振单元连接于第十、第十一电容之间;所述的传输零点电路包括第六、第七、第八、第九电感,第六电感的输入端与输入端口连接,第六电感的输出端同时接入第七电感的输入端和第六、第七电容之间,第七电感的输出端接入第七、第八电容之间,第八电感的输入端接入第九、第十电容之间,第八电感的输出端同时接入第九电感的输入端和第十、第十一电容之间,第九电感的输出端与输出端口连接。

上述技术方案中,首先根据滤波器设计性能要求确定低通滤波器的阶数,再根据低通滤波器原型进行归一化处理得到电容电感值,根据滤波器频率、带宽和阻抗要求对归一化的电容电感值进行相应的变换,最终得低通滤波器的各个电容电感值,然后在低通滤波器的两端加入传输零点电路,提高阻带抑制效果,然后将低通滤波器进行低通到带通转换,最终得到高阻带抑制带通滤波器的电容电感值,通过增加传输零点电路引入适当的传输零点,在阻带内产生一个或多个的陷波点;通过陷波结构和原有抑制结构产生的抑制相叠加,实现了产品的高阻带抑制,可以达到60dB,技术性能指标水平提高,保证通讯信号的稳定。

附图说明

图1为本实用新型电路原理图;

图2为本实用新型立体分层示意图。

具体实施方式

结合附图1、2对本实用新型做出进一步说明:

一种高阻带抑制带通滤波器,包括输入、输出端口P1、P2,包括谐振电路、耦合电路、传输零点电路,所述的耦合电路包括输入、输出端口P1、P2之间依次串联的第六、第七、第八、第九、第十、第十一电容C6、C7、C8、C8、C9、C10、C11;所述的谐振电路包括依次并联设置的第一并联谐振单元L1、C1、第二并联谐振单元L2、C2、第三并联谐振单元L3、C3、第四并联谐振单元L4、C4、第五并联谐振单元L5、C5,第一并联谐振单元L1、C1连接于第六、第七电容C6、C7之间,第二并联谐振单元L2、C2连接于第七、第八电容C7、C8之间,第三并联谐振单元L3、C3连接于第八、第九电容C8、C9之间,第四并联谐振单元L4、C4连接于第九、第十电容C9、C10之间,第五并联谐振单元L5、C5连接于第十、第十一电容C10、C11之间;所述的传输零点电路包括第六、第七、第八、第九电感L6、L7、L8、L9,第六电感L6的输入端与输入端口P1连接,第六电感L6的输出端同时接入第七电感L7的输入端和第六、第七电容C6、C7之间,第七电感L7的输出端接入第七、第八电容C7、C8之间,第八电感L8的输入端接入第九、第十电容C9、C10之间,第八电感L8的输出端同时接入第九电感L9的输入端和第十、第十一电容C10、C11之间,第九电感L9的输出端与输出端口P2连接。

首先根据滤波器设计性能要求确定低通滤波器的阶数,再根据低通滤波器原型进行归一化处理得到电容电感值,根据滤波器频率、带宽和阻抗要求对归一化的电容电感值进行相应的变换,最终得低通滤波器的各个电容电感值,然后在低通滤波器的两端加入传输零点电路,提高阻带抑制效果,然后将低通滤波器进行低通到带通转换,最终得到高阻带抑制带通滤波器的电容电感值,通过增加传输零点电路引入适当的传输零点,在阻带内产生一个或多个的陷波点;通过陷波结构和原有抑制结构产生的抑制相叠加,实现了产品的高阻带抑制,可以达到60dB,技术性能指标水平提高,保证通讯信号的稳定。

所述的第一并联谐振单元L1、C1、第二并联谐振单元L2、C2、第三并联谐振单元L3、C3、第四并联谐振单元L4、C4、第五并联谐振单元L5、C5采用三层折叠耦合带状线实现,所述的第六、第七、第八、第九、第十、第十一电容C6、C7、C8、C8、C9、C10、C11根据第一并联谐振单元L1、C1、第二并联谐振单元L2、C2、第三并联谐振单元L3、C3、第四并联谐振单元L4、C4、第五并联谐振单元L5、C5之间的空间耦合和分布电容实现,所述的第六、第七、第八、第九电感L6、L7、L8、L9根据第一并联谐振单元L1、C1、第二并联谐振单元L2、C2、第三并联谐振单元L3、C3、第四并联谐振单元L4、C4、第五并联谐振单元L5、C5之间的空间耦合和分布电感实现。第六、第七、第八、第九电感L6、L7、L8、L9构成传输零点电路,根据各个谐振单元之间的空间耦合和分布参数电感实现具体的布置,在阻带内形成多个陷波点,降低寄生对地电感的影响,实现高阻带抑制。

所述的输入、输出端口P1、P2、谐振电路、耦合电路、传输零点电路采用LTCC低温共烧陶瓷工艺实现。利用LTCC材料的低损耗特点和独特的电路结构实现优异的电性能,使得元件具有高温稳定性和高可靠性,通过低温共烧陶瓷工艺减小了元件的空间的占用体积,同时提高元件的阻带抑制。

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