本实用新型涉及LED灯电路，尤其涉及一种带有温控系统的LED灯电路。
背景技术：
现有技术中，大功率LED带来的高热量是困扰LED应用的一个重要因素。如果LED长期在高温下工作，其寿命会缩短甚至随时烧坏。现有技术中带有温控系统的LED灯，可在LED灯的温度过高时关闭LED灯，其技术缺陷在于：不能通过温控系统灵活调节LED灯的功率并使LED灯不至于在需要照明时熄灭。
技术实现要素：
本实用新型提出一种高功率驱动灯智能温控系统，可实时控制驱动电路系统流过LED的电流大小。
本实用新型的技术方案是：一种高功率驱动灯智能温控系统，包括电源系统、驱动电路系统、智能温控系统和LED模组，所述电源系统、智能温控系统和LED模组分别与驱动电路系统连接。
作为改进，所述智能温控系统包括高精度负温度系数热敏电阻R001、开关二极管DD1、高频瓷介电容CC1、可控精密稳压源U6和P型三极管Q001，可控精密稳压源U6的型号为TL431；高精度负温度系数热敏电阻R001与开关二极管DD1并联；开关二极管DD1的正极与可控精密稳压源U6的第二引脚连接，开关二极管DD1的负极通过电阻R004与可控精密稳压源U6的第三引脚连接，开关二极管DD1的负极通过电阻R005与P型三极管Q001的发射极连接；高频瓷介电容CC1的一端与开关二极管DD1的负极连接，高频瓷介电容CC1的另一端接地，电阻R002与高频瓷介电容CC1并联；可控精密稳压源U6的第二引脚接地，可控精密稳压源U6的第三引脚与P型三极管Q001的基极连接，电阻R003和电容C001与可控精密稳压源U6的第二引脚和第三引脚并联；P型三极管Q001的集电极通过电阻R006接地，电容C007与电阻R006并联，P型三极管Q001的集电极与驱动电路系统连接。
作为改进，所述高精度负温度系数热敏电阻R001的型号为NTC-01。
作为改进，所述驱动电路系统包括驱动集成电路U1、高频瓷介电容CC9、MOS管Q1和肖特基二极管D1，所述驱动集成电路U1的型号为LM3429；
所述驱动集成电路U1的第一引脚通过电阻R11与驱动集成电路U1的第七引脚连接，驱动集成电路U1的第二引脚通过电容C8接地，驱动集成电路U1的第三引脚与所述智能温控系统连接，驱动集成电路U1的第四引脚通过电容C9接地，驱动集成电路U1的第五引脚与所述电容C8和电容C9共地，驱动集成电路U1的第六引脚通过电容C12与驱动集成电路U1的第九引脚连接，驱动集成电路U1的第七引脚通过电阻R15接地，驱动集成电路U1的第八引脚悬空，驱动集成电路U1的第九引脚通过电源接地，驱动集成电路U1的第十引脚通过电阻R34与MOS管Q1的栅极连接，驱动集成电路U1的第十一引脚通过电容C11与驱动集成电路U1的第九引脚连接，驱动集成电路U1的第十二引脚与MOS管Q1的源极连接，驱动集成电路U1的第十三引脚通过电阻R5与肖特基二极管D1的负极连接，驱动集成电路U1的第十四引脚通过电阻R3与电容C7与肖特基二极管D1的负极连接，驱动集成电路U1的第十四引脚通过电阻R3和电阻R6与所述LED模组连接，驱动集成电路U1的第十五引脚与驱动集成电路U1的第九引脚连接；
所述高频瓷介电容CC9的第一端接地，高频瓷介电容CC9的第二端通过电容L5与所述电源系统连接，高频瓷介电容CC9的第二端通过并联的电容C1、C3、C4、C5和C6接地，高频瓷介电容CC9的第二端通过电感L1和L2与肖特基二极管D1的正极连接；所述MOS管Q1的漏极与肖特基二极管D1的正极连接；所述肖特基二极管D1的正极通过电阻R1与驱动集成电路U1的第四引脚连接，肖特基二极管D1的负极通过电容C2接地，肖特基二极管D1的负极通过电阻R2与所述LED模组连接。
作为改进，所述LED模组包括若干串联的LED单元。
