一种减小功率管米勒效应的电路的制作方法

本实用新型涉及电子领域，具体涉及一种减小功率管米勒效应的电路。

背景技术：

目前在MOSFET或IGBT的应用中，为了减少米勒效应带来的功率管发热严重或二次导通的问题，普遍采用的方法是加大功率管的驱动电流(功率)，通过调节功率管GS充放电回路的参数，达到减小米勒效应的影响产生的发热或二次导通。这个方法虽然可行，但必须加大驱动电流，驱动电路的成本会增加很多。米勒效应的描述，如图1为原理图。其中，T1是功率MOSFET管或IGBT管。虚线连接的Cdg和Cgs是T1的D与G以及G与S的寄生电容，Cdg＞Cgs。就目前的电子技术来说，寄生电容是不可避免的。在功率管T1由截止进入导通的过程中，触发脉冲上升沿开始Vgs↑--Vds↓。Vds下降过程中，原来存入Vds中的电荷开始放电，放电回路见图1虚线。过程中在Cgs上形成的电压是下正上负。这个电压与原先输入的电压叠加，和成电压将比原来的VGS下降很多，甚至使T1关闭。随着Cdg放电结束，VGS又恢复上升，T1又开始重新导通，如此循环几次后，T1才处于稳定的导通状态，这就是米勒效应。过程中G点的电压波形如图2。从t0开始，Vgs上升到t1时，由于Cds放电作电，到t2时，Vgs下降，严重时可关断T1,过后Vgs又重新上升，T1又开始导通，直到t3时，才进入稳定导通状态。

技术实现要素：

本实用新型针对现有技术的不足，提出一种减小功率管米勒效应的电路，具体技术方案如下：

一种减小功率管米勒效应的电路，其特征在于：包括功率管T1，该功率管T1的栅极经电阻R4接地；

该功率管T1的栅极与三极管G1的发射极相连，该功率管T1的栅极还与二极管D1的阴极相连，该二极管D1的阳极与三极管G1的基极相连，在三极管G1基极与集电极之间跨级有电阻R2；

该功率管T1的栅极还经电阻R3与三极管G2的集电极相连，在所述电阻R3的两端并联有电容C3；

该三极管G2的基极依次经电阻R5和电容C2与功率管T1的源级相连，三极管G2的基极还与二极管D2的阳极相连，该二极管D2的阴极与三极管G2的发射极相连。

为更好的实现本实用新型，可进一步为：在所述三极管G2的发射极与地之间接有滤波电容C1，所述功率管T1的源级经电阻R6与电源相连。

本实用新型的有益效果为：功率开关管可工作在比较理想的状态，电路的可靠性有很大的提高，发热量降到了最低，不会出现二次导通现象。

附图说明

图1为米勒效应等价原理图；

图2为图1中节点G的电压波形图；

图3为实用电路结构图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。

如图3所示：一种减小功率管米勒效应的电路，包括功率管T1，该功率管T1的栅极经电阻R4接地，通电时，在功率管T1栅极与源级之间形成有寄生电容Cdg，在功率管T1的栅极与漏级之间形成有寄生电容Cgs；

该功率管T1的栅极与三极管G1的发射极相连，该功率管T1的栅极还与二极管D1的阴极相连，该二极管D1的阳极与三极管G1的基极相连，在三极管G1基极与集电极之间跨级有电阻R2；

该功率管T1的栅极还经电阻R3与三极管G2的集电极相连，在电阻R3的两端并联有电容C3；

该三极管G2的基极依次经电阻R5和电容C2与功率管T1的源级相连，三极管G2的基极还与二极管D2的阳极相连，该二极管D2的阴极与三极管G2的发射极相连。

在三极管G2的发射极与地之间接有滤波电容C1，功率管T1的源级经电阻R6与电源相连。

本实用新型工作原理：三极管G2、电阻R3、电容C3、二极管D2、电阻R5和电容C2是为了消除米勒效应增加的元件，此处功率管T1为MOS管，寄生电容Cgs的电压为Vgs，寄生电容Cdg电压为Vds。

当触发脉冲上升沿到来时，电压Vgs开始上升，充电回路是：Q点—电阻R1—二极管D1—G点—S点。

功率管T1开始导通，电压Vds开始下降。此时寄生电容Cdg开始放电，放电回路是D点—功率管T1—S点—寄生电容Cgs—G点，此时，电压Vgs有下降的趋势。同时，电容C2开始充电，充电回路是A点—G2发射结—C点—电阻R5—电容C2—D点—功率管T1—S点，因为这个充电电流经过了G2的发射结，便有一个放大了β倍的电流Ic，该处为G2的放大倍数。Ic流过的路径是A点—G2—F点---电容C3—G点—寄生电容Cgs—S点。

可知，寄生电容Cdg放充电流流经寄生电容Cgs时是下正上负，而Ic流经寄生电容Cgs的电流是上正下负，如果把电容C2、电阻R5、电容C3个电阻R3调整到最佳状态，此两路电流可完全抵消，从而消除了米勒效应。可以在G点得到很接近理想的触发脉冲波形，功率管T1可工作在最佳状态。