1.一种微波功率合成放大器，其特征在于，所述微波功率合成放大器的一侧开设有波导输入口，相对的另一侧开设有波导输出口，所述微波功率合成放大器包括：
散热座，设置有第一导热杆及与所述第一导热杆并列设置的第二导热杆；
支撑座，设置于所述散热座的一侧，所述支撑座与所述散热座共同围成一第一容置腔，所述第一导热杆与所述第二导热杆均位于散热座朝向所述支撑座的一侧且位于所述第一容置腔内，所述第一容置腔与所述波导输入口及所述波导输出口均相连通；
第一天线板，设置于所述第一容置腔内，所述第一天线板上设置有第一功放管，所述第一天线板上开设有第一通孔，所述第一功放管对应于所述第一通孔，所述第一功放管具有正面及与所述正面相背对设置的背面，所述第一导热杆远离所述散热座的一端伸入所述第一通孔内，并抵接在所述第一功放管的背面；
盖板，盖设于所述支撑座背向于所述散热座的一侧，所述盖板与所述支撑座共同围成一第二容置腔，所述第二容置腔与所述波导输入口及所述波导输出口均相连通；及
第二天线板，设置于所述第二容置腔内，所述第二天线板上设置有第二功放管，所述第二天线板上开设有第二通孔，所述第二功放管对应于所述第二通孔，所述第二功放管具有正面及与所述正面相背对设置的背面，所述第二导热杆远离所述散热座的一端依次穿过所述第一天线板、所述支撑座并伸入所述第二通孔内，以抵接于所述第二功放管的背面。
2.根据权利要求1所述的微波功率合成放大器，其特征在于，所述第一导热杆与所述第二导热杆间隔设置，以使所述第一功放管与所述第二功放管在所述散热座上的投影不重合。
3.根据权利要求1所述的微波功率合成放大器，其特征在于，所述第一功放管固定于所述第一导热杆一端的端面上，所述第二功放管固定于所述第二导热杆一端的端面上。
4.根据权利要求1所述的微波功率合成放大器，其特征在于，所述散热座朝向所述支撑座的表面上开设有第一安装槽，所述第一导热杆及所述第二导热杆均设置于所述第一安装槽的底壁上，所述支撑座朝向所述散热座的表面上开设有第一容置槽，所述第一容置槽与所述第一安装槽相连通以形成所述第一容置腔，所述第一天线板设置于所述第一安装槽内，所述第一功放管的正面朝向所述第一容置槽设置。
5.根据权利要求4所述的微波功率合成放大器，其特征在于，所述支撑座朝向所述盖板的表面上开设有第二安装槽，所述盖板朝向所述支撑座的表面上开设有第二容置槽，所述第二容置槽与所述第二安装槽相连通以形成所述第二容置腔，所述第二天线板设置于所述第二安装槽内，所述第二功放管的正面朝向所述第二容置槽设置。
6.根据权利要求5所述的微波功率合成放大器，其特征在于，所述第二容置槽的底壁上设置有金属隔板，所述金属隔板对应于所述第一功放管与所述第二功放管之间。
7.根据权利要求5所述的微波功率合成放大器，其特征在于，所述第一安装槽的底壁上开设有第一凹槽，所述第一凹槽贯穿所述散热座的一侧壁，所述第一容置槽的底壁上开设有第一通槽，所述第一通槽贯穿所述支撑座的一侧壁，所述盖板朝向所述支撑座的表面上开设有第二凹槽，所述第二凹槽贯穿所述盖板的一侧壁并与所述第二容置槽相连通，所述第一凹槽与所述第一通槽及所述第二凹槽相连通以形成所述波导输入口；所述第一安装槽的底壁上还开设有第三凹槽，所述第三凹槽贯穿所述散热座相对的另一侧壁，所述第一容置槽的底壁上还开设有第二通槽，所述第二通槽贯穿所述支撑座相对的另一侧壁，所述盖板朝向所述支撑座的表面上还开设有第四凹槽，所述第四凹槽贯穿所述盖板相对的另一侧壁并与所述第二容置槽相连通，所述第三凹槽与所述第二通槽及所述第四凹槽相连通以形成所述波导输出口。
8.根据权利要求1-7任一项所述的微波功率合成放大器，其特征在于，所述第二天线板的数量为至少两个，每一所述第二天线板上均设置有所述第二功放管，所述支撑座的数量与所述第二天线板的数量相对应，每相邻两个所述支撑座相互叠置，且共同围成一第三容置腔，每一所述第三容置腔内设置有一所述第二天线板。
9.根据权利要求8所述的微波功率合成放大器，其特征在于，所述第二导热杆的数量与所述第二天线板的数量相对应，其中一所述第二导热杆的一端依次穿过所述第一天线板、最靠近所述第一天线板的所述支撑座并伸入最靠近所述第一天线板的所述第二通孔内，以抵接于最靠近所述第一天线板的所述第二天线板上的所述第二功放管的背面；对于远离所述第一天线板的所述第二天线板，另一所述第二导热杆的一端依次穿过该所述第二天线板与所述散热座之间的所述第一天线板、所述支撑座及所述第二天线板，并伸入该所述第二天线板上的所述第二通孔内，以抵接于该所述第二天线板上的所述第二功放管的背面。
10.根据权利要求1-7任一项所述的微波功率合成放大器，其特征在于，所述第一天线板与所述第二天线板均为有源天线板，所述有源天线板包括输入双路鳍线-微带转换第一微波传输线、时延微带传输线第一天线、输出微带-鳍线转换。