一种有效减小MOS管并联模块体积的DBC布线电路的制作方法

本实用新型涉及MOS管并联集成电路领域，尤其涉及一种有效减小MOS管并联模块体积的DBC布线电路。

背景技术：

随着电子电力技术的发展，MOS管以其高频性能好、开关损耗小、输出阻抗高、驱动功率小等优点被越来越广泛的应用，在大功率产品的实际应用中，单个MOS管往往达不到需要的大电流，此时，需要将多个MOS管并联起来，这样很大的电流由多个MOS管来分担，单个MOS管承担的电流就比较小，确保芯片的安全稳定的工作。

在MOS管并联模块电路中，在模块开启和关闭时，MOS管漏极和源极间将产生电压尖峰脉冲，存在上下桥工作击通的问题，同时由于布线问题，模块内产生较大的寄生电容和电感，模块利用率较低，影响整个电路的正常工作。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于：为减小模块开启和关闭时MOS管漏极和源极间的电压尖峰脉冲，同时对模块进行改善，提高模块利用率，使相同的模块封装可以输出更大的功率,提供一种有效减小MOS管并联模块体积的DBC布线电路。

本实用新型采用的技术方案如下：

一种有效减小MOS芯片并联模块体积的DBC布线电路，包括基板，所述基板上多个MOS管并联成排设置，所述MOS管排一侧设置输出端源极铜箔，所述多个并联MOS管源极互相连接后再与所述输出端源极铜箔连接。

本方案中，通过在MOS管排一侧设置输出端源极铜排，减小了铜箔面积，有效降低寄生电容和电感，通过将MOS管源极与输出端源极铜箔直接连接的方式，改善了MOS管并联在开启和关闭时的di/dt和dv/dt,降低了此时的电压尖峰脉冲，防止在用于上下桥工作时发生穿通的问题。

进一步的，所述多个并联MOS管源极通过铝带进行互相连接。

通过采用铝带与铜箔连接的方式，可以减小模块的制作体积，又能保证输出功率，同时使相同模块封装可以输出更大的功率。

进一步的，所述源极互相连接的并联MOS管通过邦线或者铝带与所述输出端源极铜箔连接。

进一步的，所述MOS管采用贴片封装，有效减小模块封装体积。

进一步的，所述输出端源极铜箔为长条状。

综上所述，由于采用了上述技术方案，本实用新型的有益效果是：

1、本方案中，通过在MOS管排一侧设置输出端源极铜排，减小了铜箔面积，有效降低寄生电容和电感，通过将MOS管源极与输出端源极铜箔直接连接的方式，改善了MOS管并联在开启和关闭时的di/dt和dv/dt,降低了此时的电压尖峰脉冲，防止在用于上下桥工作时发生穿通的问题。

2、通过采用铝带与铜箔连接的方式，可以减小模块的制作体积，又能保证输出功率，同时使相同模块封装可以输出更大的功率。

附图说明

图1是本实用新型改进结构示意图；

图2是本实用新型对比结构示意图；

图3是本实用新型最优结构示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

实施例1

如图1所示，一种有效减小MOS管并联模块体积的DBC布线电路，包括基板，所述基板上多个MOS管并联成排设置，所述MOS管排一侧设置输出端源极铜箔，所述多个并联MOS管源极互相连接后再与所述输出端源极铜箔连接。

如图对比图2所示，原有结构是将并联MOS管源极通过邦线连接到铜箔汇总，再通过铜箔将电流传输到输出端S极(源极)铜箔。

本方案中，通过在MOS管排一侧设置输出端源极铜排，去除另一侧的电流汇总铜箔，直接将所有MOS管源极互相进行连接，再连接输出端S极(源极)铜箔，此布线电路减小了铜箔面积，有效降低寄生电容和电感，通过将MOS管源极与输出端S极(源极)铜箔直接连接的方式，改善了MOS管并联在开启和关闭时的di/dt和dv/dt,降低了此时的电压尖峰脉冲，防止在用于上下桥工作时发生穿通的问题。

实施例2

如图3所述，在实施例1的基础上，所述多个并联MOS管源极通过铝带进行互相连接。

通过采用铝带与铜箔连接的方式，可以减小模块的制作体积，又能保证输出功率，同时使相同模块封装可以输出更大的功率。

实施例3

在实施例1的基础上，所述源极互相连接的并联MOS管通过邦线或者铝带与所述输出端源极铜箔连接。

实施例4

在实施例1的基础上，所述MOS管采用贴片封装，能有效减小模块的制作体积。

实施例5

在实施例1的基础上，所述输出端源极铜箔为长条状。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。