本发明涉及振荡器。
背景技术：
振荡器的振荡频率是由电容充电和放电的时间决定的，而充电和放电时间是由电容的充电电流和放电电流的大小决定的，这样就可以通过调节电流的大小来调节振荡频率，为此设计了一种通过调节放电电流调节频率的振荡器电路。
技术实现要素：
本发明旨在提供一种振荡器电路。
一种振荡器电路，包括第一电阻、第一NMOS管、第一PMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第二PMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第三PMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第十NMOS管、第四PMOS管和第十一NMOS管：
所述第一电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第三NMOS管的栅极和所述第六NMOS管的栅极和所述第九NMOS管的栅极；所述第一NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一电阻的一端和所述第三NMOS管的栅极和所述第六NMOS管的栅极和所述第九NMOS管的栅极，源极接地；所述第一PMOS管的栅极接所述第二NMOS管的栅极和所述第三PMOS管的漏极和所述第八NMOS管的漏极和所述第十NMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第十一NMOS管的栅极，漏极接所述第二NMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；所述第二NMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的漏极和所述第八NMOS管的漏极和所述第十NMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第十一NMOS管的栅极，漏极接所述第一PMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极，源极接所述第三NMOS管的漏极；所述第三NMOS管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第六NMOS管的栅极和所述第九NMOS管的栅极，漏极接所述第二NMOS管的源极，源极接地；所述第四NMOS管的栅极接所述第一PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的漏极和所述第二PMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极，漏极接地，源极接地；所述第二PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极，漏极接所述第五NMOS管的漏极和所述第七NMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第八NMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；所述第五NMOS管的栅极接所述第二PMOS管的栅极和所述第一PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极，漏极接所述第二NMOS管的漏极和所述第七NMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第八NMOS管的栅极，源极接所述第六NMOS管的漏极；所述第六NMOS管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第三NMOS管的栅极和所述第九NMOS管的栅极，漏极接所述第五NMOS管的源极，源极接地；所述第七NMOS管的栅极接所述第二PMOS管的漏极和所述第五NMOS管的漏极和所述第三PMOS管的栅极和所述第八NMOS管的栅极，漏极接地，源极接地；所述第三PMOS管的栅极接所述第七NMOS管的栅极和所述第二PMOS管的漏极和所述第五NMOS管的漏极和所述第八NMOS管的栅极，漏极接所述第一PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极和所述第八NMOS管的漏极和所述第十NMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第十一NMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；所述第八NMOS管的栅极接所述第三PMOS管的栅极和所述第七NMOS管的栅极和所述第二PMOS管的漏极和所述