作为改进，所述电源系统包括高频瓷介电容CC7、瞬态抑制二极管TVS1、高频瓷介电容CC29、MOS管Q2、高频瓷介电容CC30、整流二极管Z2、极性电容E2、高频瓷介电容CC12和高频瓷介电容CC8，其输入电源为10~33V交流电；所述高频瓷介电容CC7接入交流电，电阻R110与高频瓷介电容CC7并联；瞬态抑制二极管TVS1与高频瓷介电容CC7并联，瞬态抑制二极管TVS1的一端通过高频瓷介电容CC29与金属外壳连接，电容C27与高频瓷介电容CC29并联，瞬态抑制二极管TVS1的另一端与MOS管Q2的漏极连接，高频瓷介电容CC7、瞬态抑制二极管TVS1和MOS管Q2的漏极共地；所述MOS管Q2的漏极通过高频瓷介电容CC30与金属外壳连接，电容C28与高频瓷介电容CC30并联，MOS管Q2的源极接地，MOS管Q2的栅极通过电阻R10与极性电容E2的正极连接；整流二极管Z2的正极与MOS管Q2的源极共地，整流二极管Z2的负极与MOS管的栅极连接；极性电容E2的正极与驱动电路系统连接，极性电容E2的负极接地；高频瓷介电容CC12和高频瓷介电容CC8与极性电容E2并联。
作为改进，所述电源系统包括高频瓷介电容CC13和高频瓷介电容CC15，其输入电源为直流电，直流电源直接与所述驱动电路系统连接；所述高频瓷介电容CC13一端与直流电源连接，高频瓷介电容CC13的另一端接地；所述高频瓷介电容CC15的一端与直流电源连接，高频瓷介电容CC15的另一端接地。
本实用新型对比现有技术的有益效果是：输入功率会随着灯体的温度变化而变化，实现实时检测灯体温度的大小从而改变输入的总功率。
附图说明
图1为高功率驱动灯智能温控系统的结构示意图。
图2为高功率驱动灯智能温控系统的电路图。
图3为智能温控系统的电路图。
图4为驱动电路系统的电路图。
图5为交流电源系统的电路图。
图6为直流电源系统的电路图。
具体实施方式
下面结合说明书附图对本实用新型作进一步说明。
如图1和2所示，一种高功率驱动灯智能温控系统，包括电源系统、驱动电路系统、智能温控系统和LED模组，图2中的A区域为智能温控系统，图2中的B区域为驱动电路系统，图2中的C区域为电源系统，图2中的D区域为LED模组，所述电源系统、智能温控系统和LED模组分别与驱动电路系统连接。所述LED模组包括若干串联的LED单元。所述电源系统可为交流电源系统或直流电源系统。
如图3所示，所述智能温控系统包括高精度负温度系数热敏电阻NTC-01、开关二极管DD1、高频瓷介电容CC1、可控精密稳压源U6和P型三极管Q001，可控精密稳压源U6的型号为TL431；高精度负温度系数热敏电阻NTC-01与开关二极管DD1并联；开关二极管DD1的正极与可控精密稳压源U6的第二引脚连接，开关二极管DD1的负极通过电阻R004与可控精密稳压源U6的第三引脚连接，开关二极管DD1的负极通过电阻R005与P型三极管Q001的发射极连接；高频瓷介电容CC1的一端与开关二极管DD1的负极连接，高频瓷介电容CC1的另一端接地，电阻R002与高频瓷介电容CC1并联；可控精密稳压源U6的第二引脚接地，可控精密稳压源U6的第三引脚与P型三极管Q001的基极连接，电阻R003和电容C001与可控精密稳压源U6的第二引脚和第三引脚并联；P型三极管Q001的集电极通过电阻R006接地，电容C007与电阻R006并联，P型三极管Q001的集电极与驱动电路系统连接。
如图5所示，所述驱动电路系统包括驱动集成电路U1、高频瓷介电容CC9、MOS管Q1和肖特基二极管D1，所述驱动集成电路U1的型号为LM3429。
