低功耗的高压快速启动电路的制作方法

本实用新型涉及电子技术领域，具体为一种低功耗的高压快速启动电路。

背景技术：

当今的高压启动电路，其启动速度快和功耗低是相矛盾的，即启动速度快了，对应的功耗也会增加，如在LED灯具中的驱动IC芯片，虽然启动的速度变快了，但是自身的功耗增加，如果功耗降低了，那么启动速度也会相应变慢。

技术实现要素：

为了解决上述问题，本实用新型提供了一种低功耗的高压快速启动电路，其能够同时实现快速启动和低功耗。

其技术方案是这样的：一种低功耗的高压快速启动电路，其特征在于，其包括电阻R1和电阻R2，所述电阻R1一端和电阻R2一端均连接高压源HV，所述电阻R1另一端连接电容C0一端、二极管D2的负极、NMOS开关管Q1的栅极，且该节点为IC驱动芯片的使能端，所述二极管D2的正极、电容C0的另一端接地，所述NMOS开关管Q1的漏极连接所述电阻R2另一端，所述NMOS开关管Q1的源极连接电容C1一端、二极管D1的负极、电源VCC，所述二极管D1的正极、电容C1另一端接地。

采用本实用新型的电路后，高压源HV通过电阻R1给电容C1充电使得电容C1两端的电压很快达到IC驱动芯片的工作电压VCC，当IC驱动芯片启动后，NMOS开关管Q1关断，进入低功耗状态，从而同时实现了快速启动和低功耗。

附图说明

图1为本实用新型电路原理图。

具体实施方式

见图1所示，一种低功耗的高压快速启动电路，其包括电阻R1和电阻R2，电阻R1一端和电阻R2一端均连接高压源HV，电阻R1另一端连接电容C0一端、二极管D2的负极、NMOS开关管Q1的栅极，且该节点为IC驱动芯片的使能端，二极管D2的正极、电容C0的另一端接地，NMOS开关管Q1的漏极连接电阻R2另一端，NMOS开关管Q1的源极连接电容C1一端、二极管D1的负极、电源VCC，二极管D1的正极、电容C1另一端接地。

工作原理如下所述：开始时，电容C0两端电压为0，NMOS开关管Q1是关断的，电容C1两端电压为0V，这时IC驱动芯片不工作，随着时间的推移，高压源HV通过电阻R1给电容C0充电，当电容C0两端的电压达到NMOS开关管Q1开通的阈值，则NMOS开关管Q1导通，高压源HV通过电阻R2给电容C1充电，由于电阻R2阻值很小，所以电容C1两端的电压很快达到IC的工作电压VCC（VCC给IC供电），当IC驱动芯片使能端启动后，将Enable拉低，这时电容C0两端的电压为0 ，NMOS开关管Q1关断。启动电路完成了启动工作，进入低功耗状态（功耗为HV²/R1）。二极管D1和二极管D2起电压限幅的作用，保护电压不超过IC驱动芯片的最大工作电压。