第五NMOS管的漏极，漏极接所述第一PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极和所述第三PMOS管的漏极和所述第十NMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第十一NMOS管的栅极，源极接所述第九NMOS管的漏极；所述第九NMOS管的栅极接所述第六NMOS管的栅极和所述第一电阻的一端和所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第三NMOS管的栅极，漏极接所述第八NMOS管的源极，源极接地；所述第十NMOS管的栅极接所述第八NMOS管的漏极和所述第一PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极和所述第三PMOS管的漏极和所述第四PMOS管的栅极和所述第十一NMOS管的栅极，漏极接地，源极接地；所述第四PMOS管的栅极接所述第十NMOS管的栅极和所述第八NMOS管的漏极和所述第一PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极和所述第三PMOS管的漏极和所述第十一NMOS管的栅极，漏极作为振荡器的输出端OSCOUT，源极接电源电压VCC；所述第十一NMOS管的栅极接所述第十NMOS管的栅极和所述第八NMOS管的漏极和所述第一PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极和所述第三PMOS管的漏极和所述第四PMOS管的栅极，漏极作为振荡器的输出端OSCOUT，源极接地。
所述第一电阻和所述第一NMOS管构成偏置电流产生电路，产生的电流通过所述第一NMOS管镜像给所述第三NMOS管、所述第六NMOS管和所述第九NMOS管；所述第四NMOS管、所述第七NMOS管和所述第十NMOS管这三个NMOS管接成NMOS管形成的电容，通过栅氧层形成电容；对所述第四NMOS管形成的电容充电电流由所述第一PMOS管导通时漏极流出的电流决定，对所述第四NMOS管形成的电容放电电流由所述第三NMOS管漏极流出的电流决定；对所述第七NMOS管形成的电容充电电流由所述第二PMOS管导通时漏极流出的电流决定，对所述第七NMOS管形成的电容放电电流由所述第六NMOS管漏极流出的电流决定；对所述第十NMOS管形成的电容充电电流由所述第三PMOS管导通时漏极流出的电流决定，对所述第十NMOS管形成的电容放电电流由所述第九NMOS管漏极流出的电流决定。
附图说明
图1为本发明的振荡器电路的电路图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明内容进一步说明。
一种振荡器电路，如图1所示，包括第一电阻101、第一NMOS管102、第一PMOS管201、第二NMOS管202、第三NMOS管203、第四NMOS管204、第二PMOS管205、第五NMOS管206、第六NMOS管207、第七NMOS管208、第三PMOS管209、第八NMOS管210、第九NMOS管211、第十NMOS管212、第四PMOS管301和第十一NMOS管302：
所述第一电阻101的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一NMOS管102的栅极和漏极和所述第三NMOS管203的栅极和所述第六NMOS管207的栅极和所述第九NMOS管211的栅极；所述第一NMOS管102的栅极和漏极接在一起再接所述第一电阻101的一端和所述第三NMOS管203的栅极和所述第六NMOS管207的栅极和所述第九NMOS管211的栅极，源极接地；所述第一PMOS管201的栅极接所述第二NMOS管202的栅极和所述第三PMOS管209的漏极和所述第八NMOS管210的漏极和所述第十NMOS管212的栅极和所述第四PMOS管301的栅极和所述第十一NMOS管302的栅极，漏极接所述第二NMOS管202的漏极和所述第四NMOS管204的栅极和所述第二PMOS管205的栅极和所述第五NMOS管206的栅极，源极接电源电压VCC；所述第二NMOS管202的栅极接所述第一PMOS管201的栅极和所述第三PMOS管209的漏极和所述第八NMOS管210的漏极和所述第十NMOS管212的栅极和所述第四PMOS管301的栅极和所述第十一NMOS管302的栅极，漏极接所述第一PMOS管201的漏极和所述第四NMOS管204的栅极和所述第二PMOS管205的栅极和所述第五NMOS管206的栅极，源极接所述第三NMOS管203的漏极；所述第三NMOS管203的栅极接所述第一电阻101的一端和所述第一NMOS管102的栅极和漏极和所述第六NMOS管207的栅极和所述第九NMOS管211的栅极，漏极接所述第二NMOS管202的源极，源极接地；所述第四NMOS管204的栅极接所述第一PMOS管201的漏极和所述第二NMOS管202的漏极和所述第二PMOS管205的栅极和所述第五NMOS管206的栅极，漏极接地，源极接地；所述第二PMOS管205的栅极接所述第一PMOS管201的漏极和所述第二NMOS管202的漏极和所述第四NMOS管204的栅极和所述第五NMOS管206的栅极，漏极接所述第五NMOS管206的漏极和所述第七NMOS管208的栅极和所述第三PMOS管209的栅极和所述第八NMOS管210的栅极，源极接电源电压VCC；所述第五NMOS管206的栅极接所述第二PMOS管205的栅极和所述第一PMOS管201的漏极和所述第二NMOS管202的漏极和所述第四NMOS管204的栅极，漏极接所述第二NMOS管205的漏极和所述第七NMOS管208的栅极和所述第三PMOS管209的栅极和所述第八NMOS管210的栅极，源极接所述第六NMOS管207的漏极；所述第六NMOS管207的栅极接所述第一电阻101的一端和所述第一NMOS管102的栅极和漏极和所述第三NMOS管203的栅极和所述第九NMOS管211的栅极，漏极接所述第五NMOS管206的源极，源极接地；所述第七NMOS管208的栅极接所述第二PMOS管205的漏极和所述第五NMOS管206的漏极和所述第三PMOS管209的栅极和所述第八NMOS管210的栅极，漏极接地，源极接地；所述第三PMOS管209的栅极接所述第七NMOS管208的栅极和所述第二PMOS管205的漏极和所述第五NMOS管206的漏极和所述第八NMOS管210的栅极，漏极接所述第一PMOS管201的栅极和所述第二NMOS管202的栅极和所述第八NMOS管210的漏极和所述第十NMOS管212的栅极和所述第四PMOS管301的栅极和所述第十一NMOS管302的栅极，源极接电源电压VCC；所述第八NMOS管210的栅极接所述第三PMOS管209的栅极和所述第七NMOS管208的栅极和所述第二PMOS管205的漏极和所述第五NMOS管206的漏极，漏极接所述第一PMOS管201的栅极和所述第二NMOS管202的栅极和所述第三PMOS管209的漏极和所述第十NMOS管212的栅极和所述第四PMOS管301的栅极和所述第十一NMOS管302的栅极，源极接所述第九NMOS管211的漏极；所述第九NMOS管211的栅极接所述第六NMOS管207的栅极和所述第一电阻101的一端和所述第一NMOS管102的栅极和漏极和所述第三NMOS管203的栅极，漏极接所述第八NMOS管210的源极，源极接地；所述第十NMOS管212的栅极接所述第八NMOS管210的漏极和所述第一PMOS管201的栅极和所述第二NMOS管202的栅极和所述第三PMOS管209的漏极和所述第四PMOS管301的栅极和所述第十一NMOS管302的栅极，漏极接地，源极接地；所述第四PMOS管301的栅极接所述第十NMOS管212的栅极和所述第八NMOS管210的漏极和所述第一PMOS管201的栅极和所述第二NMOS管202的栅极和所述第三PMOS管209的漏极和所述第十一NMOS管302的栅极，漏极作为振荡器的输出端OSCOUT，源极接电源电压VCC；所述第十一NMOS管302的栅极接所述第十NMOS管212的栅极和所述第八NMOS管210的漏极和所述第一PMOS管201的栅极和所述第二NMOS管202的栅极和所述第三PMOS管209的漏极和所述第四PMOS管301的栅极，漏极作为振荡器的输出端OSCOUT，源极接地。
所述第一电阻101和所述第一NMOS管102构成偏置电流产生电路，产生的电流通过所述第一NMOS管102镜像给所述第三NMOS管203、所述第六NMOS管207和所述第九NMOS管211；所述第四NMOS管204、所述第七NMOS管208和所述第十NMOS管212这三个NMOS管接成NMOS管形成的电容，通过栅氧层形成电容；对所述第四NMOS管204形成的电容充电电流由所述第一PMOS管201导通时漏极流出的电流决定，对所述第四NMOS管204形成的电容放电电流由所述第三NMOS管203漏极流出的电流决定；对所述第七NMOS管208形成的电容充电电流由所述第二PMOS管205导通时漏极流出的电流决定，对所述第七NMOS管208形成的电容放电电流由所述第六NMOS管207漏极流出的电流决定；对所述第十NMOS管212形成的电容充电电流由所述第三PMOS管209导通时漏极流出的电流决定，对所述第十NMOS管212形成的电容放电电流由所述第九NMOS管211漏极流出的电流决定。
对上述所提供的实施方式的说明，仅是本发明的优选实施方式的说明，对本技术领域的技术人员来说能够根据以上说明进行实现或使用本发明。应当指出，对于本技术领域的技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变形，任何不超出本发明实质精神范围内的发明创造，应视为本发明的保护范围。