如图4所示，所述驱动集成电路U1的第一引脚通过电阻R11与驱动集成电路U1的第七引脚连接，驱动集成电路U1的第二引脚通过电容C8接地，驱动集成电路U1的第三引脚与所述智能温控系统连接，驱动集成电路U1的第四引脚通过电容C9接地，驱动集成电路U1的第五引脚与所述电容C8和电容C9共地，驱动集成电路U1的第六引脚通过电容C12与驱动集成电路U1的第九引脚连接，驱动集成电路U1的第七引脚通过电阻R15接地，驱动集成电路U1的第八引脚悬空，驱动集成电路U1的第九引脚通过电源接地，驱动集成电路U1的第十引脚通过电阻R34与MOS管Q1的栅极连接，驱动集成电路U1的第十一引脚通过电容C11与驱动集成电路U1的第九引脚连接，驱动集成电路U1的第十二引脚与MOS管Q1的源极连接，驱动集成电路U1的第十三引脚通过电阻R5与肖特基二极管D1的负极连接，驱动集成电路U1的第十四引脚通过电阻R3与电容C7与肖特基二极管D1的负极连接，驱动集成电路U1的第十四引脚通过电阻R3和电阻R6与所述LED模组连接，驱动集成电路U1的第十五引脚与驱动集成电路U1的第九引脚连接。
如图4所示，所述高频瓷介电容CC9的第一端接地，高频瓷介电容CC9的第二端通过电容L5与所述电源系统连接，高频瓷介电容CC9的第二端通过并联的电容C1、C3、C4、C5和C6接地，高频瓷介电容CC9的第二端通过电感L1和L2与肖特基二极管D1的正极连接；所述MOS管Q1的漏极与肖特基二极管D1的正极连接；所述肖特基二极管D1的正极通过电阻R1与驱动集成电路U1的第四引脚连接，肖特基二极管D1的负极通过电容C2接地，肖特基二极管D1的负极通过电阻R2与所述LED模组连接。
如图5所示，所述交流电源系统包括高频瓷介电容CC7、瞬态抑制二极管TVS1、高频瓷介电容CC29、MOS管Q2、高频瓷介电容CC30、整流二极管Z2、极性电容E2、高频瓷介电容CC12和高频瓷介电容CC8，其输入电源为10~33V交流电；所述高频瓷介电容CC7接入交流电，电阻R110与高频瓷介电容CC7并联；瞬态抑制二极管TVS1与高频瓷介电容CC7并联，瞬态抑制二极管TVS1的一端通过高频瓷介电容CC29与金属外壳连接，电容C27与高频瓷介电容CC29并联，瞬态抑制二极管TVS1的另一端与MOS管Q2的漏极连接，高频瓷介电容CC7、瞬态抑制二极管TVS1和MOS管Q2的漏极共地；所述MOS管Q2的漏极通过高频瓷介电容CC30与金属外壳连接，电容C28与高频瓷介电容CC30并联，MOS管Q2的源极接地，MOS管Q2的栅极通过电阻R10与极性电容E2的正极连接；整流二极管Z2的正极与MOS管Q2的源极共地，整流二极管Z2的负极与MOS管的栅极连接；极性电容E2的正极与驱动电路系统连接，极性电容E2的负极接地；高频瓷介电容CC12和高频瓷介电容CC8与极性电容E2并联。
如图6所示，所述直流电源系统包括高频瓷介电容CC13和高频瓷介电容CC15，直流电源直接与所述驱动电路系统连接；所述高频瓷介电容CC13一端与直流电源连接，高频瓷介电容CC13的另一端接地；所述高频瓷介电容CC15的一端与直流电源连接，高频瓷介电容CC15的另一端接地。
本实用新型的工作原理是：高精度负温度系数热敏电阻NTC-01电阻的温度特性曲线是随着温度的升高电阻阻值会减小。CK1是驱动集成电路U1的第十一引脚的参考电位（5V），经过可控精密稳压源U6进行可控的电压输出。控精密稳压源U6正常的参考极的电压的参考电压是2.5V，由高精度负温度系数热敏电阻NTC-01和电阻R002进行芯片参考电位的分压，使得控精密稳压源U6正常的参考极的电压的参考电压被下拉小于2.5V,从而影响到P型三极管Q001的电位变化，最终控制P型三极管Q001的基极和发射极之间处在半导通状态，使得流过的电阻R011和电阻R006之间的电流会随着高精度负温度系数热敏电阻NTC-01的阻值变化而变化。从而使得驱动集成电路U1的第三引脚（CSH）的参考电位在低于1.24V状态下，随着灯体温度的变化而变化，从而影响驱动集成电路U1的第三引脚和第四引脚之间调节电流采样电阻之间的压降，达到实时控制驱动电路系统流过LED的电流大小。